JPS6216934B2 - - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 8
- ZDXDKCJCSZZBDU-UHFFFAOYSA-N anthracen-9-ylmethylphosphonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CP(O)(=O)O)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 ZDXDKCJCSZZBDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OGOYZCQQQFAGRI-UHFFFAOYSA-N 9-ethenylanthracene Chemical class C1=CC=C2C(C=C)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 OGOYZCQQQFAGRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- -1 N-ethylcarbazolyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 2
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 claims 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 3
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- BGNGWHSBYQYVRX-UHFFFAOYSA-N 4-(dimethylamino)benzaldehyde Chemical compound CN(C)C1=CC=C(C=O)C=C1 BGNGWHSBYQYVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004809 thin layer chromatography Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 1-anthracen-9-yl-2,2,2-trifluoroethanone Chemical group C1=CC=C2C(C(=O)C(F)(F)F)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylanthracene Chemical class C1=CC=C2C=C3C(C=C)=CC=CC3=CC2=C1 UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YATJOUUMQREMEW-UHFFFAOYSA-N 4-(2-anthracen-9-ylethenyl)-n,n-dimethylaniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=C(C=CC=C2)C2=CC2=CC=CC=C12 YATJOUUMQREMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNFZZNNFORDXSV-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylamino)benzaldehyde Chemical compound CCN(CC)C1=CC=C(C=O)C=C1 MNFZZNNFORDXSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWEQSBRKYZRWPQ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(10-bromoanthracen-9-yl)ethenyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=CC1=C(C=CC=C2)C2=C(Br)C2=CC=CC=C12 VWEQSBRKYZRWPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCLPHLKDXLHASP-UHFFFAOYSA-N 9-(diethoxyphosphorylmethyl)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C(CP(=O)(OCC)OCC)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 KCLPHLKDXLHASP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQAADXIVIOVDQC-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(=C12)CS(=O)(=O)O Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(=C12)CS(=O)(=O)O AQAADXIVIOVDQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical class [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N methylphosphonic acid Chemical compound CP(O)(O)=O YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000011403 purification operation Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N sodium ethoxide Chemical compound [Na+].CC[O-] QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
本発明は9−ビニルアントラセン誘導体の改良
製造法に関する。 9−ビニルアントラセン誘導体は光導電性物質
として有用であるが、溶媒に不溶又は難容な不純
物の存在しないことが不可欠である。これは感光
体の作成時に感光層形成用の樹脂溶液中にこのよ
うな不純物が残存すると、得られる感光体の静電
特性に悪影響を及ぼすばかりでなく、感光層の結
晶化を誘発し露光時の光の透過を妨げるため、キ
ヤリヤーの発生効率が落ち、耐久性までも損なう
恐れがあるからである。 一方、本発明者らは先に特開昭51−94829号及
び同51−98260号において、9−ビニルアントラ
セン誘導体の製造法として9−アントリルメチル
ホスホン酸ジアルキルとアルデヒドとをNaOH、
tert−C4H9OKのような強塩基性アルカリ化合物
の存在下に溶媒中で反応させる方法を提案した。
しかしこの方法、即ち9−アントリルメチルホス
ホン酸ジアルキルと強塩基性アルカリ化合物の溶
液又は分散液中にアルデヒドを添加する方法は副
生物の生成が避け難く、しかもこの副生物は溶媒
に難溶であるため精製操作を繰返しても除去がき
わめて困難であつた。これは先に述べたように感
光板の作成時に大きな問題となる。 本発明の第一の目的は以上の欠点を除去し、不
溶性又は難溶性の副生物を生成しない9−ビニル
アントラセン誘導体の製造法を提供することであ
る。 本発明の第二の目的は高純度、高収率で9−ビ
ニルアントラセン誘導体を製造する方法を提供す
ることである。 即ち本発明方法は強塩基性アルカリ化合物を溶
媒中に充分、分散又は溶解せしめ、この分散液又
は溶液中に一般式 (但し、Xは水素又はハロゲン、R1は炭素数1〜
4の低級アルキル基を表わす。) で示される9−アントリルメチルホスホン酸ジア
ルキル及び一般式 R2−CHO (但し、R2は非置換、又はハロゲン、シアノ基、
ジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基
もしくはニトロ基で置換されたフエニル基;ナフ
チル基;アントリル基;又はN−エチルカルバゾ
リル基を表わす。) で示されるアルデヒドの溶液を添加し、反応させ
ることを特徴とする一般式 (但し、X及びR2は前述の通り) で示される9−ビニルアントラセン誘導体を製造
する方法である。 本発明者らは前記提案方法で生じる溶媒に不溶
又は難溶の副生物及びその生成原因について検討
した結果、この副生物はα・β−ビス(アントリ
ル−9)エチレンであり、9−アントリルメチル
ホスホン酸ジアルキルの一部がまず強塩基性アル
カリ化合物と錯塩を作り、これに残部の9−アン
トリルメチルホスホン酸ジアルキルが攻撃するこ
とにより、ジアルキルホスフアイトが脱離した結
果生じることを見出した。そこで原料系、即ち一
般式で表わされる9−アントリルメチルホスホ
ン酸ジアルキル、一般式で表わされるアルデヒ
ド及び強塩基性アルカリ化合物の添加順序を前述
のように強塩基性アルカリ化合物に一般式の化
合物及び一般式の化合物を加えるという順序に
したところ、前記副生反応が抑えられ、高純度、
高収率で目的化合物が得られることを見出した。
本発明はこのような知見に基づいて達成されたも
のである。 本発明方法を更に詳しく説明すると、原料化合
物である一般式の9−アントリルメチルホスホ
ン酸ジアルキルは亜リン酸トリアルキルと、対応
するハロメチル化合物とを、直接、或いはトルエ
ンなどの不活性溶媒中で間接的に加熱することに
より容易に製造される。ここで亜リン酸トリアル
キルのアルキルとしては炭素数4以下のアルキル
基、特にメチル基、エチル基などが好ましい。 反応溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の炭化水素類、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ブタノー
ル、2−メトキシエタノール、ビス(2−メトキ
シエチル)エーテル、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン等のアルコール及びエーテル類、その他、
ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、
N−メチルピロリドン等が挙げられる。中でも極
性溶媒、例えばジメチルホルムアミド及びジメチ
ルスルホキシドが特に適している。 反応温度は(1)使用する溶媒の反応成分、特に強
塩基性アルカリ化合物に対する安定性、(2)縮合成
分(一般式及びの化合物)の反応性、(3)前記
アルカリ化合物の溶媒中における縮合剤としての
反応性によつて広範囲に選択することができる。
例えば極性溶媒を用いる時は実際には10〜100
℃、好ましくは20〜60℃である。しかし反応時間
の短縮又は活性の低い縮合剤を使用する時は更に
高い温度(最大180℃)でもよい。従つて極性溶
媒の場合、反応温度は基本的には10〜180℃の範
囲である。 強塩基性アルカリ化合物としてはアルカリ金属
の水酸化物、アミド又はアルコラート(好ましく
は1〜4個の炭素原子を含むアルコールのアルコ
ラート)があるが、経済的な理由からリチウム、
ナトリウム及びカリウムの水酸化物、アミド又は
アルコラートが好ましい。 一般式の9−アントリルメチルスルホン酸ジ
アルキル及び一般式のアルデヒドの使用量は通
常、化学量論量である。また強塩基性アルカリ化
合物の使用量は前記(2)及び(3)項によつて変化する
が、一般式の9−アントリルメチルホスホン酸
ジアルキル1モルに対して通常は1〜5モル倍
量、好ましくは1〜3モル倍量である。 本発明方法で得られる一般式で示される9−
ビニルアントラセン誘導体は光導電性物質として
有用なものであり、有機光導電性材料として代表
的なポリ−N−ビニルカルバゾールに比べて光導
電性において優れており、光導電性物質として不
可欠な高純度のものが得られ、入手し易い原料か
ら容易に合成できるので、コストの面からも有利
である。このような利点を有する化合物は電子写
真感光体、画像形成素子等に利用されるが、電子
写真感光体に用いる場合には他の有機光導電性物
質と同様に、色素や電子受容性物質と組合せて増
感することもできる。また結着剤溶液に溶解し、
光導電性顔料〜結着剤、又は光導電性顔料蒸着の
キヤリヤー発生層上に塗布してキヤリヤー移動層
として用いることができる。 以下、実施例に基づき本発明を説明する。 実施例 1 カリウムt−ブトキシド25.6g(0.288モル)
をN・N−ジメチルホルムアミド(以下DMFと
いう)100ml中、室温で充分に撹拌分散した後、
この分散液中にジエチル−9−アントリルメチル
ホスホネート50.0g(0.152モル)及びp−ジメ
チルアミノベンズアルデヒド22.7g(0.152モ
ル)をDMF90ml中に溶解した溶液を、室温下、
激しく撹拌しながら、反応温度が40℃を越えない
ように徐々に滴下した。滴下終了後、更に室温で
3時間撹拌した後、酢酸で内容物を中和し、約
100mlのメタノールで希釈した。析出した結晶を
別し、水洗、乾燥した。収量45.2g(91.9
%)、融点179.0〜180.5℃。薄層クロマトグラフ
イー(シリカ、展開溶媒;ベンゼン)によりα・
β−ビス(アントリル−9)エチレンの副生は認
められなかつた。 粗製品をn−ブタノールから再結晶して黄色針
状結晶で、融点179.5〜180.5℃の9−(4−ジメ
チルアミノスチリル)アントラセンの純品を得
た。 元素分析値(C24H21Nとして) C H N 計算値(%) 89.12 6.55 43.0 実測値(%) 89.14 6.54 4.32 赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法) δtrans(CH=CH) 960cm-1 実施例 2 ナトリウムエチラート15.5g(0.228モル)を
DMF120ml中に室温で充分撹拌、分散した後、こ
の分散液中に10−ブロモ−9−アントリルメチル
ホスホネートジエチル61.9g(0.152モル)及び
p−ジエチルアミノベンズアルデヒド26.9g
(0.152モル)をDMF100ml中に溶解したた溶液
を、室温下激しく撹拌しながら、反応温度が50℃
を越えないように滴下した。滴下終了後、更に室
温で4時間撹拌し、ついで酢酸で内容物を中和
し、約100mlのメタノールで希釈した。析出した
結晶を別し、水洗、乾燥した。収量56.2g
(85.9%)、融点159.5〜161.0℃。薄層クロマトグ
ラフイー(シリカ、展開溶媒;ベンゼン)により
α・β−ビス(10−ブロモアントリル−9)エチ
レンの副生は認められなかつた。 粗製品を酢酸エチルから再結晶して赤橙色プリ
ズム状結晶で、融点161.5〜162.5℃の10−ブロム
−9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラ
センの純品を得た。 元素分析(C26H24NBrとして) C H N Br 計算値(%) 72.55 5.63 3.26 18.56 実測値(%) 72.61 5.63 3.25 18.50 赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法) δtrans(CH=CH) 960cm-1 実施例3〜12 実施例1のp−ジメチルアミノベンズアルデヒ
ドの代りに下記表に列挙するアルデヒド、溶媒、
強塩基性アルカリ化合物及び反応温度を用いた他
は実施例1と同じ方法で、副生物を生成すること
なく、同表に示すアントラセン化合物を得た。得
られた化合物の収率、融点、元素分析値及び赤外
線吸収スペクトルの特性吸収(KBr錠剤法)を併
記した。
製造法に関する。 9−ビニルアントラセン誘導体は光導電性物質
として有用であるが、溶媒に不溶又は難容な不純
物の存在しないことが不可欠である。これは感光
体の作成時に感光層形成用の樹脂溶液中にこのよ
うな不純物が残存すると、得られる感光体の静電
特性に悪影響を及ぼすばかりでなく、感光層の結
晶化を誘発し露光時の光の透過を妨げるため、キ
ヤリヤーの発生効率が落ち、耐久性までも損なう
恐れがあるからである。 一方、本発明者らは先に特開昭51−94829号及
び同51−98260号において、9−ビニルアントラ
セン誘導体の製造法として9−アントリルメチル
ホスホン酸ジアルキルとアルデヒドとをNaOH、
tert−C4H9OKのような強塩基性アルカリ化合物
の存在下に溶媒中で反応させる方法を提案した。
しかしこの方法、即ち9−アントリルメチルホス
ホン酸ジアルキルと強塩基性アルカリ化合物の溶
液又は分散液中にアルデヒドを添加する方法は副
生物の生成が避け難く、しかもこの副生物は溶媒
に難溶であるため精製操作を繰返しても除去がき
わめて困難であつた。これは先に述べたように感
光板の作成時に大きな問題となる。 本発明の第一の目的は以上の欠点を除去し、不
溶性又は難溶性の副生物を生成しない9−ビニル
アントラセン誘導体の製造法を提供することであ
る。 本発明の第二の目的は高純度、高収率で9−ビ
ニルアントラセン誘導体を製造する方法を提供す
ることである。 即ち本発明方法は強塩基性アルカリ化合物を溶
媒中に充分、分散又は溶解せしめ、この分散液又
は溶液中に一般式 (但し、Xは水素又はハロゲン、R1は炭素数1〜
4の低級アルキル基を表わす。) で示される9−アントリルメチルホスホン酸ジア
ルキル及び一般式 R2−CHO (但し、R2は非置換、又はハロゲン、シアノ基、
ジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基
もしくはニトロ基で置換されたフエニル基;ナフ
チル基;アントリル基;又はN−エチルカルバゾ
リル基を表わす。) で示されるアルデヒドの溶液を添加し、反応させ
ることを特徴とする一般式 (但し、X及びR2は前述の通り) で示される9−ビニルアントラセン誘導体を製造
する方法である。 本発明者らは前記提案方法で生じる溶媒に不溶
又は難溶の副生物及びその生成原因について検討
した結果、この副生物はα・β−ビス(アントリ
ル−9)エチレンであり、9−アントリルメチル
ホスホン酸ジアルキルの一部がまず強塩基性アル
カリ化合物と錯塩を作り、これに残部の9−アン
トリルメチルホスホン酸ジアルキルが攻撃するこ
とにより、ジアルキルホスフアイトが脱離した結
果生じることを見出した。そこで原料系、即ち一
般式で表わされる9−アントリルメチルホスホ
ン酸ジアルキル、一般式で表わされるアルデヒ
ド及び強塩基性アルカリ化合物の添加順序を前述
のように強塩基性アルカリ化合物に一般式の化
合物及び一般式の化合物を加えるという順序に
したところ、前記副生反応が抑えられ、高純度、
高収率で目的化合物が得られることを見出した。
本発明はこのような知見に基づいて達成されたも
のである。 本発明方法を更に詳しく説明すると、原料化合
物である一般式の9−アントリルメチルホスホ
ン酸ジアルキルは亜リン酸トリアルキルと、対応
するハロメチル化合物とを、直接、或いはトルエ
ンなどの不活性溶媒中で間接的に加熱することに
より容易に製造される。ここで亜リン酸トリアル
キルのアルキルとしては炭素数4以下のアルキル
基、特にメチル基、エチル基などが好ましい。 反応溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の炭化水素類、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ブタノー
ル、2−メトキシエタノール、ビス(2−メトキ
シエチル)エーテル、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン等のアルコール及びエーテル類、その他、
ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、
N−メチルピロリドン等が挙げられる。中でも極
性溶媒、例えばジメチルホルムアミド及びジメチ
ルスルホキシドが特に適している。 反応温度は(1)使用する溶媒の反応成分、特に強
塩基性アルカリ化合物に対する安定性、(2)縮合成
分(一般式及びの化合物)の反応性、(3)前記
アルカリ化合物の溶媒中における縮合剤としての
反応性によつて広範囲に選択することができる。
例えば極性溶媒を用いる時は実際には10〜100
℃、好ましくは20〜60℃である。しかし反応時間
の短縮又は活性の低い縮合剤を使用する時は更に
高い温度(最大180℃)でもよい。従つて極性溶
媒の場合、反応温度は基本的には10〜180℃の範
囲である。 強塩基性アルカリ化合物としてはアルカリ金属
の水酸化物、アミド又はアルコラート(好ましく
は1〜4個の炭素原子を含むアルコールのアルコ
ラート)があるが、経済的な理由からリチウム、
ナトリウム及びカリウムの水酸化物、アミド又は
アルコラートが好ましい。 一般式の9−アントリルメチルスルホン酸ジ
アルキル及び一般式のアルデヒドの使用量は通
常、化学量論量である。また強塩基性アルカリ化
合物の使用量は前記(2)及び(3)項によつて変化する
が、一般式の9−アントリルメチルホスホン酸
ジアルキル1モルに対して通常は1〜5モル倍
量、好ましくは1〜3モル倍量である。 本発明方法で得られる一般式で示される9−
ビニルアントラセン誘導体は光導電性物質として
有用なものであり、有機光導電性材料として代表
的なポリ−N−ビニルカルバゾールに比べて光導
電性において優れており、光導電性物質として不
可欠な高純度のものが得られ、入手し易い原料か
ら容易に合成できるので、コストの面からも有利
である。このような利点を有する化合物は電子写
真感光体、画像形成素子等に利用されるが、電子
写真感光体に用いる場合には他の有機光導電性物
質と同様に、色素や電子受容性物質と組合せて増
感することもできる。また結着剤溶液に溶解し、
光導電性顔料〜結着剤、又は光導電性顔料蒸着の
キヤリヤー発生層上に塗布してキヤリヤー移動層
として用いることができる。 以下、実施例に基づき本発明を説明する。 実施例 1 カリウムt−ブトキシド25.6g(0.288モル)
をN・N−ジメチルホルムアミド(以下DMFと
いう)100ml中、室温で充分に撹拌分散した後、
この分散液中にジエチル−9−アントリルメチル
ホスホネート50.0g(0.152モル)及びp−ジメ
チルアミノベンズアルデヒド22.7g(0.152モ
ル)をDMF90ml中に溶解した溶液を、室温下、
激しく撹拌しながら、反応温度が40℃を越えない
ように徐々に滴下した。滴下終了後、更に室温で
3時間撹拌した後、酢酸で内容物を中和し、約
100mlのメタノールで希釈した。析出した結晶を
別し、水洗、乾燥した。収量45.2g(91.9
%)、融点179.0〜180.5℃。薄層クロマトグラフ
イー(シリカ、展開溶媒;ベンゼン)によりα・
β−ビス(アントリル−9)エチレンの副生は認
められなかつた。 粗製品をn−ブタノールから再結晶して黄色針
状結晶で、融点179.5〜180.5℃の9−(4−ジメ
チルアミノスチリル)アントラセンの純品を得
た。 元素分析値(C24H21Nとして) C H N 計算値(%) 89.12 6.55 43.0 実測値(%) 89.14 6.54 4.32 赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法) δtrans(CH=CH) 960cm-1 実施例 2 ナトリウムエチラート15.5g(0.228モル)を
DMF120ml中に室温で充分撹拌、分散した後、こ
の分散液中に10−ブロモ−9−アントリルメチル
ホスホネートジエチル61.9g(0.152モル)及び
p−ジエチルアミノベンズアルデヒド26.9g
(0.152モル)をDMF100ml中に溶解したた溶液
を、室温下激しく撹拌しながら、反応温度が50℃
を越えないように滴下した。滴下終了後、更に室
温で4時間撹拌し、ついで酢酸で内容物を中和
し、約100mlのメタノールで希釈した。析出した
結晶を別し、水洗、乾燥した。収量56.2g
(85.9%)、融点159.5〜161.0℃。薄層クロマトグ
ラフイー(シリカ、展開溶媒;ベンゼン)により
α・β−ビス(10−ブロモアントリル−9)エチ
レンの副生は認められなかつた。 粗製品を酢酸エチルから再結晶して赤橙色プリ
ズム状結晶で、融点161.5〜162.5℃の10−ブロム
−9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラ
センの純品を得た。 元素分析(C26H24NBrとして) C H N Br 計算値(%) 72.55 5.63 3.26 18.56 実測値(%) 72.61 5.63 3.25 18.50 赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法) δtrans(CH=CH) 960cm-1 実施例3〜12 実施例1のp−ジメチルアミノベンズアルデヒ
ドの代りに下記表に列挙するアルデヒド、溶媒、
強塩基性アルカリ化合物及び反応温度を用いた他
は実施例1と同じ方法で、副生物を生成すること
なく、同表に示すアントラセン化合物を得た。得
られた化合物の収率、融点、元素分析値及び赤外
線吸収スペクトルの特性吸収(KBr錠剤法)を併
記した。
【表】
【表】
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 強塩基性アルカリ化合物を溶媒中に充分、分
散又は溶解せしめ、この分散液又は溶液中に、一
般式 (但し、Xは水素又はハロゲン、R1は炭素数1〜
4の低級アルキル基を表わす。) で示される9−アントリルメチルホスホン酸ジア
ルキル及び一般式 R2−CHO (但し、R2は非置換、又はハロゲン、シアノ基、
ジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基
もしくはニトロ基で置換されたフエニル基;ナフ
チル基;アントリル基;又はN−エチルカルバゾ
リル基を表わす。) で示されるアルデヒドの溶液を添加し、反応させ
ることを特徴とする一般式 (但し、X及びR2は前述の通り) で示される9−ビニルアントラセン誘導体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5796278A JPS54151955A (en) | 1978-05-16 | 1978-05-16 | Production of 9-styrylanthracene and relative compounds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5796278A JPS54151955A (en) | 1978-05-16 | 1978-05-16 | Production of 9-styrylanthracene and relative compounds |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54151955A JPS54151955A (en) | 1979-11-29 |
JPS6216934B2 true JPS6216934B2 (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=13070629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5796278A Granted JPS54151955A (en) | 1978-05-16 | 1978-05-16 | Production of 9-styrylanthracene and relative compounds |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS54151955A (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02178670A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
US5262261A (en) * | 1988-12-29 | 1993-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive member for electrophotography |
JPH0750331B2 (ja) * | 1989-01-20 | 1995-05-31 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体 |
JP2578502B2 (ja) * | 1989-03-03 | 1997-02-05 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体 |
JP2534152B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1996-09-11 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体 |
JP2805376B2 (ja) * | 1990-04-09 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 有機電子材料 |
EP0757293B1 (en) * | 1990-07-10 | 1999-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
US5486439A (en) * | 1993-02-09 | 1996-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic with polycarbonate having charge transporting group |
TW382076B (en) * | 1993-06-30 | 2000-02-11 | Canon Kk | Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus using same |
US5756248A (en) * | 1995-09-06 | 1998-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and apparatus and process cartridge provided with the same |
US5932383A (en) * | 1996-08-08 | 1999-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and process cartridge and electrophotographic apparatus including same |
US6818368B2 (en) | 2000-04-14 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
JP4101668B2 (ja) | 2002-09-04 | 2008-06-18 | シャープ株式会社 | 有機光導電性材料、それを用いた電子写真感光体および画像形成装置 |
US7803507B2 (en) | 2003-02-07 | 2010-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus including the same |
JP3580426B1 (ja) | 2003-05-12 | 2004-10-20 | シャープ株式会社 | 有機光導電性材料、それを用いた電子写真感光体および画像形成装置 |
JP3718508B2 (ja) | 2003-06-03 | 2005-11-24 | シャープ株式会社 | 電子写真感光体およびそれを備える画像形成装置 |
JP3881648B2 (ja) | 2003-10-08 | 2007-02-14 | シャープ株式会社 | 電子写真感光体およびそれを備える画像形成装置 |
JP3881651B2 (ja) | 2003-11-19 | 2007-02-14 | シャープ株式会社 | 電子写真感光体およびそれを備える画像形成装置 |
JP4177240B2 (ja) | 2003-12-01 | 2008-11-05 | シャープ株式会社 | アミン化合物およびその製造方法、ならびに該アミン化合物を用いた電子写真感光体およびそれを備える画像形成装置 |
JP3881659B2 (ja) | 2004-01-29 | 2007-02-14 | シャープ株式会社 | 画像形成装置 |
JP4227061B2 (ja) | 2004-03-30 | 2009-02-18 | シャープ株式会社 | アミン化合物、該アミン化合物を用いた電子写真感光体およびそれを備える画像形成装置 |
JP4275600B2 (ja) | 2004-09-07 | 2009-06-10 | シャープ株式会社 | ヒドラゾン化合物および該ヒドラゾン化合物を用いた電子写真感光体、ならびに該電子写真感光体を備える画像形成装置 |
JP4302664B2 (ja) | 2005-06-01 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 非対称ビスヒドロキシエナミン化合物、電子写真感光体および画像形成装置 |
JP4264440B2 (ja) | 2006-03-03 | 2009-05-20 | シャープ株式会社 | 電子写真感光体および画像形成装置 |
JP4134200B2 (ja) | 2006-06-02 | 2008-08-13 | シャープ株式会社 | 電子写真感光体および画像形成装置 |
JP4565047B1 (ja) | 2009-03-19 | 2010-10-20 | シャープ株式会社 | 電子写真感光体及びそれを用いた画像形成装置 |
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JP5309122B2 (ja) | 2010-12-21 | 2013-10-09 | シャープ株式会社 | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成装置 |
KR20150077290A (ko) | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 삼성전자주식회사 | 비대칭 부타디엔계 전하 수송성 화합물, 이를 함유하는 전자사진 감광체 및 화상 형성 장치 |
-
1978
- 1978-05-16 JP JP5796278A patent/JPS54151955A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54151955A (en) | 1979-11-29 |
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