JPS6154027A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6154027A JPS6154027A JP17617084A JP17617084A JPS6154027A JP S6154027 A JPS6154027 A JP S6154027A JP 17617084 A JP17617084 A JP 17617084A JP 17617084 A JP17617084 A JP 17617084A JP S6154027 A JPS6154027 A JP S6154027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- magnetic recording
- recording medium
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気記録媒体に関し、J:り詳細にはビデオテ
ープ等として使用される非バインダー型の磁気記録媒体
に関するものである。
ープ等として使用される非バインダー型の磁気記録媒体
に関するものである。
(従来技術)
従来より磁気記録媒体としては、有機バインダー中に分
散させた粉末磁性材料を非磁性基体上に塗布し乾燥させ
てなる塗布型のものが広く使用されてきている。しかし
ながら、従来の塗布型磁気記録媒体は、磁性材料として
強磁性金属よりも飽和磁化の小さい金属酸化物を主とし
て用いているため高密度記録には適しておらず、また製
造工程が複雑であり、溶剤回収あるいは公害防止のため
に大規模な附帯設備を有するという欠点を有している。
散させた粉末磁性材料を非磁性基体上に塗布し乾燥させ
てなる塗布型のものが広く使用されてきている。しかし
ながら、従来の塗布型磁気記録媒体は、磁性材料として
強磁性金属よりも飽和磁化の小さい金属酸化物を主とし
て用いているため高密度記録には適しておらず、また製
造工程が複雑であり、溶剤回収あるいは公害防止のため
に大規模な附帯設備を有するという欠点を有している。
これに対し、近年8密度記録への要求の高まりと」」;
に真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等
のペーパーデフI<、ジション法あるいは電気メッキ、
無電解メッキ等のメッキ法により形成される強磁性薄膜
を磁気記録層とする、バインダーを使用しない、いわゆ
る非バイングー型磁気記録媒体が実用化されるに到った
。非バイングー型磁気記録媒体においては塗布型磁気記
録媒体に使用される金属酸化物よりも飽和磁化の大きな
強磁性金属をバインダーのごとき非磁性物質を含有しな
い状態でRマ膜として形成させることが可能であるため
、塗布型と比較してn保磁力比J3よび薄層化が達成で
き、しかも@造工程が簡略化され、有償溶媒による公害
も防止されるという利点を右している。特に非バインダ
ー型磁気記録媒体記録層はその厚さを塗布型よりも一桁
小さな値とすることが可能であるため、高密度記録用磁
気記録媒体として注目されている。
に真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等
のペーパーデフI<、ジション法あるいは電気メッキ、
無電解メッキ等のメッキ法により形成される強磁性薄膜
を磁気記録層とする、バインダーを使用しない、いわゆ
る非バイングー型磁気記録媒体が実用化されるに到った
。非バイングー型磁気記録媒体においては塗布型磁気記
録媒体に使用される金属酸化物よりも飽和磁化の大きな
強磁性金属をバインダーのごとき非磁性物質を含有しな
い状態でRマ膜として形成させることが可能であるため
、塗布型と比較してn保磁力比J3よび薄層化が達成で
き、しかも@造工程が簡略化され、有償溶媒による公害
も防止されるという利点を右している。特に非バインダ
ー型磁気記録媒体記録層はその厚さを塗布型よりも一桁
小さな値とすることが可能であるため、高密度記録用磁
気記録媒体として注目されている。
しかしながら、非バイングー型磁気記録媒体の磁性iマ
膜は1g蝕されやすいため、該記録媒体は塗布型磁気記
録媒体と比較して耐候性および耐錆性が劣っている。特
にビデオテープ等として使用される磁気記録媒体は記録
・再生時に該媒体表面が磁気ヘッドで擦られるため、極
めて軽度であってb錆が該媒体表面上に存在していると
ヘッドに目詰りが生じ、この結果、媒体J3よびヘッド
が傷つくことになる。さらに錆の程度が甚しくなると磁
性酵膜が剥離して、記録されていた情報の間失を1?]
<こともある。
膜は1g蝕されやすいため、該記録媒体は塗布型磁気記
録媒体と比較して耐候性および耐錆性が劣っている。特
にビデオテープ等として使用される磁気記録媒体は記録
・再生時に該媒体表面が磁気ヘッドで擦られるため、極
めて軽度であってb錆が該媒体表面上に存在していると
ヘッドに目詰りが生じ、この結果、媒体J3よびヘッド
が傷つくことになる。さらに錆の程度が甚しくなると磁
性酵膜が剥離して、記録されていた情報の間失を1?]
<こともある。
さらに、非バイングー型磁気記録媒体に係る問題として
耐久性がある。すなわち、VTRにおけるスヂル耐久性
等において非バイングー型磁気記録媒体は塗布型磁気記
録媒体に劣っているため、その改良が実用上切望されて
いる。
耐久性がある。すなわち、VTRにおけるスヂル耐久性
等において非バイングー型磁気記録媒体は塗布型磁気記
録媒体に劣っているため、その改良が実用上切望されて
いる。
こうした非バイングー型磁気記録媒体の耐候性。
耐久性を改良する方法として、イオンプレーテングにに
り表面窒化処理を施す方法(特開昭50−33806号
)、スパッタにより窒化硅素膜を設りる方法(特開昭5
3−30304号)、磁性膜を窒素ガス等の雰囲気中で
の放電にさらして非磁性表面層を形成する方法(特開昭
53−85403号)、磁性金FA源股上に窒化された
金属薄膜を設ける方法(特開昭54−143111号)
等が知られているが耐候性、耐久性の改良が不十分で効
果を45るには膜厚を大ぎくせねばならぬ等の欠点があ
つlC0非遇性保訛膜は膜厚が大きいと電磁変換特性上
劣化が著しく非バイングー型磁気記録媒体の特徴が失わ
れてしまう。さらに耐候性にすぐれた非バイングー型磁
気記録媒体の一つとして、ヨーロッパ特許8328弓あ
るいは特開昭59−87809号に開示されているよう
な窒化鉄あるいは鉄および窒化鉄よりなる磁性薄膜があ
るが磁気特性が不十分であり、耐久性についても改良が
望まれている。
り表面窒化処理を施す方法(特開昭50−33806号
)、スパッタにより窒化硅素膜を設りる方法(特開昭5
3−30304号)、磁性膜を窒素ガス等の雰囲気中で
の放電にさらして非磁性表面層を形成する方法(特開昭
53−85403号)、磁性金FA源股上に窒化された
金属薄膜を設ける方法(特開昭54−143111号)
等が知られているが耐候性、耐久性の改良が不十分で効
果を45るには膜厚を大ぎくせねばならぬ等の欠点があ
つlC0非遇性保訛膜は膜厚が大きいと電磁変換特性上
劣化が著しく非バイングー型磁気記録媒体の特徴が失わ
れてしまう。さらに耐候性にすぐれた非バイングー型磁
気記録媒体の一つとして、ヨーロッパ特許8328弓あ
るいは特開昭59−87809号に開示されているよう
な窒化鉄あるいは鉄および窒化鉄よりなる磁性薄膜があ
るが磁気特性が不十分であり、耐久性についても改良が
望まれている。
(発明の目的)
本発明の目的は上記従来技術の問題点に鑑み、優れた耐
候性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供すること
にある。
候性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供すること
にある。
(発明の構成)
本発明による磁気記録媒体は非磁性基体上に鉄を含有す
る第1の磁性膜n9を設け、さらにその上に窒化鉄を主
成分とする第2の磁性谷膜を設りてなるものである。
る第1の磁性膜n9を設け、さらにその上に窒化鉄を主
成分とする第2の磁性谷膜を設りてなるものである。
本発明の磁気記録媒体において鉄を含有する第1の磁性
fj9股を構成する磁性金属材料としては、「0の他、
Fa −Go 、l”c 、−Ni 、Fc −G。
fj9股を構成する磁性金属材料としては、「0の他、
Fa −Go 、l”c 、−Ni 、Fc −G。
−Ni 、 Fe −Rh 、 Fe −
Cu 、 Fc −3n 。
Cu 、 Fc −3n 。
Fc −8i 、 Fe −Mn 、Co
−Fc −8n 、 Co −Fc −3i
1Co −Fc −Mn 、 Co −
Fe−■、 Fe −Cr 、 Fe −Go
−Cr 、 Fe −Co −Ni−Cr等の
強磁性合金があげられるが、特に好ましいものはCoを
70重量%以上含有し、かつFeを1〜30iJifi
%含有するJ:うな合金である。
−Fc −8n 、 Co −Fc −3i
1Co −Fc −Mn 、 Co −
Fe−■、 Fe −Cr 、 Fe −Go
−Cr 、 Fe −Co −Ni−Cr等の
強磁性合金があげられるが、特に好ましいものはCoを
70重量%以上含有し、かつFeを1〜30iJifi
%含有するJ:うな合金である。
また、窒化鉄を主成分とする第2のF41性薄膜は30
〜75atomic%の鉄原子を含有することが好まし
く、また5〜40ato1c%の窒素原子を含有するこ
とが好ましい。さらに、主成分である窒化鉄の他に例え
ばコバルト、ニラクル、酸素等を含むものとすることも
できる。
〜75atomic%の鉄原子を含有することが好まし
く、また5〜40ato1c%の窒素原子を含有するこ
とが好ましい。さらに、主成分である窒化鉄の他に例え
ばコバルト、ニラクル、酸素等を含むものとすることも
できる。
本発明の磁気記録媒体にJ3ける磁性薄膜の総厚さは、
磁気記録媒体として充分な出力を与え得るJ!7さおよ
び^密度記録の充分行なえるような簿さを必要とするこ
とから一般には0.02μrnから 2.0μ7/L、
好ましくは0.05μm、から1.0μmである。第1
の磁性薄膜と第2の磁性薄膜との厚み比は1/8〜8、
好ましくは115〜5とすることがり了ましい。
磁気記録媒体として充分な出力を与え得るJ!7さおよ
び^密度記録の充分行なえるような簿さを必要とするこ
とから一般には0.02μrnから 2.0μ7/L、
好ましくは0.05μm、から1.0μmである。第1
の磁性薄膜と第2の磁性薄膜との厚み比は1/8〜8、
好ましくは115〜5とすることがり了ましい。
水元11に用いられる非磁性支持体としてはポリエチレ
ンテレフタレート、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、三酢
酸セルロース、ポリカーボネート。
ンテレフタレート、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、三酢
酸セルロース、ポリカーボネート。
ポリエチレンナフタレート、ポリアラミド、ポリフェニ
レンサルファイドのようなプラスチックベースあるいは
A9J、黄銅、ステンレス鋼のような金属乃至合金基体
があげられる。
レンサルファイドのようなプラスチックベースあるいは
A9J、黄銅、ステンレス鋼のような金属乃至合金基体
があげられる。
本発明における磁性薄膜上に潤滑剤層を用いてもよく、
潤滑剤としては、炭素数12〜18個の脂肪酸(Rs
COOH、Rl は炭素数11〜17のアルキルまたは
アルケニル具);前記脂肪酸の金属塩;シリコンオイル
;炭素数2〜20個の−Jn基性脂性脂肪酸素数3〜1
2個の一価のアルコールから成る脂肪酸エステル類から
選ばれた少なくとも1種を含有するもの等が使用される
。上記潤滑剤は磁性股上に0.5〜20m’J/7d存
在せしめるのがよく、潤滑剤の塗イ11は必要に応じて
磁性股上、あるいは支持体裏面に塗布して潤滑剤をuk
性性膜へ転写させるようにしても良い。
潤滑剤としては、炭素数12〜18個の脂肪酸(Rs
COOH、Rl は炭素数11〜17のアルキルまたは
アルケニル具);前記脂肪酸の金属塩;シリコンオイル
;炭素数2〜20個の−Jn基性脂性脂肪酸素数3〜1
2個の一価のアルコールから成る脂肪酸エステル類から
選ばれた少なくとも1種を含有するもの等が使用される
。上記潤滑剤は磁性股上に0.5〜20m’J/7d存
在せしめるのがよく、潤滑剤の塗イ11は必要に応じて
磁性股上、あるいは支持体裏面に塗布して潤滑剤をuk
性性膜へ転写させるようにしても良い。
本発明の磁気記録媒体においては、必要に応じ支持体裏
面にいわゆるバック層を設けてもよい。
面にいわゆるバック層を設けてもよい。
また、磁性金F4蒸着fliと支持体との間にイ1瓜あ
るいは無機物からなる層を設けてもよい。
るいは無機物からなる層を設けてもよい。
(実 施 例)
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
第1図は本発明の一実IM191による磁気記録媒体を
示す略断面図である。本図面に示す磁気記録媒体は非磁
性ル体11と、その上に設けられた鉄を含有フ−る第1
の磁性薄膜12と、その上に設けられた窒化Aを主成分
とする第2の磁性薄膜13とからなるものである。本実
施例では第1の磁性薄膜12および第2の磁性薄膜13
をそれぞれ単層(荷造としているが、それぞれ多届構造
とすることもできる。
示す略断面図である。本図面に示す磁気記録媒体は非磁
性ル体11と、その上に設けられた鉄を含有フ−る第1
の磁性薄膜12と、その上に設けられた窒化Aを主成分
とする第2の磁性薄膜13とからなるものである。本実
施例では第1の磁性薄膜12および第2の磁性薄膜13
をそれぞれ単層(荷造としているが、それぞれ多届構造
とすることもできる。
実施例1
第2図に示す装置を用いて12.5μ肌厚のポリイミド
フィルム上に磁性薄膜を形成さμ゛て磁気テーブを作成
した。
フィルム上に磁性薄膜を形成さμ゛て磁気テーブを作成
した。
第2図において、真空(a21内は送出し巻取り室22
、斜方入射蒸6室23.斜方入射イオンプレーテング至
24の王室に隔壁25.26.27で分割されており、
それぞれ排気口28.29.30により独立に真空排気
される。非磁性支持体31はロール32から冷却キャン
33に沿って蒸着923.イオンプレーテング室24を
経た後ロール34に巻取られる。非磁性支持体31は正
逆搬送可でロール34からロール32へと搬送すること
もできる。蒸谷室23.イオンプレーデング至24内の
冷却キャン33の下方にはそれぞれルツボ35.3Gが
配設されており、電子銃37.38からの゛重子ビーム
により所望蒸発材料39.40を加熱し蒸発させるよう
になっている。材料3’3.40の蒸発流が冷却キャン
33上の非磁性支持体31に斜めに入射するようにそれ
ぞれ斜方マスク41.42が設置プられており、マスク
41.42の先端近傍にはガス導入口43.44が配設
されている。イオンプレーテング室24にはさらにイオ
ン化電極45と熱電子放出フイラメン1へ46が設けら
れている。
、斜方入射蒸6室23.斜方入射イオンプレーテング至
24の王室に隔壁25.26.27で分割されており、
それぞれ排気口28.29.30により独立に真空排気
される。非磁性支持体31はロール32から冷却キャン
33に沿って蒸着923.イオンプレーテング室24を
経た後ロール34に巻取られる。非磁性支持体31は正
逆搬送可でロール34からロール32へと搬送すること
もできる。蒸谷室23.イオンプレーデング至24内の
冷却キャン33の下方にはそれぞれルツボ35.3Gが
配設されており、電子銃37.38からの゛重子ビーム
により所望蒸発材料39.40を加熱し蒸発させるよう
になっている。材料3’3.40の蒸発流が冷却キャン
33上の非磁性支持体31に斜めに入射するようにそれ
ぞれ斜方マスク41.42が設置プられており、マスク
41.42の先端近傍にはガス導入口43.44が配設
されている。イオンプレーテング室24にはさらにイオ
ン化電極45と熱電子放出フイラメン1へ46が設けら
れている。
本実施例においては、材料39としてCo l”e(F
e3wt%)、材料40とし1”Feをチャージし、マ
スク41.42の設定はそれぞれ最小入射角が40″″
。
e3wt%)、材料40とし1”Feをチャージし、マ
スク41.42の設定はそれぞれ最小入射角が40″″
。
60°となるようにした。ガス導入口44からは窒素ガ
スをイオンプレーテング室24の圧力が8x IQ4T
orrとなるよう導入し、熱電子放出フィラメント4
6を加熱して熱電子を放出せしめつつイオン化7fi
極45に60■印加し窒化鉄を形成さぜた。ポリイミド
フィルムをロール32から送出し蒸着室23の真空瓜を
6 X 104T orrとしてCo l”e斜方入射
蒸M n’Aを形成後、イオンプレーテング室24で窒
化鉄11Qを形成しロール34に巻取った。形成した磁
性簿膜の総厚を0.18μ面とし、窒化鉄膜/Co F
(3帽鋪1性膜の厚さの比を1/2.1/1.2/1と
変化さVたナンブル(それぞれNQl、Nα2.N。
スをイオンプレーテング室24の圧力が8x IQ4T
orrとなるよう導入し、熱電子放出フィラメント4
6を加熱して熱電子を放出せしめつつイオン化7fi
極45に60■印加し窒化鉄を形成さぜた。ポリイミド
フィルムをロール32から送出し蒸着室23の真空瓜を
6 X 104T orrとしてCo l”e斜方入射
蒸M n’Aを形成後、イオンプレーテング室24で窒
化鉄11Qを形成しロール34に巻取った。形成した磁
性簿膜の総厚を0.18μ面とし、窒化鉄膜/Co F
(3帽鋪1性膜の厚さの比を1/2.1/1.2/1と
変化さVたナンブル(それぞれNQl、Nα2.N。
3)を作成した。さらに窒化鉄膜のみ(Nα4)、C3
F8蒸首磁性膜のみ(No、5)を形成したサンプルも
比較のために作成した。
F8蒸首磁性膜のみ(No、5)を形成したサンプルも
比較のために作成した。
このようにして1りられたナンブルの耐候性、耐磁性を
測定した。、141N性は40℃、8()%相対湿磨霧
囲気中においてVH8型VTRで50バス走行後、発・
置型ウェザーメーター(出画精+;l ft1l究所E
−12WG型)に3日間保存した後の錆の発生状況を5
段階評価により測定した。耐久性については5℃。
測定した。、141N性は40℃、8()%相対湿磨霧
囲気中においてVH8型VTRで50バス走行後、発・
置型ウェザーメーター(出画精+;l ft1l究所E
−12WG型)に3日間保存した後の錆の発生状況を5
段階評価により測定した。耐久性については5℃。
10%相対湿度の環境条件下でβ型V T Rにてサン
プルを10分間スチルモードでかけた後、磁性薄膜面の
ヘッド傷発生状況を顕微鏡観察し、これも5段階評圃に
より判定した。これらの結果【よ下表のようであった。
プルを10分間スチルモードでかけた後、磁性薄膜面の
ヘッド傷発生状況を顕微鏡観察し、これも5段階評圃に
より判定した。これらの結果【よ下表のようであった。
表 1
犬濃19112
第2図の装置において、材料39としては’Ftbc1
’ (Cr : 10ifi%)、材料40としては
FeをチV−ジし、マスク41.42の設定はそれぞれ
最小入射角が35°、55°となるようにした。9.5
μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムをロール
32から送出して斜方入射蒸着膜を形成後ロール34に
巻取り、しかる後ロール34から送出して窒化鉄膜を形
成しロール32で巻取った。イオンプレーテング室24
には圧力が5 x 10’ Torrとなるよう窒素ガ
スを導入し、蒸着室23にはガス導入口43から1mガ
スを導入し圧力が2 x 10’ T orrになるよ
うにした。形成した磁性薄膜の総厚を0.12μ面とし
、窒化yN膜/蒸着磁磁性薄膜厚さの比を1/3(サン
プルNα6)、1/1 (Na7)、3/1(Nn8)
としたものに加えて窒化鉄膜のみ(No、 9 )、蒸
−41itl性簿膜のみ(Nα10)を形成したサンプ
ルも比較のために作成した。このようにして1gられた
サンプルの耐候性、耐久性を実施例1と同様にして測定
したところ下表のようであった。
’ (Cr : 10ifi%)、材料40としては
FeをチV−ジし、マスク41.42の設定はそれぞれ
最小入射角が35°、55°となるようにした。9.5
μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムをロール
32から送出して斜方入射蒸着膜を形成後ロール34に
巻取り、しかる後ロール34から送出して窒化鉄膜を形
成しロール32で巻取った。イオンプレーテング室24
には圧力が5 x 10’ Torrとなるよう窒素ガ
スを導入し、蒸着室23にはガス導入口43から1mガ
スを導入し圧力が2 x 10’ T orrになるよ
うにした。形成した磁性薄膜の総厚を0.12μ面とし
、窒化yN膜/蒸着磁磁性薄膜厚さの比を1/3(サン
プルNα6)、1/1 (Na7)、3/1(Nn8)
としたものに加えて窒化鉄膜のみ(No、 9 )、蒸
−41itl性簿膜のみ(Nα10)を形成したサンプ
ルも比較のために作成した。このようにして1gられた
サンプルの耐候性、耐久性を実施例1と同様にして測定
したところ下表のようであった。
表 2
これらの実施例の結果力日ら、本発明の磁気記録媒体は
他のサンプルと比較して、耐候性および耐久性において
優れた特性を示すことが認められた。
他のサンプルと比較して、耐候性および耐久性において
優れた特性を示すことが認められた。
(発明の効果)
本発明は鉄を含有づる第1の磁性薄膜上に、窒化鉄を主
成分とする第2の磁性薄膜を設けたことにより、耐候性
および耐久性に優れた磁気記録媒体を得たものであり、
その産業上の利用価値は大である。
成分とする第2の磁性薄膜を設けたことにより、耐候性
および耐久性に優れた磁気記録媒体を得たものであり、
その産業上の利用価値は大である。
第1図は本発明による磁気記録媒体の構成を示ずll(
断面図、 第2図は本発明の実施例で使用され/=装置を示す略図
である。 11・・・非磁性基体 12・・・第1の磁性薄
膜13・・・第2の磁性薄膜 21・・・真 空 槽
22・・・送出し巻取り室 23・・・斜方入射蒸着
膜24・・・斜方入射イオンプレーテング室2!+、
26.27・・・隔壁 28.29.30・・・排
気孔31・・・非磁性支持体 32・・・ロ −
ル33・・・冷却キャン 34・・・ロ − ル
35、36・・・ルツボ 37.3g・・・電子
銃39、40・・・蒸着材料 41.42・・・斜
方マスク43、44・・・ガス導入口 45・・・イ
オン化電極46・・・熱電子放出フィラメント 第1図 第2図 (自創手続補正書 特許庁長官 殿 昭和60年3月
12日1、事件の表示 特願昭59−176170号 2、発明の名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所 神奈川県南足柄市中沼210番地名 称
富士写真フィルム株式会社4、代理人 東京都港区六本木5丁目2番1号 5、補正命令の日付 な し 6、補正により増加する発明の数 な し8、補
正の内容 1)明1111ffi第6頁第11〜12行「30〜7
5atomic%の鉄原子を含有することが好ましく、
またJを削除ツる。 2)同頁第15行「できる。」の後に以下の文章を挿入
する。 [本発明において第1磁性薄膜として好ましいのは斜方
入射蒸着法により形成されるFe含有のそれであり、第
2磁性薄膜として好ましいのは斜方入射イオンブレーテ
ィング法により形成される窒化鉄のそれである。 上記斜方入射蒸着法および斜方式q・1イオンブレーテ
イング法とは、基体表面の法線に対し、膜形成金屈祠料
の蒸気流をある入射角θで入射させ基体表面上に蒸着薄
膜を形成させる方法である。 本発明における蒸着とは、米国特許第3342632号
等に記載されている通常の真空蒸着の他、電界・電界あ
るいは電子ビーム照射等により蒸気流のイオン化・加速
化等を行なって蒸発分子の平均自由行程の大ぎい雰囲気
にて支持体上に薄膜を形成させる方法を含むものである
。例えば特開1gJ51−149008号明1[1aに
示されているような電界蒸打法、特公昭43−1152
5号、特公昭46−20484号、持分口:(49−4
5439号、特開昭49−34,183号公報に示され
ているイオン化蒸若法も本発明に用いられる。 斜方入射蒸着法にd5いては、8入射角θmaXにて蒸
着を開始し、!1体の移動とともに入射角θを連続的に
減少ざぼ、θminにて析出を停止させる。上記の蒸着
を酸素のごとき反応性ガスを含む雰囲気中で行なっても
よい。 本発明にJ5けるイオンブレーティングとは、真空中あ
るいは不活性ガス雰囲気中で蒸発源から蒸発させた非眼
性金属材料の一部をプラス(+)にイオン化ざヒ、マイ
ナス(−)に保持された基板へと加速して該基板上に薄
膜として析出させる方法を指1゛。D、 M、 Mat
tox (特公昭44−8328号)ニヨり創始され
た、0.01〜0.1Torrの希ガス雰囲気中で蒸発
源をプラスに、基板をマイナスに印加してグロー放電を
発生さゼ、このグロー放電中にて蒸発源より金属を蒸発
させて基板上に薄膜を形成させるDCイオンブレーティ
ング法を含むのみならず、10−4〜10’Torrの
ガス雰囲気中にa3いてプラスに保持された蒸発源とマ
イナスに保持された基板の間にコイル状電極を配置し、
このコイルに8周波電力を供給することによって高周波
電領域を形成させて蒸発粒子をイオン化させる高周波励
起式イオンブレーティング法(特開昭49−11373
3号)、あるいは、真空室内プラスに保持された蒸発源
とマイナスに保持されたイオン引出し電極を配置し、h
λ発諒の小孔から噴射する物質蒸気に電子ビームを照射
してクラスターイオンとし、マイナスの引出し電極電圧
によっで加速8れた蒸発粒子をマイナスに保持された基
板へさしむ【フ基板上に薄膜を形成させるクラスターイ
オン式イオンブレーティング法(特開昭49−3389
0号)も含まれるものである。さらに特公昭43−11
525号、特開昭49−34483号、特公昭49−4
7910号等に開示されているような、蒸発物質流を電
子ビーム中を通すことによってイオン化して基板に入射
させるイオンブレーティング法をも含むものである。窒
化鉄あるいは窒化鉄および鉄のイオンブレーティングに
より磁性薄膜の形成には、蒸発源より鉄を蒸発せしめる
と共に反応ガスとして窒素ガス、アンモニアガス等の窒
素を含むガスを導入することにより行なう。 前記薄膜形成の際の入射角は25°以上好ましくは30
°以上である。」
断面図、 第2図は本発明の実施例で使用され/=装置を示す略図
である。 11・・・非磁性基体 12・・・第1の磁性薄
膜13・・・第2の磁性薄膜 21・・・真 空 槽
22・・・送出し巻取り室 23・・・斜方入射蒸着
膜24・・・斜方入射イオンプレーテング室2!+、
26.27・・・隔壁 28.29.30・・・排
気孔31・・・非磁性支持体 32・・・ロ −
ル33・・・冷却キャン 34・・・ロ − ル
35、36・・・ルツボ 37.3g・・・電子
銃39、40・・・蒸着材料 41.42・・・斜
方マスク43、44・・・ガス導入口 45・・・イ
オン化電極46・・・熱電子放出フィラメント 第1図 第2図 (自創手続補正書 特許庁長官 殿 昭和60年3月
12日1、事件の表示 特願昭59−176170号 2、発明の名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所 神奈川県南足柄市中沼210番地名 称
富士写真フィルム株式会社4、代理人 東京都港区六本木5丁目2番1号 5、補正命令の日付 な し 6、補正により増加する発明の数 な し8、補
正の内容 1)明1111ffi第6頁第11〜12行「30〜7
5atomic%の鉄原子を含有することが好ましく、
またJを削除ツる。 2)同頁第15行「できる。」の後に以下の文章を挿入
する。 [本発明において第1磁性薄膜として好ましいのは斜方
入射蒸着法により形成されるFe含有のそれであり、第
2磁性薄膜として好ましいのは斜方入射イオンブレーテ
ィング法により形成される窒化鉄のそれである。 上記斜方入射蒸着法および斜方式q・1イオンブレーテ
イング法とは、基体表面の法線に対し、膜形成金屈祠料
の蒸気流をある入射角θで入射させ基体表面上に蒸着薄
膜を形成させる方法である。 本発明における蒸着とは、米国特許第3342632号
等に記載されている通常の真空蒸着の他、電界・電界あ
るいは電子ビーム照射等により蒸気流のイオン化・加速
化等を行なって蒸発分子の平均自由行程の大ぎい雰囲気
にて支持体上に薄膜を形成させる方法を含むものである
。例えば特開1gJ51−149008号明1[1aに
示されているような電界蒸打法、特公昭43−1152
5号、特公昭46−20484号、持分口:(49−4
5439号、特開昭49−34,183号公報に示され
ているイオン化蒸若法も本発明に用いられる。 斜方入射蒸着法にd5いては、8入射角θmaXにて蒸
着を開始し、!1体の移動とともに入射角θを連続的に
減少ざぼ、θminにて析出を停止させる。上記の蒸着
を酸素のごとき反応性ガスを含む雰囲気中で行なっても
よい。 本発明にJ5けるイオンブレーティングとは、真空中あ
るいは不活性ガス雰囲気中で蒸発源から蒸発させた非眼
性金属材料の一部をプラス(+)にイオン化ざヒ、マイ
ナス(−)に保持された基板へと加速して該基板上に薄
膜として析出させる方法を指1゛。D、 M、 Mat
tox (特公昭44−8328号)ニヨり創始され
た、0.01〜0.1Torrの希ガス雰囲気中で蒸発
源をプラスに、基板をマイナスに印加してグロー放電を
発生さゼ、このグロー放電中にて蒸発源より金属を蒸発
させて基板上に薄膜を形成させるDCイオンブレーティ
ング法を含むのみならず、10−4〜10’Torrの
ガス雰囲気中にa3いてプラスに保持された蒸発源とマ
イナスに保持された基板の間にコイル状電極を配置し、
このコイルに8周波電力を供給することによって高周波
電領域を形成させて蒸発粒子をイオン化させる高周波励
起式イオンブレーティング法(特開昭49−11373
3号)、あるいは、真空室内プラスに保持された蒸発源
とマイナスに保持されたイオン引出し電極を配置し、h
λ発諒の小孔から噴射する物質蒸気に電子ビームを照射
してクラスターイオンとし、マイナスの引出し電極電圧
によっで加速8れた蒸発粒子をマイナスに保持された基
板へさしむ【フ基板上に薄膜を形成させるクラスターイ
オン式イオンブレーティング法(特開昭49−3389
0号)も含まれるものである。さらに特公昭43−11
525号、特開昭49−34483号、特公昭49−4
7910号等に開示されているような、蒸発物質流を電
子ビーム中を通すことによってイオン化して基板に入射
させるイオンブレーティング法をも含むものである。窒
化鉄あるいは窒化鉄および鉄のイオンブレーティングに
より磁性薄膜の形成には、蒸発源より鉄を蒸発せしめる
と共に反応ガスとして窒素ガス、アンモニアガス等の窒
素を含むガスを導入することにより行なう。 前記薄膜形成の際の入射角は25°以上好ましくは30
°以上である。」
Claims (1)
- 1)非磁性基体と該非磁性基体上に設けられた鉄を含有
する第1の磁性薄膜と、該第1の磁性薄膜上に設けられ
た窒化鉄を主成分とする第2の磁性薄膜とからなること
を特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59176170A JPH061541B2 (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59176170A JPH061541B2 (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6154027A true JPS6154027A (ja) | 1986-03-18 |
JPH061541B2 JPH061541B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16008883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59176170A Expired - Lifetime JPH061541B2 (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH061541B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01243225A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Ricoh Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5033806A (ja) * | 1973-07-24 | 1975-04-01 | ||
JPS54143111A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS5736436A (en) * | 1980-08-14 | 1982-02-27 | Sekisui Chem Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
JPS57164433A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP59176170A patent/JPH061541B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5033806A (ja) * | 1973-07-24 | 1975-04-01 | ||
JPS54143111A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS5736436A (en) * | 1980-08-14 | 1982-02-27 | Sekisui Chem Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
JPS57164433A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01243225A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Ricoh Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH061541B2 (ja) | 1994-01-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |