JPS6327471A - 光学活性なベンゼンスルホンアミド誘導体の製造法 - Google Patents

光学活性なベンゼンスルホンアミド誘導体の製造法

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JPS6327471A
JPS6327471A JP61172285A JP17228586A JPS6327471A JP S6327471 A JPS6327471 A JP S6327471A JP 61172285 A JP61172285 A JP 61172285A JP 17228586 A JP17228586 A JP 17228586A JP S6327471 A JPS6327471 A JP S6327471A
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稔 岡田
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弘一 吉田
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高信　清
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    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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    • C07C311/30—Sulfonamides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by singly-bound nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C311/37—Sulfonamides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by singly-bound nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups having the sulfur atom of at least one of the sulfonamide groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
    • C07C303/36—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of amides of sulfonic acids
    • C07C303/40—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of amides of sulfonic acids by reactions not involving the formation of sulfonamide groups
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P9/00—Drugs for disorders of the cardiovascular system
    • A61P9/02—Non-specific cardiovascular stimulants, e.g. drugs for syncope, antihypotensives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C311/00—Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C311/15—Sulfonamides having sulfur atoms of sulfonamide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は下記一般式ＣＩ）で示され、昇圧剤として、あ
るいは光学活性医薬品の製造中間体として有用な光学活
性なベンゼンスルホンアミド誘導体の新規製造法に関す
る。
（式中、Ｒ１及びＲ２は同−又は異って水素原子又は低
級アルキル基を　Ｒ３は水素原子。
低級アルキル基、水酸基、又は低級アルコキシ基を　Ｈ
４は低級アルキル基を意味する）（従来の技術） 本発明目的化合物ＣＩ）は１本出願人の出願に係る特開
昭５８−１８３５３号公報の記載によりそのほとんどが
公知である。すなわち、該公報には。
一般式（Ａ−Ｉ） で示される化合物が開示されており、該化合物（Ａ−Ｉ
）の発明にはその光学異性体の全てが包含されると明記
されている（明細書第３頁第１２〜１５行）。なお、該
公報には化合物（Ａ−Ｉ）が心拍数増加、心悸先進等の
副作用のない昇圧作用を示し昇圧剤として有用であるこ
とも示されている（明細書第１０頁第１Ｏ行〜第１１頁
下から第７行）。
また、同じく本出願人の出願に係る特開昭５６−１１０
６６５号公報特にその実施例２３及び２４　［６１（１
９８６）　−１２７［２３８７７コ、　：Ｎ２＋−６［
５２４］公報第１１３〜１１４頁］には、Ｒ（−１及び
Ｓ　（＋ｌの下記化合物［Ａ　　Ｉ　　ａ　−ｆｒｅｅ
、　Ｒ（→又は５（−１−１］を原料とし、α−アドレ
ナリン受容体遮断作用を有し。
血圧低下剤として有用なスルファモイル置換フェネチル
アミン誘導体を合成したことが記載されている。
ＣＨ。
該出願明細書には、この実施例２３及び２４の光学活性
な原料化合物の製法については記載されていないが、こ
れらの原料化合物は前記特開昭５８−１８３５３号に記
載された方法（下記反応式）Ｋより合成されたラセミ体
［Ａ−ｉ−ａ、Ｒ（→と５（−１−１の混合物］の光学
分割により製造されたものである。
［Ａ−Ｔ−ａ−ＨＣＩ、　Ｒ（−１又は５（−Ｈコ［Ａ
−Ｉ−ａ−ｆｒｅｅ、　Ｒ（−）又はＳｆ＋ｌ］（解決
すべき問題点） 前記本発明目的化合物（Ｉ）の公知製法は、ハロアルキ
ルスルファモイルフェニルケトン類（Ａ−Ｉ［）から６
エ程を経て化合物（Ｉ）の塩とする方法であり、多工程
を要し、煩雑であるばかりでなく、化合物（Ｉ）の収量
が極めて低いという問題があった。
また、化合物ＣＩ）の一方の光学異性体のみを医薬品と
して供する場合には、公知製法は更π目的物収量を半量
以下に低下させ、更に著しい製造原価の高騰を招く難点
があった。
さらに９本発明目的化合物（Ｉ）を光学活性な医薬品の
製造中間体とする場合、上記の問題は更に著しく、光学
活性体分離に問題のある特開昭５６−１１０６６５号記
載の他の製造中間体すなわちｍ−（１−ハロー２−置換
アミノアルキル）−、−置換ベンゼンスルホンアミドと
同様、実生産上の不利は避けられなかった。
（問題点を解決するための手段） そこで、上記問題点に鑑み、光学活性な本発明目的化合
物（Ｉ）の有利な製法につき鋭意研究した結果、ジアス
テレオ面区別反応の方法が本発明目的化合物ＣＩ）の製
造上量も簡便にして有利な方法でかつ目的物の反応収率
、光学収率も顕著に優れていることを見出し９本発明を
完成した。
すなわち９本発明は一般式（ＩＩ ）（式中　Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４は前記の意味を有
し　Ｒ５は低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニ
ル低級アルキル基を　Ｒ６は置換又は未置換のフェニル
基、又は低級アルコキシカルボニル基を意味する） で示される　ｍ−（２−置換アルキルアミノアルキル）
ベンゼンスルホンアミド誘導体ヲ分解シて、化合物（Ｉ
）を製造する方法である。
前記一般式（ＩＩ）は、一般式（ｍ ）（式中　Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４は前記の意味を有
する） で示されるスルファモイル置換ベンジル　低級アルキル
　ケトン類と、一般式（ＴＶ）（式中　Ｒ５及びＲ６は
前記の意味を有する）で示される光学活性な置換アルキ
ルアミン類とを還元剤の存在下に反応させて製造するの
が最も有利である。
本明細書の一般式で用いられる基の定義において「低級
、なる語は、特に断わらな（・限り。
炭素数が１乃至５個の直鎖又は分岐状の炭素鎖を意味し
、特に不斉炭素原子を含まない炭素鎖が好適である。
従って、低級アルキル基としては具体的には例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基＋　ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基
、インペンチル基、ネオペンチル基等が、低級アルコキ
シ基としては具体的には１例えばメトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、インプロポキシ基、ブトキシ基。
インブトキシ基、　　ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチル
オキシ基、イソペンチルオキシ基等が挙げられる。特Ｋ
　Ｒ’が示す低級アルキル基・は、メチル基、エチル基
、イソプロピル基。
インブチル基が有利であり、中でもメチル基が最も好適
である。
また、低級アルコキシカルボニル低級アルキル基として
は、カルボキシ低級アルキル基のカルボキシ基が低級ア
ルカノールでエステル形成された基が挙げられ、具体的
にはメトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニル
メチル基、プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポ
キシカルボニルメチル基。
ブトキシカルボニルメチル基、イソプトギシカルポニル
メチル基、　　ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ巳ルメチル基
、ペンチルオキシカルボニルメチル基。
メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチ
ル基、フロポキシカルポニルエチル基。
インプロポキシカルボニルエチル基、プトキシカルホニ
ルエチル基、インフトキシカルポニルエチル基＊　　ｔ
ｅｒｔ−ブトキシカルボニルエチル基。
ペンチルオキシカルボニルエチル基、メトキシカルボニ
ルプロピル基、エトキシカルボニルプロピル基１　ｔａ
ｒｔ−ブトキシカルボニルプロビル基、メトキシカルボ
ニルブチル基、エトキシカルボニルブチル基、　　ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルブチル基、メトキシカルボニ
ルペンチル基、エトキシカルボニルペンチル基、　ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルペンチル基等が挙げられる。
また１本発明において「分解、とは、化合物（ＩＩ）か
ら位置特異的にＲ５−ＣＨ，−Ｒ’又はＲ５−Ｃ−Ｒ６
を脱離生成せしめる１分解」を意味する。すなわち、こ
の「分解ＪＫは　Ｈ６が置双方の分解を包括する。
従って　Ｒ６が示す置換フェニル基における置換基とし
ては加水素分解によるＲ’　−ＣＨ，−Ｒ’の脱離反応
に影響を与えない基、特にその脱離反応を促進する基が
有利であり、具体的にはニトロ基や臭素原子などの７１
０ゲン原子等が挙げられる。
また、「分解、は工程数、目的物の反応収率及び光′学
収率等の点から本発明の目的達成の上で「加水素分解、
がより好適である。
Ｒ６が低級アルコキシカルボニル基であるときは、化合
物（ＩＶ）は光学活性なアミノ酸の低級アルキルエステ
ルを意味し、特に好適に用いられるアミノ酸はアラニン
やノくリン、アスパラギン酸、グルタミン酸などである
。
以下に本発明の製造法のフローチャートを示す。
に１ （反応式中　Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５及びＲ６は
前記の意味を有し、　ｐｈは置換又は未置換のフェニル
基を　Ｒ？は水素原子又は低級アルコキシカルボニル基
を意味する） 以下２本発明の製造法を工程毎に詳細シて説明する。
第１工程 化合物（ＩＩ）は、化合物（ＩＩＩ）と化合物（ＩＶ）
とを還元剤の存在下に縮合させることばよって製造され
る。
反応は、メタノール、エタノールなどのアルコールやベ
ンゼン等の有機溶媒中、化合物（ＩＩ）と化合物（ｍ）
とをほぼ等モル、あるいは一方をやや過剰量とし、ラネ
ーニッケル、白金炭素、パラジウム炭素、酸化白金等を
触媒として必要ならば加圧下に接触還元するか、水素化
アルミニウムリチウム、水素化シアノホウ素ナトリウム
、水素化ホウ素ナトリウム、ボラン等により還元するか
、あるいは銅又は白金を陰極として電解還元することに
より行われる。還元は操作性と光学収率の点から種類や
量、還元剤の種類、加圧条件等によって異なるが９通常
室温乃至加温下、好ましくは４０〜８０℃程度に加温し
、加圧下は比較的短時間に、加圧しない条件下では通常
１〜４８時間に設定するのが好ましい。
なお、加圧する場合の加圧条件は通常１〜１１００ａｔ
の範囲内、好ましくは２〜２０　ａｔｍＫ設定するのが
好適である。
なお、この還元的縮合反応πよるカルボニル化合物とア
ミンによる第２アミンの合成法は、ディーンスターク　
トラップ等を用いる脱水などの脱水反応の後、−旦シツ
ク塩基を単離して還元反応に付すこともできる。
なお１本工程の反応によるときは、目的物（ＩＩ）のＲ
４結合不斉炭素原子の絶対配置が、化合物（ＩＶ）で採
用のＲ５，Ｒ６結合不斉炭素原子の絶対配置と同一の化
合物（■）、具体的にはＲ，Ｒ体又はＳ、Ｓ体を優先的
に採取することができる。
なお９本工程の目的物（Ｉ［＞は遊離塩基あるいは酸付
加塩とし、単離するか又はせずして、第２工程の反応に
付すことができる。
第２工程 第１工程で得られた化合物（ＩＩ）又はその塩は。
次いで加水素分解するか、又は次亜塩素酸ｔａｒｔ　−
ブチルと反応させ次いで加水分解することにより本発明
目的化合物ＣＩ）又はその塩とすることができる。
化合物（ＩＩ）　においてＲ６が置換又は未置換のフェ
ニル基であるときに適用される加水素分解の反応は、メ
タノール、エタノール等の溶媒中、パラジウム炭素を触
媒としそ必要ならば加圧条件下理論量の水素を接触させ
る接触還元によるのが一般的であり、かつほぼ定量的に
本発明目的化合物を与えるので最も有利である。反応温
度は室温乃至加温下、好ましくは４０〜８０’ＧＫ設定
される。また。
反応時間は種々の反応条件を考慮して適宜設定されるが
、加圧条件下では比較的短時間に加圧しない条件下では
通常１〜４８時間程時間膜定される。
また、加圧する場合の加圧条件は通常１〜１１００ａｔ
の範囲内で選択される。
一方、　Ｒｅが低級アルコキシカルボニル基である化合
物（■）、すなわち光学活性アミノ酸のエステルの結合
、化合物である場合の反応は。
化合物（ＩＩ）　（Ｒ’ｓＰｈ　）とそれに対しほぼ等
モル乃至やや過剰モルの次亜塩素酸ｔｅｒｔ−ブチルと
を、メタノール、エタノール、エーテル、ベンゼン等の
有機溶媒に冷却下添加し９次いでナトリウムエトキサイ
ドの如きアルカリ金属アルコラードのような塩基を添加
して実施される。
この反応は無水条件下に行われる。
次いで溶媒を除去した後次いで酸の存在下に水と接触さ
せる。用いられる酸としては塩酸、硫酸等の酸が適当で
ある。反応は、室温下に実施するのが有利である。
なお、化合物（Ｉ）の絶対配置は、化合物（ＩＩ）の二
つの不斉炭素原子が同−又は相異なる絶対配置であって
も、Ｒ４の結合した方の不斉炭素原子と同じ絶対配置と
なる。
これらの方法により得られた本発明目的化合物は遊離化
合物又はその塩として単離精製される。
単離・精製はｒ過、結晶化、再結晶等通常用いられる化
学操作を適用して行われる。
（発明の効果） 本発明の目的化合物である光学活性なベンゼンスルホン
アミド誘導体（Ｉ）は、それ自身昇圧剤として、あるい
は特開昭５６−１１０６６５号公報や特開昭５７−１３
６５６１号公報に記載のα−アドレナリン受有する化合
物の製造中間体として有用である。
本発明の製造法によれば、光学純度が極めて高い前記有
用な光学活性ベンゼンスルホンアミド誘導体（Ｉ）を、
公知製法に比し遥かに高い反応収率で、従って優れた光
学収率でもって製造することが初めて可能となった。
すなわち、公知製法によるときは、化合物（Ａ−ｎ）か
ら本発明目的化合物（Ｉ）の一方の光学異性体を製造す
るまで、６エ程（塩酸塩）、ないし７エ程（遊離化合物
）を要し、その通算反応収率も６エ程で約１０．５％、
７エ程で約９％であった。
それに対し２本発明の製造法は化合物（ｍ）から本発明
目的化合物（Ｉ）の一方の光学異性体を取得するまで２
乃至４工程（Ｒ’　＝　Ｐｈ塩酸塩２工穆Ｒ６″ｒ、Ｐ
ｈ塩酸塩とＲ’　＝　Ｐｈ遊離化合物３工程、Ｒ’＃Ｐ
ｈ遊離化合物４工程）であり、工程の相違や反応条件の
相違によって若干のバラつきがあるものの良好な方法に
よるときは１通算収率約５１．３％（塩酸塩）、約４３
．０％（遊離化合物）と従来法に比し４〜５倍もの高反
応収率で該目的物とすることができる。
しかも１本発明の製造法によるときは、　９９．８％以
上もの極めて高い光学純度で、従って優れた光学収率で
目的物ＣＩ）製造することができる（以上実施例１〜３
参照）。
本発明の製造法は、工程が短いめで、簡便である上１反
応条件の選択によってはさらに反応収率な高める余地が
ある。また２本発明製造法の反応条件は温和な条件を選
択しても充分目的を達成でき、取り扱いが容易かつ有利
である。さらに、この製造法によるときは、大食に仕込
んでも収率の低下はみられず、実生産に好適な方法であ
る。
本発明の目的化合物ＣＩ）を原料と°して、α−アドレ
ナ１７７受容体遮断作用を有する化合物を製造する方法
は以下のとおりである。
（反応式中Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は前記と同じ意味を
ホルミル基、　Ｈａｔはハロゲン原子を、Ｒａ、　ＲＩ
ＧＲｌｌは同−又は異って、水素原子又は低級アルキル
基を、Ｙはメチレン基又は酸素原子を　Ｒ９は水素原子
、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は低級アルケニ
ルオキシ基を意味する） こ＼にＨａｌが示すハロゲン原子としては、ヨウ素原子
、臭素原子、塩素原子等が、またＲ１１が示す低級アル
ケニルオキシ基としては、ビニルオキシ基、アリルオキ
シ基、ブテニルオキシ基。
インブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基等が挙げら
れる。
一般式（■）で示されるα−アドレナリン受容体遮断作
用を有し血圧低下剤として有用な光学活性ｍ−（置換ア
ミノアルキル）ベンゼンスルホン酸アミド誘導体は９本
発明目的化合物（Ｉ）の遊離化合物と、一般式（Ｖｌ）
のノ・ライドとを反応させるか又は一般式（Ｖｌ）のホ
ルミル化合物との還元的縮合により製造される。従って
本発明目的化合物（Ｉ）がその酸付加塩として得られた
場合は、遊離化合物とした後前記反応に供する。
なお　Ｈ＆の結合した炭素原子、Ｒ１０及びＲ１１の結
合した炭素原子は不斉炭素原子でない方が好ましいが、
不斉炭素原子であるときは１分離された光学活性な化合
物（Ｖｌ）を反応に供する。
いる反応は、無溶媒下あるいはベンゼン、トルエン、キ
シレン、ジメチルホルムアミド、ジクロルメタン、ジク
ロルエタン、メタノール、エタノール等の反応に関与し
ない有機溶媒中、化合物（ｉ　−ｆｒｅｅ　）に対して
化合物（■）を等モル乃至やや過剰モル用いて、室温乃
至加温下。
あるいは加熱還流して実施するのが有利である。
この反応に際し、ピリジン、ピコリン、　Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアニリン、Ｎ−メチルモルホリン。
トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン
等の二、三級塩基や炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭
酸水素ナトリウム等の無機塩基を添加することが反応を
円滑に進行させる上で有利な場合がある。
原料化合物（ＶＩ）としてホルミル化合物を使用する反
応は本願の第１工程の反応とほぼ同様にして実施される
。
（実施例） 以下に実施例を掲記し９本発明の製造法を更に詳細に説
明する。
実施例　１、 ［Ａ’１法 ５−アセトニル−２−メ）キシベンゼンスルホンアミ）
’　１９４．４ｇ、　Ｒ−（（１）−α−メチルベンジ
ルアミン９６．８ｇおよび酸化白金ｏ、ｓ　ｇにメタノ
ール４ｔを加え、　　５０〜５２℃で常圧上水素雰囲気
中２０時間遠元反応に付した（反応液中でのＲ，Ｓ比は
８５：１５）。
酸化白金なｒ去後、塩化水素エタノールを加え。
酸性とした後、減圧下溶媒を留去した。残渣にアセトン
８００　ｍＺを加え、結晶化させた後、１時間加熱還流
に付し、今後、得られる結晶なｒ取し、粗製の２Ｒ，Ｉ
Ｒ−２−メトキシ−５−［２−（１−メチルベンジルア
ミノ）フロピルコベンゼンスルホンアミド塩酸塩２５０
ｇを得た。このもののＲ，Ｒ体光学純度は９４．５％で
あった。粗製結晶にアセトン２．５１を加え、ｓｉ濁状
態で２時間加熱還流した後。
冷却し、Ｐ取する。この操作を４回繰り返し、光学純度
９８．０％の結晶２１５ｇを得た。
さらに、この結晶に水８０　ｍｌ＋およびアセトニトリ
ル１６０ｍ１を加え、加熱溶解する。次にアセトニトリ
ル１，８５０　ｍｌを加え、結晶を析出させた後さらに
３０分間加熱還流を続けた後、冷却し、結晶をｒ取する
。この操作を３回繰り返し、目的物１６４ｇを得た。
収率５３％　　融点２３２〜２３６°Ｃ（分解）［αコ
”ｏ　　　＋　　　３３．５　　（Ｃ＝１．０４　、　
　Ｍｅ　ＯＨ）元素分析値（Ｃ１，Ｈ２５ＣＩ　Ｎ２０
．Ｓとして）Ｃ（彌　Ｈ（鱒　Ｎ（慢　ＣＩＴ彌　Ｓ（
慢理論値　　５６．１７　６．５５　７．２８　９．２
１　８．３３実験値　　５６．１０　６．５９　７．３
０　９．２９　８．３１［Ｂ］法 ５−アセトニル−２−メトキシベンゼンスルホンアミド
２４．３ｇ、　Ｒ−（−）１−α−メチルベンジルアミ
ン１２．１ｇおよびラネーニッケル１５ｇ　（ｗｅｔ　
）　Ｋメタノール５００　ｒｎｌを加え５０〜５２℃で
常圧下、水素雰囲気中２０時間還元反応に付した（反応
液中でのＲ，Ｓ比は９２　：　８　）ｒ、ラネーニッケ
ルをＰ去後、塩化水素−エタノールを加え、酸性とした
後、減圧下溶媒を留去した。残渣にアセトニトリル２０
０　ｒｎｌを加え、結晶化させた後、１時間加熱還流に
付した。今後。
得られる結晶をＰ取し、粗製の２Ｒ，ＩＲ−２−メトキ
シ−５−［２−（１−メチルベンジルアミノ）プロピル
］ベンゼンスルホンアミド塩酸塩２６９ｇを得た。この
もののＲ，Ｒ体光学純度は、　９８．３％であった。こ
の粗製結晶に水１１ｍＺおよびアセトニトリル２２　ｍ
ｌを加え加熱溶解した後アセトニトリル５２０　ｍｌを
加えた。結晶が析出した後、さらに３０分間加熱還流し
、今後結晶をＰ取した。この操作を３回繰り返し目的物
１９．６ｇを得た。
収率５１％ ［Ｃコ　法 ５−アセトニル−２−メトキシ−ベンゼンスルホンアミ
ド９．７２ｇ、　　Ｒ−（−）１−α−メチルベンジル
アミン４．８４ｇおよびラネーニッケル５ｇ（ｗｅｔ）
Ｋメタノール２００　ｒｎｌを加え５８〜６０℃で水素
雰囲気中１０ｋｇ／ａｍ２の圧力下２０時間反応させた
（反応液中でのＲ，Ｓ比は９２：８）。ラネーニッケル
をｒ去後、塩化水素エタノールを加え酸性とした後、減
圧下溶媒を留去した。残渣にアセトニトリル８０ｍ１を
加え、結晶化させた後、１時間加熱還流に付し、今後得
られる結晶をｒ取し、粗製の２Ｒ，ＩＲ−２−メトキシ
−５−［２−（１−メチルベンジルアミノ）プロピルコ
ベンゼンスルホンアミド塩酸塩１１．３８ｇを得た。こ
のもののＲ，Ｒ体光学純度は９８．２％であった。この
粗製結晶に水５ｍＺおよびアセトニトリル１０ｍ１を加
え、加熱溶解した後、アセトニトリル２２０　ｍＺを加
えた。結晶が析出した後、さらに３０分間加熱還流し、
今後、結晶をｒ取した。この操作を３回繰り返し目的物
８．３１　ｇを得た。
収率５４％ これら［Ａｌ１［Ｂ］及び［Ｃ］法で得られた２Ｒ，Ｉ
Ｒ−２−メトキシ−５−［２−（１−メチルベンジルア
ミノ）プロピルコベンゼンスルホンアミド塩酸塩を高速
液体クロマトグラフィーに付しくカラム：ＹＭＣ−Ｐａ
ｃｋＡ−３０２（ＯＤＳ）１５ｃｍＸ４．６ｍｍＩＤ、
カラム温度：室温、移動相ニリン酸−水素カリウム（１
，０ｇ）＋リン酸二水素カリウム（１，Ｏｇ　）の水溶
液／メタノール／テトラヒドロフラン（６５：　３０　
：　５　ｖ／ｖ）、流速：毎分１ｍｌ、紫外線検出器（
λ２８５　ｎｍ　）　）だところ。
保持時間７分を示す　２Ｒ，ＩＲ−２−メトキシ−５−
［２−（１−メチルベンジルアミノ）プロビルコベンゼ
ンスルホンアミド塩酸塩の光学純度はいずれも９９．８
％以上であった。
実施例　２゜ ２Ｒ，ＩＲ−２−メトキシ−５−［２−（１−メチルベ
ンジルアミノ）フロピルコベンゼンスルホンアミド塩酸
塩２８ｇ（光学純度９９．８％以上）のメタノール溶液
５６０　ｍｌに１０％パラジウム炭素２．８ｇを加え、
４５〜５０℃で常圧下、水素雰囲気中理論量の水素を消
費するまで還元反応に付した。
パラジウム炭素をｒ去後、溶媒を減圧下留去し。
得られる結晶をアセトンで洗浄して目的とする（■−（
−）−５−（２−アミノプロピル）−２−メトキシベン
ゼンスルホンアミド塩酸塩１９．４　ｇを得た。
収率９５％ 融点　２７６〜２７８°Ｃ（分解） ［αコ”、ニー７．１　＜　　ｃ　＝　　１．０．　　
ＭｅＯＨ＞元素分析値（Ｃ，。Ｈ，７ＣＩ　Ｎ、Ｏ，Ｓ
として）Ｃ（慢　Ｈ（４Ｎ（＠ｃｘ（彌　Ｓ（−理論値
　４２．７８　６．１０　９．９８　１２．６３　１１
．４２実験値　４２．８２　５．９６　９．７１　１２
．５６　１１．４０ここで得た（（至）−（→−５−（
２−アミノプロピル）−２−メトキシベンゼンスルホン
アミド塩酸塩１■をミクロチューブにとり、５％トリエ
チルアミン−Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液１００
μ乙を加えて溶かし１次にＭＣＦ試薬（トルエン中０．
１Ｍ（→−メンチル　クロロホルメート含有、レジス社
製）３００μｌを加えて時々振り混ぜながら、３０分間
反応したのち、メタノール５０μｔを加えて反応を停止
した。
このものを高速液体クロマトグラフィーに付し［カラム
：ヌクレオシル■５　Ｃ１６３０Ｃｍ　Ｘ　４．６　ｍ
ｍ　ＩＤ。
カラム温度：室温、移動相ニアセトニトリル／メタノー
ル／　０．０１ｙリン酸二水素カリウム（５０：　１５
：　４０　ｖ／ｖ　）、流速：毎分１ｍ１．紫外線検出
器（λ２８４ｎｍ）］たところ、保持時間２０分を示す
（Ｒ）　−（−１−５−（２−アミノプロピル）−２−
メトキシベンゼンスルホンアミド塩酸塩の光学純度は９
９．８％以上であった。
実施例　３、 ［Ａコ　法 （川−←→−５−（２−アミノプロピル）−２−メトキ
シベンゼンスルホンアミド塩酸塩２０ｇに水１４０ｍ１
を加えてとかし、このものに飽和炭酸カリウム水溶液５
０　ｍｌを加えた。結晶が析出した後、室温で２時間か
くはんした。結晶なＰ取し、水７５ｍｔより再結晶して
、目的とする（川−（→−５−（２−アミノプロピル）
−２−メトキシベンゼンスルホンアミド１４．２　ｇを
得た。収率８２％融点　１６６〜１６７℃ ［αコ”Ｄ’　　−１７，３°　（Ｃ＝　　１．０７．
　　ＭｅＯＨ）元素分析値（Ｃ，。Ｈ，、Ｎ、Ｏ，Ｓと
して）Ｃ（１９Ｈ（−Ｎ（＠Ｓ（− 計算値　　４９．１６　６．６０　１１．４７　１３．
１２実験値　　４９．０８　６．４９　１１．２６　１
３．０２［Ｂコ　法

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は同一又は異って、水素原子
    又は低級アルキル基を、Ｒ＾３は水素原子、低級アルキ
    ル基、水酸基又は低級アルコキシ基を、Ｒ＾４は低級ア
    ルキル基を、Ｒ＾５は低級アルキル基、又は低級アルコ
    キシカルボニル低級アルキル基を、Ｒ＾６は置換又は未
    置換のフェニル基、又は低級アルコキシカルボニル基を
    意味する） で示されるｍ−（２−置換アルキルアミノアルキル）ベ
    ンゼンスルホンアミド誘導体を分解することを特徴とす
    る一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４は前記の意
    味を有する） で示される光学活性なベンゼンスルホンアミド誘導体の
    製造法。 ２、一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は同一又は異って、水素原子
    又は低級アルキル基を、Ｒ＾３は水素原子、低級アルキ
    ル基、水酸基又は低級アルコキシ基を、Ｒ＾４は低級ア
    ルキル基を意味する）で示されるスルファモイル置換ベ
    ンジル低級アルキルケトン類と、一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中、Ｒ＾５は低級アルキル基、又は低級アルコキシ
    カルボニル低級アルキル基を、Ｒ＾６は置換又は未置換
    のフェニル基、又は低級アルコキシカルボニル基を意味
    する） で示される光学活性な置換アルキルアミン類とを還元剤
    の存在下に反応させて、一般式（II）▲数式、化学式、
    表等があります▼（II） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５及び
    Ｒ＾６は前記と同じ意味を有する） で示されるｍ−（２−置換アルキルアミノアルキル）ベ
    ンゼンスルホンアミド誘導体となし、次いでこれを分解
    することを特徴とする一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４は前記と同
    じ意味を有する） で示される光学活性なベンゼンスルホンアミド誘導体の
    製造法。
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