JPS5895550A - 非単結晶半導体層形成用装置 - Google Patents
非単結晶半導体層形成用装置Info
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- JPS5895550A JPS5895550A JP57192055A JP19205582A JPS5895550A JP S5895550 A JPS5895550 A JP S5895550A JP 57192055 A JP57192055 A JP 57192055A JP 19205582 A JP19205582 A JP 19205582A JP S5895550 A JPS5895550 A JP S5895550A
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、気相法により半導体または導体の被膜を基板
上に作製する方法に関する。
上に作製する方法に関する。
本発明は、半導体特に珪素を主成分とする被膜を作製し
た後、この被膜中に活性状態の水素をヘリュームまたは
ネオンとともに充填するため誘導エネルギ（高周波また
はマイク０波エネルギ）により化学的に活性状態の水素
またはへリューム雰囲気中に半導体被膜が形成された基
板を浸す方法に関する。
た後、この被膜中に活性状態の水素をヘリュームまたは
ネオンとともに充填するため誘導エネルギ（高周波また
はマイク０波エネルギ）により化学的に活性状態の水素
またはへリューム雰囲気中に半導体被膜が形成された基
板を浸す方法に関する。
従来、珪素を主成分とする被膜特に珪素の被膜を作製し
ようとした場合、気相法特に減圧気相法が知られている
。この減圧気相法は本発明人の発明になるもので、特公
昭５１−１３８９号にすべて記されている。しかしこの
減圧気相法は多数の基板上に大面積に均一な膜厚の被膜
を作製しようとするものであって、珪化物気体特にシラ
ンを０．１〜１０Ｔ Ｏｒｒの減圧状態で熱分解により
基板上に形成させようとするもので、被膜の形成に必要
な温度は６００〜８００’Ｃの高温であった。しかしこ
の高温処理は基板が半導体シリコンまたは珪素の化合物
である酸化珪素、窒化珪素等の耐熱セラミック材料にあ
っては許容されるが、基板がエポキシ、ガラス等の有機
物または熱膨張係数をある程度有していて大型のわれや
すい基板（例えばガラス）またはこの基板上に導電性被
膜をコーティングした基板を用いる場合には、きわめて
大きな欠点となった。
ようとした場合、気相法特に減圧気相法が知られている
。この減圧気相法は本発明人の発明になるもので、特公
昭５１−１３８９号にすべて記されている。しかしこの
減圧気相法は多数の基板上に大面積に均一な膜厚の被膜
を作製しようとするものであって、珪化物気体特にシラ
ンを０．１〜１０Ｔ Ｏｒｒの減圧状態で熱分解により
基板上に形成させようとするもので、被膜の形成に必要
な温度は６００〜８００’Ｃの高温であった。しかしこ
の高温処理は基板が半導体シリコンまたは珪素の化合物
である酸化珪素、窒化珪素等の耐熱セラミック材料にあ
っては許容されるが、基板がエポキシ、ガラス等の有機
物または熱膨張係数をある程度有していて大型のわれや
すい基板（例えばガラス）またはこの基板上に導電性被
膜をコーティングした基板を用いる場合には、きわめて
大きな欠点となった。
また他方被膜の作製温度は室温〜３００℃の低温である
が、一枚のみの基板で且つその上に形成された被膜もき
わめて不均質な膜厚を有する方法としてグロー放電法が
知られている。
が、一枚のみの基板で且つその上に形成された被膜もき
わめて不均質な膜厚を有する方法としてグロー放電法が
知られている。
これは〜２ＣＩ１１角または〜３ｃｎ直径の基板を０．
０１〜１０Ｔｏｒｒ特に０．１〜１Ｔｏｒｒに減圧した
雰囲気に浸し、珪化物気体特にシランをこの反応炉に導
入し且つその１９１基板の近傍が誘導炉によりグロー放
電させることにより珪化物気体を活性化させ基板上に被
膜化させるものである。
０１〜１０Ｔｏｒｒ特に０．１〜１Ｔｏｒｒに減圧した
雰囲気に浸し、珪化物気体特にシランをこの反応炉に導
入し且つその１９１基板の近傍が誘導炉によりグロー放
電させることにより珪化物気体を活性化させ基板上に被
膜化させるものである。
しかしこの場合被膜中に水素を多量に混入させる必要が
あるため、キャリアガスは１００％の水素であり、また
シランも１００％または水素、窒素、アルゴンガスにて
希釈したボンベを用いる方法が知られている。
あるため、キャリアガスは１００％の水素であり、また
シランも１００％または水素、窒素、アルゴンガスにて
希釈したボンベを用いる方法が知られている。
しかし本発明は多量生産が可能であり且つ基板は１０〜
１０ＣＩ１１角の大面積に均質に被膜を形成させること
、およびこの被膜の作製に必要な基板温瓜は室温〜４０
０℃で可能なことを大きな特徴としている。
１０ＣＩ１１角の大面積に均質に被膜を形成させること
、およびこの被膜の作製に必要な基板温瓜は室温〜４０
０℃で可能なことを大きな特徴としている。
このために本発明は反応性気体の科学的活性化または反
応を基板より離れた位置で行ない、且つその活性状態の
持続をこの反応性気体をヘリュームまたはネオンでつつ
むことにより保持し且つこのヘリュームまたはネオンが
反応性気体の被形成面上で均一に被膜化させる作用を実
験的に見出だした。
応を基板より離れた位置で行ない、且つその活性状態の
持続をこの反応性気体をヘリュームまたはネオンでつつ
むことにより保持し且つこのヘリュームまたはネオンが
反応性気体の被形成面上で均一に被膜化させる作用を実
験的に見出だした。
以下に実施例を図面に従って説明する。
実施例１
基板は導体基板（ステンレス、チタン、窒化チタン、そ
の他の金属）、半導体（珪素、炭化珪素、ゲルマニュー
ム）、絶縁体（アルミナ、ガラス、エポキシ、ポリイミ
ド樹脂等の有機物）または複合基板（絶縁基板上に酸化
スズ、ＩＴＯ等の透明導電膜等が形成されたもの、絶縁
基板上に選択的に導体電極が形成されたもの、基、根土
にＰまたはＮ型の半４導体が単層または多層に形成され
たもの）を用いた。本実施例のみならず本発明のすべて
においてこれらを総称して基板という。もちろんこの基
板は可曲性であっても、また固い板であってもよい。
の他の金属）、半導体（珪素、炭化珪素、ゲルマニュー
ム）、絶縁体（アルミナ、ガラス、エポキシ、ポリイミ
ド樹脂等の有機物）または複合基板（絶縁基板上に酸化
スズ、ＩＴＯ等の透明導電膜等が形成されたもの、絶縁
基板上に選択的に導体電極が形成されたもの、基、根土
にＰまたはＮ型の半４導体が単層または多層に形成され
たもの）を用いた。本実施例のみならず本発明のすべて
においてこれらを総称して基板という。もちろんこの基
板は可曲性であっても、また固い板であってもよい。
第１図において基板１はボート（例えば石英）２に対し
て隣室させた。
て隣室させた。
基板は２００μの厚さの１００Ｉ１１角を本実施例にお
いては用いた。この基板を反応炉３に封じた。
いては用いた。この基板を反応炉３に封じた。
この反応容器は１〜１００ＭＨｚ、例えば１３．１３Ｍ
［］７の高周波加熱炉４からの高周波エネルギにより反
応性気体および基板を励起、反応または加熱できるよう
にしている。さらにその外側に抵抗加熱によるヒータ５
を設置している。排気は６よりバルブ７を経て、真空ポ
ンプ８を経てなされる。反応性気体は９の入口に到るが
基板より離れた位置にて高周波誘導エネルギ１０、ここ
では１〜１００Ｈ２、例えば２．４６ＧＨ２のマイクロ
波エネルギにより化学的に活性化、分解または反応させ
ている。この１０の部分の容器７にて反応性気体である
珪素の化合物例えばシラン（ＳｉＨ４）、ジクロールシ
ラン（ＳｔＨ，ＣＩ、 ）また必要に応じて混入される
ＰまたはＮ型不純物、さらにまたはゲルマニューム、ス
ズ、鉛、ざらにまたは窒素または酸素を含む反応性気体
とを完全に混合した。加えて本発明においてはへリュー
ムまたはネオンを５〜９９％特に：４０〜９０％混入さ
せた。ここで高周波エネルギ１０により化学的にこれら
の反応性気体を活性化させ、さらに一部を互に反応させ
ている。
［］７の高周波加熱炉４からの高周波エネルギにより反
応性気体および基板を励起、反応または加熱できるよう
にしている。さらにその外側に抵抗加熱によるヒータ５
を設置している。排気は６よりバルブ７を経て、真空ポ
ンプ８を経てなされる。反応性気体は９の入口に到るが
基板より離れた位置にて高周波誘導エネルギ１０、ここ
では１〜１００Ｈ２、例えば２．４６ＧＨ２のマイクロ
波エネルギにより化学的に活性化、分解または反応させ
ている。この１０の部分の容器７にて反応性気体である
珪素の化合物例えばシラン（ＳｉＨ４）、ジクロールシ
ラン（ＳｔＨ，ＣＩ、 ）また必要に応じて混入される
ＰまたはＮ型不純物、さらにまたはゲルマニューム、ス
ズ、鉛、ざらにまたは窒素または酸素を含む反応性気体
とを完全に混合した。加えて本発明においてはへリュー
ムまたはネオンを５〜９９％特に：４０〜９０％混入さ
せた。ここで高周波エネルギ１０により化学的にこれら
の反応性気体を活性化させ、さらに一部を互に反応させ
ている。
反応系３（容器７を含む）は１０−Ｉ〜１０’ＴＯｒｒ
特に０．０１〜５Ｔｏｒｒとした。化学的活性を被形成
面より離れて行なうに関しては、本発明人による気相法
で提案した触媒を用いる方法がある。
特に０．０１〜５Ｔｏｒｒとした。化学的活性を被形成
面より離れて行なうに関しては、本発明人による気相法
で提案した触媒を用いる方法がある。
例えば特公昭４９−１２０３３号、特公昭５３−１４５
１８号、特公昭５３−２３６６７号、特公昭５１−１３
８９号を参照されたい。本発明はかかる触媒気相法にお
ける触媒に、はる活性化を積極的に高周波誘導エネルギ
を利用して実施し、これにより化学的活性化または物理
的な励起をより完全にさせたものである。
１８号、特公昭５３−２３６６７号、特公昭５１−１３
８９号を参照されたい。本発明はかかる触媒気相法にお
ける触媒に、はる活性化を積極的に高周波誘導エネルギ
を利用して実施し、これにより化学的活性化または物理
的な励起をより完全にさせたものである。
反応性気体は珪化物気体１４に対してはシラン（ＳｉＨ
４）、ジクロールシラン（ｓｉＨ２ｃ１２）トリクロー
ルシラン（Ｓｉ１１ｃＩ３＞、四塩化珪素（Ｓｉ Ｃｌ
）等があるが、取扱いが容易なシ斗 ランを用いた。価格的にはジクロールシランの方が安価
であり、これを用いてもよい。
４）、ジクロールシラン（ｓｉＨ２ｃ１２）トリクロー
ルシラン（Ｓｉ１１ｃＩ３＞、四塩化珪素（Ｓｉ Ｃｌ
）等があるが、取扱いが容易なシ斗 ランを用いた。価格的にはジクロールシランの方が安価
であり、これを用いてもよい。
Ｐ型の不純物としてボロンをジボラン１５より１０１７
ｃｍ−１〜１０モル％の濃度になるように加え、また
Ｎ型の不純物としてはフｔスヒン（Ｐ Ｈ３）を１０”
Ｃｌ１ｌ−’ 〜２０−Ｅル％の濃度になるように調
整して用いた。アルシン（、Ａ ｓ ）−１，）であっ
てもよい。キャリアガス１２は反応中はへリューム（Ｈ
ｅ ）またはネオン（Ｎｅ ）またはこれらの不活性気
体に水素を５〜３０％混入させて用いたが、反応開始の
前後は低価格の窒素（Ｎ＞を液体窒素により利用した。
ｃｍ−１〜１０モル％の濃度になるように加え、また
Ｎ型の不純物としてはフｔスヒン（Ｐ Ｈ３）を１０”
Ｃｌ１ｌ−’ 〜２０−Ｅル％の濃度になるように調
整して用いた。アルシン（、Ａ ｓ ）−１，）であっ
てもよい。キャリアガス１２は反応中はへリューム（Ｈ
ｅ ）またはネオン（Ｎｅ ）またはこれらの不活性気
体に水素を５〜３０％混入させて用いたが、反応開始の
前後は低価格の窒素（Ｎ＞を液体窒素により利用した。
さらに添加物であるスズ（Ｓｎ）、ゲルマニューム（Ｇ
ｅ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、鉛（Ｐｂ ）はそれら
の水素化物または塩化物の気体を１３より導入した。こ
れらの反応物が室温付近にて液体の場合はへリュームに
よりこの液体をバブルして気化しそれをヘリュームによ
り反応系３に導入させた。
ｅ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、鉛（Ｐｂ ）はそれら
の水素化物または塩化物の気体を１３より導入した。こ
れらの反応物が室温付近にて液体の場合はへリュームに
よりこの液体をバブルして気化しそれをヘリュームによ
り反応系３に導入させた。
反応系は最初容器の内壁に耐着した酸素等を８００〜１
２００℃に５により加熱して除去し、その後排気口側よ
り基板１を挿着したボート２を容器３に入れた。この後
この容器３を真空系８により真空びきし、１０−ＴＯｒ
ｒにまでした。
２００℃に５により加熱して除去し、その後排気口側よ
り基板１を挿着したボート２を容器３に入れた。この後
この容器３を真空系８により真空びきし、１０−ＴＯｒ
ｒにまでした。
さらにしばらくの問へリュームまたはネオンを１２より
流し、反応系をパージした。また高周波Ｉネルギを容器
７に印加し、さらに反応性気体を１３．１４．１５．１
６より必要−１容器７に導入して完全に混合した。その
後反応炉３に導いた。この時１０〜３００Ｗの高周波エ
ネルギ４により励起または活性化を助長させてもよい。
流し、反応系をパージした。また高周波Ｉネルギを容器
７に印加し、さらに反応性気体を１３．１４．１５．１
６より必要−１容器７に導入して完全に混合した。その
後反応炉３に導いた。この時１０〜３００Ｗの高周波エ
ネルギ４により励起または活性化を助長させてもよい。
被膜の成長速度は第２図に示しである。図面より明らか
なごとく、反応性気体を被形成面より１０ｃｍ−：３１
１１例えば１鵬近く離してもキャリアガスを全導入ガス
の５〜９９％例えば７０％のへリュームまたはネオンと
する場合は被膜が曲線２２のごとくに形成され、この被
膜の均−而は形成された膜厚が５０００八にてはロット
間、ロット内のいずれにおいても±２％以内であった。
なごとく、反応性気体を被形成面より１０ｃｍ−：３１
１１例えば１鵬近く離してもキャリアガスを全導入ガス
の５〜９９％例えば７０％のへリュームまたはネオンと
する場合は被膜が曲線２２のごとくに形成され、この被
膜の均−而は形成された膜厚が５０００八にてはロット
間、ロット内のいずれにおいても±２％以内であった。
参考までにこのキャリアガスを同量の窒素とした時は２
３となり、はとんど被膜が形・成されなかった。またへ
リュームの中に水素（Ｈ３）を１５〜３０％添加すると
、被膜の均一度は±３〜４％と悪くなった。基板より離
れてマイクロ波エネルギを加えた場合２２に対し、高周
波エネルギを４により加えても２１とあまり成長速度は
増加しなかった。
３となり、はとんど被膜が形・成されなかった。またへ
リュームの中に水素（Ｈ３）を１５〜３０％添加すると
、被膜の均一度は±３〜４％と悪くなった。基板より離
れてマイクロ波エネルギを加えた場合２２に対し、高周
波エネルギを４により加えても２１とあまり成長速度は
増加しなかった。
ヘリュームまたはネオンをキャリアガスとして形成され
た被膜は温度が室温〜４００’Ｃと低いため多結晶また
はアモルファス構造の非単結晶構造を有している。
た被膜は温度が室温〜４００’Ｃと低いため多結晶また
はアモルファス構造の非単結晶構造を有している。
この非単結晶構造は一般に多数の不対結合手があること
が知られており、例えば本発明装置においてキャリアガ
スを窒素とした時、その再結合中心の密度は１０３〜１
０″ＣＩ ’と多い。
が知られており、例えば本発明装置においてキャリアガ
スを窒素とした時、その再結合中心の密度は１０３〜１
０″ＣＩ ’と多い。
しかしこのキャリアガスをヘリュームまたはネオンとす
ると、これらのガス特にヘリュームは被膜中を自由に動
き得るため、不対結合手は活性化されそれぞれを共有結
合して中和される効果があった。そのため密度は１０″
〜１０″Ｃ１−１と下げることができた。
ると、これらのガス特にヘリュームは被膜中を自由に動
き得るため、不対結合手は活性化されそれぞれを共有結
合して中和される効果があった。そのため密度は１０″
〜１０″Ｃ１−１と下げることができた。
しかしこの際も半導体として用いようとするとこの密度
を１０″〜１０”Ｃ−に下げる必要がある。このため一
般に被膜形成を水素をキャリアガスとしてこの水素を活
性化し、この水素と不対結合手とを結合させて中和する
方法が知られている。しかしこの水素をヘリュームのが
わりにキャリアガスとして用いると被膜の均一度がきわ
めて悪くなり、第１図の装置と同一条件では±８％にな
ってしまった。
を１０″〜１０”Ｃ−に下げる必要がある。このため一
般に被膜形成を水素をキャリアガスとしてこの水素を活
性化し、この水素と不対結合手とを結合させて中和する
方法が知られている。しかしこの水素をヘリュームのが
わりにキャリアガスとして用いると被膜の均一度がきわ
めて悪くなり、第１図の装置と同一条件では±８％にな
ってしまった。
このため本発明においてはキャリアガスはへリュームま
たはネオンとして均一な被膜を作製し、さらにこの被膜
を作製してしまった後、同一反応炉または異なった反応
炉にて水素または水素にヘリュームを混入したガスを化
学的に誘導エネルギにより活性化した。第１図の装置に
おいては高周波誘導炉４により実施した。この時この誘
導エネルギは基板に直角方向に向かせ水素またはへリュ
ームの基板内への仕入・中和を助長させると好ましかっ
た。もちろんこの半導体層をレーザまたはそれと同様の
強光エネルギ（例えばキセノンランプ）により光アニー
ルを行ない、この非単結晶半導体を単結晶化し、さらに
この単結晶化を行なった後またはこの先アニールと同時
に、この誘導エネルギを利用した水素、ヘリュームによ
る中和はきわめて効果が著しい。
たはネオンとして均一な被膜を作製し、さらにこの被膜
を作製してしまった後、同一反応炉または異なった反応
炉にて水素または水素にヘリュームを混入したガスを化
学的に誘導エネルギにより活性化した。第１図の装置に
おいては高周波誘導炉４により実施した。この時この誘
導エネルギは基板に直角方向に向かせ水素またはへリュ
ームの基板内への仕入・中和を助長させると好ましかっ
た。もちろんこの半導体層をレーザまたはそれと同様の
強光エネルギ（例えばキセノンランプ）により光アニー
ルを行ない、この非単結晶半導体を単結晶化し、さらに
この単結晶化を行なった後またはこの先アニールと同時
に、この誘導エネルギを利用した水素、ヘリュームによ
る中和はきわめて効果が著しい。
特にキャリア移動度はレーザアニールにより１０〜１０
０倍になり、はぼ単結晶の理想状態に近くなった。しか
しこの単結晶化はそれだけでは再結晶中心の密度を１０
″〜１Ｑ！１Ｃｒ３にすることができず、１０″〜１０
″ｃｒ”にとどまった。そのためこのレーザアニールの
後のまたは同時に行うＨｌエネルギアニールは理想的な
生結晶半導体を作るのに大きな効宋があった。
０倍になり、はぼ単結晶の理想状態に近くなった。しか
しこの単結晶化はそれだけでは再結晶中心の密度を１０
″〜１Ｑ！１Ｃｒ３にすることができず、１０″〜１０
″ｃｒ”にとどまった。そのためこのレーザアニールの
後のまたは同時に行うＨｌエネルギアニールは理想的な
生結晶半導体を作るのに大きな効宋があった。
その結果Ｐ型またはＮ型の半導体としての被膜を＃Ｊｉ
ｉ層に作ることも、ＰＮ接合、ＰＩＮ接合、ＰＮＰＮ接
合、ＰＮＰＮ・・・町・・ＰＮ接合等を多重に自由に作
ることもできた。このため、本発明方法により作られた
被膜は半導体レーザ、発光素子さらにまたは太陽電池等
の光電変換素子への応用が可能になった。もちろんＭＩ
ｓ型電界効果トランジスタまたは集積回路等にも応用で
き大きな価値を有している。
ｉ層に作ることも、ＰＮ接合、ＰＩＮ接合、ＰＮＰＮ接
合、ＰＮＰＮ・・・町・・ＰＮ接合等を多重に自由に作
ることもできた。このため、本発明方法により作られた
被膜は半導体レーザ、発光素子さらにまたは太陽電池等
の光電変換素子への応用が可能になった。もちろんＭＩ
ｓ型電界効果トランジスタまたは集積回路等にも応用で
き大きな価値を有している。
第１図のマイクロ波を利用する時は、マイクロ波のエネ
ルギはマグネトロン等を利用する。
ルギはマグネトロン等を利用する。
しかし強いエネルギを出すことが実用上困難であるため
、工業生産においてはこの基板より離れた位置での活性
化を１〜１００ＭＨ２の高周波誘導エネルギを用いて実
施してもよい。
、工業生産においてはこの基板より離れた位置での活性
化を１〜１００ＭＨ２の高周波誘導エネルギを用いて実
施してもよい。
基板より離れた位置での高周波エネルギによ、る反応性
気体の活性化、励起、または反応は０゜５〜３ｍ、特に
１〜１．５−近く離れていてもんど減少することはなか
った。
気体の活性化、励起、または反応は０゜５〜３ｍ、特に
１〜１．５−近く離れていてもんど減少することはなか
った。
実施例２
実施例２を第３図に従って説明する。
この図面はＰＮ接合、ＰＩＮ接合、Ｐ Ｎ’Ｐ Ｎ接合
、ＰＮＰＮ・・・・・・・・・ＰＮ接合またはＭＩＳ桐
造のショットキ接合等の基板上の半導体に異種導電型ま
たは同種導電型の半導体層を多層に、自動かつ連続的に
形成するための装置である。
、ＰＮＰＮ・・・・・・・・・ＰＮ接合またはＭＩＳ桐
造のショットキ接合等の基板上の半導体に異種導電型ま
たは同種導電型の半導体層を多層に、自動かつ連続的に
形成するための装置である。
すなわち多数の大型の基板を表裏に重ね合せ、対になっ
て配列した被形成体に対し均一に被膜を形成するために
、本発明によって基板より離れた位置で反応性気体を反
応または活性化させ、かつこの反応または活性状態の反
応生成物または反応性気体をその状態を持続させつつ被
形成面にヘリコームまたはネオンのごとき電離電圧の高
い（２４，１９ｅＶ１２１．５９ ｅＶ）キャリアガス
で搬送することがきわめて重要である。
て配列した被形成体に対し均一に被膜を形成するために
、本発明によって基板より離れた位置で反応性気体を反
応または活性化させ、かつこの反応または活性状態の反
応生成物または反応性気体をその状態を持続させつつ被
形成面にヘリコームまたはネオンのごとき電離電圧の高
い（２４，１９ｅＶ１２１．５９ ｅＶ）キャリアガス
で搬送することがきわめて重要である。
この装置は３０の入口側より基板上に基板３１．３１’
を挿着し、チアンバー４４の開閉にて容器４５に移動さ
せたものである。本発明の実施例においては、２つの基
板の裏面を重ね合せた構造にして反応生成物にとって実
効的な被形成面を２倍に拡大して反応性気体の実質的な
使用口を１／２にした。
を挿着し、チアンバー４４の開閉にて容器４５に移動さ
せたものである。本発明の実施例においては、２つの基
板の裏面を重ね合せた構造にして反応生成物にとって実
効的な被形成面を２倍に拡大して反応性気体の実質的な
使用口を１／２にした。
この後この基板に対しすでに実施例１で記した反応性気
体４０．４Ｌ４２をバルブ３８を開閉して励起ｖ３２に
導入する。この３２においては高周波誘導エネルギ３３
により反応性気体およびキャリアガスを化学的に励起、
活性化または反応せしめ、その後ホモジナイザ３４を経
て容器４５に導入させる。この容器内には基板３１が挿
着されており、必要に応じてこれが毎分３゛〜３０回転
例えば６回／分で、第３図の５０．５０′のごとき方向
に回転させ、反応性気体の導入部の３２側と排気部３６
側とでの被膜成長速度のバラツキを実効的に除去して均
一化をしている。これは形成される被膜の均一度を高め
るためである。
体４０．４Ｌ４２をバルブ３８を開閉して励起ｖ３２に
導入する。この３２においては高周波誘導エネルギ３３
により反応性気体およびキャリアガスを化学的に励起、
活性化または反応せしめ、その後ホモジナイザ３４を経
て容器４５に導入させる。この容器内には基板３１が挿
着されており、必要に応じてこれが毎分３゛〜３０回転
例えば６回／分で、第３図の５０．５０′のごとき方向
に回転させ、反応性気体の導入部の３２側と排気部３６
側とでの被膜成長速度のバラツキを実効的に除去して均
一化をしている。これは形成される被膜の均一度を高め
るためである。
さらにこの基板は高周波誘導工５ネルギ３５により反応
、励起され、不要の反応生成物およびキャリアガスは真
空ポンプ３６より排気される。
、励起され、不要の反応生成物およびキャリアガスは真
空ポンプ３６より排気される。
この排気３７はその後不純物および反応生成物の残余を
フィルタ、トラップにより排除し、ヘリューム等のキャ
リアガスを純化装置にて純化し、再度キャリアガスとし
て４０に導入される閉ループで構成させている。このこ
、とは排気３７′、３７″、３７”′においても同様で
ある。
フィルタ、トラップにより排除し、ヘリューム等のキャ
リアガスを純化装置にて純化し、再度キャリアガスとし
て４０に導入される閉ループで構成させている。このこ
、とは排気３７′、３７″、３７”′においても同様で
ある。
以上のようにして系工において所定の厚さの珪素例えば
１０人〜１０μの珪素を主成分とする被膜が形成され、
かつその場合において■型、Ｐ型またはＮ型の導電性を
示す不純物が被膜生成と同時に基板上にディポジットし
て被膜中に混入される。
１０人〜１０μの珪素を主成分とする被膜が形成され、
かつその場合において■型、Ｐ型またはＮ型の導電性を
示す不純物が被膜生成と同時に基板上にディポジットし
て被膜中に混入される。
系Ｉの処理が終った後、この系の反応性気体および飛翔
中の反応生成物を排気・除去した。
中の反応生成物を排気・除去した。
この後糸Ｈに基板を植立しているボートを移動させる。
この移動においての系工、系■の容器の圧力は同一でな
ければならない。この後系■においても系■と同様に珪
素を主成分とする被膜が設計に従って形成される。この
時系■の基板Ｃよ系■に、系■の基板は系■に系■の基
板は出口５９に移動する。
ければならない。この後系■においても系■と同様に珪
素を主成分とする被膜が設計に従って形成される。この
時系■の基板Ｃよ系■に、系■の基板は系■に系■の基
板は出口５９に移動する。
このそれぞれの系■〜■はＰ型被膜形成、■型被膜形成
（不純物が人為的に混入していない状態）、Ｎ型被膜形
成及び誘導アニールの系を示している。しかし接合をＰ
ＩＮではなく、ＰＮ、ＰＩ ＩＮ、ＰＮＰＮ等々の接合
に、それ等の面を基板表面に概略平行として作る場合は
、その場合に従って系の数を増加または減少させる。
（不純物が人為的に混入していない状態）、Ｎ型被膜形
成及び誘導アニールの系を示している。しかし接合をＰ
ＩＮではなく、ＰＮ、ＰＩ ＩＮ、ＰＮＰＮ等々の接合
に、それ等の面を基板表面に概略平行として作る場合は
、その場合に従って系の数を増加または減少させる。
本発明においては、基板の被形成面に平行に同一の化学
量論に従った被膜が構成され、不純物の最もその種類如
何にかかわらずまたＱｅ。
量論に従った被膜が構成され、不純物の最もその種類如
何にかかわらずまたＱｅ。
Ｓｎ 、Ｐｂ 、Ｎ、Ｏ，Ｃ等の添加物の量も、面方向
に均一である。しかし被膜の形成される方向に、Ｅ（＋
（エネルギバンドギャップ）をｌ０１（３ｅ 、Ｃ
，Ｎ、ｏの量、種類を変える。ことにより制御すること
が可能であり、これもまた本発明の大きな特徴である。
に均一である。しかし被膜の形成される方向に、Ｅ（＋
（エネルギバンドギャップ）をｌ０１（３ｅ 、Ｃ
，Ｎ、ｏの量、種類を変える。ことにより制御すること
が可能であり、これもまた本発明の大きな特徴である。
またこの場合、添加物の量をバルブ３８．３８′によっ
て変えることによりエネルギバンドギャップを連続して
変化させることができる。
て変えることによりエネルギバンドギャップを連続して
変化させることができる。
以上のごとく本発明においては、炭化珪素を基板の被形
成面上に形成させるにあたり、基板より離れた位置で反
応性気体を化学的に活性化、励起または反応せしめ、ま
たこの離れた位置において、珪素または不純物、添加物
を化学量論的に十分混合した。その結果形成された被膜
中に特定の材料が遍在しいわゆる塊状のクラスタが存在
しないような被膜を形成した。これも本発明の特徴であ
る。
成面上に形成させるにあたり、基板より離れた位置で反
応性気体を化学的に活性化、励起または反応せしめ、ま
たこの離れた位置において、珪素または不純物、添加物
を化学量論的に十分混合した。その結果形成された被膜
中に特定の材料が遍在しいわゆる塊状のクラスタが存在
しないような被膜を形成した。これも本発明の特徴であ
る。
本発明の実施例においては珪素を主体として記した。し
かしこの珪素に対し窒素を添加してｓｒ Ｎ （
０＜Ｘ ＜４）、ゲルマニューム３ ４−ｘ を添加して５ｔｘＧｅ、−、（Ｑ＜ｘ ＜ １ ） 、
スズを一添加し：Ｓｉ＋ｃＳｎｌ−ｘ （０＜Ｘ’＜
１）、鉛を添加して５ｔｘＰｂ＋−ｘ （０＜ｘ＜１
）、酸素を添加してＳｉ ０２−Ｘ （０＜Ｘ ＜２
） 、炭素を添加して５ｉｘｃ、−ｘ（０＜Ｘ ＜ １
）のごとき混合物を作製してもよいことはいうまでも
ない。またこれらのＸの値によってはＳｉのみではなく
Ｇｅ、３ｎ等が形成されることもありうる。またこれら
の半導体に対し、ＰまたはＮ型の不純物を同時に混入さ
せることも、その目的によってなされ、特にＰ型の不純
物としてＢに加えて導電性不純物のＩｎ、Ｚｎを添加し
、またＮ型の不純物としてのＰに加えてＳｂ 、 Ｔｅ
、またはＳｅを添加し不純物の活性度を向上させても
よい。
かしこの珪素に対し窒素を添加してｓｒ Ｎ （
０＜Ｘ ＜４）、ゲルマニューム３ ４−ｘ を添加して５ｔｘＧｅ、−、（Ｑ＜ｘ ＜ １ ） 、
スズを一添加し：Ｓｉ＋ｃＳｎｌ−ｘ （０＜Ｘ’＜
１）、鉛を添加して５ｔｘＰｂ＋−ｘ （０＜ｘ＜１
）、酸素を添加してＳｉ ０２−Ｘ （０＜Ｘ ＜２
） 、炭素を添加して５ｉｘｃ、−ｘ（０＜Ｘ ＜ １
）のごとき混合物を作製してもよいことはいうまでも
ない。またこれらのＸの値によってはＳｉのみではなく
Ｇｅ、３ｎ等が形成されることもありうる。またこれら
の半導体に対し、ＰまたはＮ型の不純物を同時に混入さ
せることも、その目的によってなされ、特にＰ型の不純
物としてＢに加えて導電性不純物のＩｎ、Ｚｎを添加し
、またＮ型の不純物としてのＰに加えてＳｂ 、 Ｔｅ
、またはＳｅを添加し不純物の活性度を向上させても
よい。
本発明においてキャリアガスとしての不活性ガスはへリ
ュームまたはネオンに限定した。それはヘリコームの電
離電圧が２１５７ｅＶ。
ュームまたはネオンに限定した。それはヘリコームの電
離電圧が２１５７ｅＶ。
ネオンのそれが２１ 、５９ｅＶであり−その他の不活
性気体であるΔｒ Ｎ Ｋｒ Ｎ Ｎ２ が１０〜１
５’ ｅＶと前二者に比べて小さい。その結果このｌ−
（０またはＮｅが電離状態を長く持続し、かつその所有
づる活性エネルギが大きい。その結果）１０またはＮｅ
が被形成面上での反応生成物の被膜化に際し、均一な被
膜化をさせ、かつ反応性気体の実質的な平均自由工程を
大きくさせているものと推定される。これらは実験事実
より得られたもので、特にヘリュームは本発明装置のご
とく大型の１０〜３０ｃｍ角の基板上に半導体被膜を均
一に作製せんとした時、反応性気体を離れた位置で活性
に必要なチアンバを実用上許容できる程麿に小さく作っ
ておいても均一度が高い被膜が得られるという大きな特
徴を有している。
性気体であるΔｒ Ｎ Ｋｒ Ｎ Ｎ２ が１０〜１
５’ ｅＶと前二者に比べて小さい。その結果このｌ−
（０またはＮｅが電離状態を長く持続し、かつその所有
づる活性エネルギが大きい。その結果）１０またはＮｅ
が被形成面上での反応生成物の被膜化に際し、均一な被
膜化をさせ、かつ反応性気体の実質的な平均自由工程を
大きくさせているものと推定される。これらは実験事実
より得られたもので、特にヘリュームは本発明装置のご
とく大型の１０〜３０ｃｍ角の基板上に半導体被膜を均
一に作製せんとした時、反応性気体を離れた位置で活性
に必要なチアンバを実用上許容できる程麿に小さく作っ
ておいても均一度が高い被膜が得られるという大きな特
徴を有している。
さらにまた本発明の実施例においては、被膜は半導体で
あることを主として記している。しかしこの被膜は導体
特に透明電極を構成させるスズ、インジュームまたはア
ンチモンの酸化物または窒化物を一重または多重に形成
させるための被膜形成に対しても有効である。その時は
それらのハロゲン化物、例えば塩化スズ（ＳｎＣ１４）
、塩化インジューム（Ｉｎ Ｃ１ａｘＨ２０）の液体を
ヘリゴー６ムにてバブルし、気化、霧化した反応性気体
を高周波誘導炉にて化学的に活性化して、さらにそれよ
り離れた位置にある被膜表面上に被膜として作製しても
よい。
あることを主として記している。しかしこの被膜は導体
特に透明電極を構成させるスズ、インジュームまたはア
ンチモンの酸化物または窒化物を一重または多重に形成
させるための被膜形成に対しても有効である。その時は
それらのハロゲン化物、例えば塩化スズ（ＳｎＣ１４）
、塩化インジューム（Ｉｎ Ｃ１ａｘＨ２０）の液体を
ヘリゴー６ムにてバブルし、気化、霧化した反応性気体
を高周波誘導炉にて化学的に活性化して、さらにそれよ
り離れた位置にある被膜表面上に被膜として作製しても
よい。
特に太陽電池等の光を利用する半導体装置の一方または
双方の電極を作製する４点よ、本発明によって半導体層
を形成する前または半導体層を本発明方法により形成し
た後に透明の導電性被膜を連続的に形成することによっ
て、その電極を作製することが可能であり、このように
すれば、電極を工学的に一員した流れ作業が可能になる
。
双方の電極を作製する４点よ、本発明によって半導体層
を形成する前または半導体層を本発明方法により形成し
た後に透明の導電性被膜を連続的に形成することによっ
て、その電極を作製することが可能であり、このように
すれば、電極を工学的に一員した流れ作業が可能になる
。
また透明の導電性被膜としては酸化物ではなく窒化物例
えば窒化チタン、窒化タンタル、窒化スズ等を用いても
よい。この時は反応性気体とじて塩化物のチタン、タン
タル、スズ等とアンモニアのごとき窒化気体とを反応さ
せればよい。
えば窒化チタン、窒化タンタル、窒化スズ等を用いても
よい。この時は反応性気体とじて塩化物のチタン、タン
タル、スズ等とアンモニアのごとき窒化気体とを反応さ
せればよい。
基板としては実施例１で述べた以外のＧａＡＳ 、Ｇａ
へ１ΔＳ、ＢＰ、ＣｄＳ等の化合物半導体でなるものと
してもよいことはいうまでもない。
へ１ΔＳ、ＢＰ、ＣｄＳ等の化合物半導体でなるものと
してもよいことはいうまでもない。
本発明で形成された半導体または導体被膜特に珪素を主
成分とする￥導体被膜に対しフォトエッチ技術を用いて
選択的にＰまたはＮ型の不純物を注入または拡散してＰ
Ｎ接合を部分的に作り、さらに必要に応じビ部分的にレ
ーザアニールを施して、この接合を利用したトランジス
タ、ダイオード、可視光レーザ、発光素子または光電変
換素子を作ってもよい。特にエネルギバンドギャップを
Ｗ−Ｎ （ＷＩＤＥ Ｔｏ ＮＡＬＬＯＷ）構成（
Ｗ側を２〜３ｅＶ、Ｎ側を１〜１．５ｅＶ）とした、Ｐ
ＩＮ、ＭＩＮＰＮ接合、ＰＮＰＮ接合、ＭＩＰＮ接合型
構成とし、その上面に本発明による透明の導電性電極を
形成し、これを反射防止膜の効果もかねさせてもい よ符。このようにすれば光電変換効率を１５〜３０％に
まで向−トさせることができ、工業的に有用である。
成分とする￥導体被膜に対しフォトエッチ技術を用いて
選択的にＰまたはＮ型の不純物を注入または拡散してＰ
Ｎ接合を部分的に作り、さらに必要に応じビ部分的にレ
ーザアニールを施して、この接合を利用したトランジス
タ、ダイオード、可視光レーザ、発光素子または光電変
換素子を作ってもよい。特にエネルギバンドギャップを
Ｗ−Ｎ （ＷＩＤＥ Ｔｏ ＮＡＬＬＯＷ）構成（
Ｗ側を２〜３ｅＶ、Ｎ側を１〜１．５ｅＶ）とした、Ｐ
ＩＮ、ＭＩＮＰＮ接合、ＰＮＰＮ接合、ＭＩＰＮ接合型
構成とし、その上面に本発明による透明の導電性電極を
形成し、これを反射防止膜の効果もかねさせてもい よ符。このようにすれば光電変換効率を１５〜３０％に
まで向−トさせることができ、工業的に有用である。
第１図は本発明の半導体被膜特に珪素被膜を形成するた
めの製造装置の実施例である。第２図は本発明方法によ
って得られた被膜の特性である。第３図は本発明を実施
する他の製造装置の例である。 出願人 山 崎 舜 平 ＠１ 図 ５ 第２図 ４００ ２００ ２５ ”Ｃ ７丁（て”）
めの製造装置の実施例である。第２図は本発明方法によ
って得られた被膜の特性である。第３図は本発明を実施
する他の製造装置の例である。 出願人 山 崎 舜 平 ＠１ 図 ５ 第２図 ４００ ２００ ２５ ”Ｃ ７丁（て”）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板が、その上に、Ｐ型及びＮ型の何れか１つの導電型
を有する第１の非単結晶半導体層を形成させるために、
配される第１の反応炉と、上記第１の反応炉と、第１の
シャッタ手段を介して連通し、上記第１の非単結晶半導
体層を形成している上記基板が、上記第１の非単結晶半
導体層上に、Ｉ型を有する第２の非単結晶半導体層を形
成するために、配される第２の反応炉と、 上記第２の反応炉と第２のシャッタ手段を介して連通し
、上記第１及び第２の非単結晶半導体層を形成している
上記基板が、上記第２の非単結晶半導体層上に、Ｐ型及
びＮ型の何れか１つの導電型を有する第３の非単結晶半
導体層を形成するために、配される第会の反応炉と、上
記第１の反応炉内に、第１の半導体材料ガスと、上記第
１の非単結晶半導体層にＰ型及びＮ型の何れか１つの導
電型を与える第１の不純物ガスと −を含む第１
の 嚇壜ガスを導入させるための、上記第１の反応炉に、第
１のガス供給制御手段を介して連結されている第１のガ
ス源と、 上記第２の反応炉内に、第２の半導体ｖＪＦｌガスを含
む第２のガスを導入させるための、上記第２の反応炉に
、第２のガス供給制御手段を介して連結されている第２
のガス源と、 上記第３の反応炉内に、第３の半導体材料ガスと上記第
３の非単結晶半導体層にＰ方及びＮ方のいずれか１つの
導電型を与える第３の不純物ガスとを含む第３のガスを
導入させるだめの、上記第３の反応炉に、第３のガス供
給制御手段を介じて連結されている第３のガス源と、上
記第１の反応炉内に導入されている第１のガスを第１の
ガスプラズマにイオン化させるための、第１のガスイオ
ン化手段と、 上記第２の反応炉内に導入されている第２のガスを第２
のガスプラズマにイオン化Ｓせるための、第２のガスイ
オン化手段と、 上記第３の反応炉内に導入されている第３０ガスを第３
のガスプラズマにイオン化さぜるｔめの、第３のガスイ
オン化手段と、 上記第１の反応炉内に、上記基板上に上記舞１の非単結
晶半導体層を形成する第１の半導引材料を堆積させるた
めに、上記第１のガスプラズマを流し、且つ上記第１の
反応炉内を、１安。 圧以下の圧力に維持させるための、上記第１ｃ反応炉に
、第１のガス維持排出手段を介して連結されている第１
のガス排出手段と、 上記第２の反応炉内に、上記第１の非単結晶半導体層上
に上記第２の非単結晶半導体層を形成する第２の半導体
材料を堆積させるために、上記第２のガスプラズマを流
し、且つ上記第２の反応炉内を、１気圧以下の圧力に維
持させるための、上記第２の反応炉に、連結されている
第２めガス排出手段と、 上記第３の反応炉内に、上記第２の非単結晶半導体層上
に上記第３の非単結晶半導体層を形成する第３の半導体
材料を堆積させるために、） 上記第３のガスプラ
ズマを流し、且つ一ト記第３の反応炉内を、１気圧以下
の圧力に維持させるための、上記第３の反応炉に連結さ
れている第１ ３のガス排出手段と、 上記第１、第２及び第３の反応炉内において、上記基板
の温度を、上記基板、上記第１の非単結晶半導体層及び
上記第２の非単結晶半導体層上にそれぞれ堆積された半
導体材料が単結晶化されるよりも低い温度に維持させる
手段とを有することを特徴とする非単結晶半導体層形成
用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192055A JPS5895550A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 非単結晶半導体層形成用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192055A JPS5895550A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 非単結晶半導体層形成用装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54104452A Division JPS6029295B2 (ja) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | 非単結晶被膜形成法 |
Related Child Applications (6)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62229326A Division JPS63177416A (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 被膜形成用装置 |
| JP62229327A Division JPS63177417A (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 被膜形成用装置 |
| JP22932987A Division JPS63171882A (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 被膜形成方法 |
| JP22932887A Division JPS63171881A (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 被膜形成方法 |
| JP1323427A Division JPH02217476A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 被膜形成方法 |
| JP3201580A Division JP2592365B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 被膜作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895550A true JPS5895550A (ja) | 1983-06-07 |
| JPS642193B2 JPS642193B2 (ja) | 1989-01-13 |
Family
ID=16284862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192055A Granted JPS5895550A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 非単結晶半導体層形成用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895550A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067673A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法 |
| JPS6214417A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 炭素薄膜の成膜方法 |
| JPS62152529A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS62281338A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシヤル成長方法 |
| JPS6319811A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | Toshiba Corp | 非晶質シリコン膜の製造方法 |
| JPS63171882A (ja) * | 1987-09-12 | 1988-07-15 | Shunpei Yamazaki | 被膜形成方法 |
| JPS63171881A (ja) * | 1987-09-12 | 1988-07-15 | Shunpei Yamazaki | 被膜形成方法 |
| JPH01100271A (ja) * | 1987-09-11 | 1989-04-18 | Inco Ltd | 非金属基質の金属被覆法 |
| US5512102A (en) * | 1985-10-14 | 1996-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| JP2004207708A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、並びに薄膜トランジスタの作製方法 |
| CN100361278C (zh) * | 2002-08-30 | 2008-01-09 | 株式会社日立高新技术 | 判定半导体制造工艺状态的方法和半导体制造装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4833150A (ja) * | 1971-08-28 | 1973-05-08 | ||
| JPS51106632A (ja) * | 1975-03-17 | 1976-09-21 | Citizen Watch Co Ltd | Butsupinshorisochi |
| JPS531465A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturer for semiconductor mono crystal thin film and its manufacturing unit |
| JPS5337718A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-07 | Asahi Glass Co Ltd | Laminated glass with heating wire incorporated therein |
| JPS53117529U (ja) * | 1977-02-24 | 1978-09-19 | ||
| JPS53149049U (ja) * | 1977-04-26 | 1978-11-24 | ||
| JPS54153740A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Ulvac Corp | Continuous vacuum treatment apparatus |
| JPS5628637A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-20 | Shunpei Yamazaki | Film making method |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP57192055A patent/JPS5895550A/ja active Granted
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4833150A (ja) * | 1971-08-28 | 1973-05-08 | ||
| JPS51106632A (ja) * | 1975-03-17 | 1976-09-21 | Citizen Watch Co Ltd | Butsupinshorisochi |
| JPS531465A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturer for semiconductor mono crystal thin film and its manufacturing unit |
| JPS5337718A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-07 | Asahi Glass Co Ltd | Laminated glass with heating wire incorporated therein |
| JPS53117529U (ja) * | 1977-02-24 | 1978-09-19 | ||
| JPS53149049U (ja) * | 1977-04-26 | 1978-11-24 | ||
| JPS54153740A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Ulvac Corp | Continuous vacuum treatment apparatus |
| JPS5628637A (en) * | 1979-08-16 | 1981-03-20 | Shunpei Yamazaki | Film making method |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344148B2 (ja) * | 1983-09-22 | 1991-07-05 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| JPS6067673A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法 |
| JPS6214417A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 炭素薄膜の成膜方法 |
| US5512102A (en) * | 1985-10-14 | 1996-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| JPS62152529A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS62281338A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシヤル成長方法 |
| JPS6319811A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | Toshiba Corp | 非晶質シリコン膜の製造方法 |
| JPH01100271A (ja) * | 1987-09-11 | 1989-04-18 | Inco Ltd | 非金属基質の金属被覆法 |
| JPS63171881A (ja) * | 1987-09-12 | 1988-07-15 | Shunpei Yamazaki | 被膜形成方法 |
| JPH0532473B2 (ja) * | 1987-09-12 | 1993-05-17 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| JPH0535224B2 (ja) * | 1987-09-12 | 1993-05-26 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| JPS63171882A (ja) * | 1987-09-12 | 1988-07-15 | Shunpei Yamazaki | 被膜形成方法 |
| CN100361278C (zh) * | 2002-08-30 | 2008-01-09 | 株式会社日立高新技术 | 判定半导体制造工艺状态的方法和半导体制造装置 |
| JP2004207708A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、並びに薄膜トランジスタの作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS642193B2 (ja) | 1989-01-13 |
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