JPS6154022A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6154022A JPS6154022A JP59176163A JP17616384A JPS6154022A JP S6154022 A JPS6154022 A JP S6154022A JP 59176163 A JP59176163 A JP 59176163A JP 17616384 A JP17616384 A JP 17616384A JP S6154022 A JPS6154022 A JP S6154022A
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- G11—INFORMATION STORAGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(8業上の利用分野)
本発明は磁気記録媒体に関し、より詳細にはビデオテー
プ等として使用される非バインダー型の磁気記録媒体に
関するものである。
プ等として使用される非バインダー型の磁気記録媒体に
関するものである。
(従来技術)
従来より磁気記録媒体としては、@機バインダー中に分
11にさせた粉末磁性材料を非磁性具体上に塗布し乾燥
させてなる塗布型のものが広く使用されてきている。し
かしながら、従来の塗布型磁気記録媒体は、磁性材料と
して強…性金属よりも飽和磁化の小さい金fXII!化
物を主として用いているため高密度記録には適しておら
ず、また製造工程が?12ntであり、溶剤回収あるい
は公害防止のために人ノ々模な削帯設υ6を有するとい
う欠点を有している。
11にさせた粉末磁性材料を非磁性具体上に塗布し乾燥
させてなる塗布型のものが広く使用されてきている。し
かしながら、従来の塗布型磁気記録媒体は、磁性材料と
して強…性金属よりも飽和磁化の小さい金fXII!化
物を主として用いているため高密度記録には適しておら
ず、また製造工程が?12ntであり、溶剤回収あるい
は公害防止のために人ノ々模な削帯設υ6を有するとい
う欠点を有している。
これに対し、近年0密度記録への要求の高まりと共に真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等のペ
ーパーデポジション法あるいは電気メッキ、無電解メッ
キ等のメッキ法により形成される強磁性薄膜を磁気記録
層とする、バインダーを使用しない、いわゆる非バイン
ダー型磁気記録媒体が実用化されるに到った。非バイン
ダー型磁気記録媒体においては塗布型磁気記録媒体に使
用される金属酸化物よりも飽和磁化の大きな強磁性金属
をバインダーのごとき非磁性物質を含有しない状態で薄
膜として形成させることが可能であるため、塗布型と比
較して高保磁力化および薄層化が達成でき、しかも製造
工程が簡略化され、有()18媒ににる公害も防止され
るという利点を右している。特に非バインダー型磁気記
録゛媒体記録層はその〃さを塗布型よりも一桁小さな1
i(fとすることが可能であるため、高密度記録用磁気
記録媒体として注目されている。
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等のペ
ーパーデポジション法あるいは電気メッキ、無電解メッ
キ等のメッキ法により形成される強磁性薄膜を磁気記録
層とする、バインダーを使用しない、いわゆる非バイン
ダー型磁気記録媒体が実用化されるに到った。非バイン
ダー型磁気記録媒体においては塗布型磁気記録媒体に使
用される金属酸化物よりも飽和磁化の大きな強磁性金属
をバインダーのごとき非磁性物質を含有しない状態で薄
膜として形成させることが可能であるため、塗布型と比
較して高保磁力化および薄層化が達成でき、しかも製造
工程が簡略化され、有()18媒ににる公害も防止され
るという利点を右している。特に非バインダー型磁気記
録゛媒体記録層はその〃さを塗布型よりも一桁小さな1
i(fとすることが可能であるため、高密度記録用磁気
記録媒体として注目されている。
しかしながら、非バインダー型磁気記録媒体の磁性薄膜
はM蝕されやすいため、該記録媒体は塗布型磁気記録媒
体と比較して耐候性および耐錆性が劣っている。特にビ
デオテープ等として使用される磁気記録媒体は記録・再
生時に該媒体表面が磁気ヘッドで擦られるため、極めて
軽度であっても錆が該媒体表面上に存在しているとヘッ
ドに目詰りが生じ、この結果、媒体およびヘッドが(n
つくことになる。さらに錆の程度がほしくなると磁性薄
膜が剥離して、記録されていた情報の消失を招くことも
ある。
はM蝕されやすいため、該記録媒体は塗布型磁気記録媒
体と比較して耐候性および耐錆性が劣っている。特にビ
デオテープ等として使用される磁気記録媒体は記録・再
生時に該媒体表面が磁気ヘッドで擦られるため、極めて
軽度であっても錆が該媒体表面上に存在しているとヘッ
ドに目詰りが生じ、この結果、媒体およびヘッドが(n
つくことになる。さらに錆の程度がほしくなると磁性薄
膜が剥離して、記録されていた情報の消失を招くことも
ある。
さらに、非バインダー型磁気記録媒体に係る問題として
耐久性がある。すなわち、VTRにおけるスチル耐久性
等において非バインダー型14&気記録媒体は塗布型磁
気記録媒体に劣っているため、その改良が実用上切望さ
れている。
耐久性がある。すなわち、VTRにおけるスチル耐久性
等において非バインダー型14&気記録媒体は塗布型磁
気記録媒体に劣っているため、その改良が実用上切望さ
れている。
こうした非バインダー型磁気記録媒体の耐候性。
耐久性を改良する方法として、イオンプレーテングによ
り表面窒化処理を施す方法(特1il昭50−3380
6号)、スパッタにより窒化硅素膜を設番プる方法(特
開昭53−30304号)、磁性膜を窒素ガス等の雰囲
気中での放電にさらして非磁性表面層を形成する方法(
特開昭53−85403号)、磁性全屈薄膜上に窒化さ
れた金属′f79膜を設ける方法(特開昭54−143
1111”+)等が知られているが耐候性、耐久性の改
良が不十分で効果を1qるには膜厚を大きくせねば<(
らぬ沁の欠点があった。非磁性保護膜は膜厚が大きいと
電磁変換特性上劣化が苔しく非バインダー型磁気記録媒
体の特徴が失われてしまう。さらに耐候性にすぐれた非
バインダー型磁気記録媒体の一つとして、ヨーロッパ特
許8328号あるいは特開昭59−87809号に開示
されているような窒化鉄あるいは鉄および窒化鉄よりな
る磁性薄膜があるが磁気特性が不十分であり、耐久性に
ついても改良が望まれている。
り表面窒化処理を施す方法(特1il昭50−3380
6号)、スパッタにより窒化硅素膜を設番プる方法(特
開昭53−30304号)、磁性膜を窒素ガス等の雰囲
気中での放電にさらして非磁性表面層を形成する方法(
特開昭53−85403号)、磁性全屈薄膜上に窒化さ
れた金属′f79膜を設ける方法(特開昭54−143
1111”+)等が知られているが耐候性、耐久性の改
良が不十分で効果を1qるには膜厚を大きくせねば<(
らぬ沁の欠点があった。非磁性保護膜は膜厚が大きいと
電磁変換特性上劣化が苔しく非バインダー型磁気記録媒
体の特徴が失われてしまう。さらに耐候性にすぐれた非
バインダー型磁気記録媒体の一つとして、ヨーロッパ特
許8328号あるいは特開昭59−87809号に開示
されているような窒化鉄あるいは鉄および窒化鉄よりな
る磁性薄膜があるが磁気特性が不十分であり、耐久性に
ついても改良が望まれている。
(発明の目的)
本発明の目的は上記従来技術の問題点に鑑み、優れた耐
候性、耐久性および磁気特性を右する磁気記録媒体を提
供することにある。
候性、耐久性および磁気特性を右する磁気記録媒体を提
供することにある。
(R,明の構成)
本発明による磁気記録媒体は非pl性基体上にコバルト
を主成分とする第1の磁性薄膜を設け、さらにその上に
窒化鉄を主成分とする第2の磁性薄膜を設けてなるもの
である。
を主成分とする第1の磁性薄膜を設け、さらにその上に
窒化鉄を主成分とする第2の磁性薄膜を設けてなるもの
である。
本発明の磁気記録媒体においてコバルトを主成分とする
第1の磁性簿膜を構成する磁性金属材料としでは、CO
の他、Fe −(:、o 、 Go −Ni 1Fe
−Co −Ni 、Go −8n 、Co
−Cu 、CO−Δu 、Go −Yl Co
−La 1 Co −Pr 。
第1の磁性簿膜を構成する磁性金属材料としでは、CO
の他、Fe −(:、o 、 Go −Ni 1Fe
−Co −Ni 、Go −8n 、Co
−Cu 、CO−Δu 、Go −Yl Co
−La 1 Co −Pr 。
Co −Gd S Co −3i 、Co
−Pt 、Go −P。
−Pt 、Go −P。
Go −Vl Co −Mn 1 Go−W、G
o −Nb 。
o −Nb 。
Go −Mo 、 Co −Cr 、 Go
−Ta 、 Fe −Co −cr 、
Ni −co −Cr 、 Fe −co
−Ni−CI・等の強磁性合金があげられるが、特に
好ましいものはCOを701 ffi%以上含有するよ
うな合金である。
−Ta 、 Fe −Co −cr 、
Ni −co −Cr 、 Fe −co
−Ni−CI・等の強磁性合金があげられるが、特に
好ましいものはCOを701 ffi%以上含有するよ
うな合金である。
5した、窒化鉄を主成分とする第2の磁性薄膜は30〜
75atonic%の鉄原子を含有することが好ましく
、また5〜40atomic%の窒素原子を含有するこ
とが好ましい。さらに、主成分である窒化鉄の他に例え
ばコバルト、ニッケル、酸素等を含むものとすることも
できる。
75atonic%の鉄原子を含有することが好ましく
、また5〜40atomic%の窒素原子を含有するこ
とが好ましい。さらに、主成分である窒化鉄の他に例え
ばコバルト、ニッケル、酸素等を含むものとすることも
できる。
本発明の磁気記録媒体における磁性薄膜の総厚さは、磁
気記録媒体として充分な出力を与え4qる厚さおよび高
密度記録の充分行なえるような薄さを必要とすることか
ら一般には0.02μ汎から2、0μrn 、好ましく
は0.05μmから 1.0μmである。第1の磁性薄
膜と第2の磁性薄膜との厚み比は1/8〜8、好ましく
は115〜5とすることが好ましい。
気記録媒体として充分な出力を与え4qる厚さおよび高
密度記録の充分行なえるような薄さを必要とすることか
ら一般には0.02μ汎から2、0μrn 、好ましく
は0.05μmから 1.0μmである。第1の磁性薄
膜と第2の磁性薄膜との厚み比は1/8〜8、好ましく
は115〜5とすることが好ましい。
本発明に用いられる非械l性支持体としてはポリエチレ
ンテレフタレート、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、三酢
酸セルロース、ポリカーボネート。
ンテレフタレート、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、三酢
酸セルロース、ポリカーボネート。
ポリエチレンナフタレート。ポリアラミド、ボリフエニ
レンザルフ1イドのようなプラスチックベースあるいは
A52.、黄銅、ステンレス鋼のような金属乃至合金基
体があげられる。
レンザルフ1イドのようなプラスチックベースあるいは
A52.、黄銅、ステンレス鋼のような金属乃至合金基
体があげられる。
本発明における磁性薄膜上に潤滑剤層を用いてもよく、
潤滑剤としては、炭素数12〜18個の脂肪M (R+
C0OH,R1はt4jlall〜17(7)7/L
zキルまたはアルケニル暴);前記脂肪酸の金属塩;シ
リコンオイル;炭素数2〜20個の一塩基性脂肪酸と炭
素数3〜12■8の一価のアルコールから成る脂肪酸エ
ステル類から選ばれた少なくとも1種を含有するもの等
が使用される。上記潤滑剤は磁性股上に0.5〜201
1t’j/rIL存在せしめるのがよく、潤滑剤の塗布
は必要に応じて磁性膜上、あるいは支持体裏面に塗布し
て潤滑剤を磁性股上へ転写させるようにしても良い。
潤滑剤としては、炭素数12〜18個の脂肪M (R+
C0OH,R1はt4jlall〜17(7)7/L
zキルまたはアルケニル暴);前記脂肪酸の金属塩;シ
リコンオイル;炭素数2〜20個の一塩基性脂肪酸と炭
素数3〜12■8の一価のアルコールから成る脂肪酸エ
ステル類から選ばれた少なくとも1種を含有するもの等
が使用される。上記潤滑剤は磁性股上に0.5〜201
1t’j/rIL存在せしめるのがよく、潤滑剤の塗布
は必要に応じて磁性膜上、あるいは支持体裏面に塗布し
て潤滑剤を磁性股上へ転写させるようにしても良い。
本発明の磁気記録媒体においては、必要に応じ支持体裏
面にいわゆるバック層を設けてもよい。
面にいわゆるバック層を設けてもよい。
また、磁性金属蒸首鐸と支持体との間に有才災あるいは
無機物からなる層を設けてもよい。
無機物からなる層を設けてもよい。
(実 施 例)
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
m1図は本発明の一実施例による磁気記録媒体を示ず略
断面図である。本図面に示す磁気記録媒体は非磁性を体
11と、その上に段けられたコバルトを主成分とする第
1の磁性F7q膜12と、その上に設番プられた窒化鉄
を主成分とする第2のf41性J9膜13とからなるも
のである。本実施例では第1の何!性薄膜12および第
2の磁性薄膜13をそれぞれ単層構造としているが、そ
れぞれ多居構造とすることもできる。
断面図である。本図面に示す磁気記録媒体は非磁性を体
11と、その上に段けられたコバルトを主成分とする第
1の磁性F7q膜12と、その上に設番プられた窒化鉄
を主成分とする第2のf41性J9膜13とからなるも
のである。本実施例では第1の何!性薄膜12および第
2の磁性薄膜13をそれぞれ単層構造としているが、そ
れぞれ多居構造とすることもできる。
実施例1
第2図に示ず装置を用いて12.5μrrtf’;Iの
ポリイミドフィルム上に磁性FI9I+!;!を形成ざ
ぜて磁気テーブを作成した。
ポリイミドフィルム上に磁性FI9I+!;!を形成ざ
ぜて磁気テーブを作成した。
り12図において、真空(a21内は送出し巻取り室2
2、斜方入射酒着空23.斜方入射イオンブレーデング
空24の王室にrfA壁25.26.27で分割されて
おり、それぞれ排気口28.29.30にJ二り独立に
真空排気される。非磁性支持体31はロール32から冷
却キャン33に沿って蒸着室23.イオンプレーテング
室24を経た後ロール34に巻取られる。非磁性支持体
31は正逆UQ送可でロール34からロール32へと搬
送することもできる。蒸着室23.イオンプレーテング
室24内の冷却キャン33の下方にはそれぞれルツボ3
5.3Gが配設されており、電子銃37.38からの電
子ビームにより所望蒸発材ji139.40を加熱し蒸
発させるようになっている。材料39.40の蒸発流が
冷却キャン33上の非磁性支持体31に斜めに入rFj
するようにそれぞれ斜方マスク41.42が段りられ
ており、マスク41.42の先端近傍にはガス尋人口4
3.44が配設されている。イオンプレーテング室24
にはさらにイオン化゛工極45と熱電子放出フィラメン
ト46が設けられている。
2、斜方入射酒着空23.斜方入射イオンブレーデング
空24の王室にrfA壁25.26.27で分割されて
おり、それぞれ排気口28.29.30にJ二り独立に
真空排気される。非磁性支持体31はロール32から冷
却キャン33に沿って蒸着室23.イオンプレーテング
室24を経た後ロール34に巻取られる。非磁性支持体
31は正逆UQ送可でロール34からロール32へと搬
送することもできる。蒸着室23.イオンプレーテング
室24内の冷却キャン33の下方にはそれぞれルツボ3
5.3Gが配設されており、電子銃37.38からの電
子ビームにより所望蒸発材ji139.40を加熱し蒸
発させるようになっている。材料39.40の蒸発流が
冷却キャン33上の非磁性支持体31に斜めに入rFj
するようにそれぞれ斜方マスク41.42が段りられ
ており、マスク41.42の先端近傍にはガス尋人口4
3.44が配設されている。イオンプレーテング室24
にはさらにイオン化゛工極45と熱電子放出フィラメン
ト46が設けられている。
本実施例においては、材料39としてGo、材料40と
してFcをヂャージし、マスク41.’42の設定はそ
れぞれ最小入射角が40°、 60’ となるようにし
た1、ガス尋人口44からは窒素ガスをイオンプレーテ
ングす24の圧力が8×104TOr「となるよう尋人
し、熱電子放出フィラメント46を加熱して熱電子を放
出せしめつつイオン化電極45に60V印加し窒化鉄を
形成させた。ポリイミドフィルムをロール32から送出
し蒸着室23の真空度を6X104Torrと1)てC
O斜方人!8蒸着膜を形成1p、イオンプレーテング室
24で窒化鉄膜を形成しロール34に巻取った。形成し
た磁性薄膜の総厚を0.18μmとし、窒化鉄膜/Co
蒸着磁性膜のJ7さの比を1/2.1/1.2/1と変
化さ往たナンプル(それぞれNα1.Nα2.No、3
)を作成した。さらに窒化鉄膜のみ(No4)、Go蒸
着磁性膜のみ(No、 5 )を形成したザンブルも比
較のために作成した。
してFcをヂャージし、マスク41.’42の設定はそ
れぞれ最小入射角が40°、 60’ となるようにし
た1、ガス尋人口44からは窒素ガスをイオンプレーテ
ングす24の圧力が8×104TOr「となるよう尋人
し、熱電子放出フィラメント46を加熱して熱電子を放
出せしめつつイオン化電極45に60V印加し窒化鉄を
形成させた。ポリイミドフィルムをロール32から送出
し蒸着室23の真空度を6X104Torrと1)てC
O斜方人!8蒸着膜を形成1p、イオンプレーテング室
24で窒化鉄膜を形成しロール34に巻取った。形成し
た磁性薄膜の総厚を0.18μmとし、窒化鉄膜/Co
蒸着磁性膜のJ7さの比を1/2.1/1.2/1と変
化さ往たナンプル(それぞれNα1.Nα2.No、3
)を作成した。さらに窒化鉄膜のみ(No4)、Go蒸
着磁性膜のみ(No、 5 )を形成したザンブルも比
較のために作成した。
このようにしてjqられたサンプルの耐候性、耐久性お
よび変調ノイズを測定した。耐候性は発露型つ1ザーメ
ーター(山崎蹟機研究所E−12WG型)に3日間保存
後の錆の発生状況を5段階評1曲により測定した。耐久
性については25℃、10%相対湿麿の環境条件下でV
H8型VTRにてサンプルを15分間スチルモードでか
けた後、磁性薄膜面のヘッド傷発生状況を顕微鏡観察し
、これも5段階評価により判定した。変調ノイズについ
てはβ型VTRを半速化した装置にて測定した。これら
の結果は下表のようであった。
よび変調ノイズを測定した。耐候性は発露型つ1ザーメ
ーター(山崎蹟機研究所E−12WG型)に3日間保存
後の錆の発生状況を5段階評1曲により測定した。耐久
性については25℃、10%相対湿麿の環境条件下でV
H8型VTRにてサンプルを15分間スチルモードでか
けた後、磁性薄膜面のヘッド傷発生状況を顕微鏡観察し
、これも5段階評価により判定した。変調ノイズについ
てはβ型VTRを半速化した装置にて測定した。これら
の結果は下表のようであった。
表 1
(二1;5が最良)
実h1!例2
第2図の装置において、材料39としてはC0N1(N
i20重量%)、材料40としてはFeをチャージし、
マスク41.42の設定はそれぞれ最小入射角が35°
、55°となるようにした。9.5μTrL厚のポリコ
ニチレンテレフタレートフィルムをロール32から送出
して斜方入射蒸着膜を形成後ロール34に巻取り、しか
る後ロール34から送出して窒化鉄膜を形成しロール3
2で巻取った。イオンプレーテング室24には圧力が5
x 1(14T orrとなるよう窒素ガスを導入し
、蒸着室23にはガス導入口43がら酸素ガスを導入し
圧力が2 x 10’ T orrになるようにした。
i20重量%)、材料40としてはFeをチャージし、
マスク41.42の設定はそれぞれ最小入射角が35°
、55°となるようにした。9.5μTrL厚のポリコ
ニチレンテレフタレートフィルムをロール32から送出
して斜方入射蒸着膜を形成後ロール34に巻取り、しか
る後ロール34から送出して窒化鉄膜を形成しロール3
2で巻取った。イオンプレーテング室24には圧力が5
x 1(14T orrとなるよう窒素ガスを導入し
、蒸着室23にはガス導入口43がら酸素ガスを導入し
圧力が2 x 10’ T orrになるようにした。
形成した磁性?i9膜の総厚を0.12μmとし、窒化
鉄膜/蒸着磁性薄膜の厚さの比を1/3(サンプルN(
16) 、 1/1 (Na7) 、 3/1 (Na
8)としたものに加えて窒化鉄nシのみ(No、9>。
鉄膜/蒸着磁性薄膜の厚さの比を1/3(サンプルN(
16) 、 1/1 (Na7) 、 3/1 (Na
8)としたものに加えて窒化鉄nシのみ(No、9>。
蒸着磁性Ft9n2のみ(No、10)を形成したサン
プルも比較のために作成した。このようにしてjqられ
たサンプルの耐1に性、耐久性、変調ノイズを実施例1
と同様にして測定したところ下表のようであっ表
2 これらの実施例の結果から、本発明の磁気記録媒体は他
のサンプルと比較して、耐候性、耐久性および変調ノイ
ズ特性において優れた特性を承りことが認められた。
プルも比較のために作成した。このようにしてjqられ
たサンプルの耐1に性、耐久性、変調ノイズを実施例1
と同様にして測定したところ下表のようであっ表
2 これらの実施例の結果から、本発明の磁気記録媒体は他
のサンプルと比較して、耐候性、耐久性および変調ノイ
ズ特性において優れた特性を承りことが認められた。
(発射の効果)
本発明による磁気記録媒体は磁気特性に優れたコバルト
を主成分とする第1の磁性tFl膜上に耐候性の優れた
窒化鉄を主成分とづ゛る第2の磁性a膜を設けたことに
より、耐候性、耐久性および磁気特1つ、特に変調ノイ
ズ特性を茗しく改善したものである。
を主成分とする第1の磁性tFl膜上に耐候性の優れた
窒化鉄を主成分とづ゛る第2の磁性a膜を設けたことに
より、耐候性、耐久性および磁気特1つ、特に変調ノイ
ズ特性を茗しく改善したものである。
第1図は本発明による磁気記録媒体の崩成を示す18
R7i而図面 第2図は本発明の実施例で使用された装置を示り”略図
である。 11・・・非磁性基体 12・・・第1の磁性イ
gn榮13・・・第2の磁性簿膜 21・・・真 空
4a22・・・送出し巻取り室 23・・・斜方入
射蒸着膜24・・・斜方入射イオンブレーテング室25
、26.27−・・隔壁 28.29.30・・・
排気孔31・・・非磁性支持体 32・・・ロ −
ル33・・・冷却キャン 34・・・ロ −
ル35、3G・・・ルツボ 37.38・・・電
子銃39、40・・・蒸着材料 41.42・・・
斜方マスク43、44・・・ガス導入口 45・・・
イオン化電極4G・・・熱電子放出フィラメント 第1図 第2図 (自発)手続ネ市正占 特許庁長官 殿 昭和60年3月1
2日1、事件の表示 特願昭59−176163号 2、発明の名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県南足柄市中γ6210番地名 称
富士写真フィルム株式会社4、代理人 東京都港区六本木5丁目2番1号 5、補正命令の日付 な し8、補正の内容 1)明IIl書第5頁第12行「磁気」を「電磁変換」
と補正する。 2)同第6頁第12〜13行[30〜75a(Offl
iC%の鉄原子を含有することが好ましく、また」を削
除する。 3)同頁第16行[できる。Jの後に以下の文章を挿入
する。 [本発明において第1磁性薄膜として好ましいのは斜方
入射蒸着法により形成されるCOを主成分とするそれで
あり、第211性薄膜として好ましいのは斜方入射イオ
ンブレーティング法により形成される窒化鉄のそれであ
る。 上記斜方入射蒸着法および斜方入射イオンブレーティン
グ法とは、垂体表面の法線に対し、膜形成金属材料の蒸
気流をある入射角θで入射させ基体表面上に蒸着薄膜を
形成さ゛ばる方法である。 本発明における蒸着とは、米国特許第3342G32号
等に記載されている通常の真空蒸着の他、電界・騒l界
あるいは電子ビーム照射等により蒸気流のイオン化・加
速化等を行なって蒸発分子の平均自由行程の大きい雰囲
気にて支持体上に薄膜を形成させる方法を会むものであ
る。例えば特開11351−149008号明細書に示
されているような電界蒸着法、特公昭43−11525
号、特公昭46−20484号、特公昭49−4543
9号、特開昭49−34483号公報に示されているイ
オン化蒸着法心本発明に用いられる。 斜方入射蒸着法においては、高入射角0maxにて蒸着
を開始し、基体の移動とともに入射角θを連続的に減少
さけ、θm団にて析出を停止させる。上記の蒸着を酸素
のごとき反応性ガスを含む雰囲気中で行なってもよい。 本発明におけるイオンブレーティングとは、真空中ある
いは不活性ガス雰囲気中で蒸発源から蒸発させた非磁性
金属材料の一部をプラス(+)にイオン化させ、マイナ
ス(−)に保持された基板へど加速して該基板上に薄膜
として析出ざピる方法を指す。D、 M、 Matto
x (特公昭44−8328号)によりΩ1始された
、0.01〜0.1Torrの希ガス雰囲気中で蒸発源
をプラスに、基板をマイナスに印加してグロー放電を発
生させ、このグロー放電中にて蒸発源より金属を蒸発さ
せて基板上に薄膜を形成させるDCイオンブレーティン
グ法を含むのみならず、10→〜10−3Torrのガ
ス雰囲気中においてプラスに保持された蒸発源とマイナ
スに保持された基板の間にコイル状電極を配置し、この
コイルに高周波電力を供給することによって高周波電領
域を形成させて蒸発粒子をイオン化させる高周波励起式
イオンブレーティング法(特開昭49−113733号
)、あるいは、真空至内プラスに保持された蒸発源どマ
イナスに保持されたイオン引出し電極を配′dりし、蒸
発源の小孔から噴射する物質蒸気に電子ビームを黒用し
てクラスターイオンとし、マイナスの引出し電極電圧に
よって加速された蒸発粒子をマイナスに保持された基板
へさしむけ基板上に薄膜を形成さLるクラスターイオン
式イAンブレーティング法(特開昭49−33890号
)も含まれるものである。さらに特公昭43−1152
5号、特開昭49−34483号、特公昭49−479
10号等に開示されているような、蒸発物質流を電子ビ
ーム中を通すことによってイオン化して基板に入射させ
るイオンブレーティング法をも含むものである。窒化鉄
あるいは窒化鉄および鉄のイオンブレーティングにより
磁性博股の形成には、蒸発源より鉄を蒸発せしめると共
に反応ガスとして窒素ガス、アンモニアガス等の窒素を
含むガスを導入することにより行なう。 その際の入射角は25°以上好ましくは30°以上でd
5る。」4)同第14頁第7〜8行「耐候性の侵れたJ
を削除する。 5)同第14頁第9行[耐候性、耐久性および磁気」を
[耐候性に優れるのみならず、耐久性および電磁変換j
と7+Ii圧する。
R7i而図面 第2図は本発明の実施例で使用された装置を示り”略図
である。 11・・・非磁性基体 12・・・第1の磁性イ
gn榮13・・・第2の磁性簿膜 21・・・真 空
4a22・・・送出し巻取り室 23・・・斜方入
射蒸着膜24・・・斜方入射イオンブレーテング室25
、26.27−・・隔壁 28.29.30・・・
排気孔31・・・非磁性支持体 32・・・ロ −
ル33・・・冷却キャン 34・・・ロ −
ル35、3G・・・ルツボ 37.38・・・電
子銃39、40・・・蒸着材料 41.42・・・
斜方マスク43、44・・・ガス導入口 45・・・
イオン化電極4G・・・熱電子放出フィラメント 第1図 第2図 (自発)手続ネ市正占 特許庁長官 殿 昭和60年3月1
2日1、事件の表示 特願昭59−176163号 2、発明の名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県南足柄市中γ6210番地名 称
富士写真フィルム株式会社4、代理人 東京都港区六本木5丁目2番1号 5、補正命令の日付 な し8、補正の内容 1)明IIl書第5頁第12行「磁気」を「電磁変換」
と補正する。 2)同第6頁第12〜13行[30〜75a(Offl
iC%の鉄原子を含有することが好ましく、また」を削
除する。 3)同頁第16行[できる。Jの後に以下の文章を挿入
する。 [本発明において第1磁性薄膜として好ましいのは斜方
入射蒸着法により形成されるCOを主成分とするそれで
あり、第211性薄膜として好ましいのは斜方入射イオ
ンブレーティング法により形成される窒化鉄のそれであ
る。 上記斜方入射蒸着法および斜方入射イオンブレーティン
グ法とは、垂体表面の法線に対し、膜形成金属材料の蒸
気流をある入射角θで入射させ基体表面上に蒸着薄膜を
形成さ゛ばる方法である。 本発明における蒸着とは、米国特許第3342G32号
等に記載されている通常の真空蒸着の他、電界・騒l界
あるいは電子ビーム照射等により蒸気流のイオン化・加
速化等を行なって蒸発分子の平均自由行程の大きい雰囲
気にて支持体上に薄膜を形成させる方法を会むものであ
る。例えば特開11351−149008号明細書に示
されているような電界蒸着法、特公昭43−11525
号、特公昭46−20484号、特公昭49−4543
9号、特開昭49−34483号公報に示されているイ
オン化蒸着法心本発明に用いられる。 斜方入射蒸着法においては、高入射角0maxにて蒸着
を開始し、基体の移動とともに入射角θを連続的に減少
さけ、θm団にて析出を停止させる。上記の蒸着を酸素
のごとき反応性ガスを含む雰囲気中で行なってもよい。 本発明におけるイオンブレーティングとは、真空中ある
いは不活性ガス雰囲気中で蒸発源から蒸発させた非磁性
金属材料の一部をプラス(+)にイオン化させ、マイナ
ス(−)に保持された基板へど加速して該基板上に薄膜
として析出ざピる方法を指す。D、 M、 Matto
x (特公昭44−8328号)によりΩ1始された
、0.01〜0.1Torrの希ガス雰囲気中で蒸発源
をプラスに、基板をマイナスに印加してグロー放電を発
生させ、このグロー放電中にて蒸発源より金属を蒸発さ
せて基板上に薄膜を形成させるDCイオンブレーティン
グ法を含むのみならず、10→〜10−3Torrのガ
ス雰囲気中においてプラスに保持された蒸発源とマイナ
スに保持された基板の間にコイル状電極を配置し、この
コイルに高周波電力を供給することによって高周波電領
域を形成させて蒸発粒子をイオン化させる高周波励起式
イオンブレーティング法(特開昭49−113733号
)、あるいは、真空至内プラスに保持された蒸発源どマ
イナスに保持されたイオン引出し電極を配′dりし、蒸
発源の小孔から噴射する物質蒸気に電子ビームを黒用し
てクラスターイオンとし、マイナスの引出し電極電圧に
よって加速された蒸発粒子をマイナスに保持された基板
へさしむけ基板上に薄膜を形成さLるクラスターイオン
式イAンブレーティング法(特開昭49−33890号
)も含まれるものである。さらに特公昭43−1152
5号、特開昭49−34483号、特公昭49−479
10号等に開示されているような、蒸発物質流を電子ビ
ーム中を通すことによってイオン化して基板に入射させ
るイオンブレーティング法をも含むものである。窒化鉄
あるいは窒化鉄および鉄のイオンブレーティングにより
磁性博股の形成には、蒸発源より鉄を蒸発せしめると共
に反応ガスとして窒素ガス、アンモニアガス等の窒素を
含むガスを導入することにより行なう。 その際の入射角は25°以上好ましくは30°以上でd
5る。」4)同第14頁第7〜8行「耐候性の侵れたJ
を削除する。 5)同第14頁第9行[耐候性、耐久性および磁気」を
[耐候性に優れるのみならず、耐久性および電磁変換j
と7+Ii圧する。
Claims (1)
- 1)非磁性基体と、該基体上に設けられたコバルトを主
成分とする第1の磁性薄膜と、該第1の磁性薄膜上に設
けられた窒化鉄を主成分とする第2の磁性薄膜とからな
ることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59176163A JPH061551B2 (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
US06/767,778 US4673610A (en) | 1984-08-24 | 1985-08-20 | Magnetic recording medium having iron nitride recording layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59176163A JPH061551B2 (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6154022A true JPS6154022A (ja) | 1986-03-18 |
JPH061551B2 JPH061551B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16008762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59176163A Expired - Lifetime JPH061551B2 (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4673610A (ja) |
JP (1) | JPH061551B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0785466A (ja) * | 1992-09-17 | 1995-03-31 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置並びに磁気記録媒体 |
JPH07254148A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置並びに磁気記録媒体 |
Families Citing this family (9)
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