JPH0376598B2 - - Google Patents
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- JPH0376598B2 JPH0376598B2 JP22389684A JP22389684A JPH0376598B2 JP H0376598 B2 JPH0376598 B2 JP H0376598B2 JP 22389684 A JP22389684 A JP 22389684A JP 22389684 A JP22389684 A JP 22389684A JP H0376598 B2 JPH0376598 B2 JP H0376598B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/098—Forming organic materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は、圧電性および熱安定性に優れた高分
子圧電体の製造方法に関する。
子圧電体の製造方法に関する。
(ロ) 従来の技術
フツ化ビニリデンとテトラフルオロエチレンの
共重合体は、圧電性を持つことが知られている
（例えば、高分子学会予稿集、28巻、９号、1794
頁、1979年）。
共重合体は、圧電性を持つことが知られている
（例えば、高分子学会予稿集、28巻、９号、1794
頁、1979年）。
また、フツ化ビニリデンとトリフルオロエチレ
ンの共重合体も圧電性を持つが、この共重合体は
融点Tm以下に強誘電−常誘電相転移点Tm′を持
つので、実用可能な圧電性を得るためには強誘電
−常誘電相転移点Tm′以上、融点Tm以下で熱処
理し、ポーリングすることが有効であると判つて
いる。
ンの共重合体も圧電性を持つが、この共重合体は
融点Tm以下に強誘電−常誘電相転移点Tm′を持
つので、実用可能な圧電性を得るためには強誘電
−常誘電相転移点Tm′以上、融点Tm以下で熱処
理し、ポーリングすることが有効であると判つて
いる。
これに対して、フツ化ビニリデンとテトラフル
オロエチレンの共重合体では、溶液から製膜した
未延伸物、または溶融押出しにより急冷条件下で
製膜した未延伸物は融点Tm以下に明確な強誘電
−常誘電相転移点Tm′がないため、これらを融点
Tm以下で熱処理したのでは結晶化度が向上せ
ず、実用可能な圧電性が得られない。
オロエチレンの共重合体では、溶液から製膜した
未延伸物、または溶融押出しにより急冷条件下で
製膜した未延伸物は融点Tm以下に明確な強誘電
−常誘電相転移点Tm′がないため、これらを融点
Tm以下で熱処理したのでは結晶化度が向上せ
ず、実用可能な圧電性が得られない。
そこで従来は、結晶化度を向上させる目的で、
熱処理前に延伸工程を加えるかまたは高圧で結晶
化する方法を行なつていた。
熱処理前に延伸工程を加えるかまたは高圧で結晶
化する方法を行なつていた。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
熱処理前に延伸工程を加える上述の方法は、厚
みの制御が難しいという欠点がある。しかも、こ
のようにして作つたフイルムは、融点Tmが低く
熱安定性がよくない。また、高圧で結晶化する方
法は処理が繁雑であり生産性に劣つている。
みの制御が難しいという欠点がある。しかも、こ
のようにして作つたフイルムは、融点Tmが低く
熱安定性がよくない。また、高圧で結晶化する方
法は処理が繁雑であり生産性に劣つている。
本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑み、圧電
性、熱安定性および製膜性の優れた高分子圧電体
の製造方法を提供することを目的とする。
性、熱安定性および製膜性の優れた高分子圧電体
の製造方法を提供することを目的とする。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明においては、フツ化ビニリデン組成が72
〜87モル％のフツ化ビニリデンとテトラフルオロ
エチレンの共重合体を融点Tm以上で融解させ、
そこから徐冷して結晶化させ、ポーリングする。
この場合、徐冷とは結晶化温度領域を通過する際
の冷却速度が10℃／分以下での冷却を意味する。
さらに好ましくは、５℃／分以下、より好ましく
は２℃／分以下である。また、ポーリングのため
の電圧印加は、徐冷時から行なつてもよいし、あ
るいは冷却後行なつてもよい。後者の場合、ポー
リング温度は融点を越えない温度であれば任意の
温度でよい。この結果得られる圧電体は、従来の
延伸工程を加えたものより一般的に融点Tmが高
くなる。しかも、本発明の方法で作つた圧電体
は、熱安定性のよい厚み方向の電気機械結合定数
Ktを持ち、融点Tm直下まで実用可能なKtを維
持することができる。
〜87モル％のフツ化ビニリデンとテトラフルオロ
エチレンの共重合体を融点Tm以上で融解させ、
そこから徐冷して結晶化させ、ポーリングする。
この場合、徐冷とは結晶化温度領域を通過する際
の冷却速度が10℃／分以下での冷却を意味する。
さらに好ましくは、５℃／分以下、より好ましく
は２℃／分以下である。また、ポーリングのため
の電圧印加は、徐冷時から行なつてもよいし、あ
るいは冷却後行なつてもよい。後者の場合、ポー
リング温度は融点を越えない温度であれば任意の
温度でよい。この結果得られる圧電体は、従来の
延伸工程を加えたものより一般的に融点Tmが高
くなる。しかも、本発明の方法で作つた圧電体
は、熱安定性のよい厚み方向の電気機械結合定数
Ktを持ち、融点Tm直下まで実用可能なKtを維
持することができる。
結合定数Ktの熱安定性がよく、融点Tm直下ま
で実用可能な値を維持する圧電体を得るために
は、フツ化ビニリデンとテトラフルオロエチレン
の共重合体でフツ化ビニリデン組成が72〜87モル
％の範囲であれば製膜方法には制限がない。すな
わち、溶液からのキヤスト製膜、ホツトプレスに
よる製膜、あるいは押出し製膜などの何れでも本
発明の適用が可能である。
で実用可能な値を維持する圧電体を得るために
は、フツ化ビニリデンとテトラフルオロエチレン
の共重合体でフツ化ビニリデン組成が72〜87モル
％の範囲であれば製膜方法には制限がない。すな
わち、溶液からのキヤスト製膜、ホツトプレスに
よる製膜、あるいは押出し製膜などの何れでも本
発明の適用が可能である。
以下、本発明を実施例および比較例を用いて説
明する。
明する。
●実施例 １
（フツ化ビニリデン組成72モル％、未延伸、溶
融結晶化フイルム） フツ化ビニリデン組成72モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体のジメチ
ルホルムアミド溶液をガラス板上に流涎し、常
温、減圧下で溶媒を気化させた。このフイルムの
融点Tm＝136℃であつた。これをガラス板から
はがさずに、180℃で１時間保つた後、徐冷（２
℃／分）した。このフイルムの両面にアルミニウ
ムを蒸着して電極として用い、ポーリングを行な
つた（ポーリング温度Tp＝100℃、ポーリング電
圧Ep＝900KV／cm、ポーリング時間tp＝30分）。
融結晶化フイルム） フツ化ビニリデン組成72モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体のジメチ
ルホルムアミド溶液をガラス板上に流涎し、常
温、減圧下で溶媒を気化させた。このフイルムの
融点Tm＝136℃であつた。これをガラス板から
はがさずに、180℃で１時間保つた後、徐冷（２
℃／分）した。このフイルムの両面にアルミニウ
ムを蒸着して電極として用い、ポーリングを行な
つた（ポーリング温度Tp＝100℃、ポーリング電
圧Ep＝900KV／cm、ポーリング時間tp＝30分）。
こうして得られた圧電膜はKt＝0.197、Tm＝
141℃であつた。このフイルムの熱安定性は第１
図の記号○で示す通りである。なお、結合定数
Ktの熱安定性の測定は、試料をオーブンの中に
10分間入れておき、室温で結合定数Ktを測定す
ることを同一試料で順次温度を上げて繰り返すこ
とによつた（以下の熱安定性の測定はすべてこの
方法による。）。第１図から結合定数Ktは融点Tm
付近までほとんど減少せず、安定であることが判
る。なお、第１図において縦軸は、昇温する過程
を経過しない結合定数Ktで規格化したものであ
る。
141℃であつた。このフイルムの熱安定性は第１
図の記号○で示す通りである。なお、結合定数
Ktの熱安定性の測定は、試料をオーブンの中に
10分間入れておき、室温で結合定数Ktを測定す
ることを同一試料で順次温度を上げて繰り返すこ
とによつた（以下の熱安定性の測定はすべてこの
方法による。）。第１図から結合定数Ktは融点Tm
付近までほとんど減少せず、安定であることが判
る。なお、第１図において縦軸は、昇温する過程
を経過しない結合定数Ktで規格化したものであ
る。
●実施例 ２
（フツ化ビニリデン組成81モル％、未延伸、溶
融結晶化フイルム） フツ化ビニリデン組成81モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体のジメチ
ルホルムアミド溶液を、ガラス板上に流涎し、常
温、減圧下で溶媒を気化させた。このフイルムの
融点Tm＝124℃であつた。これをガラス板から
はがさずに、141℃で１時間熱処理した後、徐冷
（２℃／分）した。このフイルムの両面にアルミ
ニウムを蒸着して電極として用い、三角波電圧を
印加し反転電流を測定しながらポーリングを行な
つた（Tp＝室温、Ep＝1145KV／cm、周波数
0.01Hz、反転回数10回）。こうして得られた圧電
膜は、Kt＝0.207、Tm＝143℃であつた。このフ
イルムの熱安定性は第１図の記号△で示す通りで
ある。
融結晶化フイルム） フツ化ビニリデン組成81モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体のジメチ
ルホルムアミド溶液を、ガラス板上に流涎し、常
温、減圧下で溶媒を気化させた。このフイルムの
融点Tm＝124℃であつた。これをガラス板から
はがさずに、141℃で１時間熱処理した後、徐冷
（２℃／分）した。このフイルムの両面にアルミ
ニウムを蒸着して電極として用い、三角波電圧を
印加し反転電流を測定しながらポーリングを行な
つた（Tp＝室温、Ep＝1145KV／cm、周波数
0.01Hz、反転回数10回）。こうして得られた圧電
膜は、Kt＝0.207、Tm＝143℃であつた。このフ
イルムの熱安定性は第１図の記号△で示す通りで
ある。
このフイルムのポーリング時の反転10回目の反
転電流の測定結果を第２図に示す。なお、この測
定結果ではフイルム自体のコンデンサーの効果で
流れる電流を除いている。
転電流の測定結果を第２図に示す。なお、この測
定結果ではフイルム自体のコンデンサーの効果で
流れる電流を除いている。
反転電流半値幅△Ec＝41.8KV／cm、残留分極
Pr＝7.1μC／cm2である。△Ecが小さく残留Prが大
きくなつており、ポーリングによつて効果的に分
極されていることを示している。
Pr＝7.1μC／cm2である。△Ecが小さく残留Prが大
きくなつており、ポーリングによつて効果的に分
極されていることを示している。
●実施例 ３
（フツ化ビニリデン組成82モル％、未延伸、溶
融結晶化フイルム） フツ化ビニリデン組成82モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体のジメチ
ルホルムアミド溶液をガラス板上に流涎し、常
温、減圧下で溶媒を気化させた。このフイルムの
融点はTm＝124℃であつた。これをガラス板か
らはがさずに、180℃まで昇温した後、徐冷（２
℃／分）した。このフイルムの両面にアルミニウ
ムを蒸着して電極として用い、三角波電圧を印加
し、反転電流を測定しながらポーリングを行なつ
た（Tp＝室温、Ep＝923KV／cm、周波数0.01
Hz、反転回数10回）。
融結晶化フイルム） フツ化ビニリデン組成82モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体のジメチ
ルホルムアミド溶液をガラス板上に流涎し、常
温、減圧下で溶媒を気化させた。このフイルムの
融点はTm＝124℃であつた。これをガラス板か
らはがさずに、180℃まで昇温した後、徐冷（２
℃／分）した。このフイルムの両面にアルミニウ
ムを蒸着して電極として用い、三角波電圧を印加
し、反転電流を測定しながらポーリングを行なつ
た（Tp＝室温、Ep＝923KV／cm、周波数0.01
Hz、反転回数10回）。
こうして得られた圧電膜は、Kt＝0.189、Tm
＝141℃であつた。このフイルムのポーリング時
の反転10回目の反転電流の測定結果は第２図と同
様の鋭いピークとなつた。
＝141℃であつた。このフイルムのポーリング時
の反転10回目の反転電流の測定結果は第２図と同
様の鋭いピークとなつた。
△Ec＝66.7KV／cm、Pr＝7.4μC／cm2である。
△Ecが小さく、Prが大きくなつており、ポーリ
ングによつて効果的に分極されていることを示し
ている。このフイルムの熱安定性は、第１図の記
号□で示す通りである。結合定数Ktは融点Tm付
近までほとんど減少せず、安定であることが判
る。
△Ecが小さく、Prが大きくなつており、ポーリ
ングによつて効果的に分極されていることを示し
ている。このフイルムの熱安定性は、第１図の記
号□で示す通りである。結合定数Ktは融点Tm付
近までほとんど減少せず、安定であることが判
る。
●実施例 ４
（フツ化ビニリデン組成87モル％、未延伸、溶
融結晶化フイルム） フツ化ビニリデン組成87モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体のジメチ
ルホルムアミド溶液をガラス板上に流涎し、常
温、減圧下で溶媒を気化させた。このフイルムの
融点はTm＝120℃であつた。これをガラス板か
らはがさずに180℃で１時間保つた後、徐冷（２
℃／分）した。このフイルムの両面にアルミニウ
ムを蒸着して電極として用いポーリングを行なつ
た（Tp＝100℃、Ep＝921KV／cm、tp＝30分）。
融結晶化フイルム） フツ化ビニリデン組成87モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体のジメチ
ルホルムアミド溶液をガラス板上に流涎し、常
温、減圧下で溶媒を気化させた。このフイルムの
融点はTm＝120℃であつた。これをガラス板か
らはがさずに180℃で１時間保つた後、徐冷（２
℃／分）した。このフイルムの両面にアルミニウ
ムを蒸着して電極として用いポーリングを行なつ
た（Tp＝100℃、Ep＝921KV／cm、tp＝30分）。
こうして得られた圧電膜は、Kt＝0.109、Tm
＝136℃であつた。このフイルムの熱安定性は第
１図の記号▽で示す通りである。
＝136℃であつた。このフイルムの熱安定性は第
１図の記号▽で示す通りである。
●比較例 １
（フツ化ビニリデン組成72モル％、延伸、Tm
以下で熱処理をしたフイルム） フツ化ビニリデン組成72モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体をホツト
プレスで製膜した後、65℃で約４倍に延伸した。
このフイルムの融点はTm＝141℃であつた。こ
れを金属板ではさんで、オーブン内で120℃で１
時間熱処理を行なつた後、徐冷（２℃／分）し
た。このフイルムの両面にアルミニウムを蒸着
し、電極として用い、ポーリングを行なつた
（Tp＝100℃、Ep＝532KV／cm、tp＝30分）。こ
うして得られた圧電膜は、Kt＝0.167、Tm＝141
℃であつた。このフイルムの熱安定性は第１図の
記号●で示す通りである。
以下で熱処理をしたフイルム） フツ化ビニリデン組成72モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体をホツト
プレスで製膜した後、65℃で約４倍に延伸した。
このフイルムの融点はTm＝141℃であつた。こ
れを金属板ではさんで、オーブン内で120℃で１
時間熱処理を行なつた後、徐冷（２℃／分）し
た。このフイルムの両面にアルミニウムを蒸着
し、電極として用い、ポーリングを行なつた
（Tp＝100℃、Ep＝532KV／cm、tp＝30分）。こ
うして得られた圧電膜は、Kt＝0.167、Tm＝141
℃であつた。このフイルムの熱安定性は第１図の
記号●で示す通りである。
第１図からKtは本発明の場合と異なり、温度
の上昇とともに直線的に低下し、融点付近でゼロ
となることが判る。
の上昇とともに直線的に低下し、融点付近でゼロ
となることが判る。
●比較例 ２
（フツ化ビニリデン組成81モル％未延伸、融点
Tm以下で熱処理したフイルム） 実施例２と同様に製膜したフイルムをガラス板
からはがさずに115℃で１時間熱処理した後、徐
冷（２℃／分）した。このフイルムの両面にアル
ミニウムを蒸着して電極として用い、実施例２と
同様に反転電流を測定しながらポーリングを行な
つた（Tp＝室温、Ep＝1125KV／cm、周波数
0.01Hz、反転回数10回）。このフイルムはKt＝０
であつた。このフイルムのポーリング時の反転10
回目の反転電流の測定結果は非常にブロードで明
確なピークは観察されなかつた。
Tm以下で熱処理したフイルム） 実施例２と同様に製膜したフイルムをガラス板
からはがさずに115℃で１時間熱処理した後、徐
冷（２℃／分）した。このフイルムの両面にアル
ミニウムを蒸着して電極として用い、実施例２と
同様に反転電流を測定しながらポーリングを行な
つた（Tp＝室温、Ep＝1125KV／cm、周波数
0.01Hz、反転回数10回）。このフイルムはKt＝０
であつた。このフイルムのポーリング時の反転10
回目の反転電流の測定結果は非常にブロードで明
確なピークは観察されなかつた。
残留分極はPr＝2.5μC／cm2であつた。
●比較例 ３
（フツ化ビニリデン組成81モル％、未延伸、溶
融、急冷フイルム） 実施例２と同様に製膜したフイルムをガラス板
からはがさずに142℃で１時間熱処理した後、０
℃の氷水中に入れて急冷した。このフイルムの両
面にアルミニウムを蒸着して電極として用い、実
施例２と同様に反転電流を測定しながらポーリン
グを行なつた（Tp＝室温、Ep＝1049KV／cm、
周波数0.01Hz、反転回数10回）。
融、急冷フイルム） 実施例２と同様に製膜したフイルムをガラス板
からはがさずに142℃で１時間熱処理した後、０
℃の氷水中に入れて急冷した。このフイルムの両
面にアルミニウムを蒸着して電極として用い、実
施例２と同様に反転電流を測定しながらポーリン
グを行なつた（Tp＝室温、Ep＝1049KV／cm、
周波数0.01Hz、反転回数10回）。
このフイルムはKt＝０であつた。このフイル
ムのポーリング時の反転10回目の反転電流の測定
結果は、非常にブロードで明確なピークは観察さ
れなかつた。残留分極はPr＝3.3μC／cm2であつ
た。
ムのポーリング時の反転10回目の反転電流の測定
結果は、非常にブロードで明確なピークは観察さ
れなかつた。残留分極はPr＝3.3μC／cm2であつ
た。
●比較例 ４
（フツ化ビニリデン組成82モル％、延伸、熱処
理なしのフイルム） フツ化ビニリデン組成82モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体をホツト
プレスで製膜した後、55℃で約６倍に延伸した。
このフイルムの融点はTm＝132℃であつた。こ
のフイルムの両面にアルミニウムを蒸着し、電極
として用いポーリングを行なつた（Tp＝90℃、
Ep＝714KV／cm、tp＝１時間）。
理なしのフイルム） フツ化ビニリデン組成82モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体をホツト
プレスで製膜した後、55℃で約６倍に延伸した。
このフイルムの融点はTm＝132℃であつた。こ
のフイルムの両面にアルミニウムを蒸着し、電極
として用いポーリングを行なつた（Tp＝90℃、
Ep＝714KV／cm、tp＝１時間）。
こうして得られた圧電膜は、Kt＝0.150、Tm
＝136℃であつた。このフイルムの熱安定性は第
１図の記号■で示す通りである。Ktはほほとん
ど直線的に低下して融点付近でゼロとなつた。
＝136℃であつた。このフイルムの熱安定性は第
１図の記号■で示す通りである。Ktはほほとん
ど直線的に低下して融点付近でゼロとなつた。
●比較例 ５
（フツ化ビニリデン組成99モル％、未延伸、溶
融結晶化フイルム） フツ化ビニリデン組成99モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体のジメチ
ルホルムアミド溶液を、ガラス板上に流涎し、常
温、減圧下で溶媒を気化させた。このフイルムの
融点はTm＝145℃であつた。これをガラス板か
らはがさずに180℃に保つた後、徐冷（２℃／分）
した。このフイルムの両面にアルミニウムを蒸着
して電極として用いポーリングを行なつた（Tp
＝100℃、Ep＝833KV／cm、tp＝10分）。
融結晶化フイルム） フツ化ビニリデン組成99モル％のフツ化ビニリ
デン−テトラフルオロエチレン共重合体のジメチ
ルホルムアミド溶液を、ガラス板上に流涎し、常
温、減圧下で溶媒を気化させた。このフイルムの
融点はTm＝145℃であつた。これをガラス板か
らはがさずに180℃に保つた後、徐冷（２℃／分）
した。このフイルムの両面にアルミニウムを蒸着
して電極として用いポーリングを行なつた（Tp
＝100℃、Ep＝833KV／cm、tp＝10分）。
こうして得られた圧電膜はKt＝0.064であり、
圧電性が小さかつた。
圧電性が小さかつた。
(ホ) 発明の効果
実施例１〜３はいずれも一旦温度を融点Tm以
上に上げて融解させ、そこから徐冷して結晶化さ
せた後にポーリングしたもので、比較例１、４の
延伸工程を加えて融点Tm以下で熱処理した場合
よりも結合定数Ktの熱安定性がよく、融点Tm直
下まで実用可能なKtの値を維持する熱安定性の
よい圧電膜が得られることを示している。
上に上げて融解させ、そこから徐冷して結晶化さ
せた後にポーリングしたもので、比較例１、４の
延伸工程を加えて融点Tm以下で熱処理した場合
よりも結合定数Ktの熱安定性がよく、融点Tm直
下まで実用可能なKtの値を維持する熱安定性の
よい圧電膜が得られることを示している。
比較例２は、未延伸でも、一旦溶融することが
必須であることを示しており、比較例３は、更に
溶融した後に徐冷することが必須であることを示
している。
必須であることを示しており、比較例３は、更に
溶融した後に徐冷することが必須であることを示
している。
なお、実施例２、３および比較例２、３に示し
た△EcとPrについては、△Ecが小さくPrが大き
いと、結合定数Ktが大きいという相関があると
いう知見を得ている。これらの値を比較してみて
も、一旦温度を融点Tm以上に上げて融解させ、
そこから徐冷して結晶化させ、ポーリングすると
いう本発明の方法が有効であることが判る。
た△EcとPrについては、△Ecが小さくPrが大き
いと、結合定数Ktが大きいという相関があると
いう知見を得ている。これらの値を比較してみて
も、一旦温度を融点Tm以上に上げて融解させ、
そこから徐冷して結晶化させ、ポーリングすると
いう本発明の方法が有効であることが判る。
実施例４のフツ化ビニリデン組成87モル％のフ
ツ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重合
体の熱安定性は100℃付近に肩が見られ、温度を
一旦融点Tm以上に上げて融解させ、そこから徐
冷して結晶化させるという本発明の方法がこの組
成比の共重合体においても熱安定性向上に効果が
あることを示していると言える。
ツ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重合
体の熱安定性は100℃付近に肩が見られ、温度を
一旦融点Tm以上に上げて融解させ、そこから徐
冷して結晶化させるという本発明の方法がこの組
成比の共重合体においても熱安定性向上に効果が
あることを示していると言える。
比較例５のフツ化ビニリデン組成99モル％のフ
ツ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重合
体は、さらにフツ化ビニリデン組成が大きいので
本発明による効果が発現しないことを示してい
る。
ツ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重合
体は、さらにフツ化ビニリデン組成が大きいので
本発明による効果が発現しないことを示してい
る。
なお、一般的にポーリングにより圧電性を付与
された物質は焦電性も有するが、本発明に係る高
分子圧電体も焦電性を有し、従来のものより熱安
定性に優れているので高温下での使用に適し、劣
化も少ない。
された物質は焦電性も有するが、本発明に係る高
分子圧電体も焦電性を有し、従来のものより熱安
定性に優れているので高温下での使用に適し、劣
化も少ない。
このため、本発明に係る方法で製造された高分
子圧電体は圧電性、焦電性を利用した工業用の計
測器の用途に適している。
子圧電体は圧電性、焦電性を利用した工業用の計
測器の用途に適している。
更に、大きい圧電性を有する高分子圧電材料は
結晶性が高く加工性に劣るものが多いが、本発明
に係る方法で製造された高分子圧電体は、しなや
かで加工性に富んでいる。そこで、例えばチユー
ブや薄膜のような可撓性を必要とする用途にも適
している。
結晶性が高く加工性に劣るものが多いが、本発明
に係る方法で製造された高分子圧電体は、しなや
かで加工性に富んでいる。そこで、例えばチユー
ブや薄膜のような可撓性を必要とする用途にも適
している。
第１図は電気−機械結合定数Ktの熱安定性を
示すグラフ、第２図は、ポーリング時の反転電流
を示すグラフである。
示すグラフ、第２図は、ポーリング時の反転電流
を示すグラフである。
Claims (1)
- １ フツ化ビニリデン組成が72〜87モル％のフツ
化ビニリデンとテトラフルオロエチレンの共重合
体を融点Tm以上の温度から徐冷して結晶化さ
せ、ポーリングすることを特徴とする熱安定性に
優れた高分子圧電体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223896A JPS61102791A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 熱安定性に優れた高分子圧電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223896A JPS61102791A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 熱安定性に優れた高分子圧電体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102791A JPS61102791A (ja) | 1986-05-21 |
| JPH0376598B2 true JPH0376598B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=16805403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223896A Granted JPS61102791A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 熱安定性に優れた高分子圧電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102791A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011181748A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Daikin Industries Ltd | 分極化樹脂フィルムの製造方法 |
| WO2015053344A1 (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | ダイキン工業株式会社 | 圧電フィルム |
| JP7392942B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2023-12-06 | ダイキン工業株式会社 | 振動センサおよび圧電素子 |
| JP7473773B2 (ja) * | 2018-10-16 | 2024-04-24 | ダイキン工業株式会社 | 圧電フィルム |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59223896A patent/JPS61102791A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61102791A (ja) | 1986-05-21 |
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