JP2749194B2 - Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導体の製法 - Google Patents
Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導体の製法Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、液体窒素温度（77K）の磁場中において、
臨界電流密度の大きなBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導体の
製法に関する。
臨界電流密度の大きなBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導体の
製法に関する。
［従来の技術］ 1988年に、105Kと75Kの２種類の臨界温度相を有する
酸化物超電導物質Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系材料が発見され
た。この材料は化学的に安定で、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系で問
題となった酸素原子の脱離、水分による変質が少ないと
云う特長がある。このうち、105Kのものは、結晶構造が
複雑なため単一相の合成が極めて困難で、良好な超電導
特性を得ることは難しい。
酸化物超電導物質Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系材料が発見され
た。この材料は化学的に安定で、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系で問
題となった酸素原子の脱離、水分による変質が少ないと
云う特長がある。このうち、105Kのものは、結晶構造が
複雑なため単一相の合成が極めて困難で、良好な超電導
特性を得ることは難しい。
一方、75Kのものは、臨界温度を持つ低温相の結晶構
造がＹ−Ba−Cu−Ｏ系とほゞ同じで、容易に単一相を合
成することができるが、液体窒素温度で超電導性を示さ
ないという問題がある。
造がＹ−Ba−Cu−Ｏ系とほゞ同じで、容易に単一相を合
成することができるが、液体窒素温度で超電導性を示さ
ないという問題がある。
前記Bi系超電導体の低温相の結晶構造を第１図に示
す。
す。
超電導性を担うキャリヤは、酸素原子５で囲まれたCu
4を含む平面上を移動するが、この［Cu−Ｏ］面上のキ
ャリヤ濃度は超電導体の特性に大きな影響を与え、その
最適キャリヤ濃度は、2.2であることが知られている。B
i系超電導体の低温相のキャリヤ濃度は、通常のBi,Sr,C
a,Cuの４成分だけで合成すると2.0となり、臨界温度は6
5〜75K程度になってしまう。
4を含む平面上を移動するが、この［Cu−Ｏ］面上のキ
ャリヤ濃度は超電導体の特性に大きな影響を与え、その
最適キャリヤ濃度は、2.2であることが知られている。B
i系超電導体の低温相のキャリヤ濃度は、通常のBi,Sr,C
a,Cuの４成分だけで合成すると2.0となり、臨界温度は6
5〜75K程度になってしまう。
このキャリヤ濃度の最適化を行うため、不活性雰囲気
中でのアニール、あるいは、例えば、ジャパニーズ ジ
ャーナル オブ アプライド フィジックス〔Japanese
Journal of Applied Physics 29（1990）L420〕に見ら
れるように、２価のCaサイトを３価の元素で置換すると
いった方法で、キャリヤ濃度の適正化が行われる。
中でのアニール、あるいは、例えば、ジャパニーズ ジ
ャーナル オブ アプライド フィジックス〔Japanese
Journal of Applied Physics 29（1990）L420〕に見ら
れるように、２価のCaサイトを３価の元素で置換すると
いった方法で、キャリヤ濃度の適正化が行われる。
このようにして製造したBi系低温相は、77Kのゼロ磁
場における臨界電流密度は比較的大きく実用に近いレベ
ルにあるが、磁場の印加によって臨界電流密度が極端に
低下することが報告されている。例えば日経超電導1989
年11月13日号によれば、Bi系のBi2Sr2Ca1Cu2Oy組成のAg
テープ状線材において、77K,ゼロ磁界では35,000A/cm2
程度の臨界電流密度が得られるが、テープ面にどの方向
からでも1T（１テスラ:1×104ガウス）の磁場を加える
と、臨界電流密度は２桁程度低下してしまうことが報告
されている。このため、線材等の強電応用を考えると、
この磁場の印加による臨界電流密度の低下が、Bi系低温
相の大きな問題であることがわかってきた。
場における臨界電流密度は比較的大きく実用に近いレベ
ルにあるが、磁場の印加によって臨界電流密度が極端に
低下することが報告されている。例えば日経超電導1989
年11月13日号によれば、Bi系のBi2Sr2Ca1Cu2Oy組成のAg
テープ状線材において、77K,ゼロ磁界では35,000A/cm2
程度の臨界電流密度が得られるが、テープ面にどの方向
からでも1T（１テスラ:1×104ガウス）の磁場を加える
と、臨界電流密度は２桁程度低下してしまうことが報告
されている。このため、線材等の強電応用を考えると、
この磁場の印加による臨界電流密度の低下が、Bi系低温
相の大きな問題であることがわかってきた。
［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術は、超電導相を生成させるために、組成
をBi2Sr2Ca2Cu2Oy組成（低臨界温度相または、2212相）
の化学量論組成に合わせ、異相の析出をできるだけ少な
くすると同時に、キャリヤ濃度の適正化を行っている
が、このような材料では、磁場の印加により臨界電流密
度が大きく低下することが分かってきた。
をBi2Sr2Ca2Cu2Oy組成（低臨界温度相または、2212相）
の化学量論組成に合わせ、異相の析出をできるだけ少な
くすると同時に、キャリヤ濃度の適正化を行っている
が、このような材料では、磁場の印加により臨界電流密
度が大きく低下することが分かってきた。
従来のBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導体の低温相の合成
では、キャリヤ濃度を適正化するために還元雰囲気中で
のアニール、または３価イオンの置換を行っている。し
かし、この方法で作成されたものは、超電導状態で大電
流を流した場合、自己磁界等により発生した磁束は結晶
粒内に侵入し、磁束のピニングサイトがないためローレ
ンツ力によって移動し、抵抗発生の原因になることが分
かってきた。このために磁場に対して臨界電流密度が非
常に小さい材料となるのである。
では、キャリヤ濃度を適正化するために還元雰囲気中で
のアニール、または３価イオンの置換を行っている。し
かし、この方法で作成されたものは、超電導状態で大電
流を流した場合、自己磁界等により発生した磁束は結晶
粒内に侵入し、磁束のピニングサイトがないためローレ
ンツ力によって移動し、抵抗発生の原因になることが分
かってきた。このために磁場に対して臨界電流密度が非
常に小さい材料となるのである。
本発明の目的は、高磁場下においても臨界電流密度
（Jc）と臨界温度（Tc）の低下が少なく、77K（液体窒
素温度）以上のTcを有するBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導
体の製法を提供することにある。
（Jc）と臨界温度（Tc）の低下が少なく、77K（液体窒
素温度）以上のTcを有するBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導
体の製法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成する本発明の要旨は次のとおりであ
る。
る。
Gd,Td,Dy,Ho,Er,Tmから選ばれる磁性希土類元素の
１種以上または前記磁性希土類元素を10％以上含む希土
類元素を含有し、Cuの原子価が2.21〜2.4であるBi−Sr
−Ca−Cu−Ｏ系超電導材料（但し、Pbを含有するものを
除く）をAgシース中に封入し、77Kでの超電導体積率が9
6％以上となるよう緻密化処理と結晶のｃ軸の配向化処
理を施すことを特徴とするBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導
体の製法。
１種以上または前記磁性希土類元素を10％以上含む希土
類元素を含有し、Cuの原子価が2.21〜2.4であるBi−Sr
−Ca−Cu−Ｏ系超電導材料（但し、Pbを含有するものを
除く）をAgシース中に封入し、77Kでの超電導体積率が9
6％以上となるよう緻密化処理と結晶のｃ軸の配向化処
理を施すことを特徴とするBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導
体の製法。
前記Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導材料が下式 BiaSrbCacLndCueOy （但し、1.5＜ａ＜2.5,1.5＜ｂ＜2.5,0.5＜ｃ＜1.5,0.0
5＜ｄ＜0.5,1.5＜ｅ＜2.5,7＜ｙ＜９であり、LnはGd,T
b,Dy,Ho,Er,Tmから選ばれる磁性希土類元素または該磁
性希土類元素を10％以上含む希土類元素を示す。）で表
される前記に記載のBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導体の
製法。
5＜ｄ＜0.5,1.5＜ｅ＜2.5,7＜ｙ＜９であり、LnはGd,T
b,Dy,Ho,Er,Tmから選ばれる磁性希土類元素または該磁
性希土類元素を10％以上含む希土類元素を示す。）で表
される前記に記載のBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導体の
製法。
本発明は、Bi系超電導体のキャリア濃度を最適化する
と同時に、磁束のピニングに有効なピニングサイトを形
成したものである。これを実現するためには、前記Bi系
超電導体の低温相に、少なくとも磁性希土類元素を含ま
せることにある。
と同時に、磁束のピニングに有効なピニングサイトを形
成したものである。これを実現するためには、前記Bi系
超電導体の低温相に、少なくとも磁性希土類元素を含ま
せることにある。
前述のように、低温相の最適キャリヤー濃度は2.2で
あり、通常のBi,Sr,Ca,Cuの４成分だけで合成するとキ
ャリヤー濃度は2.0となる。このキャリヤー濃度調整の
ため、２価のCaサイトを３価の元素で部分置換すること
によりキャリヤー濃度の最適化が図れるが、本発明で示
した良好な超電導特性は、３価元素として特に、磁性希
土類元素であるGd,Td,Dy,Ho,Er,Tmの少なくとも一種をC
aと置換することによって可能となるのである。このと
き、Caサイトを部分置換した３価の磁性希土類元素は、
マイクロピニングセンターとして作用する。すなわち、
第一図において「３」の位置に磁性を持つイオンが占め
ることになり、このサイトで侵入した磁束線により超電
導性が破られるのを、該磁性イオンによって磁束線をト
ラップするのである。これによって、高磁場下でも臨界
電流密度の大きな材料を得ることができるのである。
あり、通常のBi,Sr,Ca,Cuの４成分だけで合成するとキ
ャリヤー濃度は2.0となる。このキャリヤー濃度調整の
ため、２価のCaサイトを３価の元素で部分置換すること
によりキャリヤー濃度の最適化が図れるが、本発明で示
した良好な超電導特性は、３価元素として特に、磁性希
土類元素であるGd,Td,Dy,Ho,Er,Tmの少なくとも一種をC
aと置換することによって可能となるのである。このと
き、Caサイトを部分置換した３価の磁性希土類元素は、
マイクロピニングセンターとして作用する。すなわち、
第一図において「３」の位置に磁性を持つイオンが占め
ることになり、このサイトで侵入した磁束線により超電
導性が破られるのを、該磁性イオンによって磁束線をト
ラップするのである。これによって、高磁場下でも臨界
電流密度の大きな材料を得ることができるのである。
また、Caサイトの一部を磁性希土類元素で置換するこ
とによって、キャリヤを最適化し、超電導特性を向上さ
せることができる。
とによって、キャリヤを最適化し、超電導特性を向上さ
せることができる。
本発明の一例として、磁性希土類元素Erを用いた組成
について説明する。
について説明する。
Bi2Sr2（Ca0.8Er0.2）Cu2Oyの組成となるように,Bi2O
3,SrO,CaO,Er2O3およびCuO粉末を秤量した後、混合、粉
砕してアルミナるつぼに入れ、600〜900℃で10時間、予
備焼成して前駆体を作る。焼成雰囲気は酸素を含む雰囲
気が望ましい。
3,SrO,CaO,Er2O3およびCuO粉末を秤量した後、混合、粉
砕してアルミナるつぼに入れ、600〜900℃で10時間、予
備焼成して前駆体を作る。焼成雰囲気は酸素を含む雰囲
気が望ましい。
この前駆体を粉砕し、Agシース中に封入した後、線引
きし、直径1mmφ程度に引いた後、更に圧延して厚さ約
0.1mmにする。これを、大気中,855℃で20時間焼成した
後、更に、一軸プレスを行い、緻密化とｃ軸の配向化を
行ない、これを再び855℃で20時間熱処理を施す。
きし、直径1mmφ程度に引いた後、更に圧延して厚さ約
0.1mmにする。これを、大気中,855℃で20時間焼成した
後、更に、一軸プレスを行い、緻密化とｃ軸の配向化を
行ない、これを再び855℃で20時間熱処理を施す。
上記試料のヨード滴定法によるCu価、交流帯磁率法に
より評価した超電導体積率の結果、77K相の割合は、全
体の98％であった。77Kにおける臨界電流密度を評価す
ると、ゼロ磁場中では、100,000A/cm2程度であり、10T
の磁場中でも80,000A/cm2程度であった。
より評価した超電導体積率の結果、77K相の割合は、全
体の98％であった。77Kにおける臨界電流密度を評価す
ると、ゼロ磁場中では、100,000A/cm2程度であり、10T
の磁場中でも80,000A/cm2程度であった。
一方、従来材はゼロ磁場中で90,000A/cm2程度と本発
明品と同程度であったが、10Tの磁場中での臨界電流密
度は約1,000A/cm2と著しく低下した。
明品と同程度であったが、10Tの磁場中での臨界電流密
度は約1,000A/cm2と著しく低下した。
なお、前記においてはErを用いた例について説明した
が、これ以外の磁性希土類元素でもよく、これらは１種
以上用いることができる。
が、これ以外の磁性希土類元素でもよく、これらは１種
以上用いることができる。
本発明の応用製品としては、超電導コイル、各種磁気
シールド材、スクイド、超電導トランジスタ等の各種電
子部品等をあげることができる。
シールド材、スクイド、超電導トランジスタ等の各種電
子部品等をあげることができる。
［作用］ 本発明の超電導体が、高磁場下においても臨界電流密
度の低下がないのは、上述した通り、超電導体のキャリ
ア濃度が適正化されたと同時に、磁性希土類元素である
Erが磁束のマイクロピニングサイトとして働くためであ
る。
度の低下がないのは、上述した通り、超電導体のキャリ
ア濃度が適正化されたと同時に、磁性希土類元素である
Erが磁束のマイクロピニングサイトとして働くためであ
る。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。
〔実施例 １〕 第１表の試料番号１〜11の各組成となるように、Bi2O
3,SrO,CaO,CuOと、Er2O3,Gd2O3,Ho2O3,Y2O3の希土類元
素粉末を秤量、混合した後、粉砕してアルミナるつぼに
入れ、600〜900℃の温度で10時間、酸素を含む雰囲気中
で予備焼成して仮焼成粉を作成した。この仮焼成粉を粉
砕後,Agシース中に封入し、直径1mmφに線引きした後、
更に圧延を行なって厚さ0.1mmに形成した。
3,SrO,CaO,CuOと、Er2O3,Gd2O3,Ho2O3,Y2O3の希土類元
素粉末を秤量、混合した後、粉砕してアルミナるつぼに
入れ、600〜900℃の温度で10時間、酸素を含む雰囲気中
で予備焼成して仮焼成粉を作成した。この仮焼成粉を粉
砕後,Agシース中に封入し、直径1mmφに線引きした後、
更に圧延を行なって厚さ0.1mmに形成した。
上記試料を、大気中855℃で20時間焼成した後、更に
一軸プレスを行い、緻密化、ｃ軸の配向化を行なった。
これを、再び大気中855℃の温度で20時間焼成を行っ
た。これら試料は、Ｘ線回折の結果、低温相の単一相で
あることが分かった。
一軸プレスを行い、緻密化、ｃ軸の配向化を行なった。
これを、再び大気中855℃の温度で20時間焼成を行っ
た。これら試料は、Ｘ線回折の結果、低温相の単一相で
あることが分かった。
このようにして得られた試料の、交流帯磁率法による
77Kにおける超電導体積率、ゼロ磁場および10T磁場中に
おける四端子法により測定した臨界電流密度を第１表に
示す。
77Kにおける超電導体積率、ゼロ磁場および10T磁場中に
おける四端子法により測定した臨界電流密度を第１表に
示す。
第１表から分かるように、本実施例の試料番号１〜６
のEr,Gd,Hoを含むものは、77Kの体積率が96％以上、Cu
価が2.21以上で、ゼロ磁場、高磁場（10T）のいずれに
おいても良好な臨界電流密度の超電導体が得られた。
のEr,Gd,Hoを含むものは、77Kの体積率が96％以上、Cu
価が2.21以上で、ゼロ磁場、高磁場（10T）のいずれに
おいても良好な臨界電流密度の超電導体が得られた。
〔実施例 ２〕 実施例１と同様にしBi2Sr2Ca0.8Ln0.2Cu2Oy組成とな
るよう原料粉末を混合し、第２表に示す試料番号12〜15
で示す試料を作成した。なお、希土類元素Lnは、ErとＹ
を用いた。これらの測定結果を第２表に示す。
るよう原料粉末を混合し、第２表に示す試料番号12〜15
で示す試料を作成した。なお、希土類元素Lnは、ErとＹ
を用いた。これらの測定結果を第２表に示す。
ErがＹに対して10％未満であると、77Kにおける10Tの
磁場中での臨界電流密度は、ゼロ磁場中に比べ約２桁低
下するが、10％以上の場合はほとんど変わらず、従来材
に比較して優れた特性を有していることが分かる。
磁場中での臨界電流密度は、ゼロ磁場中に比べ約２桁低
下するが、10％以上の場合はほとんど変わらず、従来材
に比較して優れた特性を有していることが分かる。
［発明の効果］ 本発明によれば、10Tと云う高磁場中においても臨界
電流密度が大きく、また、77K（液体窒素）で用いるこ
とができる優れた特性の超電導体を提供することができ
る。
電流密度が大きく、また、77K（液体窒素）で用いるこ
とができる優れた特性の超電導体を提供することができ
る。
第１図は、Bi系酸化物超電導体の低温相の結晶構造を示
す模式図である。 １……ビスマス、２……ストロンチウム、３……カルシ
ウム、４……銅、５……酸素。
す模式図である。 １……ビスマス、２……ストロンチウム、３……カルシ
ウム、４……銅、５……酸素。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 臣平 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 平２−64020（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−31320（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−6108（ＪＰ，Ａ) Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉ ａｌｓ Ｒｅｓｅａｃｈ Ｖｏｌ．５, Ｎｏ．８ Ｐ．1625〜38 （Ａｕｇ. 1990) Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．162− 164，ｐｔ．２ Ｐ．1631〜２ （Ｄｅ ｃ．1989) Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．162− 164，ｐｔ．２ Ｐ．1199〜200 （Ｄｅ ｃ．1989) Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．160, Ｎｏ．１，Ｐ．17〜24 （15 Ａｕｇ. 1989) Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．159, Ｎｏ．３，Ｐ．267〜72 （15 Ｊｕｎ ｅ．1989) Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．158, Ｎｏ．１−２，Ｐ．211〜16 （１ Ａ ｐｒ．1989) Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｓｃ ｉｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖ ｏｌ．３，Ｎｏ．５ Ｐ．242〜８ （Ｍａｙ 1990) Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈ ｅ ＳＰＩＥ−Ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａ ｔｉｏｎａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉ ｎｇ Ｖｏｌ．1336，Ｐ．118〜22 （1990) Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ （Ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ Ｍａｔｔｅ ｒ） Ｖｏｌ．39，Ｎｏ．10 ｐｔ．Ｂ Ｐ．7320〜３ （１ Ａｐｒ．1989) Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．171, Ｎｏ．３−４，Ｐ．315〜20 （1990) 「日経超電導」 第22号 （1988. 11．28），第11〜12頁 「セラミックス」 第24号第８号 （1989年８月），第735〜736頁
Claims (2)
- 【請求項１】Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tmから選ばれる磁性希土
類元素の１種以上または前記磁性希土類元素を10％以上
含む希土類元素を含有し、Cuの原子価が2.21〜2.4であ
るBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導材料（但し、Pbを含有す
るものを除く）をAgシース中に封入し、77Kでの超電導
体積率が96％以上となるよう緻密化処理と結晶のｃ軸の
配向化処理を施すことを特徴とするBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ
系超電導体の製法。 - 【請求項２】前記Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導材料が下
式 BiaSrbCacLndCueOy （但し、1.5＜ａ＜2.5,1.5＜ｂ＜2.5,0.5＜ｃ＜1.5,0.0
5＜ｄ＜0.5,1.5＜ｅ＜2.5,7＜ｙ＜９であり、LnはGd,T
b,Dy,Ho,Er,Tmから選ばれる磁性希土類元素または該磁
性希土類元素を10％以上含む希土類元素を示す。）で表
される請求項１に記載のBi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系超電導体
の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2332179A JP2749194B2 (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2332179A JP2749194B2 (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04198026A JPH04198026A (ja) | 1992-07-17 |
| JP2749194B2 true JP2749194B2 (ja) | 1998-05-13 |
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ID=18252052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2332179A Expired - Fee Related JP2749194B2 (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2749194B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH075312B2 (ja) * | 1988-08-30 | 1995-01-25 | 新日本製鐵株式会社 | Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導酸化物 |
| JP2979422B2 (ja) * | 1990-04-21 | 1999-11-15 | 松下電器産業株式会社 | 絶縁体および絶縁薄膜の製造方法と、超伝導薄膜および超伝導薄膜の製造方法 |
| JPH0431320A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-02-03 | Fujitsu Ltd | 酸化物超伝導体及び回路配線 |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2332179A patent/JP2749194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (12)
| Title |
|---|
| 「セラミックス」 第２４号第８号 （１９８９年８月），第７３５〜７３６頁 |
| 「日経超電導」 第２２号 （１９８８．１１．２８），第１１〜１２頁 |
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｃｈ Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．８ Ｐ．１６２５〜３８ （Ａｕｇ．１９９０） |
| Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．１５８，Ｎｏ．１−２，Ｐ．２１１〜１６ （１ Ａｐｒ．１９８９） |
| Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．１５９，Ｎｏ．３，Ｐ．２６７〜７２ （１５ Ｊｕｎｅ．１９８９） |
| Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．１６０，Ｎｏ．１，Ｐ．１７〜２４ （１５ Ａｕｇ．１９８９） |
| Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．１６２−１６４，ｐｔ．２ Ｐ．１１９９〜２００ （Ｄｅｃ．１９８９） |
| Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．１６２−１６４，ｐｔ．２ Ｐ．１６３１〜２ （Ｄｅｃ．１９８９） |
| Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ Ｖｏｌ．１７１，Ｎｏ．３−４，Ｐ．３１５〜２０ （１９９０） |
| Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ （Ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ Ｍａｔｔｅｒ） Ｖｏｌ．３９，Ｎｏ．１０ ｐｔ．Ｂ Ｐ．７３２０〜３ （１ Ａｐｒ．１９８９） |
| Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＰＩＥ−Ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｖｏｌ．１３３６，Ｐ．１１８〜２２ （１９９０） |
| Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．３，Ｎｏ．５ Ｐ．２４２〜８ （Ｍａｙ １９９０） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04198026A (ja) | 1992-07-17 |
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