JPS6134278B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6134278B2
JPS6134278B2 JP51085928A JP8592876A JPS6134278B2 JP S6134278 B2 JPS6134278 B2 JP S6134278B2 JP 51085928 A JP51085928 A JP 51085928A JP 8592876 A JP8592876 A JP 8592876A JP S6134278 B2 JPS6134278 B2 JP S6134278B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
piezoelectric
temperature
poling
stretched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP51085928A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5311995A (en
Inventor
Hiroyuki Tadokoro
Eiichi Fukada
Takeo Furukawa
Shigenobu Sobajima
Toshio Nishihara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teijin Ltd
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Original Assignee
Teijin Ltd
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Teijin Ltd, RIKEN Institute of Physical and Chemical Research filed Critical Teijin Ltd
Priority to JP8592876A priority Critical patent/JPS5311995A/ja
Publication of JPS5311995A publication Critical patent/JPS5311995A/ja
Publication of JPS6134278B2 publication Critical patent/JPS6134278B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
  • Polyamides (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はポリ−m−フエニレンイソフタラミド
を主成分とする合成高分子化合物からなる高温特
性の優れた圧電性フイルムおよびその製造法に関
する。 従来、木材・ラミー・絹・骨・筋肉などの天然
高分子化合物、ポリグルタミン酸γエステル、ポ
リ−L−アラニンなどのポリアミノ酸のフイルム
が圧電性を示すことはよく知られている。また、
ポリフツ化ビニリデン、ポリフツ化ビニル、ポリ
塩化ビニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリ(−w
−ウンデカアミド)(ナイロン11)、ポリエチレン
テレフタレートなどの合成高分子化合物をポーリ
ング処理することによつてエレクトレツト化した
場合にも圧電性を示すことが知られている。これ
らの圧電性フイルムは、古くから用いられて来た
水晶、ロツシエル塩、チタン酸バリウム系磁器な
どの無機圧電材料に比べて薄いフイルム状である
こと、生産性、加工性が優れていること、機械イ
ンピーダンスが小さいなどの特徴があるために、
近年、マイクロホン、スピーカー、ヘツドホンな
どの電気音響変換器やキーボードなどの圧力−電
気変換素子として用いられている。しかし、これ
ら高分子圧電材料は高温になると自発分極を消失
して圧電率が小さくなる欠点がある。近年、固体
エレクトロニクスの発展によつて電子機器の小型
化高信頼化が要請され、電子機器に用いる材料や
素子は使用時あるいは製造工程での耐熱性の向上
が望まれている。また素子の耐熱性の向上は、低
い温度で用いる時の耐久性の向上につながること
もあきらかになつて来た。しかるに従来知られて
いる合成高分子からなる圧電性フイルムは、200
℃もの高温に放置すると、融解、著しい収縮など
の寸法変化、熱分解による着色劣化あるいは自発
分極の減少または消失による圧電率の低下が見ら
れるのが実情であつた。 本発明者らは、これらの従来の高分子圧電性フ
イルムの欠点を解消するために耐熱特性の優れた
高分子圧電材料を開発すべく研究の結果、ポリ−
m−フエニレンイソフタラミドのフイルム、特に
特定の条件で処理されたポリ−m−フエニレンイ
ソフタラミドのフイルムが優れた耐熱特性を有す
る高分子圧電性フイルムであること見出し、本発
明に到達したものである。 すなわち、本発明は、 265℃以上の温度でポーリング処理された下記
〔但し、nは40〜1000であり、繰返し単位数を
表わす。〕 で表わされる全芳香族ポリアミドからなる圧電性
フイルムである。 本発明の合成高分子の主成分はポリ−m−フエ
ニレンイソソタラミドであるが、これはモノマー
ユニツトの少なくとも90%がm−フエニレンジア
ミンとイソフタル酸との縮合体であり、残りの10
%以下は他の成分例えば、酸成分がテレフタル酸
である縮合体、アミン成分がp−フエニレンジア
ミンである縮合体などが混入していてもよい。分
子量は約9500〜238000(n=40〜1000)、好まし
くは50000〜200000である。 主成分がポリ−m−フエニレンイソフタラミド
である全芳香族ポリアミドのフイルムは例えば次
のようにして作られる。N,N−ジメチルアセト
アミドやN−メチルピロリドンの単独溶剤また
は、これらの溶媒に塩化カルシウムや塩化リチウ
ムを溶解した混合溶剤に該ポリアミドを溶解した
溶液を、ガラス板上に流延し、熱風下における乾
式成膜法あるいは、溶剤とは混和するが該ポリア
ミドは溶解しない凝固浴中に浸漬する湿式成膜法
によつてフイルムを成膜することが出来る。フイ
ルムを形成した後例えば熱水中で残留溶剤や無機
塩を除去する。 かくして得られた全芳香族ポリアミドフイルム
を、265℃以上の温度下で100〜400KV/cmの電界
強度を5〜30分間、好ましくはフイルムの厚み方
向に作用させて分極を誘起し、電界をかけたまゝ
で温度を常温近傍に冷却することによつて分極を
凍結することによつてポーリング処理を行なう。
この場合、ポーリング処理の温度の限定は、後に
実施例に示されるように、ポーリング処理が効果
的に達成されるための条件であつて、この限定に
よつて常温における圧電率(d31)が3×
10-9cgs・esu以上、および200℃における圧電率
(d31)が5×10-9cgs・esu以上にすることが可能
となる。なお、ポーリング処理を行なう前に、必
要に応じてフイルムを延伸、好ましくは20倍以上
に延伸すること及び1又はロール延伸による所謂
二軸配向ことも行なつてよい。この際、延伸処理
は温水中で約2〜4倍延伸し、更に265℃以上の
温度で延伸することが好ましく、一定巾で延伸す
るか、同時二軸延伸するか、あるいは280℃以下
の温度でロール加工することが好ましい。 ポーリングされたフイルムは自発分極を持ち、
常温における圧電率(d31)が3×10-9cgs・esu以
上の圧電性を有するが、本発明の圧電性フイルム
は更に200℃の高温においても圧電性を有し、そ
の値は5×10-9cgs・esu以上であり、高温特性に
優れている。従来知られている主たる高分子圧電
性フイルムは、下記の表に示すように200℃に達
すると使用出来なくなる。そればかりでなく、従
来の高分子圧電性フイルムは、200℃に5〜10分
間昇温するだけでほとんどその性状に変化をもた
らし、再び常温に冷却しても昇温以前の圧電性や
形状などを失なつてしまう。
【表】
【表】 例えばポリ−γ−メチルグルタメートフイルム
は200℃に昇温しても時間が短かければ圧電性を
保持するけれども、時間と共に熱分解がはじまり
着色する。200℃と云う温度は、電気絶縁材料の
耐熱区分でH種またはC種に準拠して定めたもの
であるが、現状では電気材料としてはこれ以上の
温度を考慮することは不必要だと考られらる。 本発明における圧電率(d31)とは、ポーリング
方向に垂直な面内(通常フイルム面内)に応力T
を加え、その時生じるポーリング方向の分極をp
とすると、次式で表わせる。 d31=p/T 該フイルムが延伸などによつて配向されている
時は、応力の方向と配向方向に一致させた時に圧
電率が一番大きい。 本発明の高温特性の優れた高分子圧電性フイル
ムは、H種絶縁材料と同等の耐熱性を有するの
で、素子を製造する時、あるいは使用する時に
180℃〜200℃の加熱条件を採用することが出来、
また、このフイルムは圧電性だけでなく焦電性も
有しているので、電気用部品として種々の有用な
用途に適用可能である。 次に本発明を実施例によつて説明する。 実施例 1 塩化カルシウムを5重量%含むN,N−ジメチ
ルアセトアミド溶液に、ポリ−m−フエニレンイ
ソフタラミドを20重量%溶解し、成膜用原液とし
た。この原液をガラス板上にドクターナイフで流
延し、温度約150℃の熱風下で溶媒を蒸発させ、
乾式成膜法により該ポリアミドのフイルムを作つ
た。このフイルムを約90℃の熱水中で十分に洗滌
し、残存の塩化カルシウムを除去し、定長下160
℃で乾燥し、未延伸フイルムとした。この未延伸
フイルムを約90℃の温水浴中で約3倍一軸延伸し
定長下160℃で乾燥し延伸フイルムとした。 この延伸フイルムを300℃で緊張下熱処理し、
次いで該熱処理フイルムの両面に金を真空蒸着し
てポーリング電極とした。ポーリング処理は
200KV/cmの電界強度を20分間フイルムに作用さ
せ、電解強度はそのままとしてフイルムの処理温
度を約30分間かけて室温まで冷却することによつ
て行なつた。なお、該フイルムの圧電率(200℃
での測定値)の種々のポーリング処理温度に対す
る依存性を第1表に示した。 上記の延伸熱処理フイルムをポーリング処理温
度280℃、電界強度100〜400KV/cmの範囲で処理
した圧電率(200℃での測定値)を第2表に示し
た。
【表】 第1表から、ポーリング処理温度が260℃を超
えると、圧電率が飛躍的に増加することが明らか
に認められる。
【表】 なお、圧電率の経時変化をみるため、上記の延
伸熱処理フイルムを280℃、電界強度200KV/cm
でポーリング処理したものの圧電率(200℃での
測定値)を5日後に測定したところ、実質的な変
化は認められなかつた。 実施例 2 実施例1の条件で延伸されたポリ−m−フエニ
レンイソフタラミドの延伸フイルムを280℃、電
界強度375KV/cmでポーリング処理した。延伸方
向および延伸方向と垂直方向に応力を加えた場合
の圧電率(200℃での測定値)は、それぞれ1.1×
10-8,1.0×10-8cgs・esuであつた。なお、5日
後に圧電率を再測定したところ、値に実質的変化
は認められなかつた。 実施例 3 実施例1で得られた未延伸フイルムを、90℃で
約2.5倍にロール延伸し、更に一定巾で300℃の熱
板上で1.2倍に延伸した。この延伸フイルムを280
℃、200KV/cmでポーリング処理した。この処理
フイルムの圧電率(200℃での測定値)は6.5×
10-9cgs・esuであつた。 実施例 4 ポリ−m−フエニレンイソフタラミドをN−メ
チルピロリドンに20重量%溶解し、製膜原液とし
た。この溶液をガラス板上に流延し、60℃のベン
ジルアルコール中に浸漬した。得られたフイルム
をメタノール中で洗い、定長下160℃にて乾燥し
た後、90℃でロール延伸し280℃、250KV/cmで
ポーリング処理した。この処理フイルムの圧電率
(200℃での測定値)は9.0×10-9cgs・esuであつ
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 265℃以上の温度でポーリング処理された下
    記式 〔但し、nは40〜1000であり、繰返し単位数を
    表わす。〕 で表わされる全芳香族ポリアミドからなる圧電性
    フイルム。
JP8592876A 1976-07-21 1976-07-21 Piezoelectric high-polymer film having good high-temperature performance Granted JPS5311995A (en)

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JP8592876A JPS5311995A (en) 1976-07-21 1976-07-21 Piezoelectric high-polymer film having good high-temperature performance

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JP8592876A JPS5311995A (en) 1976-07-21 1976-07-21 Piezoelectric high-polymer film having good high-temperature performance

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JPS5311995A JPS5311995A (en) 1978-02-02
JPS6134278B2 true JPS6134278B2 (ja) 1986-08-06

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JP8592876A Granted JPS5311995A (en) 1976-07-21 1976-07-21 Piezoelectric high-polymer film having good high-temperature performance

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JP2005217111A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Sumitomo Heavy Ind Ltd 高分子圧電体及びそれを製造する装置
CN104088131B (zh) * 2014-06-23 2016-04-13 华南理工大学 一种绝缘芳纶材料及其制备方法

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JPS5311995A (en) 1978-02-02

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