JPS62501509A - 液晶相 - Google Patents

液晶相

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JPS62501509A
JPS62501509A JP61500686A JP50068686A JPS62501509A JP S62501509 A JPS62501509 A JP S62501509A JP 61500686 A JP61500686 A JP 61500686A JP 50068686 A JP50068686 A JP 50068686A JP S62501509 A JPS62501509 A JP S62501509A
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メルク・パテント・ゲゼルシャフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 液 晶 相 本発明は特に低いしきい電圧、曲げ(K3)と伸び(Kl)についての弾性定数 の特に低い比率および広いネマチック相範囲を有する液晶相(LC相)に関する 。
液晶表示素子(LC表示素子)には、電場の影響下に光学的性質、たとえば光吸 収、光散乱、複屈折、反射または色が著しく変化するというネマチックまたはネ マチック−コレステリック液晶材料の性質がますます利用されている。このよう な表示素子の機能は、たとえば動的散乱現象、整列相の変形、ゲスト−ホスト効 果、ねじれセルにおけるシャット−へルフリツヒ効果またはコレステリック−ネ マチック相転移にもとづいている。
これらの効果を液晶表示素子に工業的に適用するには、多くの要求を満たさねば ならない液晶相が要請される。
ここで特に重要な特性の中には、水分、空気および物理的要素、たとえば熱、赤 外部、可視部および紫外部の照射線および直流および交流電場などに対する化学 的安定性である。工業的に利用できる液晶相にはまた適当な温粘度、比較的低い 光学異方性、電気−光学特性曲線の高い勾配および多色性染料に対する適度の溶 解力が要求される。さらにまた、これらは可視光領域においてどんな自己−吸収 性も有していてはならない、すなわちこれらは無色でなければならない。
液晶メゾフェースを有する従来開示されている一連の化合物の中には、単独でこ れらの要求のすべてを満たす化合物は含まれていない。この理由で、液晶相とし て使用で@乙物質を得るために、2〜′:!5種、好甘しくば3へ一15種の化 合物の混合物が一般に調製されている。通常、低い融点および透明点を肩する少 なくとも一種の化合物をそれよシも高い透明点を有する少なくとも一種の化合物 と混合する。これによって得られる混合物は通常、低い方の融点を有する成分の 融点よりも低い融点を有するが、透明点はこれらの成分の透明点の間にくる。し 、かじながら、高い融点および透明点を有する成分はしばしばまた混合物に高い 粘度を付与することから、この方法では最適相を容易に調製することはできない 。その結果として、これらの成分を用いて調製された液晶表示素子のスイッチン グ時間は望ましくない様相で変えられる。
しきい電圧を減少させるために、従来開示さtているLC相には末端シアン基を 有する強い極性ネマチック化合物が添加さtlている。しかしながら、これらの 化合物の効果的な双極子能率はこれらの分子のかなり強い逆平行会合により著し く減じられ、従って比較的大量の極性化合物を添加する必要がある。これはさら に、LC相の好ましくない弾性物性および高粘度などの種々の欠点をもたらす。
強い極性成分として4−シアノ−3−フルオルフェニルp−アルキルベンゾエー ト化合物k zLI 1957 / 5〔これはDarmcita、dt Ti K、 Merek社から市販される混合物であって、フェニルシクロヘキサン、 シクロヘキシルビフェニル、ビス−シクロヘキシルビフェニル化合物およびフェ ニルシクロへキシルベンゾエート化合物ヲ含有スる〕に添加すると、添加された 化合物の会合度の減少で説明されるように、しきい電圧の減少を見ることができ る( Hp、 EtchadおよびS、M、 KellyによるJ、Chem、  Phys。
81 (3)、第1514〜15頁(1984年)参照〕。しかしながら、これ らのLC相でさえも、前記の要求の全部を同時に満たすものではない。特に、か なりの用途に対して、それらのしきい電圧は依然として高すぎるし、さらにその 特性曲線の勾配は曲げ(K3)および伸び(K、)についての弾性定数の比(K 3/Kl )が比較的高いことから高情報性表示には充分ではない。従って、従 来開示されている混合物は過度に高いしきい電圧および(または)許容できない ほど貧弱な勾配の特性曲縁を有する(これは高過ぎるに3/Klにより特徴付け られる)。さらにまた、低いしきい電圧を有する従来開示されている混合物は過 度に高いスメクチック−ネマチック転移温度ヲ有する。
従って、高い透明点、低い融点、低粘度(および従って短いスイッチング時間) および低いしきい電圧を有し、同時に好ましい弾性物性を有する液晶相に依然と して大きな需要が存在する。
本発明の目的は要求される温度範囲内でネマチック相を有し、および完全にまた はほとんど完全に前記の欠点を有しない液晶相を調製することにある。
ここに、材料性質の特に好ましい組合せ、特に広いメゾフェース範囲おIび異常 なほど低いし7きい電圧および特に好まし7い弾性物性を有する液晶相が・・・ 〔原文どおり〕同時に、減少した会合度をイラする高い極性の成分の少なくとも 一種および相の曲げ(K3)と伸び(K1)についての弾性定数の比率に3/K lを≦1.1の数値に減じるために、非極性液晶成分の少なくとも一種を含有す る場合に得られることが見い出された。
減少した会合度を有する化合物とは、本発明において、類似の分子総双極子能率 を有するとともに(構成素子の各双極子能率のベクトル加法から算定して)、分 子化合物の減少した逆平行会合によって、たとえば4−アルキル−4′−シアノ ビフェニル化合物またはp−トランス−4−アルキルシクロへキシルベンゾニト リル化合物のような化合物よりも高い誘電異方性を有する液晶化合物を意味する ものと理解されるべきでちる。
特に望ましい性質は式I R”−(A”−21)、−A2−K2−A3(1)〔式中R1は1〜12個のC 原子を肩するアルキル基でちり、さらにこれらの基中に存在する1個のCH2基 または隣接していない2個のCH2基はC原子、−CO−1−O−CO−1−c o−o−および(または) −CH=CH−基により置き換えられていてもよ〈 ;A1およびA2はそれぞれ1.4−7エニレン(さらにこの基に存在する1〜 4個のCH基はNにより置き換えられていてもよい)または1.4−シクロヘキ シレン(この基に存在する1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基 はOによシ置き換えられていてもよい);zlは−CO−0−1−o−co−1 −CH2−0−1−0CH2−1−CH2CH2−1〜CH=N−5−N−、C I(−1−N = No−1−NO=N−または単結合であすHz2バーco− o−1−0−CO−、−CB20−1−0CH2−1−CH2CH2−または単 結合であり;mはゼロ、1または2であり;そしてA3は3−ハロゲノ−4−シ アノフェニルt タハ3.5−ジハロゲノー4−シアノフェニルである〕で示さ れる成分の少なくとも一種を含有する液晶相により示される。
R1は好ましくは1〜7個のC原子を有する直鎖状アルキルまたはアルコキシで ある。
A1およびA2は好ましくはそれぞれ相互に独立して、1,4−フェニレン、1 .4−シクロヘキシレン、1.3−)オキサン−2,5−ジイルまたはピリミジ ン−2,5−ジイル、特に、1,3−ジオキサン−2,5−ジイルまたはピリミ ジン−2,5−ジイルであるが、基A1およびA2の一つだけが1.3−ジオキ サン−2,5−ジイルまたはピリミジン−2,5−ジイルである。
A1およびA2が1,4−シクロヘキシレンでありそしてB2が単結合または− C0−0−である式Iの化合物がまた好ましい。
zlは好ましくは単結合である。B2は好ましくは−CO−O−1−CH2CH 2−1−CH20−または単結合、特に−CO−O−または単結合である。
mは好ましくはゼロまたは1である。
A3における・・コデンは好ましくは塩素またはフッ素、特に好ましくはフッ素 である。
本発明によるLC相は好ましくは<1.0のKs / Ks比および<1.5ボ ルトのしきい電圧、特に好ましくは<0.9のに37 Kユ比および<1.4ボ ルト、特に好ましくは<1.2ボルトのしきい電圧を有する。本発明による好ま しいLC相は−m°C1特に好ましくは−(9)Cまでスメクチック相範囲を有 しない。
従って、本発明は一種まだは二種以上の多色性染料(ゲスト−ホスト系)も含有 できる前記液晶相およびこれらの相の液晶表示素子における使用を提供する。
本発明はさらに、このような相を含有する液晶表示素子、特に電気−光学表示素 子を提供する。
本発明によるゲスト−ホスト系は多色性染料を一般に0.1〜15、好ましくは 0.5〜10、特に1〜7重量%含有する。
本発明によるデスト−ホスト系の多色性染料はこれらが可視スペクトルの適当部 分を包含し、そしてこの範囲における吸収がかなり一定であるような基準で選択 すると好ましい。
本発明によるデストーポスト系の調製は慣用の方法で行なう。一般に、種々の多 色性染料の所望量をホスト材料に、好ましくは高められた温度で溶解する。
しかしながら、多色性染料およびホスト材料の適当な有機溶剤、たとえばりIv ロポルムまたはメタノール中の溶液を混合し、充分に混合した後に、たとえば減 圧下の蒸留によりこの溶剤を除去することもできる。この方法は溶剤がbづれの 汚染物質せたは望ましくない添加物を導入しないことを確実にする必要があるこ とは自明である。
式■の各化合物および本発明による液晶相の非極性成分は既知であるか、または 文献に記載されている標準的方法にもとづいていることから、従来技術から当業 者により容易に誘導できる方法によ抄製造できる。
式■の相当する化合物はたとえば西ドイツ国特許出願P 3405914、P  3401320 、P 3411571およびP 3315295 ;西ドイツ 国公開特許出願公報3209178 ;ヨーロツ、e特許明細書0,019,6 65 i S、M、KellyおよびHp、 5Cha(1,による、He1v etiCa Chimica Aeta、 67、1sso −1587(19 84) ; S。
M、 Kellyによる前記文献67、1572−1579 (1984);  オ!びまたヨーロツ、e公開特許出願公報0.099.099および0.119 .756並びに日本国公開特許出願公報59−191,789に記載されている 。相当する非極性液晶成分は、たとえば西ドイツ国特許出願P 3315295  、 P 3346175、P・340f 320、P3401321 、 P 3404116 、P3411571 i西ドイツ国公開特許出願公報2167 252.2257588.2429093.2547737.2641724. 2944905.2951099.3140868.3228350 ; ヨー ロツ/ン公開特許出願公報0.014.885.0,084,194.0,10 4,011 、0,111,695.0.122,389.0.126,883 および日本国公開特許出願公報59−98.0651で記載されている。
驚くべきことに、弐■の化合物と式■の化合物との本発明による糾合せは、−力 で低い融点および低いスメクチック−ネマチック転移温度をともなう広いメゾフ ェース範囲を有し7、他方で格別に低いしきい電圧と組合されている曲げ(K3 )と伸び(K1)についての弾性定数の特に好ましい比に3 / Klを有する ことを特徴とするLC相を提供することが見い出された。
本発明によるLC相は好ましくは式Iの成分の少なくとも5種、特に好ましくは 少なくとも3種および(または)非極性成分の少なくとも2種、好ましくは少な くとも4種、特に少なくとも6種を含有する。
本発明によるLC相中の式Iの化合物と非極性成分との総合割合は好ましくは少 なくとも45%、特に少なくとも50%である。
式Iの化合物の割合は好ましくは少なくとも18チ、そして特に好ましくは18 〜73%の範囲内である。非極性成分の割合は好ましくは少なくとも27%、特 に好ましくは少なくとも32%である。
式1の好ましい化合物は下記の部分式1a、Iuの化合物である: 前記O−フルオルベンゾニトリル化合物、特に式7d、J8.Ii、It、Im およびInの化合物に対応する。−クロルベンゾニトリル化合物も同様に好まし い化合物でちる。
前記部分式の中で、式Ia、 Ib、 Id、 IQ、 Ig、 Ih。
Ik%IL、ImおよびIs の化合物が好ましい。部分式Ia、 Ib11g 、 Ih、 l1llおよびIsの化合物が特に好ましい化合物としてあげられ る。
本発明による好ましいLC相はm=Qである弐Iの化合物の少なくとも一棟、好 ましくは少なくとも2種および同時に、m=1である弐Iの化合物の少なくとも 一糧を含有する。
本発明によるLC相の非極性液晶成分は好ましくは−2〜+2の範囲、特に−1 ,5〜+1の範囲内の誘電異方性を有する。たとえば、次式A、Gの化合物が使 用できる:〔上記各式中、アルキルおよびアルコキシはそれぞれ1〜7個のC原 子を有する直鎖状のアルキルまたはアルコキシ基でちり、セしてRoは1〜7個 のC原子を有する直鎖状のアルキルまたはアルコキシ基あるいはオギサアルキル またはアルケニル基である〕。
特に好ましい化合物としては式A、C,E、FおよびGの化合物、特にRoがア ルコキシである化合物があげられる。しかしながら、好ましくは非極性成分は窒 素含有液晶化合物である。
本発明によるLC相の窒素含有液晶成分は構造要素(1)〜(4)の少なくとも 一つを含有する液晶化合物である:(x) [2) (3) (J 〔(1)において、環Aは1,4−フェニレン、2,6−ジ置換ナフタレン、− ジーまたは−テトラヒドロナフタレンであり、これらはそれぞれその中に存在す る少なくとも1個の、好ましくは2個の0M基がNにより置き換えられている〕 。
Aは好ましくは式(5)〜q21から選ばれる基である:(5) 161 f力  18) f91GOI CH13j121 好ましい基としては式(5)、(6)、(力およびuz、特に(5)の基があげ られる。
この点において、「窒素含有成分」は二) IJル側鎖基(ラテラルニトリル基 )含有する液晶化合物を意味するものと理解されるべきではない。
重要なこのような窒素含有成分は式■で示すことができる特徴を有するものであ る: R′−x −Y −Z −R′/(n)〔式中Xおよび2はそれぞれ1.4−ジ 置換ベンゼンおよびシクロヘキサンfi、 4.4’−ジ置換ビフェニル、フェ ニルシクロヘキサンおよびシクロヘキシルシクロヘキサン系、2.5−ジ置換ピ リミジンおよび1.3−:)オキサン環、2.6−:)置換ナフタレ/、ジーお よびテトラヒドロナフタレン、キナゾリンおよびテトラヒドロキナゾリンを含む 群からの炭素環式または複素環式環系であり、Yは−CH=CH−−N(0)= N− −CH−CQ−−CH=N(0)− −CミC−−CH2−CH2− −CO−0−−CH2−0− −CO−8−−CH2−8− −CH=N−−Coo−Phe−Coo−またはC−C単結合であり、Qはハロ ゲン、好ましくは塩素、あるいは−CNであシ、そしてR′およびR“は18個 まで、好ましくは8個までの炭素原子を有するアルキル、アルコキシ、アルカノ イルオキシまたはアルコキシカルボニルオキシであるか、ちるいはこれらの基の 一つはまたCN、 NG、 No2. CF3. F、 C74たはBr であ シ、基Xおよび2の少なくとも一つは2.5−:)flt換ピリミジン、キナゾ リンまたはテトラヒドロキナゾリンで1そして(または)Yは−CH,、N−あ るいは−N(0)=N−である。
特に好ましい窒素含有成分は部分式1a〜Itの化合物および部分式l01Ip s Iq% ir SIsおよびItのピリミジン誘導体である: 前記部分式の中で、式1b、lIC1IIθ、I[f 、[h、■1、nj 、  ntおよび■rの化合物が好ましい。弐1bの化合物は特に好ましい。
本発明による特に好ましいLC相は部分式10.11)、 I(1゜Ir、Iθ および(または)Itの化合物を含有するものである。非常に好ましいに3/  uz比を有するこれらの化合物は同時に、減少した会合度を有する高極性成分で ある。
従って、本発明によるLC相中の窒素含有液晶成分は減少した会合度を有する高 極性化合物と同一であることができ、このような場合に、本発明によるLC相は 少なくとも2種のこのような成分を含有する。
前記および後記する式の化合物において、Cyはトランス−1,4−シクロヘキ シレンでチリ、そしてPhは1,4−フェニレンである。
本発明によるLC相の他の成分として使用するのに適する成分は式■の化合物お よび式■の化合物に加えて、弐■ R1−(Cy)r−(Ph)e−Z3−Ph−CN (m)であシ1r4−8は 1または2であシ、 z3は−co−o−または単結合であシ;そしてR1、C yおよびPhは前記の意味を有する)で示される化合物、および(または)弐■ R1−(Cy)r−Z’−(Ph )t−2!S−(Cy )、−R2(■)( 式中tはゼロ、1または2であシ;r+8十℃は2.3または4であシ;かおよ びz5はそれぞれ−co−o−1−o−co、−−CH2CH2−または単結合 であシ;そしてR2はR1の意味の一つを有し、そしてR1、Cy、Phe、r および8は前記の意味を有する)で示される化合物である。
弐■の好ましい化合物は部分式ma〜■hの化合物である: R−Ph−Pb−CN (IIrlL)RCH20−Ph−Pb、−CN (] I[b)R−Cy−Ph−CN ([c ) R−C7−Ph−Ph−CN (m(1)R−Cy−Cy−Ph−CN (Tl le)a−ph−coo−ph−CN (mf)R−Cy−Coo−Ph−CN  (mg)R−Cy−Ph−Coo−Ph−CN (]1Ih)弐■の好ましい 化合物は部分式5+a〜[Vjの化合物でちる: R−Cy−Ph−R(IV a ) R−Cy−Ph−OCR2R((yb)R−Cy−Ph−Ph −R(fV C )R−Cy−Ph−Ph−OCH2R(昏+d)R−Cy−Ph+Ph −R( ■e) R−Cy−Ph−Ph−Cy−R(■f )R−Cy−Ph+ Ph−Cy−R (八’g)R−Cy−Cy−Coo−Cy−R(IVh)R−Cy−Cy−CH 2CH2−Cy−R(IVi)R−Cy−Ph−Ph−CH2CH2−Cy−R (4V j )前記部分式の中で、式[Vb 、 ■e 、 IVf 、 IV g、 IVhおよび■1の化合物が好ましい。特に好ましいものとしては部分式 IVe 、 IVf 、 rVg、[Vhおよび■1の化合物があげられる。
フェニルジオキサン化合物を含有する本発明による液晶相もまた好ましい。この ような化合物は西Pイツ国公開特許出願公報2944905に記載されている。
2−I)−シアノフェニル−5−n−アルキル−1,3−ジオキサン化合物が特 に好ましい。
前記部分式の化合物の場合に、Rは、好ましくは1〜7個のC原子を有する(窒 素含有化合物、式■の化合物およびまたそれらの部分式の場合には、好ましくは 2〜10個のC原子を有する)直鎖状アルキル基であシ、さらにこれらの基中に 存在するCH2基はまた一〇−または−CH=CH−によシ置き換えられていて もよい。特に好ましい基Rはメチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、n− /−2ンチル、n−ヘキシルおよびn−ヘプチル、メトキシ、エトキシ、n−プ ロポキシ、n−ブトキシ、n−ペントキシ、n−ヘキソキシ、n−へブトキシ、 n−オクトキシ、n−ツノキシおよびn−デコキシである。
2個の基Rを有する前記部分式の化合物の場合に、両方の基Rはそれぞれ相互に 独立して、前記意味の一つを有する。
アルキル基が3個または4個以上の炭素原子を有する場合に、これらは直鎖また は分枝鎖中に配列することができる。しかしながら、本発明による相には1個よ り多い分枝鎖状アルキル基を有するいづれの成分も使用しない。本発明の目的に 対して、このような分枝鎖状アルキル基は多くて一つの鎖分校を有する。好まし くはこれは炭素骨格の1−または2−位置に存在するメチルあるいはエチル基で 6D、従って、適当な分枝鎖状アルキル基は特に=2−メチルプロピル、2−メ チルブチル、1−メチルペンチル、2−メチルペンチル、1−メチルヘキシルで ある。一般に、本発明による液晶誘電体は、所望により光学的活性を生じさせる ために、分枝鎖状アルキル基を有する成分を一種だけ含有する。この目的には、 通常、分枝鎖状アルキル基を有する成分を多くて10重量%、好ましくは0.5 〜3重量%の量で加える。
前記部分式の化合物において、 本発明によるLC相は好ましくは弐■の化合物と弐■の化合物とを同時には含有 しない。
本発明による相の調製は慣用の方法で行なう。一般に、少ない方の量で使用する 成分の所望量を主成分を構成する成分中に、好ましくは高められた温度で溶解す る。この温度として主構成成分の透明点以上の温度が選ばれた場合には、溶解の 進行の完了を特に容易に見ることができる。
本発明による液晶相は適当な添加剤によシこれらを従来開示されているいづれの 種類の液晶表示素子にも使用できるような方法で変性できる。
このような添加剤は当業者にとって既知で11)、文献に詳細に記載゛されてい る。たとえば、導電性を改善するために導電性塩、好ましくはエチルジメチルド デシルアンモニウム4−へキシルオキシベンゾエート、テトラゾチルアンモニウ ムテトラフェニルボラネートまたはクラランエーテルの錯塩〔この化合物につい ては、たとえば工、 Haller他によるMOユ、 Cryst、Liq、  Cryst、 24巻、第249〜258頁(1973年〕を参照できる〕を、 あるいは誘電異方性、粘度および(または)ネマチック相の配向を変えるための 物質を添加できる。このような物質は、たとえば西rイツ国公開特許出願公報2 209127.2240864.2321632.2338281 、2450 088.2637430.2853728および2907177に記載されてい る。
下記の例は本発明を制限することなく説明するだめのものである。これらの例に おいて、液晶物質の融点および透明点は摂氏度(C)で示す。・セーセンテージ は重量による。しきい電圧を示す数値は10%コントラストおよび20’(Z’ におけるσの観察角、に関するものである。
例 1 2−p−シアノフェニル−5−−10ピル−1,3−’)オキサン 6チ、 2−P−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10%、 2−T)−シアノフェニル−5−ペンチル−1,3−ジオキサン 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−)ランス−4−フロビルシクロへキシル ベンゾエート 8%、4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンジェ  − ト 5 % 、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−プロピルベンゾ エ − ト 5 %  1 .2−I)−ペンチルオキシフェニル−5−へキシルビリミ ジ ン 796. 2−p−へキシルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7%、 2−p−へブチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 7チ、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 6%、 p−)ランス−4−プロビルシクロヘキシルフェニルプチレート 20チ、 4−()ランス−4−滅ンチルシクロヘキシル) 、a/−(トランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 6チおよび 4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 5チ よりなる液晶相は一9°の融点、田°の透明点、がで0.88のに3/Kl比お よび1.4ボルトのしきい電圧を有し、そして−rまでスメクチック相を示さな い。
例 2 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−プロピルピリミジン 12チ 、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−ブチルピリミジン 12チ、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−ペンチルピリミジン 10% 、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−トランス−4−フロビルシクロへキシル ベンゾエート 8%、4−シフ/−3−フルオルフェニルクーエチルベンゾエー ト5り6. 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−−1’ロピルベンゾエート5り6. 2−1)−ペンチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7%、 2−’II)−へキシルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7%、 2−p−へブチルオキシフェニル−5−へキシルヒリミ ジ ン 7 ラ6. 2−p−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミル−トランス−4−ブロピ ルシクロヘキシルフエニルブチレート 10″lb、 4−(1−ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′−(トランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 6a/bおよび 4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 5% よシなる液晶相は1.15ボルトのしきい電圧およびがで0.80のに37に1 比を有する。
例 3 2−P−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 6%、 2−I)−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10チ、 2−I)−シアノフェニル−5−ペンチル−1,3−:)オキサン 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−)ランス−4−フロビルシクロヘキシル ベンゾエート 8チ、4−シフ/−3−フルオルフェニルp−エチルベンジェ  − ト 5 % 、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−プロピルベンジェ − ト 5 タロ  、 2−P−ペンチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5チ、 2−I)−へキシルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6チ、 2−1)−へブチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 6チ、 2−P−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5%、 2−P−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン 5チ、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5チ、 ’p−)ランス−4−−j’ロピルシクロヘキシルフェニルブチレート 17チ 、 4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル) +1−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 5%オヨヒ 4.4′−ビス−(トランス−4−oンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 4% よシなる液晶相は一9°の融点、6デの透明点、がで0.83のに37 Kl比 および1.4ボルトのしきい電圧を有し、そして−W−tでスメクチック相を示 さない。
例 4 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−プロピル−1,3−:)オキ サン 12チ、2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−ブチル−1, 3−ジオキサン 11%、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−啄ンチルー1,3−ジオキサ ン 10 % 。
4−シアノ−3−フルオルフェニルp−トランス−4−フロビルシクロヘキシル ベンゾエート 8%、4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンゾエー ト5つ6. 4−’/7./−3−フルオルフェニルp−−P口ぎルベンゾエ − ト 5  % 、 2−p−ペンチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5チ、 2−P−へキシルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 6チ。
2−P−へブチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 6%、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5チ、 2−1)−へブチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン 5チ、 2−P−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン 5%、 p−)ランス−4−プロピルシクロへキシルフェニルブチレート 8%、 4−(トランス−4−A!ンチルシクロヘキシル)−4′−(トランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 5%および 4.4′−ビス−(トランス−4、、!ンチルシクロヘキシル)−2−フルオル ビフェニル 4% よシなる液晶相は1.25ボルトのしきい電圧およびガで0.850に37にユ 比を有する。
例 5 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−プロピルピリミジン 12チ 、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−ブチルピリミジン 11チ、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−ペンチルピリミジン ioチ 、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−トランス−4−プロピルシクロヘキシル ベンゾエート 8%、4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンジェ  − ト 5 タロ 、 4−77/−3−フルオルフェニルp−プロピルベンジェ − ト 5 % 、 2−P−−rンチルオキシフエール−5−ヘキシルピリミジン 5%、 2−p−へキシルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6%、 2−p−ヘプチルオキシフェニル−5−へキシルピリミ ジ ン 6 ダb 1 2−p−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5%、 2−1−ヘプチルオキシフェニル−5−へブチルビリ2−P−/ニルオキシフェ ニルー5−へブチルピリミジン 5%、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル) −5−(p=ペンチルフェニル) −ピリミジン 8チ、4−(トランス−4−7−2ンチルククロヘキシル)−4 ′−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 5 チおよび 4.4′−ビス=(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 4チ よシなる液晶相は1.10ボルトのしきい電圧およびがで0.78のKs /  Kl比を有する。
例 6 2−p−シアノフェニル−5−プロピル−L3−’)オキサン 6%、 2−p−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサ710チ、 2−I)−シアノフェニル−5−ペンチル−1,3−’;オキサン 8チ、 4−シフ/−4−フルオルフェニルp−(5−プロピル−1,3−:)オキサン −2−イル)−ベンゾエート 8チ、 4−77ノー3−フルオルフェニルp−エトキシベンジェ−ト 5 ダ6. 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−はンチルオキシベンゾエート 5チ、 2−1)−ペンチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 7チ、 2−P−へキシルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 7%、 2−P−ヘプチルオキシフェニル−5−ヘキシルヒリミジン 7%、 2−P−ノニルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 7チ、 ’p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフェニルブチレート 20%、 4−(トランス−4、、l!ンチルシクロヘキシル)−4′−();7ンスー4 −プロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 6チおよび 4.4′−ビス−(トランス−4−6ンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 5チ よりなる液晶相は1.45ボルトのしきい電圧およびがで0.92のに37にユ 比を有する。
例 7 2−(p−ゾロぎルフェニル)−4−フルオル−5−シアノビリミジン 9%、 2−(p−インチルフェニル)−4−フルオル−5−シアノピリミジン 9%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−(5−プロピル−1,3−)オキサン− 2−イル)−ベンゾエート 7チ、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−プロポキシベンゾエート 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−インチルオキシベンゾエート 8チ、 2−1−メトキシフェニル−5−へキシルピリミジン5%、 2−1)−へブチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5%、 2−p−メトキシフェニル−5−へブチルピリミジン5 %、 2−p−へブチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン 5チ、 2−1−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン 5%、 トランス−1−p−−10ビルフェニル−4−ペンチルシクロヘキサン 17チ 、 4−()ランス−4−インチルシクロヘキシル)−4′−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 6%、 4.4’−ヒス=(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 6チおよび4.47−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ ル)−2−フルオルビフェニル 5% よシなる液晶相は望ましい性質を有する。
例 8 2−1)−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 6チ、 2−I)−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10チ、 2−1−シアノフェニル−5−ペンチルー1,3−ジオキサン 8%、 4’−(2−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−エチル)−3−フル オル−4−シアノビフェニル 8チ、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エトキシベンジェ − ト 5 ヲレ  、 4−シアノ−4−フルオルフェニルp−プロポキシベンゾエート 5チ、 2−P−ペンチルオキシフェニル−5−へキシルピリ2−1)−へブチルオキシ フェニル−5−ヘキシルピリミジン 6%、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5チ、 2−I)−へブチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン 5チ、 2−P−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン 5チ、 p−トランス−4−プロピルシクロへキシル7エールブチレート17チ、 4−(トランス−4−A!ンチルシクロヘキシル)−4′−(トランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 5チおよび 4.4′−ビス−(トランス−4−−″2ンチルシクロヘキシル)−2−フルオ ルビフェニル 4% よシなる液晶相は1.45ボルトのしきい電圧および頷°で0.87のに、 /  Kユ比を有する。
例 9 2−p−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 6チ、 2−p−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10%、 2−1)−シアノフェニル−5−0ンチルー1.3−ジオキサン 8チ、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル) −5−(2−()ランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)−エチル〕−ピリミニ)78%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エトキシベンジェ − ト 5 ラ6. 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−−f’ロホキシベンゾエート 5%、 2−p−ペンチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5チ、 2−P−へキシルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6%、 2−I)−へブチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6%。
2−I)−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5チ、 2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン 5%、 2−P−ノニルオキシフェニル−5−へプチルヒリミジン 5%、 p−)ランス−4−プロピルシクロヘキシルフェニルブチレート17チ、 4−()ランス−4−啄ンチルシクロヘキシル) 4/−()ランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 5チおヨヒ 4.4′−ビス−(トランス−4−悶ンチルシクロヘキシn、 ) −2−フル オルビフェニル 4%よりなる液晶相は1.4ボルトのしきい電圧および笛で0 .85の比率に3/に1を有する。
例10 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−プロピル−1,3−ジオキサ ン 6%、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−ブチル−1,3−ジオキサン  6%、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−ペンチル−1,3−ジオキサ ン 7%、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル) −5−(2−()ランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)−エチルツーピリミジン 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルP−エトキシベンゾエ − ト 7 % 、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−プロポキシベンゾエート 7%、 2−P−ペンチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン6%、 2−p−へブチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6チ、 2−1−ヘプチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン 6%、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン 6チ、 2−p−、−5ンチルオキシフェニル−5−p−aンチルフェニルピリミジン  5チ、 2−p−へブチルオキシフェニル−5−p−ペンチルフェニルピリミジン 5チ 、 トランス−1−p−fロビルフェニル−4−啄ンチルシクロヘキプン 15チ、 4−()ランス−4−波ンチルシクロヘキシル) a/−()ランス−4−プロ ピルシクロヘキシル) 2−フルオルビフェニル 5チおよび 4.4′−ビス−(ト、ランスー4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオル ビフェニル 5% よりなる液晶相は望ましい性質を有する。
例11 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−プロピルピリミジン 8%、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−ブチルピリミジン 9チ、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5−啄ンチルピリミジン 8%、 4’−(2−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)−x チ/l/ ] − ]3−フルオルー4−シアノビフェニル10チ、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エトキシベンジェ − ト 7 % 、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−プロポキシベンゾエート 8チ、 4−シアノ−3−フルオルフエニルp−ブトキシベンゾエ − ト 8 % 、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)’−5−(2−():5ンスー4− プロピルシクロヘキシル)−エチルツーピリミジン 7%、 p−トーyンスー4−プロピルシクロヘキシルフェニルp−トランス−4−啄ン チルシクロヘキシルフェニルブチレート 7%、 4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 6%、4.4′−ビス−(トランス−4−ば/チルシクロヘキシル) −2−フルオルビフェニル 5%、4−(トランス−4−啄ンチルシクロヘキシ ル) 、i/−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフ ェニル 5% よシなる液晶相を調製する。
例 12 2−1)−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 6チ、 2−1)−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−:)オキサン 10チ、 2−1)−シアノフェニル−5、!!ンチルー1.3−ジオキサン 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−)ランス−4−ソロぎルシクロへキシル ベンゾエート 8チ、4−シフ/−3−フルオルフェニルp−エチルベンジェ  − ト 5 % 、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−−1’ロピルベンゾエ − ト 596 . 2−p−”eンチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7チ、 2−p−へキシルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7チ、 2−P−へブチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7%、 2−1)−ノニルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6%、 p−)ランス−4−プロピルシクロへキシルフェニルブチレート 10%、 4−()ランス−4−啄ンチルシクロヘキシル) −47−()ランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 6%、 4,4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 5%およびp−ペンチルフェニルp−メトキシベンゾエート l。
チ よりなる液晶相を調製する。
例13 2−p−シアノフェニル−5−プロピル−L3 >オキサン 6%、 2−p−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10%、 2−p−シアノフェニル−5−/−2ンチルー1,3−ジオキサン 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−トランス−4−フロビルシクロへキシル ベンゾエート 8%、4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンジェ  − ト 5 ラ6. 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−プロピルベンジェ − ト 5 % 、 2−P−−zンチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7%、 2−1)−へキシルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 7チ、 2−p−へブチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 7チ、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6%、 p−)う:/ノー4−プロピルシクロへキシルフェニルブチレート 10条、 4−()ランス−4−はンチルシクロヘキシル)−47−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 6チ、 4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 5%オヨヒp−エトキシフェニルトランス−4−プロピルシクロヘキ サンカルボキシレート10チ よりなる液晶相を調製する。
例14 2−1−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 6チ、 2−p−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10チ、 2−P−シアノフェニル−5,2ンチルーl13−ジオキサン 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニル1111−)、7ンスー4−フロビルシクロ ヘキシルベンゾエート 8%、4−シアノ−3−フルオルツユニルp−エチルベ ンゾエート5%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンゾエ − ト 59b 1 2−p−ペンチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7%、 2−1)−へキシルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 7%、 2−1)−へジチルオキシフェニル−5−ヘキシルヒリミジン 7チ、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6%、 p−);7ン、<−4−−フロビルシクロへキシルフェニルブチレート 10  % 。
4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル) a/−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 6%、 4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 5%およびp−メ)キシメチルフェニルトランス−4−プロピルシク ロヘキサンカルボキシレート10%よシなる液晶相を調製する。
例15 2−p−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−9オキサン 6%、 2−1−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10チ、 2−p−シアノフェニル−5−ペンfk−1,3−)オキサン 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−)ランス−4−プロピルシクロへキシル ベンゾエート 8チ、4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンゾ2− p−Aンチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7%、 2−p−へキシルオキシフェニル−5−へキシルビリミ ジ ン 796. 2−p−へブチルオキシフェニル−5−へキシルピリミう2ン7%、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6%、 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフェニルブチレート io%、 4−(トランス−4,2ンチルシクロヘキシル)−4′−(トランス−4−プロ ぎルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 6%、 4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 5%オヨヒ2−P−エトキシフェニル−5−プロピル−1,3−ジオ キサン 10条 よシなる液晶相を調製する。
例16 2−’[1)−シアノフェニル−5−−foビル−1,3−ジ第2−1)−シア ノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10チ、 2−p−シアノフェニル−5−インチル−1,3−)オキサン 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−トランス−4−フロビルシクロへキシル ベンゾエート 8%、4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンゾエー ト5%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−−f’ロピルペンゾエ − ト 5 リ 6. 2−1)−−’:ンチルオキシフェニルー5−ヘキシルピリミジン 7%、 2−p−へキシルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7チ、 2−p−へブチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7チ、 2−11−ノニルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6%。
p−トランス−4−プロビルシクロヘキシルフェニルブチレート 10%、 4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル) 、i/−()うyスー4−− Pロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 6%、 4.4′−ヒス−(トランス−4−A!ンチルシクロヘギシル)−2−フルオル ビフェニル 5チおよびp−(トランス−4〜ヘキシ−3−エニルーシクロヘキ シル)−ベンゾニトリル 10% よりなる液晶相を調製する。
例17 2−1)−シアノフェニル−5−プロピル−1,3・−ジオキサン 6%、 2−p−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10%、 2−p−シアノフェニル−56ンチルー1,3−ジオキサン 8チ、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−トランス−4=フロビルシクロヘキシル ベンゾエート 8%、4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンゾエー ト5%、 4−シフ/−3−フルオルフェニルp−プロピルベンジェ − ト 5 タロ  、 2−p−ペンチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 7%、 2−p−へキシルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 7チ、 2−P−へブチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 7%、 2−1)−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 6%、 p−)ラン、x、−,1−−f’ロピルシクロへキシルフェニルブチレート 1 0%、 4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 6チ、 4.4′−ビス−(トランス−4−インチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 5%オヨヒp−()ランス−4−−2ンチルシクロヘキシル)−フェ ニルインチオシアネート10% よシなる液晶相を調製する。
例18 2−1−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−”オキサン 9%、 2−P−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 6チ、 2−p−シアノフェニル−5−インチル−1,3−’)オキサン 9チ、 4−シフ/−3−フルオルフェニルp−エチルベンゾエート5%、 4−シフ/−3−フルオルフェニルp−−10ビルベンゾエ − ト 4 タレ  、 4−シフ/−3−フルオルフェニルp−dンチルベンゾエ − ト 79し 、 2−I)−ペンチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5チ、 2−1)−へキシルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5%、 2−1−ヘプチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5チ、 2−1−ノニルオキ7フエニルー5−へキシルピリミジン 5%、 2−1)−へブチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン 5チ、 2−1−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン 5%、 p−)ランス−4−プロピルシクロヘキシルフェニルブチレート15チ、 4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 4%、4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル) −2−フルオルビフェニル 4チおよび4−(トランス−4−インチルシクロヘ キシル) −47−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオル ビフェニル 7% よりなる液晶相は一9°の融点、65@の透明点、ガで0.84のに、 / K 1比および1,4ボルトのしきい電圧を有し、そして−凹°までスメクチック相 を有しない。
例19 2−P−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 6%、 2−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10%、2−1−シア ノフェニル−5、E!ンチルー1.3−’)オキサン 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−(5−−Pコピルー1.3−ジオキサン −2−イル)−ベンゾエート 8チ、4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エ チルベンジェ − ト 5 ラ6. 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−7’ロピルベンゾエ − ト 5 %  、 2−rl−ペンチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5チ、 2−111−ヘキシルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6%、 2−1−へブチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 6チ、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5チ、 2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン 5%、 2−P−/ニルオキシフェニルー5−へブチルピリミジン 5%、 p−トランス−4−プロピルシクロへキシルフェニルブチレート 17チ、 4−(トランス−4−及ンチルシクロヘキシル) 、1l−(トランス−4−− !ロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 5%オヨヒ 4.4′−ビス−(トランス−4−インチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 4% よりなる液晶相は−がまでスメクチック相を有せず、そしてガで0.810に3 7 K、比および1.3ボルトのしきい電圧2−p−シアノフェニル−5−プロ ピル−1,3−ジオキサ76チ、 2−1)−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10条、 2−P−シアノフェニル−5−ペンチル−1,3−ジオキサン 8チ、 4−()ランス−4−()ランス−4−ヘフチルシクロヘキシル)−シクロヘキ シル)−2−フルオルベンゾニトリル8つ6. 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンゾエート5%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−プロピルベンジェ − ト 5 % 、 2−p−dンチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5チ、 2−p−へキシルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6チ、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5チ、 2−1)−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン 5%、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン 5%、 p−)ランス−4−プロピルシクロへキシルフェニルブチレート 17%、 4−(トランス−40ンチルシクロヘキシル)−4′−(トランス−4−プロぎ ルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 5%オヨヒ 4.4’−ヒス−(トランス−4−A!ンチルシクロヘキシル)−2−フルオル ビフェニル 4チ よりなる液晶相を調製する。
例21 2−P−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 6チ、 2−I)−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキ2−])−シアノフェ ニル−5−ペンチル−1,3−’)オキサン 8チ、 4−77ノー3−フルオルフェニルトランス−4=()ランス−4−ペンチルシ クロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート 8%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンゾエート5チ、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−プロビルベンジェ − ト 5 % 、 2−p−ペンチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5チ、 2−1)−へキシルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 6%、 2−1)−へブチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 6係、 2−P−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5チ、 2−1)−へブチルオキシフェニル−5−へプチルヒリミ ジ ン 5 ラ6. 2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン 5チ、 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフェニルブチレート 17f)、 4−()ランス−4−インチルシクロヘキシル) a/−()ランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 5チおよび 4.4’−ヒス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 4% よpなる液晶相を調製する。
例n 2−1−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 6%、 2−p−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 10チ、 2−1−シアノフェニル−5oフチルー1,3−ジオ°キサン 8チ、 2−(4−シアノ−3−フルオルフェニル)−5+−()ランス−4−ペンチル シクロヘキシル)−ピリミジン4%、 4−()ランス−4()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シクロヘキシ ル)−2−10ルベンゾニトリル 4%、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−(5−−?コピルー1,3−ジオキサン ー2−イル)−ベンゾエート 8チ、 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−エチルベンジェ − ト 5 ラ6. 4−シアノ−3−フルオルフェニルp−プロピルベンジェ − ト 5 つ6. 2−p−dンチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5チ、 2−1)−へキシルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 6%、 2−P−ヘプチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6チ、 2−P−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5係、 2−p−へプチルオギシフェニルー5−ヘプチルヒリミジン 5チ、 2−I)−ノニルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5%、 p−)ランス−4−プロピルシクロヘキシルフェニルブチレート 17チ、 4−(トランス−4〜−!!ンチルシクロヘキシル)−4′−(トランス−4− プロピルシクロヘキシル) 2−フルオルビフェニル 5チおよび 4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロへ、キシル) −2−フルオ ルビフェニル 4チよりなる液晶相を調製する。
例n 2−p−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 6チ、 2−1)−シアノフ美ニルー5−ブチル−1,3−ジオキサ ン′ 10 予  、 2−1)−シ′アノフェニルー5−ベンチルー1.3−ジオキサン 8%、 4−− シフ/−3−フルオルフエニールp−()ランス−4−プロピルシクロ ヘキシル)−ベンゾエート 8チ、4−77 、/ −3−フルオルフェニルp 〜エチルベンゾエ − ト 5 % 、 4−シアノ−3−フルオルフエー9−ルp−iロビルベンゾエ − ト 5 %  、 2− p−<ンチルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5係、 2−1)−へキシルオキシフェニル−5−ヘキシ/l/ ヒ)Jミ ジ ン 6  ダら 、 2−1)−へブチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 6チ、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−へキシルピリミジン 5%、 2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン 5チ、 2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘキシルピリミジン 5%、 P−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフェニルブチレート 17チ、 4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル) −4/−()ランス−4−プ ロピルシクロヘキシル)−2−フルオルビフェニル 5%オヨヒ 4.4′−ビス−()?ンスー4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオルビ フェニル 4チ よシなる液晶相は一3Crtでスメクチツク相を有せず、そしてがで0.83の に3/ K1比および1.4ボルトのしきい電圧を有する。
国際調査報告 ANNE、’<ToTFミEIト4τERNAT10+ぐALSEARごHRE PORTON

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.少なくとも二種の液晶構成成分およびく1.6ボルトのしきい電圧を有する 液晶相であつて、この液晶相が減少した会合度を有する高極性の成分の少なくと も一種および相の曲げ(K3)および伸び(K1)についての弾性定数の比K3 /K1を≦1.1の数値に減少させるために非極性液晶成分の少なくとも一種を 同時に含有することを特徴とする液晶相。
  2. 2.式I R1−(A1−Z1)m−A2−Z2−A3(I)〔式中R1は1〜12個のC 原子を有するアルキル基であり、さらにこれらの基中に存在する1個のCH2基 または隣接していない2個のCH2基はO原子、−CO−、−O−CO−、−C O−O−および(または)−CH=CH−基により置き換えられていてもよく; A1およびA2はそれぞれ1,4−フエニレンであつて、さらにこの基中に存在 する1〜4個のCH基はNで置き換えられていてもよく、あるいはまた1,4− シクロヘキシレン基であつてこの基中に存在する1個のCH2基または隣接して いない2個のCH2基はさらにOにより置き換えられていてもよく;Z1は−C O−O−、−O−CO、−CH2−O−、−OCH2−、−CH2CH2−、− CH=N−、一N=CH−、−N=NO−、−NO−N−または単結合であり; Z2は−CO−O−、−O−CO−、−CH2O−、−OCH2−、−CH2C H2−または単結合であり;mはゼロ、1または2であり;そしてA3は3−ハ ロゲノー4−シアノフエニルまたは3,5−ジハロゲノー4−シアノフエニルで ある〕の成分の少なくとも一種を含有する請求の範囲1に記載の液晶相。
  3. 3.電気一光学表示素子における請求の範囲1または2に記載の液晶相の使用。
  4. 4.請求の範囲1または2に記載の相を含有することを特徴とする電気−光学表 示素子。
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