JPS6236632B2 - - Google Patents
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- JPS6236632B2 JPS6236632B2 JP56055606A JP5560681A JPS6236632B2 JP S6236632 B2 JPS6236632 B2 JP S6236632B2 JP 56055606 A JP56055606 A JP 56055606A JP 5560681 A JP5560681 A JP 5560681A JP S6236632 B2 JPS6236632 B2 JP S6236632B2
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- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上に複数の半導体膜を層状に積
層して形成するに際し、それぞれの半導体膜に対
応してプラズマ気相反応装置を独立して設け、さ
らにそれぞれの装置を互いに連結して構成せしめ
るとともに、プラズマ化された反応性気体の流れ
にそつて基板の被形成面を配置して被膜形成を多
量に一度に行なうとともに、プラズマエネルギが
被形成面を反応性気体を衝突せしめることにより
損傷させることがないようにすることを目的とす
る。
層して形成するに際し、それぞれの半導体膜に対
応してプラズマ気相反応装置を独立して設け、さ
らにそれぞれの装置を互いに連結して構成せしめ
るとともに、プラズマ化された反応性気体の流れ
にそつて基板の被形成面を配置して被膜形成を多
量に一度に行なうとともに、プラズマエネルギが
被形成面を反応性気体を衝突せしめることにより
損傷させることがないようにすることを目的とす
る。
本発明はかかる半導体膜を水素またはハロゲン
元素が添加された非単結晶半導体、好ましくは炭
化珪素被膜（SiCのみでなく、本発明においては
Si1-xCx、０ｘ＜１の総称特にＸ＝０において
はSiを意味する）であつて、この被膜を基板上に
積層してＰ、Ｉ、Ｎ型の半導体層をPI、NI、PN
接合またはそれらを重ね合せた結果、PNPN、
PIN、PNI等の接合をそれぞれの導電型またはそ
の半導体層を構成する成分が互いに混入し合わな
いように独立して順次基板上に積層して形成せし
める方法に関する。
元素が添加された非単結晶半導体、好ましくは炭
化珪素被膜（SiCのみでなく、本発明においては
Si1-xCx、０ｘ＜１の総称特にＸ＝０において
はSiを意味する）であつて、この被膜を基板上に
積層してＰ、Ｉ、Ｎ型の半導体層をPI、NI、PN
接合またはそれらを重ね合せた結果、PNPN、
PIN、PNI等の接合をそれぞれの導電型またはそ
の半導体層を構成する成分が互いに混入し合わな
いように独立して順次基板上に積層して形成せし
める方法に関する。
従来炭化珪素とは熱的に作製する場合はカーボ
ン板を還元雰囲気であつてかつ珪素気体例えば四
塩化珪素中に1200〜2000℃の温度にし、この板上
に１〜15μの被膜を形成する固相−気相反応が知
られている。しかしこの方法においては基板はカ
ーボン上に限られており、カーボン板の酸化防止
材程度にしか真性の炭化珪素は用いられなかつ
た。
ン板を還元雰囲気であつてかつ珪素気体例えば四
塩化珪素中に1200〜2000℃の温度にし、この板上
に１〜15μの被膜を形成する固相−気相反応が知
られている。しかしこの方法においては基板はカ
ーボン上に限られており、カーボン板の酸化防止
材程度にしか真性の炭化珪素は用いられなかつ
た。
本発明はかかる高温で初めて作られる炭化珪素
をプラズマ気相法特に0.01〜10torrの圧力雰囲気
のプラズマ減圧気相法を用いたもので低温（200
〜800℃）で作製する際、珪化物気体と炭化物気
体との反応またはそれらに同時に価または価
の不純物気体例えばジボランまたはフオスヒンを
添加してＰまたはＮ型の導電型を有する炭化珪素
被膜を設けることを特徴としている。
をプラズマ気相法特に0.01〜10torrの圧力雰囲気
のプラズマ減圧気相法を用いたもので低温（200
〜800℃）で作製する際、珪化物気体と炭化物気
体との反応またはそれらに同時に価または価
の不純物気体例えばジボランまたはフオスヒンを
添加してＰまたはＮ型の導電型を有する炭化珪素
被膜を設けることを特徴としている。
本発明においては炭化珪素に関しSi1-oCx（０
ｘ＜１）の範囲で珪化物気体と炭化物気体を混
合することにより任意に制御できる。もちろん、
ｘ＝０においては珪素被膜であり、これは本発明
者によるプラズマを用いる場合、減圧気相法（特
公昭51−1389）にすべて示されている。またｘ＝
１においては、形成される被膜は純粋の炭素（グ
ラフアイト）であるため半導体被膜とはならな
い。
ｘ＜１）の範囲で珪化物気体と炭化物気体を混
合することにより任意に制御できる。もちろん、
ｘ＝０においては珪素被膜であり、これは本発明
者によるプラズマを用いる場合、減圧気相法（特
公昭51−1389）にすべて示されている。またｘ＝
１においては、形成される被膜は純粋の炭素（グ
ラフアイト）であるため半導体被膜とはならな
い。
また従来スパツタ法で炭化珪素を基板上に形成
する方法が知られている。しかしこの方法は炭素
板と珪素板を反応容器に入れスパツタ法でたたき
飛翔中に炭素と珪素とを反応せしめ基板上に真性
の炭化珪素を形成させたものである。
する方法が知られている。しかしこの方法は炭素
板と珪素板を反応容器に入れスパツタ法でたたき
飛翔中に炭素と珪素とを反応せしめ基板上に真性
の炭化珪素を形成させたものである。
しかしこのような方法においては形成される炭
化珪素は化学量論的に均質ではなく被膜中に炭素
のクラスタ（塊）または珪素のクラスタが存在し
てしまう。かかる場合炭化珪素はその化学量論に
より定められたエネルギバンド（帯）を有する
が、その中の炭素はグラフアイトと同じく導体、
また珪素は1.1eVの多結晶半導体になつてしま
う。このような状態はこの炭化珪素を化合物半導
体として利用しようとする場合最も大きな障害と
なつていることがわかつた。
化珪素は化学量論的に均質ではなく被膜中に炭素
のクラスタ（塊）または珪素のクラスタが存在し
てしまう。かかる場合炭化珪素はその化学量論に
より定められたエネルギバンド（帯）を有する
が、その中の炭素はグラフアイトと同じく導体、
また珪素は1.1eVの多結晶半導体になつてしま
う。このような状態はこの炭化珪素を化合物半導
体として利用しようとする場合最も大きな障害と
なつていることがわかつた。
このスパツタ法により形成された炭化珪素膜中
のクラスタは数十原子〜数万原子が集まり変動直
径が数十Ａ〜数千Ａの粒状または板状の塊構造を
有している。塊の境界は加速エネルギによつて必
ずしも明確にはなつていない場合もある。特に炭
素のクラスタは化学的にきわめて安定であり、こ
のクラスタを被膜が形成されてしまつた後アニー
ルにより消滅させることは不可能である。このた
め化学量論的に均一な炭素と珪素との配分とする
ためこれらのクラスタが被膜の形成時に発生して
膜中に局部的に炭素または珪素のクラスタを生じ
させないＰまたはＮ型の炭化珪素被膜およびその
作製方法はきわめて重要である。本発明はかかる
炭素または珪素のクラスタを発生させることな
く、いわゆる均質な膜厚のＰまたはＮ型の炭化珪
素または珪素被膜を形成させることを成就したも
のである。
のクラスタは数十原子〜数万原子が集まり変動直
径が数十Ａ〜数千Ａの粒状または板状の塊構造を
有している。塊の境界は加速エネルギによつて必
ずしも明確にはなつていない場合もある。特に炭
素のクラスタは化学的にきわめて安定であり、こ
のクラスタを被膜が形成されてしまつた後アニー
ルにより消滅させることは不可能である。このた
め化学量論的に均一な炭素と珪素との配分とする
ためこれらのクラスタが被膜の形成時に発生して
膜中に局部的に炭素または珪素のクラスタを生じ
させないＰまたはＮ型の炭化珪素被膜およびその
作製方法はきわめて重要である。本発明はかかる
炭素または珪素のクラスタを発生させることな
く、いわゆる均質な膜厚のＰまたはＮ型の炭化珪
素または珪素被膜を形成させることを成就したも
のである。
以下に本発明を実施するための参考例を図面に
従つて説明する。
従つて説明する。
参考例 １
基板は導体基板（ステンレス、チタン、窒化チ
タン、その他の金属）、半導体（珪素、炭化珪
素、ゲルマニユーム）、絶縁体（アルミナ、ガラ
ス、有機物質）または複合基板（絶縁基板上に酸
化スズ、ITO等の導電膜が形成されたもの、絶縁
基板上に選択的に導体電極が形成されたもの）を
用いた。本参考例のみならず本発明のすべてにお
いてこれらを総称して基板という。もちろんこの
基板は可曲性であつても、また固い板であつても
よい。
タン、その他の金属）、半導体（珪素、炭化珪
素、ゲルマニユーム）、絶縁体（アルミナ、ガラ
ス、有機物質）または複合基板（絶縁基板上に酸
化スズ、ITO等の導電膜が形成されたもの、絶縁
基板上に選択的に導体電極が形成されたもの）を
用いた。本参考例のみならず本発明のすべてにお
いてこれらを総称して基板という。もちろんこの
基板は可曲性であつても、また固い板であつても
よい。
第１図に示した反応系において誘導エネルギー
を用いた気相法を用いて炭化珪素半導体を形成し
たものである。基板１はボート（例えば石英）２
に対して林立させた。
を用いた気相法を用いて炭化珪素半導体を形成し
たものである。基板１はボート（例えば石英）２
に対して林立させた。
基板は200μ−２mmの厚さの10cm□を本参考例
においては用いた。この基板を反応容器３に封じ
た。この反応容器は１〜20MHz、特に13.56MHz
の高周波加熱炉４の高周波エネルギにより反応性
気体および基板を励起、反応または加熱できるよ
うにしている。さらにその外側に抵抗加熱による
ヒータ５を設置している。排気は６よりバルブ１
１を経て、真空ポンプ８を経てなされる。反応性
気体は９の入口に到るが、基板より離れた位置に
て高周波エネルギ１０、ここでは１〜10GHz、
例えば2.46GHzのマイクロ波エネルギにより学的
に活性化、分解または反応させている。この１０
の部分の容器７にて反応性気体である炭素と珪素
または必要に応じて混入されるＰまたはＮ型不純
物を完全に混合した。さらに高周波ネルギにより
化学的にこれらの反応性気体を活性化させ、さら
に一部を互いに反応させている。またミクサー１
７にて珪化物と炭化物はあらかじめ十分混合して
よい。反応系３（容器７を含む）は10-3〜
102torr特に0.01〜10torrとした。
においては用いた。この基板を反応容器３に封じ
た。この反応容器は１〜20MHz、特に13.56MHz
の高周波加熱炉４の高周波エネルギにより反応性
気体および基板を励起、反応または加熱できるよ
うにしている。さらにその外側に抵抗加熱による
ヒータ５を設置している。排気は６よりバルブ１
１を経て、真空ポンプ８を経てなされる。反応性
気体は９の入口に到るが、基板より離れた位置に
て高周波エネルギ１０、ここでは１〜10GHz、
例えば2.46GHzのマイクロ波エネルギにより学的
に活性化、分解または反応させている。この１０
の部分の容器７にて反応性気体である炭素と珪素
または必要に応じて混入されるＰまたはＮ型不純
物を完全に混合した。さらに高周波ネルギにより
化学的にこれらの反応性気体を活性化させ、さら
に一部を互いに反応させている。またミクサー１
７にて珪化物と炭化物はあらかじめ十分混合して
よい。反応系３（容器７を含む）は10-3〜
102torr特に0.01〜10torrとした。
反応性気体は珪化物気体１４に対してはシラン
（SiH4）、ジクロールシラン（SiH2Cl1）、トリクロ
ールシラン（SiHCl2）、四塩化珪素（SiCl4）等が
あるが、取りあつかいが容易なシランを用いた。
価格的にはジクロールシランの方が安価でありこ
れを用いてもよい。
（SiH4）、ジクロールシラン（SiH2Cl1）、トリクロ
ールシラン（SiHCl2）、四塩化珪素（SiCl4）等が
あるが、取りあつかいが容易なシランを用いた。
価格的にはジクロールシランの方が安価でありこ
れを用いてもよい。
炭化物気体１３に対してはメタン（CH4）、エ
タン（C2H6）、プロパン（C3H8）のような炭化水
素であつても、また四塩化炭素（CCl4）のような
塩化炭素であつてもよい。ここではメタンを用い
た。炭化珪素に対しては、Ｐ型の不純物としてボ
ロンをジボラン１５より1016〜９×1020cm-3の濃
度になるように加え、またＮ型の不純物としては
フオスヒン（PH2）を１６より1016〜９×1021mm-3
の濃度になるように調整して用いた。アルシン
（AsH2）であつてもよい。キヤリアガス１２は反
応中は水素（H2）または塩化水素（HCl）を用い
たが、反応開始の窒素（N2）を液体窒素により利
用した。反応系は最初容器の内壁に付着した酸素
等を800〜1200℃に加熱して除去し、その後排気
口側より基板１を挿着したボート２を容器３に入
れた。この後この容器３を真空系８により真空引
きし、10-3torrにまでした。さらにしばらくの間
水素を10〜40％混入した窒素を流し、反応系をパ
ージした。また高周波エネルギを容器７に印加
し、さらに基板を200〜800℃に５により加熱し
た。この時10〜300Wに高周波エネルギ４により
励起または活性化を助長させてもよい。
タン（C2H6）、プロパン（C3H8）のような炭化水
素であつても、また四塩化炭素（CCl4）のような
塩化炭素であつてもよい。ここではメタンを用い
た。炭化珪素に対しては、Ｐ型の不純物としてボ
ロンをジボラン１５より1016〜９×1020cm-3の濃
度になるように加え、またＮ型の不純物としては
フオスヒン（PH2）を１６より1016〜９×1021mm-3
の濃度になるように調整して用いた。アルシン
（AsH2）であつてもよい。キヤリアガス１２は反
応中は水素（H2）または塩化水素（HCl）を用い
たが、反応開始の窒素（N2）を液体窒素により利
用した。反応系は最初容器の内壁に付着した酸素
等を800〜1200℃に加熱して除去し、その後排気
口側より基板１を挿着したボート２を容器３に入
れた。この後この容器３を真空系８により真空引
きし、10-3torrにまでした。さらにしばらくの間
水素を10〜40％混入した窒素を流し、反応系をパ
ージした。また高周波エネルギを容器７に印加
し、さらに基板を200〜800℃に５により加熱し
た。この時10〜300Wに高周波エネルギ４により
励起または活性化を助長させてもよい。
被膜の成長速度は第２図に示してあるが、マイ
クロ波エネルギと高周波エネルギとを加えた場合
は２１、マイクロ波エネルギのみでは２２、また
これらを全く加えない場合には２３が得られた。
基板に単に抵抗加熱のみしたのではほとんど炭化
珪素被膜は成長しないことがわかつた。加えてマ
イクロ波エネルギによる励起はきわめて効果があ
ることがわかつた。第２図は炭化物気体と珪化物
気体を１：１にして混入し、水素のキヤリアガス
を反応性気体とも１：10とした場合である。もち
ろん形成された被膜中に珪素成分が多くなればそ
の成長速度は全体に増加し、逆に炭化物気体が多
くなると減少してしまつた。炭化物気体のみでは
形成された被膜成分は膜状にならなかつた。
クロ波エネルギと高周波エネルギとを加えた場合
は２１、マイクロ波エネルギのみでは２２、また
これらを全く加えない場合には２３が得られた。
基板に単に抵抗加熱のみしたのではほとんど炭化
珪素被膜は成長しないことがわかつた。加えてマ
イクロ波エネルギによる励起はきわめて効果があ
ることがわかつた。第２図は炭化物気体と珪化物
気体を１：１にして混入し、水素のキヤリアガス
を反応性気体とも１：10とした場合である。もち
ろん形成された被膜中に珪素成分が多くなればそ
の成長速度は全体に増加し、逆に炭化物気体が多
くなると減少してしまつた。炭化物気体のみでは
形成された被膜成分は膜状にならなかつた。
第３図は炭素／珪素の比と光学的なエネルギギ
ヤツプとの関係を測定したものである。マイクロ
波エネルギと高周波エネルギとを加えた場合は３
３が、またマイクロ波エネルギのみでは３２が、
さらに高周波エネルギのみでは３１がスパツタ法
等では３０が得られた。これらより炭素が多くな
ると被膜中の炭素成分が0.7までは単純に増加
し、その後はエネルギギヤツプが減少してきてい
る。
ヤツプとの関係を測定したものである。マイクロ
波エネルギと高周波エネルギとを加えた場合は３
３が、またマイクロ波エネルギのみでは３２が、
さらに高周波エネルギのみでは３１がスパツタ法
等では３０が得られた。これらより炭素が多くな
ると被膜中の炭素成分が0.7までは単純に増加
し、その後はエネルギギヤツプが減少してきてい
る。
光学成分が０＜ｘ＜0.7においては、エネルギ
ギヤツプはどの場合でも増加していつている。
ギヤツプはどの場合でも増加していつている。
しかしその増加の程度は被膜中に珪素のクラス
タまたは炭素のクラスタが存在する場合は小さく
出てしまう。これらにより基板より離れた位置で
炭化物気体と珪化物気体とを完全に混合しておく
ことはきわめて重要であり、かつＣ−Ｈ結合、Si
−Ｈ結合、Ｃ−Ｃ結合、Si−Si結合をすべて化学
的に励起または分解しておくこともきわめて重要
であることがわかつた。
タまたは炭素のクラスタが存在する場合は小さく
出てしまう。これらにより基板より離れた位置で
炭化物気体と珪化物気体とを完全に混合しておく
ことはきわめて重要であり、かつＣ−Ｈ結合、Si
−Ｈ結合、Ｃ−Ｃ結合、Si−Si結合をすべて化学
的に励起または分解しておくこともきわめて重要
であることがわかつた。
特に本発明のこのＰまたはＮ型の導電型を有す
る炭化珪素とするため、価または価の不純物
を混入した場合、ボロンによりＰ型が、またリン
によりＮ型が作られるが、その時はこの被膜中に
炭素のクラスタが存在している場合はきわめて不
活性であり、添加した不純物のうちＰまたはＮ型
を示すのは10％以下になつてしまいイオン化率が
低く電気伝導率が小さかつた。この場合残りのイ
オン化しない不純物は半導体中のキヤリアにとつ
ての散乱中心となつてしまい、キヤリアのライフ
タイムは指数関数的に小さくなつてしまつた。も
ちろん炭素クラスタは不良導体であるため、不純
物レベルを有することなく、被膜の絶縁破塊耐圧
も低下させてしまつた。以上のことから明らかな
ように、本発明の基板より離れた位置で反応性気
体である珪化物気体と炭化物気体と、価または
価の不純物を均等に混合して化学的に活性また
は励起しておくことは、イオン化率を100％に近
くした炭化珪素を特に10〜2000Aの大きさを有す
るアモルフアス的多結晶構造の有する炭化珪素半
導体を設ける場合きわめて重要であることがわか
つた。
る炭化珪素とするため、価または価の不純物
を混入した場合、ボロンによりＰ型が、またリン
によりＮ型が作られるが、その時はこの被膜中に
炭素のクラスタが存在している場合はきわめて不
活性であり、添加した不純物のうちＰまたはＮ型
を示すのは10％以下になつてしまいイオン化率が
低く電気伝導率が小さかつた。この場合残りのイ
オン化しない不純物は半導体中のキヤリアにとつ
ての散乱中心となつてしまい、キヤリアのライフ
タイムは指数関数的に小さくなつてしまつた。も
ちろん炭素クラスタは不良導体であるため、不純
物レベルを有することなく、被膜の絶縁破塊耐圧
も低下させてしまつた。以上のことから明らかな
ように、本発明の基板より離れた位置で反応性気
体である珪化物気体と炭化物気体と、価または
価の不純物を均等に混合して化学的に活性また
は励起しておくことは、イオン化率を100％に近
くした炭化珪素を特に10〜2000Aの大きさを有す
るアモルフアス的多結晶構造の有する炭化珪素半
導体を設ける場合きわめて重要であることがわか
つた。
以上の参考例において非単結晶半導体である炭
化珪素は単結晶を必ずしも有してはおらず、非単
結晶すなわちアモルフアス構造または10〜2000A
の大きさを有する多結晶が混入したアモルフアス
的多結晶の構造であることが電子線回折の結果よ
り明らかになつた。特に基板の温度が200〜800℃
においてはアモルフアスであり、また600〜1200
℃においては多結晶であつた。アモルフアスと多
結晶との境界は反応圧力および高周波エネルギに
よつて多少異なつた。
化珪素は単結晶を必ずしも有してはおらず、非単
結晶すなわちアモルフアス構造または10〜2000A
の大きさを有する多結晶が混入したアモルフアス
的多結晶の構造であることが電子線回折の結果よ
り明らかになつた。特に基板の温度が200〜800℃
においてはアモルフアスであり、また600〜1200
℃においては多結晶であつた。アモルフアスと多
結晶との境界は反応圧力および高周波エネルギに
よつて多少異なつた。
またこの場合、この被膜中に存在する再結合中
心を作る不対結合手の中和用の水素の量を測定し
てみると、600〜800℃に加熱して作られた被膜の
水素の含有量は10〜0.1モル％であり、200〜500
℃で作られたものは40〜10モル％であつた。水素
は炭化珪素半導体中において珪素または炭素の不
対結合手を中和する作用があるため、この水素を
含有させることはきわめて重要である。しかし本
来はSi−ＣまたはSi−Si結合が理想である。
心を作る不対結合手の中和用の水素の量を測定し
てみると、600〜800℃に加熱して作られた被膜の
水素の含有量は10〜0.1モル％であり、200〜500
℃で作られたものは40〜10モル％であつた。水素
は炭化珪素半導体中において珪素または炭素の不
対結合手を中和する作用があるため、この水素を
含有させることはきわめて重要である。しかし本
来はSi−ＣまたはSi−Si結合が理想である。
反応系は第１図を用いた。反応性気体は水素１
２を100％混入し、マイクロ波１０による励起と
高周波エネルギ３による励起とを行つた。容器は
0.01〜1torrとし、10分〜１時間加熱アニールし
た。加熱温度は200〜600℃とした。基板は図示し
たように高周波エネルギに対して直角方向の方が
原子状の水素が被膜中に入りやすいため好ましか
つた。
２を100％混入し、マイクロ波１０による励起と
高周波エネルギ３による励起とを行つた。容器は
0.01〜1torrとし、10分〜１時間加熱アニールし
た。加熱温度は200〜600℃とした。基板は図示し
たように高周波エネルギに対して直角方向の方が
原子状の水素が被膜中に入りやすいため好ましか
つた。
このようにして誘導アニールを行つた時この被
膜は多結晶（結晶の大きさが10〜2000A程度のア
モルフアス的）であるにもかかわらず、10〜60モ
ル％の水素を含有させることができた。その結果
再結合中心の密度は1016〜1018cm-3より1014〜1015
cm-3と102〜103分の一に減少させることができ
た。
膜は多結晶（結晶の大きさが10〜2000A程度のア
モルフアス的）であるにもかかわらず、10〜60モ
ル％の水素を含有させることができた。その結果
再結合中心の密度は1016〜1018cm-3より1014〜1015
cm-3と102〜103分の一に減少させることができ
た。
以上の結果本発明のＰ、ＩまたはＮ型の半導体
としての被膜を単層に作ることを成就することが
できた。本発明はこの参考例を用いて同一反応室
にてその反応性気体の種類を変えることにより、
複数の半導体層を順次積層してPN接合、PIN接
合、PNPN接合等を多重に自由に作ることができ
る。
としての被膜を単層に作ることを成就することが
できた。本発明はこの参考例を用いて同一反応室
にてその反応性気体の種類を変えることにより、
複数の半導体層を順次積層してPN接合、PIN接
合、PNPN接合等を多重に自由に作ることができ
る。
しかしプラズマ気相反応により被形成面に被膜
を形成する場合、同時に同じ生成物が反応容器の
内壁にまで形成されてしまう。このため例えば２
つの半導体層の積層により形成されるPN接合ま
たは３つの半導体層の積層により形成されるPIN
接合を基板上に形成させようとすると、第１の半
導体層であるＰ層の不純物がＮまたはＩ層を形成
する際、その反応性気体がプラズマ放電により予
め壁面にも形成されたＰ層をスパツタし、そのＰ
層を構成する不純物または半導体を構成する成分
を再び活性化して気体化し、ＮまたはＩ層を形成
させる半導体層中に被膜形成の際同時に混入して
しまう。このためＮ層またはＩ層はＰ層の不純物
例えばホウ素が混入し、リンとホウ素とが互いに
悪い相互作用を及ぼし、深いレベルの再結合中心
を作つてしまう。またＩ層ではなく、Ｐ層となつ
てしまう。このため例えばPN接合では逆方向リ
ークがきわめて大きく、ダイオード特性を得るの
みである。さらに最悪の場合には、不純物の混入
によりオーム接触特性にすらなつてしまう場合が
あつた。
を形成する場合、同時に同じ生成物が反応容器の
内壁にまで形成されてしまう。このため例えば２
つの半導体層の積層により形成されるPN接合ま
たは３つの半導体層の積層により形成されるPIN
接合を基板上に形成させようとすると、第１の半
導体層であるＰ層の不純物がＮまたはＩ層を形成
する際、その反応性気体がプラズマ放電により予
め壁面にも形成されたＰ層をスパツタし、そのＰ
層を構成する不純物または半導体を構成する成分
を再び活性化して気体化し、ＮまたはＩ層を形成
させる半導体層中に被膜形成の際同時に混入して
しまう。このためＮ層またはＩ層はＰ層の不純物
例えばホウ素が混入し、リンとホウ素とが互いに
悪い相互作用を及ぼし、深いレベルの再結合中心
を作つてしまう。またＩ層ではなく、Ｐ層となつ
てしまう。このため例えばPN接合では逆方向リ
ークがきわめて大きく、ダイオード特性を得るの
みである。さらに最悪の場合には、不純物の混入
によりオーム接触特性にすらなつてしまう場合が
あつた。
またこのようなＰ層とＮ層とがお互いの不純物
の混入をさけるために、Ｉ層を層間に入れたPIN
接合においても、程度の差こそあれこのＩ層にＰ
層の不純物が混入し、Ｐ層ができてしまいＩ層を
作ることができなかつた。このため複数の半導体
層特に異種導電型の半導体層を積層しようとすれ
ば、プラズマ気相法の欠点である混入という非制
御性を排除し、それぞれの半導体層をその接合面
を面として形成するすなわち、その前工程で形成
された被膜のまた不純物の混入または影響を受け
ることなく形成させることがきわめて重要であ
る。特にプラズマ気相反応においては、反応性気
体はきわめて大きな運動エネルギを有するため、
単なる気相反応またはエピタキシヤル成長とは異
なり、反応性気体が壁面等にすでに形成されてい
る反応生成物をスパツタし、再びその一部を気化
して新たな反応性気体として作用させてしまう。
このため以下の本発明の実施例において示される
如き多層に積層して非単結晶半導体層を形成せん
とするに際し、それぞれの半導体層をそれぞれ独
立した反応容器において形成することは、さらに
加えてそれぞれの反応容器に加えられる接合性気
体もそれぞれ独立し配管内の吸着不純物の混入を
排除することは、その接合面を明確にし接合領域
またはその近傍でお互いの半導体層を構成する不
純物を混合したり、またそれぞれの半導体層を構
成する珪素または炭素の量を混合して接合面にて
平均化させることを本質的に防ぐことができ、ひ
いては非単結晶半導体であるにもかかわらず、そ
の接合特性を単結晶半導体と同等にまで高めるた
めにきわめて重要である。
の混入をさけるために、Ｉ層を層間に入れたPIN
接合においても、程度の差こそあれこのＩ層にＰ
層の不純物が混入し、Ｐ層ができてしまいＩ層を
作ることができなかつた。このため複数の半導体
層特に異種導電型の半導体層を積層しようとすれ
ば、プラズマ気相法の欠点である混入という非制
御性を排除し、それぞれの半導体層をその接合面
を面として形成するすなわち、その前工程で形成
された被膜のまた不純物の混入または影響を受け
ることなく形成させることがきわめて重要であ
る。特にプラズマ気相反応においては、反応性気
体はきわめて大きな運動エネルギを有するため、
単なる気相反応またはエピタキシヤル成長とは異
なり、反応性気体が壁面等にすでに形成されてい
る反応生成物をスパツタし、再びその一部を気化
して新たな反応性気体として作用させてしまう。
このため以下の本発明の実施例において示される
如き多層に積層して非単結晶半導体層を形成せん
とするに際し、それぞれの半導体層をそれぞれ独
立した反応容器において形成することは、さらに
加えてそれぞれの反応容器に加えられる接合性気
体もそれぞれ独立し配管内の吸着不純物の混入を
排除することは、その接合面を明確にし接合領域
またはその近傍でお互いの半導体層を構成する不
純物を混合したり、またそれぞれの半導体層を構
成する珪素または炭素の量を混合して接合面にて
平均化させることを本質的に防ぐことができ、ひ
いては非単結晶半導体であるにもかかわらず、そ
の接合特性を単結晶半導体と同等にまで高めるた
めにきわめて重要である。
以下に本発明の実施例を図面に従つて説明す
る。
る。
実施例 １
この実施例１を第４図に従つて説明する。
この図面はPN接合、PIN接合、PNPN接合、
MIN接合等の基板上の半導体に異種導電型または
半導体を構成する成分の異なる同種導電型の半導
体層をそれぞれの半導体層をその前に形成された
半導体層の影響を受けることなく独立した反応容
器で漸次積層してゆくことにより、多層に自動か
つ連続的に形成するための装置である。
MIN接合等の基板上の半導体に異種導電型または
半導体を構成する成分の異なる同種導電型の半導
体層をそれぞれの半導体層をその前に形成された
半導体層の影響を受けることなく独立した反応容
器で漸次積層してゆくことにより、多層に自動か
つ連続的に形成するための装置である。
このプラズマ気相装置は系〜系において４
つの反応容器を互いに連結し、それぞれの反応容
器に対応して反応性気体の導入系、排気系を有し
ている。さらに系の一方の側および系の他方
の側には、外気の反応容器への混入を排除するた
めの予備室を有している。この装置は入口側の第
１の予備室５０よりボート上に基板５１をその被
形成面が反応性気体の流れにそつて一定の間隔を
おいて挿着し、ゲート弁６４の開閉にて反応容器
６５に移動させたものである。
つの反応容器を互いに連結し、それぞれの反応容
器に対応して反応性気体の導入系、排気系を有し
ている。さらに系の一方の側および系の他方
の側には、外気の反応容器への混入を排除するた
めの予備室を有している。この装置は入口側の第
１の予備室５０よりボート上に基板５１をその被
形成面が反応性気体の流れにそつて一定の間隔を
おいて挿着し、ゲート弁６４の開閉にて反応容器
６５に移動させたものである。
この後この基板に対しすでに参考例１で行なつ
た被膜を形成するが、反応性気体６０，６１，６
２をバルブ５８を開閉して反応室の一方より励起
室５２に導入する。この５２においては高周波誘
導エネルギ５３によりプラズマ励起をし、反応性
気体を化学的に励起、活性化または反応せしめ、
その後ホモジナイザー５４を経て容器６５に導入
させ、基板５１の被形成面上にＰ、ＩまたはＮ型
の導電型を有した非単結晶半導体層を形成させ
た。この反応容器内には基板５１が挿着されてお
り、必要に応じてこれが毎分３〜30回転、例えば
６回／分で回転している。これは形成される膜厚
の均一度を高めるためである。さらにこの基板は
予めヒータ５５により加熱され、不要の反応生成
物およびキヤレアガスは反応容器の他方（図面で
は下側）に真空ポンプ５６により排気させた。
た被膜を形成するが、反応性気体６０，６１，６
２をバルブ５８を開閉して反応室の一方より励起
室５２に導入する。この５２においては高周波誘
導エネルギ５３によりプラズマ励起をし、反応性
気体を化学的に励起、活性化または反応せしめ、
その後ホモジナイザー５４を経て容器６５に導入
させ、基板５１の被形成面上にＰ、ＩまたはＮ型
の導電型を有した非単結晶半導体層を形成させ
た。この反応容器内には基板５１が挿着されてお
り、必要に応じてこれが毎分３〜30回転、例えば
６回／分で回転している。これは形成される膜厚
の均一度を高めるためである。さらにこの基板は
予めヒータ５５により加熱され、不要の反応生成
物およびキヤレアガスは反応容器の他方（図面で
は下側）に真空ポンプ５６により排気させた。
図面より明らかな如く、本発明方法において
は、参考例１に示す如き基板５１が反応性気体の
流れにそつて配置され、それがプラズマ気相反応
を行ないうる間隔で互いに離間して配置されるた
め、例えば10cm□の基板と同時に100〜200枚もプ
ラズマ気相法にて作製することができ、従来より
知られた反応性気体に垂直に配置した方法に比べ
て、10〜30倍もの量を同時に作製することができ
た。
は、参考例１に示す如き基板５１が反応性気体の
流れにそつて配置され、それがプラズマ気相反応
を行ないうる間隔で互いに離間して配置されるた
め、例えば10cm□の基板と同時に100〜200枚もプ
ラズマ気相法にて作製することができ、従来より
知られた反応性気体に垂直に配置した方法に比べ
て、10〜30倍もの量を同時に作製することができ
た。
以上のようにして系において所定の厚さ、例
えば10A〜10μの炭化珪素被膜が形成され、かつ
その場合においてSi1-xCx（０ｘ＜１）の化学
量論比で定められたエネルギギヤツプを有し、か
つＰ型、Ｉ型またはＮ型の導電型を示す不純物が
被膜形成と同時に基板上にデイポジツトして被膜
中に添加される。
えば10A〜10μの炭化珪素被膜が形成され、かつ
その場合においてSi1-xCx（０ｘ＜１）の化学
量論比で定められたエネルギギヤツプを有し、か
つＰ型、Ｉ型またはＮ型の導電型を示す不純物が
被膜形成と同時に基板上にデイポジツトして被膜
中に添加される。
系の処理が終わつた後、この系の反応性気体
および飛翔中の反応生成物を真空排除して除去し
た。この後ゲート弁５７を開け系に系での処
理基板、ボートを移動し、このゲート弁５７を閉
じる。この移動においての系、系の反応容器
の圧力は同一でなければならない。この後系に
おいても系と同様に非単結晶半導体がプラズマ
気相反応処理によりその成分または成分の化学量
論比に従つて半導体がPINの導電型の異なる不純
物を電加され、設形に従つて形成される。この時
同時に系での処理基板は系に、系の基板は
系に、系の基板は第２の予備室５９に移動す
る。
および飛翔中の反応生成物を真空排除して除去し
た。この後ゲート弁５７を開け系に系での処
理基板、ボートを移動し、このゲート弁５７を閉
じる。この移動においての系、系の反応容器
の圧力は同一でなければならない。この後系に
おいても系と同様に非単結晶半導体がプラズマ
気相反応処理によりその成分または成分の化学量
論比に従つて半導体がPINの導電型の異なる不純
物を電加され、設形に従つて形成される。この時
同時に系での処理基板は系に、系の基板は
系に、系の基板は第２の予備室５９に移動す
る。
このそれぞれの系〜はＰ型、Ｉ型（不純物
が混入していない状態）、Ｎ型および誘導アニー
ルを示している。しかし接合をPIN構造ではなく
PN、PNI、PNPN等々を作ろうした時は、その場
合半導体層の数またはプラズマ処理の数に従つて
減圧下でのプラズマ気相反応処理を独立して行な
うための反応容器すなわち系の数は増加または減
少連結させた。
が混入していない状態）、Ｎ型および誘導アニー
ルを示している。しかし接合をPIN構造ではなく
PN、PNI、PNPN等々を作ろうした時は、その場
合半導体層の数またはプラズマ処理の数に従つて
減圧下でのプラズマ気相反応処理を独立して行な
うための反応容器すなわち系の数は増加または減
少連結させた。
また形成される被膜のエネルギギヤツプは、
SixC1-xにおける係数ｘに従つて定められ、被形
成面に平行に異なつたエネルギギヤツプをもつた
炭化珪素または珪素が形成される。またこの場合
エネルギハンドギヤツプは連続して変化してい
る。
SixC1-xにおける係数ｘに従つて定められ、被形
成面に平行に異なつたエネルギギヤツプをもつた
炭化珪素または珪素が形成される。またこの場合
エネルギハンドギヤツプは連続して変化してい
る。
以上の如く、本発明において示されたように複
数の半導体層を基板の被形成面上に形成するにあ
たり、それぞれの半導体層を形成する反応容器を
互いに連結させるからそれぞれ独立にプラズマ気
相反応処理も行なうように設けられ、その結果大
気にふれさせることなく、またそれぞれの半導体
層を構成させる成分またはその中に添加される不
純物が互いに混入しあうことなく形成させること
ができた。その結果従来第１図に示す如きプラズ
マ気相反応方法により、PIN型の光電変換装置と
して作製した場合、AM1（100ｍＷ／cm2）にて４
〜６％（Voc＝0.8〜0.95V、Isc＝10〜12ｍＡ／
cm）であつたものが、本発明方法の実施例におい
ては８〜10％（Voc＝0.9〜0.95V、Isc13〜18ｍ
Ａ／cm2）を得ることができた。この実施例におけ
るPIN構造等においては、Si1-xCx（０ｘ＜
１）で示される炭化珪素のみとしたが、炭化物気
体を導入することなくｘ＝０としたいわゆる珪化
物気体またはそれにＰまたはＮ型の不純物を混入
した半導体膜を同時に複合化してもよい。
数の半導体層を基板の被形成面上に形成するにあ
たり、それぞれの半導体層を形成する反応容器を
互いに連結させるからそれぞれ独立にプラズマ気
相反応処理も行なうように設けられ、その結果大
気にふれさせることなく、またそれぞれの半導体
層を構成させる成分またはその中に添加される不
純物が互いに混入しあうことなく形成させること
ができた。その結果従来第１図に示す如きプラズ
マ気相反応方法により、PIN型の光電変換装置と
して作製した場合、AM1（100ｍＷ／cm2）にて４
〜６％（Voc＝0.8〜0.95V、Isc＝10〜12ｍＡ／
cm）であつたものが、本発明方法の実施例におい
ては８〜10％（Voc＝0.9〜0.95V、Isc13〜18ｍ
Ａ／cm2）を得ることができた。この実施例におけ
るPIN構造等においては、Si1-xCx（０ｘ＜
１）で示される炭化珪素のみとしたが、炭化物気
体を導入することなくｘ＝０としたいわゆる珪化
物気体またはそれにＰまたはＮ型の不純物を混入
した半導体膜を同時に複合化してもよい。
本発明において形成される被膜中の結晶構造が
アモルフアスであれ多結晶であれ、その構造には
制限をうけない。本発明においては形成された被
膜がＰ型、Ｉ型またはＮ型を有するとともに、
PI、IN、PN接合またはこれらを重ねた接合を有
する半導体であることが重要である。このため形
成された被膜中に水素が0.1〜100モル％特に0.1
〜40モル％混合させることが大きな特徴である。
アモルフアスであれ多結晶であれ、その構造には
制限をうけない。本発明においては形成された被
膜がＰ型、Ｉ型またはＮ型を有するとともに、
PI、IN、PN接合またはこれらを重ねた接合を有
する半導体であることが重要である。このため形
成された被膜中に水素が0.1〜100モル％特に0.1
〜40モル％混合させることが大きな特徴である。
さらにこの珪素または炭素の不対結合手を水素
によりSi−Ｈ、Ｃ−Ｈにて中和するのではなくSi
−Cl、Ｃ−Clとハロゲン化物を用いて実施して
もよいことはいうまでもない。この濃度は10モル
％以下、例えば２〜５モル％が好ましかつた。
によりSi−Ｈ、Ｃ−Ｈにて中和するのではなくSi
−Cl、Ｃ−Clとハロゲン化物を用いて実施して
もよいことはいうまでもない。この濃度は10モル
％以下、例えば２〜５モル％が好ましかつた。
基板の種類に関しては参考例１に示したが、こ
れは実施例１においても同様であり、これ以外に
GaAs、GaAlAs、BP、CdS等の化合物半導体で
あつてもよいことはいうまでもない。
れは実施例１においても同様であり、これ以外に
GaAs、GaAlAs、BP、CdS等の化合物半導体で
あつてもよいことはいうまでもない。
本発明で形成された炭化珪素被膜に対しフオト
エツチ技術を用いて選択的にＰまたはＮ型の不純
物を混入または拡散してPN接合を部分的に作
り、この接合を利用してトランジスタ、ダイエー
ド、可視光レーザー、発光素子または光電変換素
子を作つてもよい。特にエネルギバンド巾をＷ−
Ｎ（WIDE TO NALLOW）とした即ちSiC−Si
としたPIN接合、MINPN接合、PNPN接合、
MIPN接合は光電変換効率を15〜30％にまで向上
させることができ、工業的に重要である。
エツチ技術を用いて選択的にＰまたはＮ型の不純
物を混入または拡散してPN接合を部分的に作
り、この接合を利用してトランジスタ、ダイエー
ド、可視光レーザー、発光素子または光電変換素
子を作つてもよい。特にエネルギバンド巾をＷ−
Ｎ（WIDE TO NALLOW）とした即ちSiC−Si
としたPIN接合、MINPN接合、PNPN接合、
MIPN接合は光電変換効率を15〜30％にまで向上
させることができ、工業的に重要である。
第１図は本発明の炭化珪素半導体被膜を形成す
るための製造装置の概要を示す。第２図、第３図
は第１図の製造装置によつて得られた炭化珪素被
膜の特性である。第４図は本発明を実施するため
の製造装置の例である。
るための製造装置の概要を示す。第２図、第３図
は第１図の製造装置によつて得られた炭化珪素被
膜の特性である。第４図は本発明を実施するため
の製造装置の例である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラズマ気相反応を独立して行ない得る少な
くとも２つの反応室を互いに連結し、前記反応室
は一方より反応性気体を導入し、該気体プラズマ
反応後他方に排気する機構を有して設けられた半
導体製造装置において、減圧下に保持された第１
の反応室に複数個の基板を平行に離間するととも
に、該基板の被形成表面が前記反応性気体の流れ
にそつて配置したボートに反応性気体を一方より
導入し、プラズマ反応せしめた前記反応性気体を
前記被形成面上に一導電型の水素またはハロゲン
元素が添加された非単結晶の第１の半導体層を形
成するとともに、他方より排気する工程とを有す
ることにより、前記第１の半導体層を形成する工
程と、前記反応性気体および不要反応生成物を排
気した後、前記第１の反応室に連結された第２の
反応室にゲート弁を開け移した後、該ゲート弁を
閉じることにより前記ボートを移動する工程と、
前記第２の反応室にて前記基板上の第１の半導体
層上に主成分または成分の化学量論比の異なるさ
らにまたは導電型の異なる第２の非単結晶半導体
層を形成する工程とを有することを特徴とするプ
ラズマ気相反応方法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、ボートに配
置された基板は被膜の均一度を高めるため３〜30
回／分で回転していることを特徴とするプラズマ
気相反応方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5560681A JPS56169320A (en) | 1981-04-15 | 1981-04-15 | Silicon carbide semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5560681A JPS56169320A (en) | 1981-04-15 | 1981-04-15 | Silicon carbide semiconductor |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15288778A Division JPS5578524A (en) | 1978-12-10 | 1978-12-10 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56169320A JPS56169320A (en) | 1981-12-26 |
| JPS6236632B2 true JPS6236632B2 (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=13003422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5560681A Granted JPS56169320A (en) | 1981-04-15 | 1981-04-15 | Silicon carbide semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56169320A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115872A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 可撓性光起電力装置 |
| JP2004297008A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ｐ型半導体材料、その作製方法、その作製装置、光電変換素子、発光素子、および薄膜トランジスタ |
| JP4691888B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2011-06-01 | 凸版印刷株式会社 | 非単結晶太陽電池および非単結晶太陽電池の製造方法 |
| JP5923378B2 (ja) | 2012-05-07 | 2016-05-24 | 田中貴金属工業株式会社 | 温度ヒューズ可動電極用の電極材料 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4833150A (ja) * | 1971-08-28 | 1973-05-08 | ||
| JPS4942423A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-04-22 | ||
| JPS531465A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturer for semiconductor mono crystal thin film and its manufacturing unit |
| JPS54153740A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Ulvac Corp | Continuous vacuum treatment apparatus |
| JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-04-15 JP JP5560681A patent/JPS56169320A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4833150A (ja) * | 1971-08-28 | 1973-05-08 | ||
| JPS4942423A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-04-22 | ||
| JPS531465A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturer for semiconductor mono crystal thin film and its manufacturing unit |
| JPS54153740A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Ulvac Corp | Continuous vacuum treatment apparatus |
| JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56169320A (en) | 1981-12-26 |
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