JP2013066884A - MFI型ゼオライト触媒の製造方法およびp−キシレンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の、MFI型ゼオライト触媒の製造方法は、構造規定剤を使用することなく結晶化されたMFI型ゼオライトを、80℃〜200℃の温度範囲に加熱しながら酸処理する酸処理ステップを含む。
【選択図】 図1
Description
本実施の形態にかかるMFI型ゼオライト触媒は、構造規定剤を使用することなく結晶化されたMFI型ゼオライトを、所定の温度範囲に加熱しながら酸処理して製造する。
本発明の実施の形態に係るMFI型ゼオライト触媒を用いた、芳香族炭化水素のアルキル化反応または芳香族炭化水素の不均化反応によるp−キシレンの製造について説明する。
最初に、構造規定剤(OSDA)を使用しないZSM−5(以下、「OSDAフリーZSM−5」という)と、構造規定剤(OSDA)を使用してZSM−5(以下、「OSDA使用ZSM−5」という)を製造した。
OSDAフリーZSM−5を以下のようにして製造した。
ヒュームドシリカ、アルミン酸ナトリウム(NaAlO2)、水酸化ナトリウム(NaOH)、蒸留水を、モル比でSiO2:Al2O3:NaOH:H2O=1:0.016:0.23:30となるように各化合物を混合した。この混合液を、オートクレーブ中、20rpmで撹拌しながら170℃で4日間処理し、得られた固体を水洗し、80℃にて乾燥後、630℃で10時間焼成し、OSDAフリーZSM−5を得た。なお、この後の酸処理を行わない比較例1では、硝酸アンモニウム水溶液にて80℃、24時間処理を2回繰り返した後、550℃で6時間焼成しプロトン型のOSDAフリーZSM−5とした。
構造規定剤(OSDA)としてテトラプロピルアンモニウムヒドロキシド(TPAOH)を使用してOSDA使用ZSM−5を製造した。
テトラエトキシシラン(Si(OEt)4)、硝酸アルミニウム9水和物、水酸化ナトリウム、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド(TPAOH)、蒸留水を、モル比でSiO2:Al2O3:NaOH:TPAOH:H2O=1:0.010:0.10:0.25:8.3となるように各化合物を混合した。この混合液を80℃で6時間処理した後、Si(OEt)4の加水分解で生じるエタノールを除去した。さらに、オートクレーブ中、20rpmで撹拌しながら170℃で1日間処理し、得られた固体を水洗し、80℃にて乾燥後、550℃で10時間焼成し、OSDA使用ZSM−5を得た。なお、この後の酸処理を行わない比較例2では、硝酸アンモニウム水溶液にて80℃、24時間処理を2回繰り返した後、550℃で6時間焼成しプロトン型のOSDA使用ZSM−5とした。
1gのOSDAフリーZSM−5と、0.1mol/Lの硝酸水溶液30gを23mlのオートクレーブに導入し、160℃で24時間、20rpmで攪拌しながら触媒の酸処理を行った。処理終了後、酸処理したOSDAフリーZSM−5を洗浄ろ過し、乾燥して触媒を製造した。
1gのOSDAフリーZSM−5と、1.0mol/Lの硝酸水溶液30gを23mlのオートクレーブに導入し、160℃で24時間、20rpmで攪拌しながら触媒の酸処理を行った。処理終了後、酸処理したOSDAフリーZSM−5を洗浄ろ過し、乾燥して触媒を製造した。
1gのOSDAフリーZSM−5と、2.0mol/Lの硝酸水溶液30gを23mlのオートクレーブに導入し、160℃で24時間、20rpmで攪拌しながら触媒の酸処理を行った。処理終了後、酸処理したOSDAフリーZSM−5を洗浄ろ過し、乾燥して触媒を製造した。
1gのOSDAフリーZSM−5と、6.0mol/Lの硝酸水溶液30gを23mlのオートクレーブに導入し、160℃で24時間、20rpmで攪拌しながら触媒の酸処理を行った。処理終了後、酸処理したOSDAフリーZSM−5を洗浄ろ過し、乾燥して触媒を製造した。
10gのOSDAフリーZSM−5と、13.4mol/Lの硝酸水溶液100gを150mlのオートクレーブに導入し、170℃で24時間、20rpmで攪拌しながら触媒の酸処理を行った。処理終了後、酸処理したOSDAフリーZSM−5を洗浄ろ過し、乾燥して触媒を製造した。
10gのOSDAフリーZSM−5と、14.7mol/Lのリン酸水溶液100gを150mlのオートクレーブに導入し、170℃で24時間、20rpmで攪拌しながら触媒の酸処理を行った。処理終了後、酸処理したOSDAフリーZSM−5を洗浄ろ過し、乾燥して触媒を製造した。
1gのOSDA使用ZSM−5と、0.1mol/Lの硝酸水溶液30gを23mlのオートクレーブに導入し、160℃で24時間、20rpmで攪拌しながら触媒の酸処理を行った。処理終了後、酸処理したOSDA使用ZSM−5を洗浄ろ過し、乾燥して触媒を製造した。
1gのOSDA使用ZSM−5と、1.0mol/Lの硝酸水溶液30gを23mlのオートクレーブに導入し、160℃で24時間、20rpmで攪拌しながら触媒の酸処理を行った。処理終了後、酸処理したOSDA使用ZSM−5を洗浄ろ過し、乾燥して触媒を製造した。
1gのOSDA使用ZSM−5と、2.0mol/Lの硝酸水溶液30gを23mlのオートクレーブに導入し、160℃で24時間、20rpmで攪拌しながら触媒の酸処理を行った。処理終了後、酸処理したOSDA使用ZSM−5を洗浄ろ過し、乾燥して触媒を製造した。
1gのOSDA使用ZSM−5と、6.0mol/Lの硝酸水溶液30gを23mlのオートクレーブに導入し、160℃で24時間、20rpmで攪拌しながら触媒の酸処理を行った。処理終了後、酸処理したOSDA使用ZSM−5を洗浄ろ過し、乾燥して触媒を製造した。
上記のようにして得た実施例1〜4および比較例1、2および6の触媒について、誘導結合プラズマ原子発光分析装置(ICP−AES)および27Al MAS NMRにより触媒のSi/Al(モル比)、Al含有量(mmol/g)およびAl含有量(個/単位格子)を求めた。また、実施例1〜4、比較例1および比較例6の触媒について、X線回折図を測定して結晶化度(%)を求めた。表1に、実施例1〜4および比較例1、2および6の触媒についてのSi/Al(モル比)、Al含有量(mmol/g)、Al含有量(個/単位格子)および結晶化度を示す。
パルス反応器を使用して、実施例1〜6、比較例1および6の触媒の存在下、1,3,5−トリイソプロピルベンゼン(TIPB)とクメンのクラッキングをそれぞれ行い、その転化率を測定した。クメンは、p−キシレンと同程度の径を有し、ZSM−5型ゼオライト触媒の細孔内および外表面でクラッキング反応が進行する。TIPBはp−キシレンより径が大きいため細孔内に吸着されず、ZSM−5型ゼオライト触媒の外表面でのみクラッキング反応が進行する。したがって、TIPBとクメンのクラッキング反応をそれぞれ行い、その転化率を測定することにより、ZSM−5型ゼオライト触媒の細孔内および外表面での酸点であるアルミニウム量を評価することができる。p−キシレンの選択率向上のためには、ZSM−5型ゼオライト触媒の外表面酸点のアルミニウム量が少なく(TIPBの転化率が小さい)、細孔内の酸点のアルミニウム量が多いことが好ましい(クメンの転化率が大きい)。また、触媒劣化の原因となるコークも外表面酸点で主に生成するため、コーク量低減のためにも、外表面酸点のアルミニウム量が少なく(TIPBの転化率が小さい)、細孔内の酸点のアルミニウム量が多いことが好ましい(クメンの転化率が大きい)。
カラム:Silicone OV-1(2%), Uniport HP, 60-80mesh,内径3mm、長さ6m
温度条件:カラム初期温度80℃(2分)、昇温速度20℃/分(5分)、180℃(1分)
クメン転化率(mol%)=100−[未反応クメン(mol)/(未反応クメン(mol)+ベンゼン(mol))]×100
TIPB転化率(mol%)=100−[未反応TIPB(mol)/(未反応TIPB(mol)+DIPB(mol)+クメン(mol)+ベンゼン(mol))]×100
なお、上記式において、DIPBは1,3−ジイソプロピルベンゼンを意味する。
実施例1〜6、比較例1および6の触媒の存在下、トルエンの不均化反応を行い、トルエンの転化率およびp−キシレンの選択率を測定した。
カラム:キャピラリーカラムXylene Master、内径0.32mm、長さ50m
温度条件:カラム初期温度50℃、昇温速度2℃/分、検出器(FID)温度250℃
キャリアガス:ヘリウム
トルエン転化率(mol%)=100−(未反応トルエン(mol)/原料トルエン(mol))×100
p−キシレン選択率(mol%)=100−(生成p−キシレン(mol)/生成C8芳香族炭化水素(mol))×100
Claims (6)
- p−キシレンを選択的に製造しうるMFI型ゼオライト触媒の製造方法であって、
構造規定剤を使用することなく結晶化されたMFI型ゼオライトを、80℃〜200℃の温度範囲に加熱しながら酸処理する酸処理ステップを含むことを特徴とするMFI型ゼオライト触媒の製造方法。 - 前記酸処理ステップは、耐圧容器内で120℃〜185℃の温度範囲に加熱しながら行うことを特徴とする請求項1に記載のMFI型ゼオライト触媒の製造方法。
- 前記酸処理ステップは、無機酸により前記MFI型ゼオライトを酸処理することを特徴とする請求項1または2に記載のMFI型ゼオライト触媒の製造方法。
- 前記MFI型ゼオライトは、
アルカリ金属水酸化物水溶液とアルカリ金属アルミン酸塩とヒュームドシリカとを、所定の割合で蒸留水に混合して無定形の混合物を得る混合ステップと、
前記混合ステップで得た混合物を、耐圧容器内で130℃〜200℃で加熱撹拌してアルミノ珪酸塩を結晶化するステップと、により製造されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のMFI型ゼオライト触媒の製造方法。 - 酸処理ステップ前の前記MFI型ゼオライトのSi/Alモル比は12〜30であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のMFI型ゼオライト触媒の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか一つに記載の方法により製造されたMFI型ゼオライト触媒の存在下、ベンゼンおよび/またはトルエンをアルキル化または不均化反応させることによりp−キシレンを選択的に製造することを特徴とするp−キシレンの製造方法。
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