JPH04214066A - 酸化物超電導体及びその製造法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製造法Info
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- JPH04214066A JPH04214066A JP3062997A JP6299791A JPH04214066A JP H04214066 A JPH04214066 A JP H04214066A JP 3062997 A JP3062997 A JP 3062997A JP 6299791 A JP6299791 A JP 6299791A JP H04214066 A JPH04214066 A JP H04214066A
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-
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は酸化物超電導体及びその
製造法に関する。
製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、超電導体として用いられているN
b3Sn、CaV3、Nb3Ge等の金属間化合物は、
超電導性を示す金属間化合物の中では臨界温度が16.
8〜23Kと高く、また4.2Kの温度で20〜40テ
スラの臨界磁界を示すことから超電導コイルの他、ジョ
セフソン素子などに実用化されていた。
b3Sn、CaV3、Nb3Ge等の金属間化合物は、
超電導性を示す金属間化合物の中では臨界温度が16.
8〜23Kと高く、また4.2Kの温度で20〜40テ
スラの臨界磁界を示すことから超電導コイルの他、ジョ
セフソン素子などに実用化されていた。
【0003】しかしながら、前記のNb3Sn、GaV
3等は、いずれも超電導性を示す温度が低いという欠点
がある。例えば超電導性を示し始める温度(以下Tc.
onsetとする)及び完全に超電導性を示し、かつ抵
抗が零になる温度(以下Tc.zeroとする)はいず
れも30K以下である。
3等は、いずれも超電導性を示す温度が低いという欠点
がある。例えば超電導性を示し始める温度(以下Tc.
onsetとする)及び完全に超電導性を示し、かつ抵
抗が零になる温度(以下Tc.zeroとする)はいず
れも30K以下である。
【0004】このため超電導体の実用には冷媒として極
めて高価な液体ヘリウムを使用しなければならず、さら
に液体ヘリウムを用いることから装置が複雑化するとい
う欠点がある。
めて高価な液体ヘリウムを使用しなければならず、さら
に液体ヘリウムを用いることから装置が複雑化するとい
う欠点がある。
【0005】この改良として新超電導材料研究会、第1
回シンポジウム・プロシーデングの第24頁〜第33頁
に示されるようにBa−La−Cu−O系の化合物を用
いた超電導体が開発された。この超電導体により臨界温
度は30Kを超え、さらにその後に発見されたY−Ba
−Cu−O系の化合物を用いた超電導体によって臨界温
度は液体窒素温度の77.3Kより高い90K台まで改
良された。
回シンポジウム・プロシーデングの第24頁〜第33頁
に示されるようにBa−La−Cu−O系の化合物を用
いた超電導体が開発された。この超電導体により臨界温
度は30Kを超え、さらにその後に発見されたY−Ba
−Cu−O系の化合物を用いた超電導体によって臨界温
度は液体窒素温度の77.3Kより高い90K台まで改
良された。
【0006】上記のY−Ba−Cu−O系の化合物を用
いた超電導体の臨界電流密度(以下Jcとする)は、例
えば日経超電導第18号(1988年10月3日発行)
の第1頁〜第2頁に示されるように、Y−Ba−Cu−
O系の化合物を1200℃以上の温度で溶融させた後除
冷する方法で作製したY−Ba−Cu−O系の超電導体
では液体窒素温度で、かつ1テスラの磁場中で1×10
8A/m2と高いJcを有している。
いた超電導体の臨界電流密度(以下Jcとする)は、例
えば日経超電導第18号(1988年10月3日発行)
の第1頁〜第2頁に示されるように、Y−Ba−Cu−
O系の化合物を1200℃以上の温度で溶融させた後除
冷する方法で作製したY−Ba−Cu−O系の超電導体
では液体窒素温度で、かつ1テスラの磁場中で1×10
8A/m2と高いJcを有している。
【0007】一方新超電導材料研究会ワークショッププ
ロシーディング1987年9月17日発行の第23頁〜
36頁に示されるようにY−Ba−Cu−O系化合物を
プレス成形した後焼結する方法で作製したY−Ba−C
u−O系の超電導体では液体窒素温度で1×105〜1
06A/m2のJcを有している。
ロシーディング1987年9月17日発行の第23頁〜
36頁に示されるようにY−Ba−Cu−O系化合物を
プレス成形した後焼結する方法で作製したY−Ba−C
u−O系の超電導体では液体窒素温度で1×105〜1
06A/m2のJcを有している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前者の場
合、高いJcが得られるが高温で溶融した後除冷するた
め特殊な装置が必要となり超電導体の大きさ、形状が制
限されるという欠点がある。
合、高いJcが得られるが高温で溶融した後除冷するた
め特殊な装置が必要となり超電導体の大きさ、形状が制
限されるという欠点がある。
【0009】一方後者の場合、製造法は簡易であるが高
いJcが得られないという欠点がある。
いJcが得られないという欠点がある。
【0010】またY−Ba−Cu−O系の化合物を用い
た超電導体のJcは磁場依存性が大きく例えばジャパニ
ーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス(
JAPANESE JOURNAL OF AP
PLIED PHYSICS)Vol.27、No.
2号の第185頁〜第187頁に示される様に10−2
Tと極めて弱い磁場にいて臨界電流密度が大きく低下し
やすいという欠点がある。
た超電導体のJcは磁場依存性が大きく例えばジャパニ
ーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス(
JAPANESE JOURNAL OF AP
PLIED PHYSICS)Vol.27、No.
2号の第185頁〜第187頁に示される様に10−2
Tと極めて弱い磁場にいて臨界電流密度が大きく低下し
やすいという欠点がある。
【0011】本発明は上記欠点のない酸化物超電導体及
びその製造法を提供することを目的とするものである。
びその製造法を提供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者らはY−Ba−
Cu−O系の超電導体のJcの向上について種々検討し
た結果、Y−Ba−Cu−O系の化合物に白金及び/又
はパラジウムを添加した後焼成することで異相が生成す
るものの高Jc化することができ、またJcの磁場依存
性も改善されることを見い出した。
Cu−O系の超電導体のJcの向上について種々検討し
た結果、Y−Ba−Cu−O系の化合物に白金及び/又
はパラジウムを添加した後焼成することで異相が生成す
るものの高Jc化することができ、またJcの磁場依存
性も改善されることを見い出した。
【0013】本発明はイットリウム、バリウム、銅及び
酸素を主成分とし、全組成物中に白金及び/又はパラジ
ウムを0.1〜5重量%含有してなる酸化物超電導体、
イットリウム、バリウム、銅及び酸素を主成分とし、超
電導性を発現しない結晶相を含む場合、超電導性を発現
する結晶相の組成として、イットリウム、バリウム、銅
及び酸素の比率が原子比で1:2±0.15:3±0.
5:6.7±0.3であり、かつ全組成物中に白金及び
/又はパラジウムを0.1〜5重量%含有してなる酸化
物超電導体、請求項1及び請求項2又は請求項3の組成
となるようにイットリウム、バリウム、銅、白金及び/
又はパラジウムを含む各原料を秤量し、混合した後成形
、焼成する酸化物超電導体の製造法並びに請求項1及び
請求項2又は請求項3の組成となるようにイットリウム
、バリウム及び銅を含む各原料を秤量し、混合した後、
焼成、粉砕し、さらに粉砕物に白金及び/又はパラジウ
ムを含む原料を加えて二次混合し、成形後再焼成する酸
化物超電導体の製造法に関する。
酸素を主成分とし、全組成物中に白金及び/又はパラジ
ウムを0.1〜5重量%含有してなる酸化物超電導体、
イットリウム、バリウム、銅及び酸素を主成分とし、超
電導性を発現しない結晶相を含む場合、超電導性を発現
する結晶相の組成として、イットリウム、バリウム、銅
及び酸素の比率が原子比で1:2±0.15:3±0.
5:6.7±0.3であり、かつ全組成物中に白金及び
/又はパラジウムを0.1〜5重量%含有してなる酸化
物超電導体、請求項1及び請求項2又は請求項3の組成
となるようにイットリウム、バリウム、銅、白金及び/
又はパラジウムを含む各原料を秤量し、混合した後成形
、焼成する酸化物超電導体の製造法並びに請求項1及び
請求項2又は請求項3の組成となるようにイットリウム
、バリウム及び銅を含む各原料を秤量し、混合した後、
焼成、粉砕し、さらに粉砕物に白金及び/又はパラジウ
ムを含む原料を加えて二次混合し、成形後再焼成する酸
化物超電導体の製造法に関する。
【0014】本発明において、結晶相が全て超電導性を
発現するものであればイットリウム、バリウム、銅及び
酸素の比率については特に制限はないが、例えばイット
リウム、バリウム、銅及び酸素が原子比で1:2±0.
15:3±0.5:6.7±0.3の範囲であれば高い
Jcが得られ、磁場依存性が小さくなるので好ましい。 また超電導性を発現しない結晶相と超電導性を発現する
結晶相とが共存する場合は、超電導性を発現する結晶相
の組成としてのイットリウム、バリウム、銅及び酸素の
比率は原子比で1:2±0.15:3±0.5:6.7
±0.3の範囲とされ、この範囲から外れると高いJc
が得られず、磁場依存性が大きいという欠点が生じる。
発現するものであればイットリウム、バリウム、銅及び
酸素の比率については特に制限はないが、例えばイット
リウム、バリウム、銅及び酸素が原子比で1:2±0.
15:3±0.5:6.7±0.3の範囲であれば高い
Jcが得られ、磁場依存性が小さくなるので好ましい。 また超電導性を発現しない結晶相と超電導性を発現する
結晶相とが共存する場合は、超電導性を発現する結晶相
の組成としてのイットリウム、バリウム、銅及び酸素の
比率は原子比で1:2±0.15:3±0.5:6.7
±0.3の範囲とされ、この範囲から外れると高いJc
が得られず、磁場依存性が大きいという欠点が生じる。
【0015】超電導体材料を構成する主成分のイットリ
ウム、バリウム及び銅の出発原料については特に制限は
ないが、例えばイットリウムとしては、酸化イットリウ
ム(Y2O3)、炭酸イットリウム(Y2(CO3)3
・3H2O)、蓚酸イットリウム(Y2(C2O4)3
・9H2O)、硝酸イットリウム(Y(NO3)3・6
H2O)、硫酸イットリウム(Y2(SO4)3、トリ
メトキシイットリウム(Y(OCH3)3)、トリエト
キシイットリウム(Y(OC2H5)3)、トリイソプ
ロポキシイットリウム(Y(O−i−C3H7)3)、
臭化イットリウム(YBr3)、フッ化イットリウム(
YF3・1/2H2O)、ヨウ化イットリウム(YI3
)の1種又は2種以上が用いられる。
ウム、バリウム及び銅の出発原料については特に制限は
ないが、例えばイットリウムとしては、酸化イットリウ
ム(Y2O3)、炭酸イットリウム(Y2(CO3)3
・3H2O)、蓚酸イットリウム(Y2(C2O4)3
・9H2O)、硝酸イットリウム(Y(NO3)3・6
H2O)、硫酸イットリウム(Y2(SO4)3、トリ
メトキシイットリウム(Y(OCH3)3)、トリエト
キシイットリウム(Y(OC2H5)3)、トリイソプ
ロポキシイットリウム(Y(O−i−C3H7)3)、
臭化イットリウム(YBr3)、フッ化イットリウム(
YF3・1/2H2O)、ヨウ化イットリウム(YI3
)の1種又は2種以上が用いられる。
【0016】バリウムとしては、酸化バリウム(BaO
)、過酸化バリウム(BaO2)、炭酸バリウム(Ba
CO3)、硝酸バリウム(Ba(NO3)2)、硫酸バ
リウム(BaSO4)、水酸化バリウム(Ba(OH)
2・8H2O)、バリウムアルコキシド〔Ba(OCH
3)2、Ba(O−C2H5)2、Ba(O−i−C3
H7)2、Ba(O−n−C3H7)2、Ba(O−i
−C4H9)2、Ba(O−n−C4H9)2、Ba(
O−sec−C4H9)2、Ba(O−tert−C4
H9)2等〕、臭化バリウム(BaBr2)、塩化バリ
ウム(BaCl2)、フッ化バリウム(BaF2)、ヨ
ウ化バリウム(BaI2)、硫化バリウム(BaS)な
どの1種又は2種以上が用いられる。
)、過酸化バリウム(BaO2)、炭酸バリウム(Ba
CO3)、硝酸バリウム(Ba(NO3)2)、硫酸バ
リウム(BaSO4)、水酸化バリウム(Ba(OH)
2・8H2O)、バリウムアルコキシド〔Ba(OCH
3)2、Ba(O−C2H5)2、Ba(O−i−C3
H7)2、Ba(O−n−C3H7)2、Ba(O−i
−C4H9)2、Ba(O−n−C4H9)2、Ba(
O−sec−C4H9)2、Ba(O−tert−C4
H9)2等〕、臭化バリウム(BaBr2)、塩化バリ
ウム(BaCl2)、フッ化バリウム(BaF2)、ヨ
ウ化バリウム(BaI2)、硫化バリウム(BaS)な
どの1種又は2種以上が用いられる。
【0017】銅としては、酸化第二銅(CuO)を用い
ることが好ましいが、その他の銅酸化物、銅化合物を用
いても差し支えはない。
ることが好ましいが、その他の銅酸化物、銅化合物を用
いても差し支えはない。
【0018】白金及び/又はパラジウムは、全組成物中
に0.1〜5重量%の範囲とされ、0.1重量%未満で
は高いJcが得られず、磁場依存性が改善されず、また
5重量%を越えると高いJcが得られないという欠点が
生じる。
に0.1〜5重量%の範囲とされ、0.1重量%未満で
は高いJcが得られず、磁場依存性が改善されず、また
5重量%を越えると高いJcが得られないという欠点が
生じる。
【0019】白金としては、白金粉末及び二酸化白金(
PtO2)を用いることが好ましいが、その他の白金化
合物を用いても差し支えない。
PtO2)を用いることが好ましいが、その他の白金化
合物を用いても差し支えない。
【0020】またパラジウムはパラジウム粉末及び酸化
パラジウム(PdO)を用いることが好ましいが、その
他のパラジウム化合物を用いても差し支えはない。
パラジウム(PdO)を用いることが好ましいが、その
他のパラジウム化合物を用いても差し支えはない。
【0021】混合方法については特に制限はないが、例
えば合成樹脂製のボールミル内に合成樹脂で被覆したボ
ールミル、エタノール、メタノール等の溶媒及び原料を
充てんし、湿式混合する方法、該原料をらいかい機で乾
式混合することができる。
えば合成樹脂製のボールミル内に合成樹脂で被覆したボ
ールミル、エタノール、メタノール等の溶媒及び原料を
充てんし、湿式混合する方法、該原料をらいかい機で乾
式混合することができる。
【0022】焼成温度は各原料の配合割合などにより適
宜選定されるが、900〜1050℃の範囲で焼成する
ことが好ましく、また雰囲気は大気中、酸素を含む雰囲
気中等で行うことが好ましい。
宜選定されるが、900〜1050℃の範囲で焼成する
ことが好ましく、また雰囲気は大気中、酸素を含む雰囲
気中等で行うことが好ましい。
【0023】粉砕については特に制限はなく、従来公知
の方法、例えばジルコニア製ボールミル、乳鉢等を用い
て粉砕することができる。
の方法、例えばジルコニア製ボールミル、乳鉢等を用い
て粉砕することができる。
【0024】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。実施例1、
比較例1出発原料としてY2O3(信越化学製、純度9
9.9%)、BaCO3(和光純薬製、試薬特級)及び
CuO(高純度化学製、純度99.9%)をY、Ba及
びCuの原子比が1:2:3となる様に秤量した後、合
成樹脂製のボールミルで24時間湿式混合し、次いで1
00℃で12時間乾燥し、混合粉末を得た。この混合粉
末100重量部に対し、有機結合剤としてポリビニルア
ルコール(和光純薬製、試薬)3重量部添加し、均一に
混合した後100MPaの圧力で直径30mm(φ)×
厚さ2mmの成形体を得た。この後成形体を酸素雰囲気
中で、950℃で10時間焼成して焼結し、次いで焼結
体をメノウ乳鉢で粗砕後、ジルコニア製ボールミルで2
4時間湿式粉砕し、平均粒径2.0μmの超電導体粉末
を得た。
比較例1出発原料としてY2O3(信越化学製、純度9
9.9%)、BaCO3(和光純薬製、試薬特級)及び
CuO(高純度化学製、純度99.9%)をY、Ba及
びCuの原子比が1:2:3となる様に秤量した後、合
成樹脂製のボールミルで24時間湿式混合し、次いで1
00℃で12時間乾燥し、混合粉末を得た。この混合粉
末100重量部に対し、有機結合剤としてポリビニルア
ルコール(和光純薬製、試薬)3重量部添加し、均一に
混合した後100MPaの圧力で直径30mm(φ)×
厚さ2mmの成形体を得た。この後成形体を酸素雰囲気
中で、950℃で10時間焼成して焼結し、次いで焼結
体をメノウ乳鉢で粗砕後、ジルコニア製ボールミルで2
4時間湿式粉砕し、平均粒径2.0μmの超電導体粉末
を得た。
【0025】次に該超電導体粉末に白金粉末(徳力化学
製、商品名TP−1)を表1に示す割合で混合し、この
混合粉末100重量部に対し有機結合剤としてポリビニ
ルアルコール(和光純薬製、試薬)を3重量部添加し、
均一に混合した後98Mpa(1000kg/cm2)
の圧力で直径30mm(φ)×厚さ2mmの成形体を得
た。この後成形体を酸素雰囲気中で、950℃で10時
間焼成して焼結し、白金を含む酸化物超電導体の焼結体
を得た。
製、商品名TP−1)を表1に示す割合で混合し、この
混合粉末100重量部に対し有機結合剤としてポリビニ
ルアルコール(和光純薬製、試薬)を3重量部添加し、
均一に混合した後98Mpa(1000kg/cm2)
の圧力で直径30mm(φ)×厚さ2mmの成形体を得
た。この後成形体を酸素雰囲気中で、950℃で10時
間焼成して焼結し、白金を含む酸化物超電導体の焼結体
を得た。
【0026】
【表1】
【0027】なお、焼成において500℃までは100
℃/時間、500℃から950℃の間は200℃/時間
の速度で昇温し、冷却は300℃までは100℃/時間
の速度で冷却し、その後常温まで炉冷した。
℃/時間、500℃から950℃の間は200℃/時間
の速度で昇温し、冷却は300℃までは100℃/時間
の速度で冷却し、その後常温まで炉冷した。
【0028】次に得られた焼結体を2mm幅に切り出し
四端子法で抵抗の温度変化を測定し、Tc.zero、
Jc及び磁場中でのJcを測定した。Jcは電圧降下が
1μV/cmになったときの電流値及び試料の断面積か
ら算出した。
四端子法で抵抗の温度変化を測定し、Tc.zero、
Jc及び磁場中でのJcを測定した。Jcは電圧降下が
1μV/cmになったときの電流値及び試料の断面積か
ら算出した。
【0029】これらの白金を含む焼結体のTc.zer
o及びJcを表2に示す。またNo.1、No.3及び
No.4の焼結体の磁場中におけるJcを表3に示す。
o及びJcを表2に示す。またNo.1、No.3及び
No.4の焼結体の磁場中におけるJcを表3に示す。
【0030】
【表2】
【0031】
【表3】
【0032】表2及び表3により、本発明になる酸化物
超電導体のJcは、白金を添加しない酸化物超電導体よ
りも高いJcを示し、5〜10×10−4テスラの磁場
中におけるJcの低下も少なく、またTc.zeroも
92.0〜93.1Kを良好な値であることが示される
。
超電導体のJcは、白金を添加しない酸化物超電導体よ
りも高いJcを示し、5〜10×10−4テスラの磁場
中におけるJcの低下も少なく、またTc.zeroも
92.0〜93.1Kを良好な値であることが示される
。
【0033】これに対し、白金を含まない酸化物超電導
体は、Tc.zeroは92.4Kと良好な値を示した
が、Jcは310×104A/m2と低く、5〜10×
10−4テスラの磁場中で大きく低下した。
体は、Tc.zeroは92.4Kと良好な値を示した
が、Jcは310×104A/m2と低く、5〜10×
10−4テスラの磁場中で大きく低下した。
【0034】また白金を10重量%含む酸化物超電導体
は、Tc.zeroは92.1Kと良好な値を示したが
、Jcは420×104A/m2と低い値であった。
は、Tc.zeroは92.1Kと良好な値を示したが
、Jcは420×104A/m2と低い値であった。
【0035】実施例2、比較例2実施例1における白金
粉末の代りにパラジウム粉末(徳力化学製、商品名#3
01)を用いた他は実施例1と同様の方法でパラジウム
を含む酸化物超電導体の焼結体を得た。パラジウムの添
加割合を表4に示す。
粉末の代りにパラジウム粉末(徳力化学製、商品名#3
01)を用いた他は実施例1と同様の方法でパラジウム
を含む酸化物超電導体の焼結体を得た。パラジウムの添
加割合を表4に示す。
【0036】
【表4】
【0037】次に得られた焼結体について実施例1と同
様の方法でTc.zero、Jc及び磁場中でのJcを
測定した。
様の方法でTc.zero、Jc及び磁場中でのJcを
測定した。
【0038】これらのパラジウムを含む焼結体のTc.
zero及びJcを表5に示す。またNo.11、No
.13及びNo.14の焼結体の磁場中におけるJcを
表6に示す。
zero及びJcを表5に示す。またNo.11、No
.13及びNo.14の焼結体の磁場中におけるJcを
表6に示す。
【0039】
【表5】
【0040】
【表6】
【0041】表5及び表6により、本発明になる酸化物
超電導体のJcは、パラジウムを添加しない酸化物超電
導体よりも高いJcを示し、5〜10×10−4テスラ
の磁場中におけるJcの低下も少なく、またTc.ze
roも91.9〜93.2Kと良好な値であることが示
される。
超電導体のJcは、パラジウムを添加しない酸化物超電
導体よりも高いJcを示し、5〜10×10−4テスラ
の磁場中におけるJcの低下も少なく、またTc.ze
roも91.9〜93.2Kと良好な値であることが示
される。
【0042】これに対し、パラジウムを含まない酸化物
超電導体は、Tc.zeroは92.5Kと良好な値を
示したが、Jcは320×104A/m2と低く、5〜
10×104テスラの磁場中で大きく低下した。
超電導体は、Tc.zeroは92.5Kと良好な値を
示したが、Jcは320×104A/m2と低く、5〜
10×104テスラの磁場中で大きく低下した。
【0043】またパラジウムを10重量%を含む酸化物
超電導体は、Tc.zeroは91.9Kと良好な値を
示したが、Jcは450×104A/m2と低い値であ
った。
超電導体は、Tc.zeroは91.9Kと良好な値を
示したが、Jcは450×104A/m2と低い値であ
った。
【0044】
【発明の効果】本発明によって得られる酸化物超電導体
は、Tc.zeroが77K以上であるため、液体窒素
中で使用可能であり、高Jc化できまた外部磁場による
Jcの低下が少ないため工業的に極めて好適な酸化物超
電導体である。
は、Tc.zeroが77K以上であるため、液体窒素
中で使用可能であり、高Jc化できまた外部磁場による
Jcの低下が少ないため工業的に極めて好適な酸化物超
電導体である。
Claims (5)
- 【請求項1】 イットリウム、バリウム、銅及び酸素
を主成分とし、全組成物中に白金及び/又はパラジウム
を0.1〜5重量%含有してなる酸化物超電導体。 - 【請求項2】 イットリウム、バリウム、銅及び酸素
の比率が原子比で1:2±0.15:3±0.5:6.
7±0.3である請求項1記載の酸化物超電導体。 - 【請求項3】 イットリウム、バリウム、銅及び酸素
を主成分とし、超電導性を発現しない結晶相を含む場合
、超電導性を発現する結晶相の組成として、イットリウ
ム、バリウム、銅及び酸素の比率が原子比で1:2±0
.15:3±0.5:6.7±0.3であり、かつ全組
成物中に白金及び/又はパラジウムを0.1〜5重量%
含有してなる酸化物超電導体。 - 【請求項4】 請求項1及び請求項2又は請求項3の
組成となるようにイットリウム、バリウム、銅、白金及
び/又はパラジウムを含む各原料を秤量し、混合した後
成形、焼成することを特徴とする酸化物超電導体の製造
法。 - 【請求項5】 請求項1及び請求項2又は請求項3の
組成となるようにイットリウム、バリウム及び銅を含む
各原料を秤量し、混合した後、焼成、粉砕し、さらに粉
砕物に白金及び/又はパラジウムを含む原料を加えて二
次混合し、成形後再焼成することを特徴とする酸化物超
電導体の製造法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3062997A JPH04214066A (ja) | 1990-04-18 | 1991-03-27 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
DE69120853T DE69120853T2 (de) | 1990-04-18 | 1991-04-16 | Oxydsupraleiter und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP91303318A EP0453214B1 (en) | 1990-04-18 | 1991-04-16 | Oxide superconductor and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-102496 | 1990-04-18 | ||
JP10249690 | 1990-04-18 | ||
JP3062997A JPH04214066A (ja) | 1990-04-18 | 1991-03-27 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04214066A true JPH04214066A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=26404071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3062997A Pending JPH04214066A (ja) | 1990-04-18 | 1991-03-27 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0453214B1 (ja) |
JP (1) | JPH04214066A (ja) |
DE (1) | DE69120853T2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1340569C (en) * | 1987-05-05 | 1999-06-01 | Sungho Jin | Superconductive body having improved properties, and apparatus and systems comprising such a body |
EP0376981A4 (en) * | 1987-08-14 | 1990-12-12 | The Ohio State University | Machine workable, thermally conductive, high strength, ceramic superconducting composite |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP3062997A patent/JPH04214066A/ja active Pending
- 1991-04-16 DE DE69120853T patent/DE69120853T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-16 EP EP91303318A patent/EP0453214B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0453214A3 (en) | 1992-03-04 |
DE69120853D1 (de) | 1996-08-22 |
DE69120853T2 (de) | 1996-11-21 |
EP0453214B1 (en) | 1996-07-17 |
EP0453214A2 (en) | 1991-10-23 |
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