JPS6144947B2 - - Google Patents
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- JPS6144947B2 JPS6144947B2 JP53061657A JP6165778A JPS6144947B2 JP S6144947 B2 JPS6144947 B2 JP S6144947B2 JP 53061657 A JP53061657 A JP 53061657A JP 6165778 A JP6165778 A JP 6165778A JP S6144947 B2 JPS6144947 B2 JP S6144947B2
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- Japan
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- processing chamber
- chamber
- gas
- chambers
- processing
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- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明はサブストレートを第１処理室内と次で
第２処理室内とに導いてこれに各スパツタリング
その他の真空処理を順次に施す式の装置に関す
る。 従来この種装置として、サブストレートの移送
路上に、両外側のスリツトチヤンバを有する第１
処理室と、両外側のスリツトチヤンバを有し、該
第１処理室と略同一圧力の第２処理室とを互に連
続させて順次に配設すると共に、第１処理室内に
はアルコンガスその他の不活性ガスと、第２処理
室内には酸素ガスその他の活性ガスとを導かせる
ようにした式のものは知られるが、この場合両処
理室の中間の各スリツトチヤンバは夫々比較的高
真空に排気されて各処理室内の各ガスをこれを介
して排出させる式を一般としたもので、かゝるも
のでは両処理室間において、多少ともガスの交換
が行われて好ましくない。即ち第１処理室内には
活性ガスと、第２処理室内には不活性ガスとが
夫々多少とも流入されるもので、特に活性ガスに
ついては、例えば第１処理室内において、サブス
トレートに酸化作用を与えて好ましくない。 本発明はかゝる不都合のない装置を得ることを
その目的としたもので、サブストレートの移送路
上に、両外側のスリツトチヤンバを有する第１処
理室と、両外側のスリツトチヤンバを有し、該第
１処理室と略同一圧力の第２処理室とを互に連続
させて順次に配設すると共に該第１処理室内には
アルゴンガスその他の不活性ガスと、該第２処理
室内には酸素ガスその他の活性ガスとを導入させ
るようにした式のものにおいて、両処理室の中間
の各スリツトチヤンバを、第１処理室側において
比較的低真空となしてこれを介して該不活性ガス
を該第１処理室内に導入させるようにすると共
に、第２処理室側において比較的高真空としてこ
れを介して該活性ガスを該第２処理室内から導出
させるようにして成る。 本発明実施の１例を別紙図面に付説明する。 図面１はサブストレートを示し、該サブストレ
ート１の移送路上に、第１スリツトチヤンバ２
と、第１処理室３と、第２スリツトチヤンバ４と
を順次に設けると共に、更にこれに連続させて第
３スリツトチヤンバ５と、第２処理室６と第４ス
リツトチヤンバ７とを順次に設け、かくて該サブ
ストレート１は第１スリツトチヤンバ２を介して
第１処理室３内に導かれて該室３内でスパツタリ
ングその他の処理を施された後第２、第３スリツ
トチヤンバ４，５を介して第２処理室８内に導か
れて再びスパツタリングその他の処理を施され、
次で第４スリツトチヤンバ７を介してその前方に
取出されるようにした。第１処理室３内は真空ポ
ンプ８で排気されると共に外部のガス源９からア
ルゴンガスその他の不活性ガスを導かれて該室３
内は不活性ガスの真空雰囲気に設定されるように
し、更に第２処理室６内は真空ポンプ１０，１１
で排気されると共に外部のガス源１２から酸素ガ
スその他の活性ガスを導かれて該室６内は活性ガ
スの真空雰囲気に設定されるようにした。 以上は従来のものと特に異らないが、本発明に
よれば、両処理室３，６の中間の各チヤンバ４，
５を、第１処理室３側において比較的低真空、例
えば８×10-3トールとして前記した不活性ガスを
これを介して該室３内に導入させるようにすると
共に、第２処理室６側において、比較的高真空、
例えば４×10-4トールとして前記した活性ガスを
該室６内からこれを介して導出させるようにし
た。これを詳述するに、前記した真空ポンプ８を
第１処理室３の底面に接続させて設けると共に前
記した真空ポンプ１０，１１を第２処理室６の両
外側の各チヤンバ５，７の底面に接続させて設
け、更に前記したガス源９に連る給気口１３の１
対を第１処理室３の両外側の各チヤンバ２，４の
上面に開口させると共に、前記したガス源１２に
連る給気口１４を第２処理室６の上面に開口さ
せ、かくて第１処理室３内はその両外側の各チヤ
ンバ２，４に比し高真空となつて不活性ガスがこ
れにその両外側から導かれると共に、第２処理室
６内はその両外側の各チヤンバ５，７に比し低真
空となつて活性ガスがその両外側に導出されるよ
うにし、更に中間の２個のチヤンバ４，５につい
ては第２処理室６側、即ちチヤンバ５側が比較的
高真空となるようにした。各室及び各チヤンバ内
の圧力の１例は次の通りである。 チヤンバ２ ５×10-3トール 処理室３ ４×10-3トール チヤンバ４ ８×10-3トール 〃 ５ ４×10-4トール 処理室６ ２×10-3トール チヤンバ７ １×10-3トール その作動を説明するに、第１処理室３内は不活
性ガスの真空雰囲気と、第２処理室６内の活性ガ
スの真空雰囲気とに設定されてサブストレート１
に各スパツタリングその他の処理が施されるもの
で、この点は従来のものと特に異らないが、両処
理室３，６の中間の各チヤンバ即ち第２、第３の
スリツトチヤンバ４，５を考えるに、第２チヤン
バ４内は不活性ガスの比較的低真空の導入側と、
第３チヤンバ５内は活性ガスの比較的高真空の導
出側とに存するため、第２チヤンバ４内の不活性
ガスはその一部が分流して第３チヤンバ５側に流
入して該チヤンバ５内に該不活性ガスの流れを作
り、活性ガスをこれに伴わせるもので、かくて第
２チヤンバ４内には活性ガスの流入がなく、これ
を換言すれば、第１処理室３内に活性ガスの流入
がないものである。 発明者の実験によれば、これが確認されたもの
で、質量分析器を使用して第１処理室３内のガス
成分を分折した結果、第２スリツトチヤンバ４内
に不活性ガスを導入しない場合と、導入した場合
とで次のような相違を生じた。この場合、不活性
ガスとしてはアルゴンガスと、活性ガスとしては
酸素ガスを使用した。
第２処理室内とに導いてこれに各スパツタリング
その他の真空処理を順次に施す式の装置に関す
る。 従来この種装置として、サブストレートの移送
路上に、両外側のスリツトチヤンバを有する第１
処理室と、両外側のスリツトチヤンバを有し、該
第１処理室と略同一圧力の第２処理室とを互に連
続させて順次に配設すると共に、第１処理室内に
はアルコンガスその他の不活性ガスと、第２処理
室内には酸素ガスその他の活性ガスとを導かせる
ようにした式のものは知られるが、この場合両処
理室の中間の各スリツトチヤンバは夫々比較的高
真空に排気されて各処理室内の各ガスをこれを介
して排出させる式を一般としたもので、かゝるも
のでは両処理室間において、多少ともガスの交換
が行われて好ましくない。即ち第１処理室内には
活性ガスと、第２処理室内には不活性ガスとが
夫々多少とも流入されるもので、特に活性ガスに
ついては、例えば第１処理室内において、サブス
トレートに酸化作用を与えて好ましくない。 本発明はかゝる不都合のない装置を得ることを
その目的としたもので、サブストレートの移送路
上に、両外側のスリツトチヤンバを有する第１処
理室と、両外側のスリツトチヤンバを有し、該第
１処理室と略同一圧力の第２処理室とを互に連続
させて順次に配設すると共に該第１処理室内には
アルゴンガスその他の不活性ガスと、該第２処理
室内には酸素ガスその他の活性ガスとを導入させ
るようにした式のものにおいて、両処理室の中間
の各スリツトチヤンバを、第１処理室側において
比較的低真空となしてこれを介して該不活性ガス
を該第１処理室内に導入させるようにすると共
に、第２処理室側において比較的高真空としてこ
れを介して該活性ガスを該第２処理室内から導出
させるようにして成る。 本発明実施の１例を別紙図面に付説明する。 図面１はサブストレートを示し、該サブストレ
ート１の移送路上に、第１スリツトチヤンバ２
と、第１処理室３と、第２スリツトチヤンバ４と
を順次に設けると共に、更にこれに連続させて第
３スリツトチヤンバ５と、第２処理室６と第４ス
リツトチヤンバ７とを順次に設け、かくて該サブ
ストレート１は第１スリツトチヤンバ２を介して
第１処理室３内に導かれて該室３内でスパツタリ
ングその他の処理を施された後第２、第３スリツ
トチヤンバ４，５を介して第２処理室８内に導か
れて再びスパツタリングその他の処理を施され、
次で第４スリツトチヤンバ７を介してその前方に
取出されるようにした。第１処理室３内は真空ポ
ンプ８で排気されると共に外部のガス源９からア
ルゴンガスその他の不活性ガスを導かれて該室３
内は不活性ガスの真空雰囲気に設定されるように
し、更に第２処理室６内は真空ポンプ１０，１１
で排気されると共に外部のガス源１２から酸素ガ
スその他の活性ガスを導かれて該室６内は活性ガ
スの真空雰囲気に設定されるようにした。 以上は従来のものと特に異らないが、本発明に
よれば、両処理室３，６の中間の各チヤンバ４，
５を、第１処理室３側において比較的低真空、例
えば８×10-3トールとして前記した不活性ガスを
これを介して該室３内に導入させるようにすると
共に、第２処理室６側において、比較的高真空、
例えば４×10-4トールとして前記した活性ガスを
該室６内からこれを介して導出させるようにし
た。これを詳述するに、前記した真空ポンプ８を
第１処理室３の底面に接続させて設けると共に前
記した真空ポンプ１０，１１を第２処理室６の両
外側の各チヤンバ５，７の底面に接続させて設
け、更に前記したガス源９に連る給気口１３の１
対を第１処理室３の両外側の各チヤンバ２，４の
上面に開口させると共に、前記したガス源１２に
連る給気口１４を第２処理室６の上面に開口さ
せ、かくて第１処理室３内はその両外側の各チヤ
ンバ２，４に比し高真空となつて不活性ガスがこ
れにその両外側から導かれると共に、第２処理室
６内はその両外側の各チヤンバ５，７に比し低真
空となつて活性ガスがその両外側に導出されるよ
うにし、更に中間の２個のチヤンバ４，５につい
ては第２処理室６側、即ちチヤンバ５側が比較的
高真空となるようにした。各室及び各チヤンバ内
の圧力の１例は次の通りである。 チヤンバ２ ５×10-3トール 処理室３ ４×10-3トール チヤンバ４ ８×10-3トール 〃 ５ ４×10-4トール 処理室６ ２×10-3トール チヤンバ７ １×10-3トール その作動を説明するに、第１処理室３内は不活
性ガスの真空雰囲気と、第２処理室６内の活性ガ
スの真空雰囲気とに設定されてサブストレート１
に各スパツタリングその他の処理が施されるもの
で、この点は従来のものと特に異らないが、両処
理室３，６の中間の各チヤンバ即ち第２、第３の
スリツトチヤンバ４，５を考えるに、第２チヤン
バ４内は不活性ガスの比較的低真空の導入側と、
第３チヤンバ５内は活性ガスの比較的高真空の導
出側とに存するため、第２チヤンバ４内の不活性
ガスはその一部が分流して第３チヤンバ５側に流
入して該チヤンバ５内に該不活性ガスの流れを作
り、活性ガスをこれに伴わせるもので、かくて第
２チヤンバ４内には活性ガスの流入がなく、これ
を換言すれば、第１処理室３内に活性ガスの流入
がないものである。 発明者の実験によれば、これが確認されたもの
で、質量分析器を使用して第１処理室３内のガス
成分を分折した結果、第２スリツトチヤンバ４内
に不活性ガスを導入しない場合と、導入した場合
とで次のような相違を生じた。この場合、不活性
ガスとしてはアルゴンガスと、活性ガスとしては
酸素ガスを使用した。
【表】
このように本発明によるときは、第１処理室側
のスリツトチヤンバ内の不活性ガスを第２処理室
側のスリツトチヤンバ内に分流させて該室内の活
性ガスと共に排出させるもので、第１処理室内を
活性ガスの導入から保護して該室内の処理を良好
にする効果を有する。
のスリツトチヤンバ内の不活性ガスを第２処理室
側のスリツトチヤンバ内に分流させて該室内の活
性ガスと共に排出させるもので、第１処理室内を
活性ガスの導入から保護して該室内の処理を良好
にする効果を有する。
図面は本発明装置の一例の系統線図である。
１…サブストレート、２，４…スリツトチヤン
バ、３…第１処理室、５，７…スリツトチヤン
バ、６…第２処理室、８，１０，１１…真空ポン
プ、９…不活性ガス源、１２…活性ガス源。
バ、３…第１処理室、５，７…スリツトチヤン
バ、６…第２処理室、８，１０，１１…真空ポン
プ、９…不活性ガス源、１２…活性ガス源。
Claims (1)
- １ サブストレートの移送路上に、両外側のスリ
ツトチヤンバを有する第１処理室と、両外側のス
リツトチヤンバを有し、該第１処理室と略同一圧
力の第２処理室とを互に連続させて順次に配設す
ると共に該第１処理室内にはアルゴンガスその他
の不活性ガスと、該第２処理室内には酸素ガスそ
の他の活性ガスとを導入させるようにした式のも
のにおいて、両処理室の中間の各スリツトチヤン
バを、第１処理室側において比較的低真空となし
てこれを介して該不活性ガスを第１処理室内に導
入させるようにすると共に、第２処理室側におい
て比較的高真空としてこれを介して該活性ガスを
該第２処理室内から導出させるようにして成る連
続式真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6165778A JPS54153740A (en) | 1978-05-25 | 1978-05-25 | Continuous vacuum treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6165778A JPS54153740A (en) | 1978-05-25 | 1978-05-25 | Continuous vacuum treatment apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54153740A JPS54153740A (en) | 1979-12-04 |
| JPS6144947B2 true JPS6144947B2 (ja) | 1986-10-06 |
Family
ID=13177506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6165778A Granted JPS54153740A (en) | 1978-05-25 | 1978-05-25 | Continuous vacuum treatment apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54153740A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56169320A (en) * | 1981-04-15 | 1981-12-26 | Shunpei Yamazaki | Silicon carbide semiconductor |
| US4438723A (en) * | 1981-09-28 | 1984-03-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Multiple chamber deposition and isolation system and method |
| JPS5893322A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置製造装置 |
| JPS5895550A (ja) * | 1982-11-01 | 1983-06-07 | Shunpei Yamazaki | 非単結晶半導体層形成用装置 |
| JPS6010620A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-19 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | プラズマｃｖｄ法 |
| JPS60138909A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相反応被膜作製装置および作製方法 |
| JPS60170234A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相反応装置および気相反応被膜作製方法 |
| JPS61149476A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Toshiba Corp | スパツタリング装置 |
| US4663009A (en) * | 1985-02-08 | 1987-05-05 | Hewlett-Packard Company | System and method for depositing plural thin film layers on a substrate |
| JPS63303059A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| JPH0821550B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1996-03-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 気相反応装置 |
| JPH061765B2 (ja) * | 1990-06-22 | 1994-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 気相反応被膜作製方法 |
| JPH05121339A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜作製装置 |
| JPH0812848B2 (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置製造方法 |
| JP2626705B2 (ja) * | 1994-07-25 | 1997-07-02 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 被膜作製方法 |
| JP2639637B2 (ja) * | 1994-12-27 | 1997-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 気相反応被膜作製方法 |
| JP2923748B2 (ja) * | 1996-01-26 | 1999-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 被膜作製方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51131461A (en) * | 1975-05-13 | 1976-11-15 | Ulvac Corp | A vacuum treatment chamber apparatus |
-
1978
- 1978-05-25 JP JP6165778A patent/JPS54153740A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51131461A (en) * | 1975-05-13 | 1976-11-15 | Ulvac Corp | A vacuum treatment chamber apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54153740A (en) | 1979-12-04 |
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