JPH0645453A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0645453A JPH0645453A JP19443292A JP19443292A JPH0645453A JP H0645453 A JPH0645453 A JP H0645453A JP 19443292 A JP19443292 A JP 19443292A JP 19443292 A JP19443292 A JP 19443292A JP H0645453 A JPH0645453 A JP H0645453A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- hole
- insulating film
- interlayer insulating
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】スルーホール形状を垂直に微細に形成した場合
に、スルーホール側面でのメッキ電極用メタルの段切れ
を防ぐ。 【構成】スルーホール開孔の異方性エッチングを、下層
配線２の上部をエッチングして、エッチングされた配線
材がスルーホール側面に堆積するように行う。 【効果】後工程で、メッキ電極用メタル８をスパッタ
し、スルーホール側面では、メッキ電極用メタル８が段
切れを起しても、配線材の堆積物６で接続され、上層の
メッキ配線７を形成できる。
に、スルーホール側面でのメッキ電極用メタルの段切れ
を防ぐ。 【構成】スルーホール開孔の異方性エッチングを、下層
配線２の上部をエッチングして、エッチングされた配線
材がスルーホール側面に堆積するように行う。 【効果】後工程で、メッキ電極用メタル８をスパッタ
し、スルーホール側面では、メッキ電極用メタル８が段
切れを起しても、配線材の堆積物６で接続され、上層の
メッキ配線７を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係わり、特にスルーホールの形成に関する。
係わり、特にスルーホールの形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層配線を有する半導体装置の製
造方法では、図３に示すように、半導体基板上の下層の
第１の配線２（ここでは、厚さ１μｍの金メッキ配線）
を形成し、次に第１の絶縁膜３（例えば厚さ０．２μｍ
のシリコン酸化膜）を成長し、有機塗布膜４（ポリイミ
ドなど）により、層間絶縁膜を形成し、次に、層間絶縁
膜４の第１の配線２上に形成するスルーホール１３を、
最初に等方性のエッチングを行いテーパーをつけ、次
に、異方性のエッチングにより垂直にエッチングして形
成していた。この２段階のエッチングにより上層の第２
の配線７（ここでは、厚さ１μｍの金メッキ配線）形成
用のメッキ電極用メタル８（例えば、チタン，白金な
ど）のカバレージ良くした上で第２の配線７を形成して
いた。
造方法では、図３に示すように、半導体基板上の下層の
第１の配線２（ここでは、厚さ１μｍの金メッキ配線）
を形成し、次に第１の絶縁膜３（例えば厚さ０．２μｍ
のシリコン酸化膜）を成長し、有機塗布膜４（ポリイミ
ドなど）により、層間絶縁膜を形成し、次に、層間絶縁
膜４の第１の配線２上に形成するスルーホール１３を、
最初に等方性のエッチングを行いテーパーをつけ、次
に、異方性のエッチングにより垂直にエッチングして形
成していた。この２段階のエッチングにより上層の第２
の配線７（ここでは、厚さ１μｍの金メッキ配線）形成
用のメッキ電極用メタル８（例えば、チタン，白金な
ど）のカバレージ良くした上で第２の配線７を形成して
いた。
【０００３】また、図４においては下層の配線１０（こ
こでは、厚さ１μｍのアルミニウム）を形成し、第１の
絶縁膜３（厚さ０．２μｍプラズマシリコン酸化膜）を
成長し、シリカ塗布膜１２を塗布及び熱処理により、平
坦化をした上で第２の絶縁膜９（厚さ０．５μｍのプラ
ズマシリコン酸化膜）を成長し、等方性のエッチングと
異方性エッチングにより、テーパーがついたスルーホー
ル１４を開孔し、上層の配線（ここでは、厚さ１μｍの
アルミニウム）を形成していた。
こでは、厚さ１μｍのアルミニウム）を形成し、第１の
絶縁膜３（厚さ０．２μｍプラズマシリコン酸化膜）を
成長し、シリカ塗布膜１２を塗布及び熱処理により、平
坦化をした上で第２の絶縁膜９（厚さ０．５μｍのプラ
ズマシリコン酸化膜）を成長し、等方性のエッチングと
異方性エッチングにより、テーパーがついたスルーホー
ル１４を開孔し、上層の配線（ここでは、厚さ１μｍの
アルミニウム）を形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置の製造方法では、メッキ配線形成の給電層として
のメッキ電極用メタルをカバレージ良く形成するため
に、スルーホール形状をテーパー状に形成しているの
で、スルーホール径が大きくなり微細化が困難であっ
た。
体装置の製造方法では、メッキ配線形成の給電層として
のメッキ電極用メタルをカバレージ良く形成するため
に、スルーホール形状をテーパー状に形成しているの
で、スルーホール径が大きくなり微細化が困難であっ
た。
【０００５】また、スルーホールの垂直に形成されてい
る部分が製造ばらつきで逆テーパー状になった場合、メ
ッキ電極用メタルが断切れを起こしやすいという問題点
があった。
る部分が製造ばらつきで逆テーパー状になった場合、メ
ッキ電極用メタルが断切れを起こしやすいという問題点
があった。
【０００６】さらに、配線段差の平坦化のために、シリ
カ塗布膜を使用し、スルーホール内部にシリカ塗布膜が
露出している場合、アルミなどの配線材をスパッタする
時に半導体基板が加熱されて、シリカ塗布膜より水分な
どのガスが出て、下層配線材表面が変質し導通が悪くな
るという問題点があった。
カ塗布膜を使用し、スルーホール内部にシリカ塗布膜が
露出している場合、アルミなどの配線材をスパッタする
時に半導体基板が加熱されて、シリカ塗布膜より水分な
どのガスが出て、下層配線材表面が変質し導通が悪くな
るという問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
基板上に第１の配線を形成する工程と、前記第１の配線
上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前
記第１の配線の上面に達するスルーホールを開孔する工
程と、前記層間絶縁膜上に前記スルーホールを通して前
記第１の配線に接続する第２の配線を形成する工程とを
含む半導体装置の製造方法において、前記スルーホール
を開孔するためのエッチング工程は、前記層間絶縁膜を
エッチングしさらに、前記第１の配線上部をエッチング
しエッチングされた前記第１の配線の配線材が前記層間
絶縁膜のスルーホールの側面に堆積するように行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法にある。
基板上に第１の配線を形成する工程と、前記第１の配線
上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前
記第１の配線の上面に達するスルーホールを開孔する工
程と、前記層間絶縁膜上に前記スルーホールを通して前
記第１の配線に接続する第２の配線を形成する工程とを
含む半導体装置の製造方法において、前記スルーホール
を開孔するためのエッチング工程は、前記層間絶縁膜を
エッチングしさらに、前記第１の配線上部をエッチング
しエッチングされた前記第１の配線の配線材が前記層間
絶縁膜のスルーホールの側面に堆積するように行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法にある。
【０００８】
【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例を工程順に示
す断面図であり、まず図１（Ａ）は、半導体基板１上に
下層の第１の配線２（厚さ１μｍの金メッキ配線）を形
成し、第１の絶縁膜３（厚さ０．２μｍのプラズマシリ
コン酸化膜）を成長し、ポリイミドなどの層間絶縁膜と
しての有機塗布膜４を塗布し、４００℃程度の熱処理を
した状態である。
す断面図であり、まず図１（Ａ）は、半導体基板１上に
下層の第１の配線２（厚さ１μｍの金メッキ配線）を形
成し、第１の絶縁膜３（厚さ０．２μｍのプラズマシリ
コン酸化膜）を成長し、ポリイミドなどの層間絶縁膜と
しての有機塗布膜４を塗布し、４００℃程度の熱処理を
した状態である。
【００１０】次に図１（Ｂ）に示すように、ＰＲ（フォ
トレジスト）５でスルーホールのパターンを形成し、異
方性エッチング（ＣＦ4 などのガスを用いた反応性イオ
ンエッチング，Ａｒなどの不活性ガスを用いたイオンミ
リングなど）により、第１の配線２の上面までエッチン
グしてスルーホール１５を形成する。
トレジスト）５でスルーホールのパターンを形成し、異
方性エッチング（ＣＦ4 などのガスを用いた反応性イオ
ンエッチング，Ａｒなどの不活性ガスを用いたイオンミ
リングなど）により、第１の配線２の上面までエッチン
グしてスルーホール１５を形成する。
【００１１】次に図１（Ｃ）に示すように、図１（Ｂ）
の状態でさらに異方性エッチングを続けることにより第
１の配線２の上部をエッチングしエッチングされた第１
の配線の配線材が、スルーホール１５の側面に側面の堆
積物６として形成させる。
の状態でさらに異方性エッチングを続けることにより第
１の配線２の上部をエッチングしエッチングされた第１
の配線の配線材が、スルーホール１５の側面に側面の堆
積物６として形成させる。
【００１２】次に図１（Ｄ）に示すように、ＰＲ５を剥
離する。
離する。
【００１３】次に図１（Ｅ）に示すように、上層として
の第２の配線７（厚さ１μｍの金メッキ配線）を形成す
るためのメッキ電極用メタル８（例えば、厚さ０．１μ
ｍのチタン，白金など）をスパッタし、ＰＲ５でパター
ニングして第２の配線７を形成し、この後、ＰＲ５を剥
離して完成状態となる。
の第２の配線７（厚さ１μｍの金メッキ配線）を形成す
るためのメッキ電極用メタル８（例えば、厚さ０．１μ
ｍのチタン，白金など）をスパッタし、ＰＲ５でパター
ニングして第２の配線７を形成し、この後、ＰＲ５を剥
離して完成状態となる。
【００１４】第１の実施例では、微細化の弊害となるス
ルーホールのテーパー付けをなくしスルーホールの垂直
側面の堆積物６がメッキ配線形成のための電極用メタル
として、メッキ電極用メタル８の断切れ部を接続し、第
２の配線７のメッキ形成を可能としている。
ルーホールのテーパー付けをなくしスルーホールの垂直
側面の堆積物６がメッキ配線形成のための電極用メタル
として、メッキ電極用メタル８の断切れ部を接続し、第
２の配線７のメッキ形成を可能としている。
【００１５】次に図２により本発明の第２の実施例を説
明する。まず図２（Ａ）に示すように、半導体基板１上
に下層配線１０（ここでは厚さ１μｍのアルミニウム）
を形成し、第１の絶縁膜３（例えば厚さ０．２μｍのプ
ラズマシリコン酸化膜）を成長し、層間絶縁膜としての
塗布膜１２（シリカなど）を塗布し、熱処理（３００〜
４００℃程度）を行い、第２の絶縁膜９（厚さ０．５μ
ｍのプラズマシリコン酸化膜）を成長し、ＰＲでパター
ニングした後、等方性エッチングと異方性エッチングに
よりテーパーをつけたスルーホール１６を開孔する。そ
して図１の第１の実施例と同様に、異方性エッチング
（ここでは、Ａｒなどの不活性ガスを用いたイオンミリ
ング）により下層の配線１０の上部をエッチングし、ス
ルーホール１６の側面に下層の配線１０の配線材を堆積
物６として堆積させる。
明する。まず図２（Ａ）に示すように、半導体基板１上
に下層配線１０（ここでは厚さ１μｍのアルミニウム）
を形成し、第１の絶縁膜３（例えば厚さ０．２μｍのプ
ラズマシリコン酸化膜）を成長し、層間絶縁膜としての
塗布膜１２（シリカなど）を塗布し、熱処理（３００〜
４００℃程度）を行い、第２の絶縁膜９（厚さ０．５μ
ｍのプラズマシリコン酸化膜）を成長し、ＰＲでパター
ニングした後、等方性エッチングと異方性エッチングに
よりテーパーをつけたスルーホール１６を開孔する。そ
して図１の第１の実施例と同様に、異方性エッチング
（ここでは、Ａｒなどの不活性ガスを用いたイオンミリ
ング）により下層の配線１０の上部をエッチングし、ス
ルーホール１６の側面に下層の配線１０の配線材を堆積
物６として堆積させる。
【００１６】これにより、図２（Ｂ）で上層の配線１１
（厚さ１μｍのアルミニウム）をスパッタする際に、半
導体基板を加熱しても塗布膜１２より水分などのガスが
出ることはない。
（厚さ１μｍのアルミニウム）をスパッタする際に、半
導体基板を加熱しても塗布膜１２より水分などのガスが
出ることはない。
【００１７】即ち、この第２の実施例では、シリカ等の
塗布膜１２からのガスの発生を、本発明のスルーホール
側面の配線材６によって防止するという利点がある。
塗布膜１２からのガスの発生を、本発明のスルーホール
側面の配線材６によって防止するという利点がある。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、スルーホ
ール開孔のエッチング時に、下層配線の上部をエッチン
グしてスルーホール側面に堆積することにより、垂直な
形状のスルーホールにおいて、メッキ電極用メタルがス
ルーホール側面で段切れしても、側面の堆積物で接続可
能となるため、テーパー有りの場合と比較して、スルー
ホール幅で１／２程度まで微細化でき、配線の集積度を
高くできるという効果を有する。
ール開孔のエッチング時に、下層配線の上部をエッチン
グしてスルーホール側面に堆積することにより、垂直な
形状のスルーホールにおいて、メッキ電極用メタルがス
ルーホール側面で段切れしても、側面の堆積物で接続可
能となるため、テーパー有りの場合と比較して、スルー
ホール幅で１／２程度まで微細化でき、配線の集積度を
高くできるという効果を有する。
【００１９】また、スルーホール側面の塗布膜が露出し
ないため、アルミ配線形成の場合に、アルミスパッタ時
に下地加熱を行っても塗布膜から水分などのガスが出な
いため下層配線と上層配線の導通性を良くできるので信
頼性を高められるという効果を有する。
ないため、アルミ配線形成の場合に、アルミスパッタ時
に下地加熱を行っても塗布膜から水分などのガスが出な
いため下層配線と上層配線の導通性を良くできるので信
頼性を高められるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を工程順に示した断面図
である。
である。
【図２】本発明の第２の実施例を工程順に示した断面図
である。
である。
【図３】従来技術を示した断面図である。
【図４】他の従来技術を示した断面図である。
１ 半導体基板 ２，１０ 第１（下層）の配線 ３ 第１の絶縁膜 ４ 有機塗布膜 ５ ＰＲ ６ 側面の堆積物 ７，１１ 第２（上層）の配線 ８ メッキ電極用メタル ９ 第２の絶縁膜 １２ 塗布膜 １３，１４，１５，１６ スルーホール
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に第１の配線を形成する工
程と、前記第１の配線上に層間絶縁膜を形成する工程
と、前記層間絶縁膜に前記第１の配線の上面に達するス
ルーホールを開孔する工程と、前記層間絶縁膜上に前記
スルーホールを通して前記第１の配線に接続する第２の
配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法にお
いて、前記スルーホールを開孔するためのエッチング工
程は、前記層間絶縁膜をエッチングしさらに、前記第１
の配線上部をエッチングしエッチングされた前記第１の
配線の配線材が前記層間絶縁膜のスルーホールの側面に
堆積するように行うことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19443292A JPH0645453A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19443292A JPH0645453A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645453A true JPH0645453A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16324506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19443292A Withdrawn JPH0645453A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645453A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045898B2 (en) | 1998-12-25 | 2006-05-16 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP19443292A patent/JPH0645453A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045898B2 (en) | 1998-12-25 | 2006-05-16 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |