JPS60502179A - 金属層を相互接続する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 金属層をｉｎ互接続する方法 ■Ｌ石１ ］　発明の分野 この発明は一般に半導体装置の製）告（二関し、特に、絶縁層によ−）　Ｔ　％ 直方向（ニア３．いに分離される導電性′！ｆＬ麿層の間（こ相旬接続を形成す る方法に関づる。

２　先行技術の説明 従来の゛１′導体ブＬ１廿スにおいては、駅置上の様々な位置の間（二相ｑ接続 ４−現定ηるために、す１］型的にはアルミニウムｊ、たはアルミニウムシリ１ ］ンである金属導電層の形６　ｆ３」、びバターニングを必要としている。しば しば、垂直プラ向に離れて配置され、かつ典型的に（ｊ−二酸化シリ」ンから形 成される介在絶縁物層にに一）で分離される２つ４、た（−Ｌそれ以上のり電層 を形成する）ｚ−要がある。このこと（↓特（Ｊ、甲のアルミニウム層によって は必要な相互接続が設（づられないような高密度装置においては真実Ｃある。

多層導電層の形成（よ多くの田難を与える。まず第１に、絶縁層か第１の導電層 上にわたって設（Ｘｌられている場合、１′色１？、廠の入面は下１１ｊＪ　’ ｉ７）相互接続パターンの平坦でない形状に起因１−る割れ目亡露出部、突起部 なとの不規則性をしはしば示す。この」、うな不規則性はその上に形成される導 電層において破壊や開孔を生ずることが見出されている。その結果生ずる不完全 な金属の被覆性が、半導体装置の製造にＡ３いて金属化の欠陥の主要原因どなる ことが見出されている。

第２の問題（１，ｌ、）Ｊラス絶縁物質における欠陥、このような絶縁物質の不 適切な適用、絶縁層内に垂直に泪ｑ接続するための開孔く穴）を形成するＩ−め に用いられるマスクにおりる欠陥などにより結果する絶縁層内におｆ」る開孔上 たは他の異常性により生じる。このようイヱ異７仝１竹【↓、導電層間の知略や 装置にＡ３ける池の誤動作の原因となる１３最後の問題は、層の電気内接、ｙＬ を可能にする介在絶ｉイ、層内の空孔である穴の形成の際に生じる。非常に狭い 相互接続を接続する場合には、）つ！めで小さい所面積を右Ｊる穴を設（Ｉるこ とか度々望１、れる。従来の）Ａ１−リソグラソイ法では、このような小さい穴 を設（Ｊる能力に限ワ一かｄうった。

したかつて、介在する絶縁層における不ＪＪｉ　！ｉ１．１刊によって生しる欠 陥や、マスク内の不規則＋’＋ヤ）絶籾１層の不適切な適用により生じる絶縁層 にＡ５１フる空孔また（、１他の胃１信性のイ呆い多層の導電層を形成する方法 を提供りるのが望まれる。

特に、異＜’ｒる導電層を相互接続するための狭い穴を形成するのか可能となる 方法を提９１．することが望」、れる。

Ａｄ＋Ｌａｍ５　ａｎｔｌ　Ｃａｐｉｏ（１９８１）　Ｊ　、　Ｅ　ｌｅｃｔｒ ｏｃｈｅｍＳｏｃ、１２８：　４２３−４２９において、滑かな表面を規定する ために二酸化シリコンの−１にわたってフ４トレジスト層を設け、次にこの結合 層をフ７ｔｔ−レシス１〜と二酸化シリコンとを同じ速度でエツチングする条１ ′Ｆ下でスバソタエ・ンチングづろことにＪミリ、リン１〜−フ゛しｌニー丁邪 化シリニ］ン絶縁層を平滑化づろ方法が述べられている。このようにして、二酸 化シリコン層は、一般に犠牲的なフ−５ｉ−Ｌ・シス１一層の滑かな形状に合致 り−る形状を１りることがてきる。アグムス（Ａ　ｄｄａｍｓ　）どカピオ（Ｃ ａｐｉｏ）の方法（よ、多ｆＳ品シリコン基板の上に存在する二酸化シリコン層 に適用される。アタムスとカピオは、多層の導゛電性相互接続層を形成すること に関連する問題については考察していない。

発明の概要 この発明は、多層の導電金属層を半導体装置−［−に形成する方法お、Ｊ：びこ れらの層に介在する絶縁層を介して相互接続７Ｉ−る方法を提供する３、この発 明の方法は、金属化の欠陥（、伴、＜１．ｊう欠陥の発生を最小にし、かつ１個 の反応炉で多層の形成を０１能にし、必要とする製造時間を低減しかつ反応炉間 の移送に関連するＩＱ傷の可能性を少なくづる。

このＩ〕法は、予め菫択されｌ、：相互接続パターンを何する第′Ｉの金属導電 層を半導体装置上に規定Ｊる■稈を含・む。

第１の絶縁層は従来の方法て第１の金属層−Ｌ（、：ゆだって設（づられる。第 １の絶縁層（よ、しかしながら、第１の金属層の１〜ボク２）−フイに対応ザく ）不規則な形状を有１Ｖる。絶縁「ｊの表面を滑かにするために、平滑作用の層 か次（こ設（士ら？する６、甲、１゛ｌ化用の層は低い粘度を右し、かつ比較的 低温で流１１　ｒ滑が４４形状を形成する。次に平滑１ヒ用の層と１色ｉ家層と を共に一■ニツヂンノノ゛ツることにより、平滑化用の１９１の泪かへ形状が絶 縁層（ごりえられる。第１の絶縁層’、Ｚ　＋ｉｉ　ｔ、する不連続性のような 欠陥をなくすためｐｚ第１の絶縁層の滑かな表向上にわ１〔って第２のｖ！２縁 層か次に設（」られる。穴（相互接続用孔）が次に第１おＪ−ひ第２の絶縁層を 介してエツチングされ次に、従来の方法で規定される望ましい）［］互接続パタ ーンを有する第２の金属層がδりけらｔ）る６好Ｊニジい実施例においては、第 ２の今ｈｙ”−化のステップに先立って、第２の絶縁層上にわたって第３の絶縁 層か設けられろ。第３の絶縁層はさらに、第１の２つの絶縁層にＡ５けるどのよ うな欠陥も補正されることをｌｉ（「実にする。ざら（こ重要なことは、第３の 絶縁層が階段型の穴の形成を可能にする。第２３の絶縁層は、穴かｊ、づ゛第１ の２つの絶縁層を介して形１成さねた後に設（」らｆ）ろう人きり）の−Ｉツチ シグパターンをりえること（二より、穴（ｉ第３３の絶縁層を介して形成され、 第２の層へと所望のｌ’Ｆ５段型の配置を′ヲえる７、このＪ、）む階段型の配 置（」、穴の下側の部分か５゛ユζくしだニーＶ　ｊ−＋りしくこのことは、第 １の金属層（こＡ３（」る２つの５火いｔ’［］　Ｔ′Ｌｉｆ？続線を接続Ｊる 際の利点である）、　プｊ、第２の金ｊ風層からの金属が適切に穴を形、哉し信 頼（二足る１コ１続をｔｊえることを１市実（、ニする。

吐血の簡単な説明 第１図ないし第１２図（工ごの発明の製造−Ｉ稈をう１．１ろ半導｛本装置の部 分の断面図である。

好ましい実施例の説明 第１図］−「いし第１２図を参照して、この発明（こ１１ｔ）！ｔ′導体装置を 作成するための特定的な方法が説′明さｈる。半導体装置はシリコンウェハ基板 １０上に製造される（第１図ないし第１２図においてその一部が例示される）。

パッシベーション層１２が装置上にわたって設けられ、かつコンタクト孔１６が その内部に形成されてパッシベーション層を介した電気的接続を可能にする。第 １の金属層１４がパッシベーション層１２上にわたって堆積される。好ｊ、シい 実施例においては、第１の金属層１４は約２０００オングストロームのクンゲス ７ン（９５％）−チタニウム（５％）からなる合金ベースと、約８０００オング ストロームの厚さのアルミニウムまたはアルミニウム（９８％）−銅（２％）合 金層とを含むサンドイッチ層である。タングステンーヂタンベースは、アルミニ ウムまたはアルミニウムー銅順を設置づるのに先立って空中（〔露出されてパツ シベー１−される。便宜−ヒ、第１の金属層１４は図面に８３いて甲一層として 例示される。

次に、特に第１図を参照して、第１の金属層１４が従来の方法により）Ａトリソ グラフイ法によってバターニングされる。フオトレジス１〜層１８力（ＮＱけら れ、マスクを介して輻射源に露出され、焼付けされる。第１の金属層１４がエツ チングされフォトレジスト１８が除去される。好Ｊ、シくけ１層１４のアルミニ ウムまたはアルミニウム合金が従来のリン酸−ｆｆｉｆｌ！−酢酸混合液を用い てエツチングされ、次に７４８１９２１〜層１８が容易に手に入る除去液を用い 符表昭ＧＯ−５０２１７９（４） で除去される。次に従来の脚型のプラズマ反応炉を用いて、露出した表面が酸素 プラズマ中で約１０〜３０分間洗浄され、かつフレオン（９２％）−酸素（８％ ）プラズマ中で約２０分間、層１４の部分が洗浄される。−１４は次に過酸化水 素を用いて約２０分間エツチングされる。バターニングされた金属層１４は第２ 図において例示される。

次に第３図を参照して、第１の絶縁層２２が設けられる。

典型的には、絶縁層は大気圧下で高温でシランを熱分解することにより堆積され る二酸化シリ−］ンである。もし必要ならば、熱分解混合ガス中に小スフィ二／ ガス（典型的には５％）を含ませることによって二酸化シリコンにリンをドープ することができる。層２２は典型的には約１ミクロンの厚さを有する。

絶縁層２２を金属層１４の上にわたって設けることにより、金属相互接続線上に わたって形成さｆｌる丘状部分２，３を有する極めて不規則な表面が形成される 。丘状部分２３それ自身は、突起領域２４と、その端部に沿った露出部分２５と 、マウツドと下地の絶縁層２２の交差部分における割れ目？６とを含む不規則な ものである。このような表面の不規則性は、前述のように、後続の導電層が設け られる場合の金属化の欠陥の主要原因となる。

第１の絶縁層２２の不規則な表面を滑かにするために、平滑化用の層２７（第４ 図〉が設けられる。平滑化用の物質は、従来の方法が適用された場合、第１の絶 縁層２２の表面上の低い部分へと流れ込むことができるように比較的低い粘度（ 典型的には室温で２５　ＣＩ）Ｓ未満）を有するへきである。便宜上、平滑化用 層２７は約３５００オングストロームの厚さにされたフォトレジストスピンであ る。フォトレジスト層２７はさらに約１４５℃またはそれ以上の温度で約３０分 間ベーキングすることによりさらに滑かにすることができる。平滑化用の層２７ は第４図において滑かになった後が示される。

平滑化は次に平滑化用の層２７と第１の絶縁層２２との両方をエツチングするこ とにより実現される。このエツチングは平滑化用の層２７と絶縁層２２とを同一 の速度でエツチングすることができるエッチャントを用いて実行さｔしる。この ようにして、平滑化用の層２７の滑かな形状が絶縁Ｎ２２に実質的な変動を与え ることな（分は与えられる３、しかしながら、好ましくは、平滑化用のエツチン グには、絶縁層２２を平滑化用の層２７よりも早く工・ンチングするエッチャン トを用いる。このことは、平滑化用のエツチングに要する時間を低減させ、かつ 以下に述べられるよう（こ、同一のエッチ１１ントを穴のエツチングに対し用い ることが可能となる。したがって、平滑化および穴の形成を同一の反応炉内で行 なうことができる。このことは、工程を簡略化させ、かつ素子が不適切なエツチ ングにより損傷を受ｉする可能性を減少さけるので利点となる。

平滑化と穴のエツチングとの両方を実行するための適当なエッチャントは、二酸 化シリコンとフォト１ノジス１〜層とを１．６：、１の割合でエツチングするよ うにされたフルオリンイオンプラズマ（９２％ＣＦ、、８％０２，１’、７５Ｔ ｏｒｒ　、　ｌ　Ｗ／Ｃｍ２）である。これは、平滑化層２７を滑かな形状から 幾分か変動させるが、このようなごくわずかな変動は金属化欠陥を導かない。

次に第５八図ないし第５Ｄ図を参照して、フルオリンプラズマエッチがまず第１ に平滑化用のくフォトレジスト）！２７だけに作用する。このエツチングは、第 ５Ｂ図に示されるとおり、初期形状を保持する表面に沿って絶縁層２−２の一番 外側の点に達するまで移動する。破線２８は初期形状を表わす。

エツチングが進むにつれて、絶縁層２２はフォトレジスト層２７よりも早くエツ チングされる。このことにより、第５Ｃ図に例示されるように、形状に変動が生 じる。線２９は絶縁層２の第１の部分が露出される直前の形状を表わす。絶縁層 ２２が速やかに減少し、谷間が位置３０に形成される。線３１は絶縁層２２と平 滑化用の層２７との最初の界面を表わし、この界面は減少している。

通常、フォトレジスト層２２のすべてと絶縁層２２のかなりの部分とはエツチン グが停止する前に除去される。しかしながら、絶縁層２２の初期の膜厚に応して 、フォトレジストの少しの面積を適当な位置に残寸のが望ましい。フォトレジス トは次に従来の酸素プラズマエツチングにより除去することかできる。

第６図を参照して、第１の絶縁層２２は滑かにされ、次の金属層を形成するのに 十分４茎形状を有する。しかしながら、金属化に先立って、第２の絶縁層３６が 設けられる。

２つの絶縁層の合計の膜厚は金属層の間に必要とされる誘電体の最終目標の膜厚 の約０．７５に等しくすべきである。

最終的に目標とする膜厚は通常約１ミクロンである。第２の絶縁層３６を設ける 代わりに、第１のｖ！！縁層２２をより厚くして、平滑化後の膜厚が最終回、標 膜厚の０．７５に等しくなるようにすることができる。このような厚い層は、し かしながら、光学的な測定や製造工程の制御にとって不便であり、絶縁物質を２ つの層にして設けるのが好：１ニジい。

第２の絶縁層３６は第１の絶縁層２２に対し上で述へられたと同様の方法で設け ることができる。

第２の絶縁層３６を設（）た後、第１の金Ｕ１層１　ｌｉとその次の金属層とを 相！７接続するのに必要な穴Ｊ、たは援続用聞孔が形成されなければならない。

このことは従来のフォトリソグラフィ法を用いて行なわれる。７４１〜レジスト 層３８（第７図）が第２の絶縁層３６上に設けられ、マスクを介して感光され、 従来の方法で焼付（プされる。穴は、便宜上、平滑化工程で用いられたと同一の エラチャン１−を用いて次にエツチングされる。このようにして、素子は同一の プラズマ反応炉内で処理される。フォトレジストが次に典型的にはフェノール系 の除去液を用いて、除去され、次に素子の表面が典型的には申付の酸；６プラズ マを用いて洗浄される。

特別な利点は、異方性または部分的に異方性の丁ツヂトント（すなわち、横方向 のエツチング速度が垂直方向のエツチング速度より小さいもの）を穴の形成に用 いることにより実現される。層２２の膜厚は平滑１ヒに従って変化する。

方性エツチングを用いることにより、絶縁層２２および３６の最も厚い部分にお いてさえも穴が遣正に形成されることを確実にするための十分なオーバーエツチ ングが可能になる。好ましくは、水平方向のエツチング速度は少なくとも垂直方 向のエツチング速度の２倍である、１この状態は、第８図において例示される。

穴４ｏのような穴は絶縁層２２．３６を介して形成され、かつ第２の金属層が表 面上にわたって設けられる。そうする前に、しかしながら、第３の絶縁層を設け 、階段型の穴を形成するのが好ましい。第３の絶縁層は絶縁層２２および３６に ａ月ノるマスクの欠陥、フＡトレジス１−の欠陥、フォトレジストへ侵入する誘 電体のヒロック等により生じる通常ボールである欠陥を改善するために必要であ る。第３の層は、また、゛穴側壁の改良された金属被覆性と隣接する金属層間の より良い垂直方向の相互接続とを与える階段型の穴を可能にづる。

第９図を参照して、第３の絶縁層４４が、第１の絶縁ｈη２２に対して上述され たと同様にして、第２の絶縁層３６上に堆積される。絶縁層４４は、層２２およ び３６の泄かな輪郭に従い、かつ部分的に穴４０を満す。層４４は絶縁層２２． ３６および４４の最終目標の膜厚の約０．２５である。

階段型の穴を規定するために、フォトレジス１へ層４６が設（プられ、大きめの 開孔４７が露出するようにされる。次に開孔４７を介してエツチングすることに より、穴４０の頂部が開孔４７の大きさに対応する断面積に達するまで大きくさ れる。絶縁層２２．３６および４４の結合膜厚の途中の深さまでエツチングする ことにより、階段型の穴が第１０図に示されるように形成される。名目上、結合 膜厚の２分の１エツチングすることにより、２分の１の階段が形成される。典型 的には、穴の下側の部分の大きさはコないし５ミクロンであり、一方、穴のに測 の拡大された部分は４ないし８ミクロン大きい。このような配置により、金属層 １４に［１３Ｉ′Ｊる比較的狭い相互接続線への嵌続が可能になる。　第１１図 を参照して、第２の金属層５０が従来の方法で設りｊうれる。好ましくは、チタ ン−タングステン層が膜厚約８００オンゲス１〜ロームにされ、次にアルミニウ ムー銅層が約１５００オンゲストＩ］−ムの深さまで１「積される。チタンは金 属層１４および５０におけるアルミニウム間の接続を強化する。これらの層はス パッタエツチング法により設けられる。

第２の金属Ｉη５０が次に従来の方法を用いてバターニングされる。７４１〜１ ２２１層５２が設けられバターニングされる。エツチング後、フォトレジストは 除去され、第１２図に示されるように、最後の金属層が形成される。このとき、 第３（および引続いての）金属層をｆ１加するのが望ましい場合は、この方法の 各ステップが繰返される。

前述の発明は理解を明確にするために図示および例を用いてかなり詳細に説明さ れてきているが、成る変化ｄ−３よび変更はこの添付の請求の範囲の範囲内−Ｃ 実現することができることは明白であろう。

へ 艮６　）２　町Ｇ、５Ａ ”’　ＦＩＧ、　５　Ｂ 和 把ＩＧ。９ ／タロ 国際調査報告

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．　半導体装置上に多層の導電層を形成する方法であって、 ＜ａ　）　予め選択された相互接続パターンを有する第１の導゛躍層を前記装置 上に規定するステップと、（１））　前記第１の導電層上にわたって第１の絶縁 層を設りるステップとを１稍え、前記第１の絶縁層は前記第１の導電層に対応す る不規則な形状を有しており、（Ｃ）　前記第１の絶縁層にわたって平滑化用の 層を設（）るステップを協え、前記平滑化用の層は前記第１絶縁層のそれに対し て滑か＜２形状を有しており、（ｄ）　前記平滑化用の層と前記絶縁層との両方 を］−ツチングしで実質的に平滑化層を除去し、かつ前記第１の絶縁層にｉｒ？ かな形状を分（）ｔノえるスーツツノと、（ｅ）　予め選択された位置に前記第 １の絶縁層を介して穴を形成ザるステップと、 （ｆ）　第２の絶縁層ｌ−にわた９て第２の金属層を設け、前記第２の金属層を 穴を介して第１金属層と接続さけるステップと、 （す〉　第２の層に予め選択された相互接続パターンを規定づるステップとを備 える多層導電層形成方法。 ？、　ステップ（ｄ）以後ステップ（ｅ）以前に第２の絶縁層が第１の絶縁図ト にわたって設けられる、請求の範囲第１項記載の多層導電層形成方法。。 ３、　ステップ＜８＞後に、第２の絶縁層上にわたって第３の絶縁層が設けられ 、かつ穴はさらにエツチングされて階段型の配置を特徴する請求の範囲第１項記 載の多層導電層形成方法。 ４、　第２の絶縁層内に階段が形成される、請求の範囲第３項記載の多層導電層 形成方法。 ５、　ステップ（ｂ）ないしくｇ）が繰返されてさらに金属層が装置上に付加え られる、請求の範囲第１項記載の多層導電層形成方法。 ６、　金属層はアルミニウム、アルミニウムー銅、アルミニウムーシリコンまた はアルミニウムー銅−シリコンである、請求の範囲第１項記載の多層導電層形成 方法。 ７、　絶縁層は二酸化シリコンまたはリンを含む二酸化シリコンである、請求の 範囲第１項記載の多層導電層形成り法。 ８　絶縁層は、シランまたは小スフィン含イ１のシランの熱分解により形成され る、請求の範囲第７項記載の多層導電層形成方法。 ９、　穴はステップ（ｅ）にｄ３いてプラズマエツチングにより形成される、請 求の範囲第１項記載の多層導電層形成方法。 １０、　平滑化用の層および第１の絶縁層はステップ＜（１）においてプラズマ ［ツチングされる、請求の範囲第１項記載の多層導電層形成方法。 １１、ステップ（ｄ　＞および（ｅ）において同一のエッチャントが用いられる 、請求の範囲第９項記載の多層導電層形成方法。 １２、　エラチャン１〜は実質的に異方性であり、かつ１゜６：１．０（絶縁層 ：平滑化用の層）のエツチング速麻を有するように選ばれる、請求の範囲第１１ 項記載の多層導電層形成方法。 １３、　平滑化用の層はフォトレジストである、請求の範囲第１項記載の多層導 電層形成方法。 １４、　半導体装置上に多層の相互接続層を形成するための改良された方法であ って、 （ａ　）　予め選択された相Ｕ接続パターンを有Ｍる第１の金属層を装置上に規 定するステップ牛、（ｂ）　第１の金属層上に第１の絶縁層を設（づるステップ と、 （Ｃ）　第１の絶縁層を介して穴を形成するステップと、（ｄ　）　予め選択さ れた相互遥続パターンを有する第２の金属層を第１の絶縁層上にわたって規定す るステップとを備え、さらに 第１の絶縁層上にわたって平滑化用の層を設け、平滑化用の層と第１の絶縁層と を共にエツチングして第１の絶縁層に滑かな形状を分は与えることによって第１ の絶Ｒ層を平滑化するステップと、 滑かになった第１の絶縁層−ヒにわたって第２の絶縁層を設りるステップと、 予め選択された位置に第１および第２の絶縁層の両方を介して穴を形成するステ ップと、 第２の絶縁層上にわたって第３の絶縁層を設けるステップと、 第２の金属層を設けるに先立って穴の一１側部分を人さくして階段型の配置を規 定するステップとを備える、多層相互接続層形成の改良方法。 １５、　穴の大きくされた部分は３個の絶縁層の結合された膜厚の２分の１Ｐｉ ！度にまで延ひる、請求の範囲第１４項記載の多層相互接続層形成の改良方法。 １６、　穴の大きくされた部分は第２の絶縁層において終端となる、請求の範囲 第１５項記載の多層相互接続層形成の改良方法。 １７、　前記釜属層はアルミニウム、アルミニラ１＼−ｎ＋。 アルミニウムーシリコンまたはアルミニウムーシリコン−銅である、請求の範囲 第１４項記載の多層相互接続層形成の改良方法、。 １８、　前記絶縁層は二酸化シリコンまたはリン含有の二酸化シリコンである＼ 請求の範囲第１４項記載の多層相互接続層形成の改良方法。 １９、　前記絶縁層は、シランまたは小スフィンの存在下のシランの熱分解によ り形成される、請求の範囲第１８項記載の多層相互接続層形成の改良方法。 ２０、前記穴はプラズマエツチングにより形成されかつ大きくされる、請求の範 囲第１４項記載の多層相互接続層形成の改良方法。 ２１、ｆｆＪ記平滑化用の層はフォトレジストである、請求の範囲第１４項記載 の多層相互接続層形成の改良方法。 ２２、　前記平滑化用の層および第１の絶縁層はプラズマエツチングにより平滑 化される、請求の範囲第１４項記載の多層相互接続層形成の改良方法。 ２３、　前記穴のエツチングおよび前記平滑化用のエツチングは同一のエッチ１ ！ントを用いて実行される、請求の範囲第１４項記載の多層相互接続層形成の改 良方法。 ２４、＊記エッチャントはエツチング速度的１．６：’１゜０（絶縁Ｒ＝平滑化 用の層）を有するように選択される、請求の範囲第２３項記載の多層相互接続層 形成の改良方法。 ２５、　前記第１の金属層はチタン−タングステン層が下に形成される、請求の 範囲第１７項記載の多層相互接続層形成のための改良方法。 ２６、　曲記第２の金属層はチタンを含む層が下に設けられる、請求の範囲第１ ７項記載の多層相互接続層形成の改良方法。 ２７、　すべての金属層はタングスデンーブタン層およびアルミニウムまたはア ルミニウムー銅層を有するリーントイッチ層である、請求の範囲第１７項記載の 多層相互接続層形成の改良方法、１ ２８、　前記エッチャントは１：２以上（水平方向のエツチング：垂直方向のエ ツチング）の異方性のエツチング速度を有する、請求の範囲第２．７１項記載の 多層相互接続層の形成の改良方法。