JPS6110519A - １，４−ジアルキルベンゼンの製造法 - Google Patents
１，４−ジアルキルベンゼンの製造法Info
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- JPS6110519A JPS6110519A JP59129169A JP12916984A JPS6110519A JP S6110519 A JPS6110519 A JP S6110519A JP 59129169 A JP59129169 A JP 59129169A JP 12916984 A JP12916984 A JP 12916984A JP S6110519 A JPS6110519 A JP S6110519A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hours
- catalyst
- reaction
- crystalline aluminosilicate
- monoalkylbenzene
- Prior art date
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各種機能性ポリマーの出発原料として有用な
１．４−ジアルキルベンゼンを選択的ＫＷ造する方法に
関するものである。
１．４−ジアルキルベンゼンを選択的ＫＷ造する方法に
関するものである。
（従来の技術）
結晶性アルミノシリケートに種々の処理を行った触媒を
用いる１、４−ジアルキルベンゼンの選択的製造法に関
しては、近年、モーピルオイル社が開発した結晶性アル
ミノシリケー）ＺＳＭ−５を各種金属酸化物で処理した
触媒を用いる方法（特開昭５６−１４５２２７号公報、
特開昭５６−１３５２２５号公報参照）や、モルデナイ
トをケイ酸エステルで処理した触媒を用いる方法（ＪＣ
８Ｃｈｅｍ Ｃｏｍｍｕｎ、 ８１９ （１９８２）
、 Ｃｈｅｍ Ｌｅｔｔ。
用いる１、４−ジアルキルベンゼンの選択的製造法に関
しては、近年、モーピルオイル社が開発した結晶性アル
ミノシリケー）ＺＳＭ−５を各種金属酸化物で処理した
触媒を用いる方法（特開昭５６−１４５２２７号公報、
特開昭５６−１３５２２５号公報参照）や、モルデナイ
トをケイ酸エステルで処理した触媒を用いる方法（ＪＣ
８Ｃｈｅｍ Ｃｏｍｍｕｎ、 ８１９ （１９８２）
、 Ｃｈｅｍ Ｌｅｔｔ。
υ、７ （１９８３）Ｅなどが知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
ＺＳＭ−５ｉ金属酸化物で処理する方法は、確かに１．
４一体の選択率は９０チ以上と高いが、金属溶液への含
浸過程を含むため、結晶性アルミノシリケートの細孔を
も閉塞してしまうため、活性を著しく低下させるという
欠点を有していた。また、１，４一体の選択率もせいぜ
い９５％であり、それ以上の非常に高い選択率の実現は
困難であった。一方、モルデナイトをケイ酸エステルで
処理する方法は、１，４一体の選択率がせいぜい７０％
どまシであり、決して満足できる選択率ではなかった。
４一体の選択率は９０チ以上と高いが、金属溶液への含
浸過程を含むため、結晶性アルミノシリケートの細孔を
も閉塞してしまうため、活性を著しく低下させるという
欠点を有していた。また、１，４一体の選択率もせいぜ
い９５％であり、それ以上の非常に高い選択率の実現は
困難であった。一方、モルデナイトをケイ酸エステルで
処理する方法は、１，４一体の選択率がせいぜい７０％
どまシであり、決して満足できる選択率ではなかった。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、高活性でしかも高選択率の触媒を開発す
べく鋭意検討を重ねた結果、シリカ／アルミナモル比が
１０以上、制御指数が１〜１５の結晶性アルミノシリケ
ートをケイ酸エステルで処理した触媒を用いると、モノ
アルキルベンゼンから９５％以上という非常に高い選択
率で、しかも高収率で１，４−ジアルキルベンゼンが得
られることを見い出し、本発明を完成するに至った。
べく鋭意検討を重ねた結果、シリカ／アルミナモル比が
１０以上、制御指数が１〜１５の結晶性アルミノシリケ
ートをケイ酸エステルで処理した触媒を用いると、モノ
アルキルベンゼンから９５％以上という非常に高い選択
率で、しかも高収率で１，４−ジアルキルベンゼンが得
られることを見い出し、本発明を完成するに至った。
すｆｚｂち、本発明は、モノアルキルベンゼンを気相に
おいて１．４−ジアルキルベンゼンに転化する際に、シ
リカ／アルミナモル比が１０以上、制御指数が１〜１５
の結晶性アルミノシリケートをケイ酸エステル含有ガス
で処理した後、酸素含有ガス中で焼成した触媒を用いる
ことを特徴とする１、４−ジアルキルベンゼンの製造法
を提供するものである。
おいて１．４−ジアルキルベンゼンに転化する際に、シ
リカ／アルミナモル比が１０以上、制御指数が１〜１５
の結晶性アルミノシリケートをケイ酸エステル含有ガス
で処理した後、酸素含有ガス中で焼成した触媒を用いる
ことを特徴とする１、４−ジアルキルベンゼンの製造法
を提供するものである。
本発明に用〆られる結晶性アルミノシリケートは、シリ
カ／アルミナモル比が１０以上、制御指数が１〜１５の
範囲のものである。ここで用いられる制御指数とは、Ｊ
、Ｃａｔａｌ ６７．２１８（１９８１）に記載されて
いるｎ−ヘキサンと３−メチルペンタンのタラツキング
速度の比を表わす指数である。
カ／アルミナモル比が１０以上、制御指数が１〜１５の
範囲のものである。ここで用いられる制御指数とは、Ｊ
、Ｃａｔａｌ ６７．２１８（１９８１）に記載されて
いるｎ−ヘキサンと３−メチルペンタンのタラツキング
速度の比を表わす指数である。
この制御指数の決定は、ｎ−へキサンと６−メチルペン
タンの等量混合物金ヘリウムで５倍希釈して、２６０〜
５１０ｃの温度範囲で触媒上を流した時の残存ｎ−ヘキ
サン、３−メチルペンタンの葉から、次の式によって決
定される。
タンの等量混合物金ヘリウムで５倍希釈して、２６０〜
５１０ｃの温度範囲で触媒上を流した時の残存ｎ−ヘキ
サン、３−メチルペンタンの葉から、次の式によって決
定される。
廟（残存３−メチルペンタン）
測定の際、全体の転化率が１０〜６０チになるよりに、
ＬＨ８Ｖを適当に選ぶ必要があシ、通常０．０５〜１．
Ｏｈｒ−”の範囲で行われる。
ＬＨ８Ｖを適当に選ぶ必要があシ、通常０．０５〜１．
Ｏｈｒ−”の範囲で行われる。
この制御指数は、結晶性アルミノシリケートの空孔の大
きさと関連があり、例えば、１２員壌構造を有する空孔
の大きいものは、ｎ−ヘキサンと３−メチルペンタンの
両者が空孔に入シ得るため、制御指数＃′ｉ１以下とな
る。また、８員環構造を有する空孔の小さいものは、ｎ
−ヘキサンが優先的に空孔に人りクラツキングされるた
め、制御指数は５０以上の大きな値となる。
きさと関連があり、例えば、１２員壌構造を有する空孔
の大きいものは、ｎ−ヘキサンと３−メチルペンタンの
両者が空孔に入シ得るため、制御指数＃′ｉ１以下とな
る。また、８員環構造を有する空孔の小さいものは、ｎ
−ヘキサンが優先的に空孔に人りクラツキングされるた
め、制御指数は５０以上の大きな値となる。
本発明における結晶性アルミノシリケートは、制御指数
が１〜１５の値を有する中程度の大きさの空孔を有する
ものである。
が１〜１５の値を有する中程度の大きさの空孔を有する
ものである。
本発明圧用いられるシリカ／アルミナモル比が１０以上
、制御指数が１〜１５の結晶性アルミノシリケートとは
、Ｘ線回折図において下表のＸ線回折パターンを有する
結晶性アルミノシリケート（この製法は特願昭５７−２
２８２８３号に開示されている。以下このアルミノシリ
ケートｉ ＡＺ−１という。）、モーピルオイル社が開
発したＺＳＭ−５（米国特許第５７０２８８６号明細書
参照）、ＺＳＭ−１１（特開昭５４−５２６９９号公報
参照）などが挙げられるが、特に好ましいのはＡＺ−１
である。
、制御指数が１〜１５の結晶性アルミノシリケートとは
、Ｘ線回折図において下表のＸ線回折パターンを有する
結晶性アルミノシリケート（この製法は特願昭５７−２
２８２８３号に開示されている。以下このアルミノシリ
ケートｉ ＡＺ−１という。）、モーピルオイル社が開
発したＺＳＭ−５（米国特許第５７０２８８６号明細書
参照）、ＺＳＭ−１１（特開昭５４−５２６９９号公報
参照）などが挙げられるが、特に好ましいのはＡＺ−１
である。
Ｘ線回折分析は、ＣｕＫａ線を用いて測定する。
ただし、８．７±０．２と８．９±０．２の回折線のど
ちらかを相対強度１００とする。
ちらかを相対強度１００とする。
本発１［Ｋ用いられるケイ酸エステルとしては、ケイ酸
メチル、ケイ酸エチル、ケイ酸ｎ−グロピル、ケイ酸１
ｓｏ−プロピル、ケイ酸ｎ−ブチル、ケイ酸ｔｅｒｔ−
ブチルなどが挙げられるが、特に好ましいのは、ケイ酸
メチル、ケイ酸エチルである。
メチル、ケイ酸エチル、ケイ酸ｎ−グロピル、ケイ酸１
ｓｏ−プロピル、ケイ酸ｎ−ブチル、ケイ酸ｔｅｒｔ−
ブチルなどが挙げられるが、特に好ましいのは、ケイ酸
メチル、ケイ酸エチルである。
これらのケイ酸エステルは、そのまま単独で、または適
当な希釈剤を用いてガス状で用いられるが、その際のケ
イ酸エステルの濃度は１〜１００容量チ、好ましくは５
〜１００容量チである。また、希釈剤としては、窒素、
ヘリウム、アルゴン、空気、水蒸気等を用いることがで
きるが、好ましいのは窒素である。
当な希釈剤を用いてガス状で用いられるが、その際のケ
イ酸エステルの濃度は１〜１００容量チ、好ましくは５
〜１００容量チである。また、希釈剤としては、窒素、
ヘリウム、アルゴン、空気、水蒸気等を用いることがで
きるが、好ましいのは窒素である。
これらのケイ酸エステル含有ガスで結晶性アルミノシリ
ケートを処理する温度は、ケイ酸エステルを気相に保持
できる温度であれば特に制限はないが、通常１００〜５
ｏａＣ，好ましくは２００〜４００Ｃの範囲で行なわれ
る。さらに、これらのケイ酸エステル含有ガスで処理す
る際の圧力も、ケイ酸エステルを気相に保持できる圧力
であれば特に制限はなく、減圧、常圧、加圧いずれでも
よい。
ケートを処理する温度は、ケイ酸エステルを気相に保持
できる温度であれば特に制限はないが、通常１００〜５
ｏａＣ，好ましくは２００〜４００Ｃの範囲で行なわれ
る。さらに、これらのケイ酸エステル含有ガスで処理す
る際の圧力も、ケイ酸エステルを気相に保持できる圧力
であれば特に制限はなく、減圧、常圧、加圧いずれでも
よい。
さらに、ケイ酸エステル含有ガスで処理した結晶性アル
ミノシリケートは、酸素含有ガス中で焼成する必要があ
るが、その際のガス中の酸素濃度は５〜１００容量チ、
好ましくは１０〜３０容量チであり、通常は空気が用い
られる。また、この焼成時の温度は５００〜７ｏｏＣ，
好ましくは３５０〜６００Ｃの範囲である。
ミノシリケートは、酸素含有ガス中で焼成する必要があ
るが、その際のガス中の酸素濃度は５〜１００容量チ、
好ましくは１０〜３０容量チであり、通常は空気が用い
られる。また、この焼成時の温度は５００〜７ｏｏＣ，
好ましくは３５０〜６００Ｃの範囲である。
このようにして結晶性アルミノシリケートをケイ酸エス
テルで処理することによシ担持されるシリカの量は、好
ましくは本との結晶性アルミノシリケートに対して少な
くとも０．１重量％で１７、よ勺好ましくは０．５〜１
０重量％である。担持量が非常に少ない場合には、１，
４一体の選択率を向上させる効果が小さく、逆に多過ぎ
ると１，４一体の選択率は極めて高くなるが、活性が著
しく低下する。
テルで処理することによシ担持されるシリカの量は、好
ましくは本との結晶性アルミノシリケートに対して少な
くとも０．１重量％で１７、よ勺好ましくは０．５〜１
０重量％である。担持量が非常に少ない場合には、１，
４一体の選択率を向上させる効果が小さく、逆に多過ぎ
ると１，４一体の選択率は極めて高くなるが、活性が著
しく低下する。
本発明に用いられるモノアルキルベンゼンとは、炭素数
が１〜３のアルキル基を有するモノアルキルベンゼンで
ラシ、具体的には、トルエン、エチルベンゼン、イソプ
ロピルベンゼン等が挙ケられる。
が１〜３のアルキル基を有するモノアルキルベンゼンで
ラシ、具体的には、トルエン、エチルベンゼン、イソプ
ロピルベンゼン等が挙ケられる。
本発明における１、４−ジアルキルベンゼンとしてハ、
パラキシレン、パラエチルトルエン、パラジエチルベン
ゼン、パラジイソプロピルベンゼン、パラシメン等が挙
げられる。
パラキシレン、パラエチルトルエン、パラジエチルベン
ゼン、パラジイソプロピルベンゼン、パラシメン等が挙
げられる。
このモノアルキルベンゼンからの１．４−、）アルキル
ベンゼンの製造には、アルコールやオレフィンを用いる
アルキル化反応と、モノアルキルベンゼ／単独からの不
均化反応がある。アルキル化反応の場合に用いられるア
ルコールとしては、メタノール、エタノール、ｎ−まｆ
Ｃは１ｓｏ−プロパツールが、オレフィンとしては、エ
チレン、プロピレン等が挙げられる。
ベンゼンの製造には、アルコールやオレフィンを用いる
アルキル化反応と、モノアルキルベンゼ／単独からの不
均化反応がある。アルキル化反応の場合に用いられるア
ルコールとしては、メタノール、エタノール、ｎ−まｆ
Ｃは１ｓｏ−プロパツールが、オレフィンとしては、エ
チレン、プロピレン等が挙げられる。
本発明を実施するに当り、反応ｍ度は反応原料と反応の
揮類によって異なるが、反応系を気相に保つために、少
なくとも２００Ｃの温度が必要であｐ１゛また。７００
Ｃ以上の温度では選択性が極めて低くなるので、好まし
い温度として通常５００〜６００Ｃの範囲が用いられる
。さらに、反応圧力は減圧、常圧、加圧の込ずれでもよ
く、反応方式としては、固定床や流動床などの流通方式
が好廿しい。
揮類によって異なるが、反応系を気相に保つために、少
なくとも２００Ｃの温度が必要であｐ１゛また。７００
Ｃ以上の温度では選択性が極めて低くなるので、好まし
い温度として通常５００〜６００Ｃの範囲が用いられる
。さらに、反応圧力は減圧、常圧、加圧の込ずれでもよ
く、反応方式としては、固定床や流動床などの流通方式
が好廿しい。
（発明の効果）
本発明の方法によれば、従来の金属酸化物で結晶性プル
ミノシリケートを処理する方法に比べて活性が高く、し
かも１．４一体の選択率Ｉ＋、９５１以上と極めて高く
なる。Ｃのことは、工業的に実施する場合に極めて有利
になる。
ミノシリケートを処理する方法に比べて活性が高く、し
かも１．４一体の選択率Ｉ＋、９５１以上と極めて高く
なる。Ｃのことは、工業的に実施する場合に極めて有利
になる。
（実施例）
実施例１
１．８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン１００２
、硫酸アルミニウム（Ａム（ＳＯ４）３・１８Ｉ（、Ｑ
）５１、水酸化ナトリウム５１を水１５０２にとかし、
さらにシリカゾル（５０チＳｉｎ、 ） ２００９を加
えて均質な溶液を得た。この溶液に、かきまぜながら２
０％硫酸３０ｙを滴下して均質なゲルを得た。さらに１
．このゲルをホモジナイザーに入れ、１１００００ｒｐ
で１０分間混合した。このゲルをテフロン内張シスチン
レス製耐圧容器中で、１８０Ｃ５４５時間静置して結晶
化を行った。
、硫酸アルミニウム（Ａム（ＳＯ４）３・１８Ｉ（、Ｑ
）５１、水酸化ナトリウム５１を水１５０２にとかし、
さらにシリカゾル（５０チＳｉｎ、 ） ２００９を加
えて均質な溶液を得た。この溶液に、かきまぜながら２
０％硫酸３０ｙを滴下して均質なゲルを得た。さらに１
．このゲルをホモジナイザーに入れ、１１００００ｒｐ
で１０分間混合した。このゲルをテフロン内張シスチン
レス製耐圧容器中で、１８０Ｃ５４５時間静置して結晶
化を行った。
得られた生成物を濾過、洗浄したのち、１２０Ｃで６時
間乾燥して、さらに５００Ｃで６時間焼成した。
間乾燥して、さらに５００Ｃで６時間焼成した。
この生成物のＸ線回折パターンを図面に示す。
この回折パターンよル、この生成物は、ＡＺ−１と同定
された。また、螢光Ｘ線分析から求めたシリカ／アルミ
ナモル比は８０であＪ、３１５Ｃで測定した制御指数Ｆ
ｉ１３．０であった。
された。また、螢光Ｘ線分析から求めたシリカ／アルミ
ナモル比は８０であＪ、３１５Ｃで測定した制御指数Ｆ
ｉ１３．０であった。
このＡＺ−１１０Ｓ＋を１０〜２０メツシユに成型した
ものをガラス製反応管に充填して、２０宕量俤のケイ酸
エチルを含む窒素ガスを３００Ｃ。
ものをガラス製反応管に充填して、２０宕量俤のケイ酸
エチルを含む窒素ガスを３００Ｃ。
ＳＶ １０００ ｈｒ−’で２０分間流した。その後、
温度？５００Ｃに上げて空気を流しながら２時間焼成を
行った。
温度？５００Ｃに上げて空気を流しながら２時間焼成を
行った。
得られた触媒の重量分析より求めたシリカ担持量は２．
５重量％であった。
５重量％であった。
この触媒ヲ用いて、エチルベンゼンとエチレンからのジ
エチルベンゼンの合成皮Ｃｋ行った。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレン／当モル比＝ ５ ／ ｉ ／
４、ＷＨ８Ｖ ｊＯｈｒ ’ 、反応温度３５０Ｃ１圧
力３に２ ／ ｃｒｌて行った。
エチルベンゼンの合成皮Ｃｋ行った。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレン／当モル比＝ ５ ／ ｉ ／
４、ＷＨ８Ｖ ｊＯｈｒ ’ 、反応温度３５０Ｃ１圧
力３に２ ／ ｃｒｌて行った。
反応開始後、２〜５時間、２０〜２１時間の成績を表１
に示す。
に示す。
表 １
実施例２
実施例１で得られた触媒を用いて、トルエンとエチレン
からのエチルトルエンの合成反応を行った。９１＝Ｗｋ
’に件ハ、）ルエン／エチレン／Ｈ！モル比−４／ １
／ ４、ＷＨ８Ｖ ４．Ｏｈｒ−’、圧力３．０ ｋ
ｇ７ｃｕｔ、反応温度４００Ｃで行つ几。
からのエチルトルエンの合成反応を行った。９１＝Ｗｋ
’に件ハ、）ルエン／エチレン／Ｈ！モル比−４／ １
／ ４、ＷＨ８Ｖ ４．Ｏｈｒ−’、圧力３．０ ｋ
ｇ７ｃｕｔ、反応温度４００Ｃで行つ几。
反応開始後、２〜３時間、１０〜１１時間、２０〜２１
時間の成績を表２に示す。
時間の成績を表２に示す。
表 ２
実施例６
実施例１で得られた触媒を用いて、トルエンの不拘ｆヒ
反応金行った。実験条件は、ル／トルエンモル比２．５
、ＷＨ８Ｖ ２．Ｏｈｒ”、反応温度５００Ｃ５圧力１
０ｋｙ／ｃＩｉで行つＬ０ 反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績を表３
に示す。
反応金行った。実験条件は、ル／トルエンモル比２．５
、ＷＨ８Ｖ ２．Ｏｈｒ”、反応温度５００Ｃ５圧力１
０ｋｙ／ｃＩｉで行つＬ０ 反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績を表３
に示す。
表 ３
実施例４
実施例１で得られた触媒を用いて、エチルベンゼンの不
均化反応を行った。実験条件は、Ｈ！／エチルベンゼン
モル比２．５、ＷＩＩＳＶ ２．Ｏｈｒ−’、反応温度
３５０Ｃ１圧力３，０ｋｇ７ｃｍで行った。
均化反応を行った。実験条件は、Ｈ！／エチルベンゼン
モル比２．５、ＷＩＩＳＶ ２．Ｏｈｒ−’、反応温度
３５０Ｃ１圧力３，０ｋｇ７ｃｍで行った。
反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績ケ表４
に示す。
に示す。
表 ４
実施例５
実施例１で得られｆＡＺ−１１Ｏｆｆ １０〜２０メツ
シユに成型したものをガラス製反応管に充填して、２５
容量チのケイ酸メチルを含む窒素ガス１５２０［、ＳＶ
ｌ ５００ｈｒ−’で２０分間流シタ。
シユに成型したものをガラス製反応管に充填して、２５
容量チのケイ酸メチルを含む窒素ガス１５２０［、ＳＶ
ｌ ５００ｈｒ−’で２０分間流シタ。
その後、温度を５００Ｃに上げ、空気を流しながら２時
間焼成を行った。
間焼成を行った。
得られた触媒の重量分析から求めたシリカ担持量は３．
０重量％であった。
０重量％であった。
この触媒を用いてエチルベンゼンとエチレンからのジエ
チルベンゼンの合成反応を行った。実験条件は、エチル
ベンゼン／エチレンモル比３．０、ＷＨ８Ｖ ４．Ｏｈ
ｒ−’、反応温度５６０ Ｇ、常圧で行つた。
チルベンゼンの合成反応を行った。実験条件は、エチル
ベンゼン／エチレンモル比３．０、ＷＨ８Ｖ ４．Ｏｈ
ｒ−’、反応温度５６０ Ｇ、常圧で行つた。
反応しＩ］始後、２〜３時間の成績は、エチルベンゼン
転化率２０％、ジエチルベンゼン選択率９゜チ、ジエチ
ルベンゼン中のパラ体の割合９９％であった。
転化率２０％、ジエチルベンゼン選択率９゜チ、ジエチ
ルベンゼン中のパラ体の割合９９％であった。
実施例６
実施例５で得られた触媒を用いて、トルエンとメタノー
ルからのキシレン合成反応を行った。実験条件ｕ、）ル
エン／メタノールモル比２、ＷＨ８Ｖ４、Ｏｈｒ−’、
反応温度４ｓｏＵｂ常圧で行ッ７’（。
ルからのキシレン合成反応を行った。実験条件ｕ、）ル
エン／メタノールモル比２、ＷＨ８Ｖ４、Ｏｈｒ−’、
反応温度４ｓｏＵｂ常圧で行ッ７’（。
反応開始後、２〜３時間の成績は、トルエン転化率５５
％、キシレン選択率９４％、キシレン中のパラ体の割合
９７％であった。
％、キシレン選択率９４％、キシレン中のパラ体の割合
９７％であった。
実施例７
実施例５で得られた触媒を用いて、トルエンの不均化反
応を行った。実験条件は、馬／トルエンモル比３，０、
ＷＨ８Ｖ ３．Ｏｈｒ−＋、反応温度４６０ｃ圧力Ｂ、
Ｏｋｇ／ｃｒ／！で行った。
応を行った。実験条件は、馬／トルエンモル比３，０、
ＷＨ８Ｖ ３．Ｏｈｒ−＋、反応温度４６０ｃ圧力Ｂ、
Ｏｋｇ／ｃｒ／！で行った。
反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績を表５
に示す。
に示す。
表 ５
実施例８
１．８−ジアミノ−４−７ミノメチルオクタン２０００
１Ｆ、硫酸アルミニウム１５０２、水酸化ナトリウム１
５０１ｆｆ：水５０００ｒＶＣとかし、さらにシリカゾ
ル（３０％５ｉｎｔ） ４０００１を加えて均質な溶液
を得た。この溶液に、かきまぜなから２０チ硫酸５ Ｑ
Ｏｆ′ｔ−加えて均質なゲルを得た。
１Ｆ、硫酸アルミニウム１５０２、水酸化ナトリウム１
５０１ｆｆ：水５０００ｒＶＣとかし、さらにシリカゾ
ル（３０％５ｉｎｔ） ４０００１を加えて均質な溶液
を得た。この溶液に、かきまぜなから２０チ硫酸５ Ｑ
Ｏｆ′ｔ−加えて均質なゲルを得た。
さらに、このゲルをホモジナイザーに入れ、１０．００
Ｏｒｐｍで２０分間混合した。このゲルをテフロン内張
りステンレス製耐圧容器中で、１６５Ｃ５６０時間靜装
して結晶化を行った。
Ｏｒｐｍで２０分間混合した。このゲルをテフロン内張
りステンレス製耐圧容器中で、１６５Ｃ５６０時間靜装
して結晶化を行った。
得られた生成物ｔＰＡ、洗浄したのち、１２０Ｃで６時
間乾燥して、さら［５００Ｃで６時間焼成した。
間乾燥して、さら［５００Ｃで６時間焼成した。
この生成物のＸ線回折パターンより、この生成物は、Ａ
ｚ−１と同定された。また、螢光Ｘ線分析から求めたシ
リカ／アルミナモル比は４５．３１５Ｃで測定した制御
指数は１３であった。
ｚ−１と同定された。また、螢光Ｘ線分析から求めたシ
リカ／アルミナモル比は４５．３１５Ｃで測定した制御
指数は１３であった。
このＡＺ−１５０ｐ（（１０〜２０メツシュに成型した
ものをガラス製反応管に充填して、３０容量チのケイ酸
エチルを含む窒素ガスｉ、５２０ｃ。
ものをガラス製反応管に充填して、３０容量チのケイ酸
エチルを含む窒素ガスｉ、５２０ｃ。
ＳＶ２０００ ｈｒ”−’で２５分間流し友。その後、
温度を５５０Ｃに上げ、空気を流しながら４時間焼成を
行った。
温度を５５０Ｃに上げ、空気を流しながら４時間焼成を
行った。
得られた触媒の重量分析から求めたシリカ担持量は２．
５重量％であった。
５重量％であった。
この触媒を用いてトルエンとエチレンからのエチルトル
エンの合成反応全行っｆｃ。実験条件は、トルエン／エ
チレン／ ｉｉｔモル比＝ ４ ／ １ ／ ４、ＷＨ
８Ｖ ４．Ｏｈｒ−’ 、反応温度４２０Ｃ，圧力５ｋ
ｌｉＩ／ｄで行った。
エンの合成反応全行っｆｃ。実験条件は、トルエン／エ
チレン／ ｉｉｔモル比＝ ４ ／ １ ／ ４、ＷＨ
８Ｖ ４．Ｏｈｒ−’ 、反応温度４２０Ｃ，圧力５ｋ
ｌｉＩ／ｄで行った。
反応開始後、２〜６時間、２０〜２１時間の成績を表６
に示す。
に示す。
表 ６
実施例９
実施例８で得られた触媒を用いて、トルエンとプロピレ
ンからのシメンの合成反ｉｆ行った。
ンからのシメンの合成反ｉｆ行った。
実験条件ハ、トルエン／プロピレン／Ｈ２モル比＝ ５
／ １ ／ ４、ＷＨ８Ｖ ８．Ｏｈｒ−’ 、反応
温度３２０Ｃ１圧力２．Ｏｋｇ／ｃｔｉで行った。
／ １ ／ ４、ＷＨ８Ｖ ８．Ｏｈｒ−’ 、反応
温度３２０Ｃ１圧力２．Ｏｋｇ／ｃｔｉで行った。
反応開始後、２〜５時間、１０〜１１時間の成績を表７
に示す。
に示す。
表 ７
実施例１０
実施例８で得られ７’ｖＡＺ−１２０ｆ’ｉ１０〜２０
メツシュに成型してガラス製反応管に充填し、８容ｉ％
のケイ酸メチルを含む窒素ガスを２００Ｃ。
メツシュに成型してガラス製反応管に充填し、８容ｉ％
のケイ酸メチルを含む窒素ガスを２００Ｃ。
ＳＶ ３０００ ｈｒ−’で１０分間流した。その後、
５００Ｃで６時間空気を流しながら焼成した。
５００Ｃで６時間空気を流しながら焼成した。
得られた触媒の重量分析から求めたシリカ担持量は０．
５重数チであった。
５重数チであった。
この触媒を用いてエチルベンゼンとエチレンからのジエ
チルベンゼンの合成反応を行った。実験 ・条件は、エ
チルベンゼン／エチレンモル比４，０、ＷＨ８Ｖ ３．
Ｏｈｒ−’、反応温度５５０Ｃ，常圧で行った。
チルベンゼンの合成反応を行った。実験 ・条件は、エ
チルベンゼン／エチレンモル比４，０、ＷＨ８Ｖ ３．
Ｏｈｒ−’、反応温度５５０Ｃ，常圧で行った。
反応開始後、３〜４時間の成績は、エチルベンゼン転化
率１０襲、ジエチルベンゼン選択率９２チ、エチルベン
ゼン中のパラ体の割合９６チでおった。
率１０襲、ジエチルベンゼン選択率９２チ、エチルベン
ゼン中のパラ体の割合９６チでおった。
実施例１１
水３５０りに硫酸アルミニウム５２とテトラプロピルア
ンモニウムプロミド１０２を溶かし、さらにＱ ｂｒａ
ｎｄケイ酸塩水溶液（Ｎａ、Ｑ ＝ ８．９重量％、Ｓ
ｉｎ、 ＝ ２８．９重量％、Ｈ，Ｏ＝ ６２．２重量
％）１５０２を加え、かきまぜて均質なゲルを得た。こ
のゲルに、２０％Ｈ１Ｓ０．５ Ｏｆをかきまぜながら
滴下しテケル化を促進させた。このゲルをテフロン内張
シオートクレープに入れ、１５０ｃで２ｏ時間攪拌しな
がら結晶化させた。
ンモニウムプロミド１０２を溶かし、さらにＱ ｂｒａ
ｎｄケイ酸塩水溶液（Ｎａ、Ｑ ＝ ８．９重量％、Ｓ
ｉｎ、 ＝ ２８．９重量％、Ｈ，Ｏ＝ ６２．２重量
％）１５０２を加え、かきまぜて均質なゲルを得た。こ
のゲルに、２０％Ｈ１Ｓ０．５ Ｏｆをかきまぜながら
滴下しテケル化を促進させた。このゲルをテフロン内張
シオートクレープに入れ、１５０ｃで２ｏ時間攪拌しな
がら結晶化させた。
得られた生成物ｆｔ濾過洗浄後、１２０ｃで３時間乾燥
し、５ｏａｃで４時間空気中で焼成を行った。
し、５ｏａｃで４時間空気中で焼成を行った。
この生成物のＸ線回折パターンは、ＺＳＭ−５の回折パ
ターンと一致した。また、螢光Ｘ線分析ヨ多求めたシリ
カ／アルミナモル比は５０％３２０Ｃで測定した制御指
数は１０．５であった。
ターンと一致した。また、螢光Ｘ線分析ヨ多求めたシリ
カ／アルミナモル比は５０％３２０Ｃで測定した制御指
数は１０．５であった。
このＺＳＭ−５１ｏｙｌｔｏ 〜２０メツシュ［成型し
てガラス與反応管に充填し、２ｏ容量チのケイ酸エチル
を含む窒素ガスを、５ｏａｃ％ ｓｖｌ ０００ ｈｒ
−’で４０分間流した。その後、温度を５００Ｃまで上
げ、空気を流しながら６時間焼成を行った。
てガラス與反応管に充填し、２ｏ容量チのケイ酸エチル
を含む窒素ガスを、５ｏａｃ％ ｓｖｌ ０００ ｈｒ
−’で４０分間流した。その後、温度を５００Ｃまで上
げ、空気を流しながら６時間焼成を行った。
得られた触媒の重量分析から求めたシリカ担持量は６．
２重量％であった。
２重量％であった。
この触媒を用いて、エチルベンゼンの不均化反応を行っ
た。実験条件は、Ｈ１／エチルベンゼンモル比３．０、
ＷＨ８Ｖ ２．Ｏｈｒ−’ 、反応温度５４０ｃ。
た。実験条件は、Ｈ１／エチルベンゼンモル比３．０、
ＷＨ８Ｖ ２．Ｏｈｒ−’ 、反応温度５４０ｃ。
圧力２．０ｋｇ／ｍで行った。
反応開始後、２〜３時間、１０〜１１時間の成績を表８
に示す。
に示す。
表 ８
実施例１２
オクタメチレンジアミン１００ｆ、硫酸アルミニウム５
２、水酸化ナトリウム５２を水１５ｏ２に均一に溶かし
、この溶液に、シリカゾル（３０％ＳｉＯ，）２００９
’ｉ加え、さらに２０ ％ ＨｔＳＯ＊２０２を滴下し
て均質なゲルを得た。このゲルをテフロン内張シスチン
レス製耐圧容器に仕込み、１５０Ｃ，４０時間かきまぜ
て結晶化させた。
２、水酸化ナトリウム５２を水１５ｏ２に均一に溶かし
、この溶液に、シリカゾル（３０％ＳｉＯ，）２００９
’ｉ加え、さらに２０ ％ ＨｔＳＯ＊２０２を滴下し
て均質なゲルを得た。このゲルをテフロン内張シスチン
レス製耐圧容器に仕込み、１５０Ｃ，４０時間かきまぜ
て結晶化させた。
得られた生成物を濾過洗浄後、１２０Ｃで３時間乾燥し
たのち、５００Ｃで４時間空気焼成した。
たのち、５００Ｃで４時間空気焼成した。
この生成物のＸ線回折パターンは、ＺＳＭ−１１の回折
パターンと一致した。また、この生成物のシリカ／アル
ミナモル比は３０．３２０Ｃで測定した制御指数は９．
０であった。
パターンと一致した。また、この生成物のシリカ／アル
ミナモル比は３０．３２０Ｃで測定した制御指数は９．
０であった。
こ（７）ＺＳＭ−１１２Ｏｆｆ １０〜２０ メツシュ
に成型してガラス與反応管に充填し、１５容量−のケイ
酸メチルを含有する窒素を３００Ｃ，３Ｖ１３００ ｈ
ｒ””で３０分流した。その後、温度を５２０Ｃまで上
げて、空気を流しながら２時間焼成を行った。
に成型してガラス與反応管に充填し、１５容量−のケイ
酸メチルを含有する窒素を３００Ｃ，３Ｖ１３００ ｈ
ｒ””で３０分流した。その後、温度を５２０Ｃまで上
げて、空気を流しながら２時間焼成を行った。
得られた触媒の重量分析から求めたシリカ担持量は６．
５重量％であった。
５重量％であった。
この触媒ヲ用いて、エチルベンゼンとエチレンからのジ
エチルベンゼンの合成反応を行った。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレンモル比２．８、ＷＨ８Ｖ ４．Ｏ
ｈｒ −’ 、反応温度５５０Ｃ，常圧で行った。
エチルベンゼンの合成反応を行った。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレンモル比２．８、ＷＨ８Ｖ ４．Ｏ
ｈｒ −’ 、反応温度５５０Ｃ，常圧で行った。
反応開始後、２〜６時間の成績は、エチルベンゼン転化
率５０％、ジエチルベンゼン選択率９２チ、ジエチルベ
ンゼン中のバラ体の組成９５％であった。
率５０％、ジエチルベンゼン選択率９２チ、ジエチルベ
ンゼン中のバラ体の組成９５％であった。
図面は実施例１において得られたＡＺ−１のＸ線回折パ
ターンを示す。
ターンを示す。
Claims (4)
- （１）モノアルキルベンゼンを気相において１，４−ジ
アルキルベンゼンに転化する際に、シリカ／アルミナモ
ル比が１０以上、制御指数が１〜１５の結晶性アルミノ
シリケートをケイ酸エステル含有ガスで処理した後、酸
素含有ガス中で焼成した触媒を用いることを特徴とする
１，４−ジアルキルベンゼンの製造法。 - （２）結晶性アルミノシリケートがＸ線回折図において
下表の回折パターンを有するものである特許請求の範囲
第１項記載の方法。 Ｘ線回折分析はＣｕＫα線を用いて測定する。ただし、
８．７±０．２と８．９±０．２の回折線のどちらかを
相対強度１００とする。 - （３）モノアルキルベンゼンが炭素数１〜３のアルキル
基を有するモノアルキルベンゼンである特許請求の範囲
第１項または第２項記載の方法。 - （４）１，４−ジアルキルベンゼンがパラキシレン、パ
ラエチルトルエンまたはパラジエチルベンゼンである特
許請求の範囲第１項または第２項記載の方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129169A JPS6110519A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | １，４−ジアルキルベンゼンの製造法 |
| US06/741,629 US4613717A (en) | 1984-06-25 | 1985-06-04 | Process for producing a 1,4-dialkylbenzene |
| GB08515692A GB2163176B (en) | 1984-06-25 | 1985-06-20 | A process for producing a 1,4-dialkylbenzene |
| FR8509578A FR2566389B1 (fr) | 1984-06-25 | 1985-06-24 | Procede de production d'un 1,4-dialkylbenzene |
| KR1019850004480A KR870001873B1 (ko) | 1984-06-25 | 1985-06-24 | 1,4-디알킬벤젠의 제조방법 |
| DE19853522727 DE3522727A1 (de) | 1984-06-25 | 1985-06-25 | Verfahren zur herstellung eines 1,4-dialkylbenzols |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129169A JPS6110519A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | １，４−ジアルキルベンゼンの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110519A true JPS6110519A (ja) | 1986-01-18 |
| JPH0246011B2 JPH0246011B2 (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=15002845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59129169A Granted JPS6110519A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | １，４−ジアルキルベンゼンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110519A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61221137A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-01 | Teijin Yuka Kk | Ｐ−キシレンの製造法 |
| JPS6263528A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-20 | Teijin Yuka Kk | Ｐ−キシレンの製造法 |
| JPS63274454A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-11-11 | タイワン・スチアリ−ン・モノマ−・コ−ポレイシヨン | 新規なＳｉ／ＨＺＳＭ−５触媒及びその製造方法並びに該触媒を利用するモノアルキルベンゼンからの高純度ｐ−ジアルキルベンゼンの合成方法 |
| JPH01125333A (ja) * | 1987-09-02 | 1989-05-17 | Mobil Oil Corp | トルエンの蒸気相不均化方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5660644A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-25 | Mobil Oil | Method of lengthening effective life of para selective denatured zeolite catalyst |
| JPS59107921A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ｐ―キシレンの製造方法 |
| JPS59216833A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エチレンの製造方法 |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP59129169A patent/JPS6110519A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5660644A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-25 | Mobil Oil | Method of lengthening effective life of para selective denatured zeolite catalyst |
| JPS59107921A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ｐ―キシレンの製造方法 |
| JPS59216833A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エチレンの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS61221137A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-01 | Teijin Yuka Kk | Ｐ−キシレンの製造法 |
| JPH0324456B2 (ja) * | 1985-03-28 | 1991-04-03 | Teijin Yuka Kk | |
| JPS6263528A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-20 | Teijin Yuka Kk | Ｐ−キシレンの製造法 |
| JPH0366293B2 (ja) * | 1985-09-17 | 1991-10-16 | Teijin Yuka Kk | |
| JPS63274454A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-11-11 | タイワン・スチアリ−ン・モノマ−・コ−ポレイシヨン | 新規なＳｉ／ＨＺＳＭ−５触媒及びその製造方法並びに該触媒を利用するモノアルキルベンゼンからの高純度ｐ−ジアルキルベンゼンの合成方法 |
| JPH01125333A (ja) * | 1987-09-02 | 1989-05-17 | Mobil Oil Corp | トルエンの蒸気相不均化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0246011B2 (ja) | 1990-10-12 |
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