JPS5939876A - ピリミジン誘導体 - Google Patents
ピリミジン誘導体Info
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- JPS5939876A JPS5939876A JP57148283A JP14828382A JPS5939876A JP S5939876 A JPS5939876 A JP S5939876A JP 57148283 A JP57148283 A JP 57148283A JP 14828382 A JP14828382 A JP 14828382A JP S5939876 A JPS5939876 A JP S5939876A
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- C07D239/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings
- C07D239/24—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
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- C07D239/30—Halogen atoms or nitro radicals
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- C07D239/28—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, directly attached to ring carbon atoms
- C07D239/46—Two or more oxygen, sulphur or nitrogen atoms
- C07D239/52—Two oxygen atoms
- C07D239/54—Two oxygen atoms as doubly bound oxygen atoms or as unsubstituted hydroxy radicals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/34—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring
- C09K19/3441—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom
- C09K19/345—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom the heterocyclic ring being a six-membered aromatic ring containing two nitrogen atoms
- C09K19/3458—Uncondensed pyrimidines
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な有機化合物に関し、更に詳しくは液晶
制料の一成分として有用である新規な液晶化合物に関す
るものである1゜ 周知の如く液晶物質はねじ才また成品配列を持つネマチ
ック液晶を用いる表示素子(いわゆるTNセル)に利用
できる他、適当な色素を含有する液晶物質又は冶晶混合
物のゲスト・ホスト効果を応用した表示素子、史には液
晶の動的散乱効果を利用したDS型表示素子、コレステ
リック−ネマチック相転移を利用した表示素子、液晶の
電界制御複屈折効果を利用したDAP型表不表示素子広
く利用されている1、これらの液晶材料は、単独の化合
物で(−rその諸物件、即ち液晶温度範囲、動作電圧、
応答4C1・能等で実用的な使用に耐えるものはなく、
実用的には数種の液晶化合物を混合しである程度の使用
に耐えるものを得ているのが現状である。本発明はこの
様な実用的な優れたかつ安定な液晶組成物を構成する一
成分として、有用な化合物を提供するものである。即ち
本発明は 一般式 (上式中R,、R1−は炭素数1〜10のアルキル基ま
たはアルキルオキシ基、■は、シクロヘキサン環または
ベンゼン環を示す)で表わされる5−w換−2−(4’
−置換ビフェニリル)ピリミジン及び5−置換−2=〔
4′−(トランス−4′−f換シクロヘキシル)フェニ
ルピリミジン系 本発明の(I)式の化合物は屈折率の異方性が著しく大
きく、かつ3環の化合物としては低粘度であり、液晶温
度範囲が相当広く安定性に優れた液晶化合物である。
制料の一成分として有用である新規な液晶化合物に関す
るものである1゜ 周知の如く液晶物質はねじ才また成品配列を持つネマチ
ック液晶を用いる表示素子(いわゆるTNセル)に利用
できる他、適当な色素を含有する液晶物質又は冶晶混合
物のゲスト・ホスト効果を応用した表示素子、史には液
晶の動的散乱効果を利用したDS型表示素子、コレステ
リック−ネマチック相転移を利用した表示素子、液晶の
電界制御複屈折効果を利用したDAP型表不表示素子広
く利用されている1、これらの液晶材料は、単独の化合
物で(−rその諸物件、即ち液晶温度範囲、動作電圧、
応答4C1・能等で実用的な使用に耐えるものはなく、
実用的には数種の液晶化合物を混合しである程度の使用
に耐えるものを得ているのが現状である。本発明はこの
様な実用的な優れたかつ安定な液晶組成物を構成する一
成分として、有用な化合物を提供するものである。即ち
本発明は 一般式 (上式中R,、R1−は炭素数1〜10のアルキル基ま
たはアルキルオキシ基、■は、シクロヘキサン環または
ベンゼン環を示す)で表わされる5−w換−2−(4’
−置換ビフェニリル)ピリミジン及び5−置換−2=〔
4′−(トランス−4′−f換シクロヘキシル)フェニ
ルピリミジン系 本発明の(I)式の化合物は屈折率の異方性が著しく大
きく、かつ3環の化合物としては低粘度であり、液晶温
度範囲が相当広く安定性に優れた液晶化合物である。
本発明の化合物は、他の液晶化合物との相溶性が優れて
いるので、例えば、ビフェニル系、エステル系、アゾキ
シ系、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル系、
フェニルシクロヘギサン系、フェニルメタジオギザン系
、フェニルピリミジン系などの液晶の一種知又1j数柚
類の系の化合物と混合させることにより応老−諸特性や
コントラストやシャープネスを向−]二さV。
いるので、例えば、ビフェニル系、エステル系、アゾキ
シ系、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル系、
フェニルシクロヘギサン系、フェニルメタジオギザン系
、フェニルピリミジン系などの液晶の一種知又1j数柚
類の系の化合物と混合させることにより応老−諸特性や
コントラストやシャープネスを向−]二さV。
また液晶温度範囲を広げる等の効果を発揮させることが
できろ。
できろ。
次に本発明の化合物(I)の製造法を詳し2く説明する
。まず反応式にてぞの硫要を示すと、11 (上式に於てit、 、 R,は前記と同じ意味を示す
) マス、化合Qh (If)の4−置換シアノフェニルの
市販品を出発原料として、これをアルコール及びトルエ
ンに溶解して、塩酸ガスを反応させ、化合物(llf)
のイミドエーテル塩酸塩誘導体を得る。
。まず反応式にてぞの硫要を示すと、11 (上式に於てit、 、 R,は前記と同じ意味を示す
) マス、化合Qh (If)の4−置換シアノフェニルの
市販品を出発原料として、これをアルコール及びトルエ
ンに溶解して、塩酸ガスを反応させ、化合物(llf)
のイミドエーテル塩酸塩誘導体を得る。
次に、これをアンモニアエタノール溶液と反応塩
させて、化合物Nのアミジン塩酸前導体を得る。
次にこの化合物■と、化合物■のアルキル又はアルキル
オキシマロン酸ジエチルエステルヲナトリウムメトキザ
イドの存在下にて、環化反応させて、化合物Mの2.5
−齢換−4.6−シヒドロギシピリミジン誘導体を得る
。次に、この化合物■をオキシ塩化りyを用いて、クロ
ル化して、化合物〜1の2.5−[換−4,6−ジクロ
ルピリミジン誘導体を得る。41に、この化合物(Vl
)をパラジウムカーボンを触媒に水素還元して目的の化
合物(I)を得ることができる。
オキシマロン酸ジエチルエステルヲナトリウムメトキザ
イドの存在下にて、環化反応させて、化合物Mの2.5
−齢換−4.6−シヒドロギシピリミジン誘導体を得る
。次に、この化合物■をオキシ塩化りyを用いて、クロ
ル化して、化合物〜1の2.5−[換−4,6−ジクロ
ルピリミジン誘導体を得る。41に、この化合物(Vl
)をパラジウムカーボンを触媒に水素還元して目的の化
合物(I)を得ることができる。
以下、実施例により本発明の化合物につき更に詳細に説
明する。
明する。
実施例1
〔5−へギシル−2−(4’−ベニ/チルビフェニリル
)ピリミジンの合成〕 (第1段) 市販ノ4’〜ペンチルー4−シアノビフェニル102.
21/ (0,410moすな無水メタノール27.1
/(0,870101)及びl−ルエンID0m1lc
溶解し、−5tZ’で攪拌下、窒素1a換俵、塩酸ガス
165tを40分間で通じ、さらに−5Cで攪拌を6時
間行なった。
)ピリミジンの合成〕 (第1段) 市販ノ4’〜ペンチルー4−シアノビフェニル102.
21/ (0,410moすな無水メタノール27.1
/(0,870101)及びl−ルエンID0m1lc
溶解し、−5tZ’で攪拌下、窒素1a換俵、塩酸ガス
165tを40分間で通じ、さらに−5Cで攪拌を6時
間行なった。
反応混合物を一20t?にて2日間放置して、結晶を析
出さぜ、エーテル30m1を加えて、沖゛過し、結晶を
乾燥り、、4−(4’ −ペンチルフェニル)フェニル
−t ミドvメチルエステル塩酸塩to4.sl収率8
0係)を得た。(融点231 r ) (第2段) 第1段で得られた4−(4’−ペンチルフェニル)フェ
ニルイミド酸メチルエステル塩酸塩104.51/ (
(1,32911101)にx fi ) −,11/
3DOtntを加え攪拌しながらアンモニアエタノール
溶液(15,9wt%)700Iutを加え、3ocに
て5時間攪拌し、更に室温にて2日間放置してから濾過
し、ν液のエタノールを留去して析出した結晶を濾過、
乾燥して4−(4’−ベンテルフェニル)フェニルアミ
ジン塩酸塩86.21(収率96,5俤)を得た。
出さぜ、エーテル30m1を加えて、沖゛過し、結晶を
乾燥り、、4−(4’ −ペンチルフェニル)フェニル
−t ミドvメチルエステル塩酸塩to4.sl収率8
0係)を得た。(融点231 r ) (第2段) 第1段で得られた4−(4’−ペンチルフェニル)フェ
ニルイミド酸メチルエステル塩酸塩104.51/ (
(1,32911101)にx fi ) −,11/
3DOtntを加え攪拌しながらアンモニアエタノール
溶液(15,9wt%)700Iutを加え、3ocに
て5時間攪拌し、更に室温にて2日間放置してから濾過
し、ν液のエタノールを留去して析出した結晶を濾過、
乾燥して4−(4’−ベンテルフェニル)フェニルアミ
ジン塩酸塩86.21(収率96,5俤)を得た。
(第3段)
金属ナトリウム5.Ofi (0,217mol)を無
水メタノール100 nd!に加え、 ナトリウムメト
キサイドとしてのち水冷攪拌しながら第2段で得られた
4−(4−ペンチルフェニル)フェニルアミジン塩酸塩
20.011 (0,066mal )& (J n−
ヘキシルマロン酸ジエチルエステル16.21 (0,
066mol )を加え、8時間攪拌下にて還流した。
水メタノール100 nd!に加え、 ナトリウムメト
キサイドとしてのち水冷攪拌しながら第2段で得られた
4−(4−ペンチルフェニル)フェニルアミジン塩酸塩
20.011 (0,066mal )& (J n−
ヘキシルマロン酸ジエチルエステル16.21 (0,
066mol )を加え、8時間攪拌下にて還流した。
これを水冷し、20%塩酸150dを加え、析出物を沖
遇し、結晶を水及びメタノールで洗浄し乾燥して5−へ
キシル−2−(4’−ペンチルビフェニリル) −4,
6−シヒドロキシビリミジン26.29(収率95%)
を得た。
遇し、結晶を水及びメタノールで洗浄し乾燥して5−へ
キシル−2−(4’−ペンチルビフェニリル) −4,
6−シヒドロキシビリミジン26.29(収率95%)
を得た。
(第4段)
第6段で得られた5−へキシル−2−(4’−ペンチル
ビフェニリル) −4,6−シヒドロキシビリミジン2
6.2g(0・063 mol )にオキシ塩化リン1
5〇−及びN、 N−ジエチルアニリン25艷を加え5
0時間還流した稜に過剰のオキシ塩化リンを留去して熱
いうちに水冷した10%水酸化ナトリウム水溶液500
meKあけ、それをトルエン200m/で抽出し、そ
のトルエン層を20チ塩酸及び水で洗浄した後に、トル
エンを留去して、11−ヘゲタン100ゴにて再結晶後
、乾燥して5−へキシル−2(4’−ペンチルビフェニ
リル)−4,6−ジクロルピリミジン2o、s、p(収
率72qb)を得た。
ビフェニリル) −4,6−シヒドロキシビリミジン2
6.2g(0・063 mol )にオキシ塩化リン1
5〇−及びN、 N−ジエチルアニリン25艷を加え5
0時間還流した稜に過剰のオキシ塩化リンを留去して熱
いうちに水冷した10%水酸化ナトリウム水溶液500
meKあけ、それをトルエン200m/で抽出し、そ
のトルエン層を20チ塩酸及び水で洗浄した後に、トル
エンを留去して、11−ヘゲタン100ゴにて再結晶後
、乾燥して5−へキシル−2(4’−ペンチルビフェニ
リル)−4,6−ジクロルピリミジン2o、s、p(収
率72qb)を得た。
(第5段)
第4段で得られた5−へキシル−2−(4’−ペンチル
ビフェニル)−4,6−ジクロルピリミジン20.59
(n、D 451+nol )に酸化マグネシウム1
50g、パラジウムカーボン(5%)5.0g、エタノ
ール200 ml、水15m1を加え、室温で飽和する
まで水素ガスを吸収さ壮た。
ビフェニル)−4,6−ジクロルピリミジン20.59
(n、D 451+nol )に酸化マグネシウム1
50g、パラジウムカーボン(5%)5.0g、エタノ
ール200 ml、水15m1を加え、室温で飽和する
まで水素ガスを吸収さ壮た。
反応物を濾過し残渣をトルエンで洗い、このトルエン層
及びfi3液を留去して、この残液をトルエン200m
1に溶解し20係塩酸及び10嗟水酸化ナトリウム水溶
液で洗浄し、さらに水で中性まで洗浄した後に、トルエ
ンを留去して、残渣をn−へブタン200 rnlで再
結晶して、目的物である5−へキシル−2−(4’−ペ
ンチルビフェニリル)ピリミジン11.5 F (11
)’に66%)を得たつこの化合物の0−N点は81C
,N−N点は164r、+た、元素分析値は次の如く計
算値とよく一致している、。
及びfi3液を留去して、この残液をトルエン200m
1に溶解し20係塩酸及び10嗟水酸化ナトリウム水溶
液で洗浄し、さらに水で中性まで洗浄した後に、トルエ
ンを留去して、残渣をn−へブタン200 rnlで再
結晶して、目的物である5−へキシル−2−(4’−ペ
ンチルビフェニリル)ピリミジン11.5 F (11
)’に66%)を得たつこの化合物の0−N点は81C
,N−N点は164r、+た、元素分析値は次の如く計
算値とよく一致している、。
実施例2〜11
実施例1と同様の方法で次の化合物を合成し。
た。
5−’f−チルー 2−(4’−ベンチ/l/ ビフェ
ニリル)ピリミジン C−1点:102℃ 、N−I点ニア5℃(外挿値)5
−ペンチル−2〜(4’−ペンチルビフェニリル)ピリ
ミジン C−N点: 7aC,N−N点: 176C5−へブ
チル−2−(4’−ヘンチルビフェニリル)ピリミジン C−N点: 124tl?、N−N点: 167r
5−エチル−2−(4’−(ト′ランスー41−プロピ
ルシクロヘキシル)フェニル)ピリミジン 0−N点:1o9c、N−N点: 1B711::5
−ペンチル−2−(4’−()ランス−4”−プロピル
シクロヘキシル)フェニル)ピリミジン 0−N点:a9c、N−N点: 185U5−へキシ
ル−2−(4’−(トランス−4′−プロピルシクロヘ
キシル)フェニル)ピリミジン C−N点: q5C,N−N点: 170C5−
ヘプチル−2−(4’−(トランス−41−プロピルシ
クロヘキシル)フェニル)ピリミジン 0−N点: 1[]6C,N−N点: 170t:
’5−エチルー2−(4’−プロピルオキシビフェニリ
ル)ピリミジン 0−N点: 14bc、 N−N点 206C5−
ペンチルー2−(4’−プロピルオキシビフェニリル)
ピリミジン C−N点: 162c、 N−i点: 204C5
−へキシル−2−(4’−プロピルオキシビフェニリル
)ピリミジン 0−N点: 123c、 N−N点: 189t
?5−ヘプテルー2−(4−プロピルオキシビフェニリ
ル)ピリミジン ON点: 101t’r、 N−N点: 191
r実施例12(使用例1) からなる液晶組成物AのN−N点は524C2Orに於
ける粘度η2oは23.1 cp、 M1tt異方性Δ
εは112(εu = 16.1、ε止=49)で、こ
れをセル厚10μmのTNセルに封入(、たもののしき
い電圧は1.5■、飽和電圧は2.OVであり、屈折率
異方性Δnは0.120(newl、612、r1o=
1.492 )であった。
ニリル)ピリミジン C−1点:102℃ 、N−I点ニア5℃(外挿値)5
−ペンチル−2〜(4’−ペンチルビフェニリル)ピリ
ミジン C−N点: 7aC,N−N点: 176C5−へブ
チル−2−(4’−ヘンチルビフェニリル)ピリミジン C−N点: 124tl?、N−N点: 167r
5−エチル−2−(4’−(ト′ランスー41−プロピ
ルシクロヘキシル)フェニル)ピリミジン 0−N点:1o9c、N−N点: 1B711::5
−ペンチル−2−(4’−()ランス−4”−プロピル
シクロヘキシル)フェニル)ピリミジン 0−N点:a9c、N−N点: 185U5−へキシ
ル−2−(4’−(トランス−4′−プロピルシクロヘ
キシル)フェニル)ピリミジン C−N点: q5C,N−N点: 170C5−
ヘプチル−2−(4’−(トランス−41−プロピルシ
クロヘキシル)フェニル)ピリミジン 0−N点: 1[]6C,N−N点: 170t:
’5−エチルー2−(4’−プロピルオキシビフェニリ
ル)ピリミジン 0−N点: 14bc、 N−N点 206C5−
ペンチルー2−(4’−プロピルオキシビフェニリル)
ピリミジン C−N点: 162c、 N−i点: 204C5
−へキシル−2−(4’−プロピルオキシビフェニリル
)ピリミジン 0−N点: 123c、 N−N点: 189t
?5−ヘプテルー2−(4−プロピルオキシビフェニリ
ル)ピリミジン ON点: 101t’r、 N−N点: 191
r実施例12(使用例1) からなる液晶組成物AのN−N点は524C2Orに於
ける粘度η2oは23.1 cp、 M1tt異方性Δ
εは112(εu = 16.1、ε止=49)で、こ
れをセル厚10μmのTNセルに封入(、たもののしき
い電圧は1.5■、飽和電圧は2.OVであり、屈折率
異方性Δnは0.120(newl、612、r1o=
1.492 )であった。
この液晶組成物A90部に本発明の化合物5−へフチル
ー2−(4’−ヘンチルビフェニリル)ピリミジンを1
0部加えた液晶組成物のNI点は61.5 tl’に上
昇し、η2゜ば24.51ull、Δεは110(ε□
=15.<S、ε上=4.6)、しきい電圧は1.6■
飽和電圧は21Vであり、Δnは0.135(newl
、 629、newl、494)に上昇した。
ー2−(4’−ヘンチルビフェニリル)ピリミジンを1
0部加えた液晶組成物のNI点は61.5 tl’に上
昇し、η2゜ば24.51ull、Δεは110(ε□
=15.<S、ε上=4.6)、しきい電圧は1.6■
飽和電圧は21Vであり、Δnは0.135(newl
、 629、newl、494)に上昇した。
尚、現在Δnの大きな高温用液晶としてよく使用されて
いるシアノテルフェニル類の代表化合物であるC3H1
1−@−@X◇〜CNの10部を液晶組成物190部に
加えて得られる液晶組成物のη2oは2750pである
。
いるシアノテルフェニル類の代表化合物であるC3H1
1−@−@X◇〜CNの10部を液晶組成物190部に
加えて得られる液晶組成物のη2oは2750pである
。
実施例4(使用例2)
(j711.、−個>@−ON、3Q部からなる液晶組
成物のNI点は52.4tl’20tZ’に於ける粘度
η、。は231Qp、u電層方性Δεは11.2(ε、
、=16.1、ε工=4.9)で、これをセル厚10μ
mのTNセルに封入したもののしきい電圧は1.5V、
飽和電圧は2.OVであり、屈折異方性Δεは0.12
0(ne=1612、no=1.492)でル)つた。
成物のNI点は52.4tl’20tZ’に於ける粘度
η、。は231Qp、u電層方性Δεは11.2(ε、
、=16.1、ε工=4.9)で、これをセル厚10μ
mのTNセルに封入したもののしきい電圧は1.5V、
飽和電圧は2.OVであり、屈折異方性Δεは0.12
0(ne=1612、no=1.492)でル)つた。
この化合物90部に本発明の化合物5−エチル−2−(
4’−()ランス−4′−プロピルシクロヘキシル)フ
ェニル)ピリミジンを10部加えた液晶組成物のN−N
点は63.1t?rこ十ゼし、η2oは24.4ell
、Δεはi i、 i (c++ = 15.7、ε」
=46)、しきい電圧は1.5 V、飽和電圧は2.I
Vであり、Δnはo、t so (ne=t624、n
O=1.494 )に上昇した。
4’−()ランス−4′−プロピルシクロヘキシル)フ
ェニル)ピリミジンを10部加えた液晶組成物のN−N
点は63.1t?rこ十ゼし、η2oは24.4ell
、Δεはi i、 i (c++ = 15.7、ε」
=46)、しきい電圧は1.5 V、飽和電圧は2.I
Vであり、Δnはo、t so (ne=t624、n
O=1.494 )に上昇した。
以 上
手 続 袖 正 書
’l′lVf庁長官若杉オ11 夫1121、更1午の
六乃く 昭41157年待訂願出1118288号2、発明の名
称 ピリミジンi)5導体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区中之島三丁目6査32g(〒580)
(207)チッソ株式会社 代表者野木貞人IL 4、代 (li 人 東京都新宿区新宿2丁目8査F号(〒160)6、補正
により増加する発明の数 な し 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 8、補正の内容 (1)明細書第4頁8行目と9行目の間に以下の文を挿
入する。
六乃く 昭41157年待訂願出1118288号2、発明の名
称 ピリミジンi)5導体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区中之島三丁目6査32g(〒580)
(207)チッソ株式会社 代表者野木貞人IL 4、代 (li 人 東京都新宿区新宿2丁目8査F号(〒160)6、補正
により増加する発明の数 な し 7、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 8、補正の内容 (1)明細書第4頁8行目と9行目の間に以下の文を挿
入する。
「 ピリミジン環を有する液晶化合物としては、今まで
一般式 (上式でR1,R1はアルキル基、アルキルオキシ基、
アシル基又はシアノ基などを示す)の如き2つの環のも
のが知られている(西独特許2257588.特公昭5
5−6682゜特開昭55−157571 、 tvj
開昭56−53661など)。しかしこれらはいずれも
本願の化合物に比して液晶温度範囲はせまい。
一般式 (上式でR1,R1はアルキル基、アルキルオキシ基、
アシル基又はシアノ基などを示す)の如き2つの環のも
のが知られている(西独特許2257588.特公昭5
5−6682゜特開昭55−157571 、 tvj
開昭56−53661など)。しかしこれらはいずれも
本願の化合物に比して液晶温度範囲はせまい。
又直結した3環を持つピリミジン系の液晶化合物として
は、一般式 (上式でR1,R2の一方はCN基、他方はアルキル基
、アルキルオキシ基などを示す)又は、 (上式で−C)、−Gは合又はべ=Xで、Rはアルキル
基などを示す) などの化合物が知られているが、これらは大きいΔεを
得るために必ず一方の端にCN基を有しており、本願の
化合物に比してΔnは小さく、粘度は高く、安定性は劣
る(特公昭55−27056.lVF開昭55−104
270゜特開昭57−95965)。又、上記特開昭5
7−95965には一般式 %式%) などの直結された8環を有するピリミジン系の液晶化合
物が示されているが、この場合ピリミジン環が8環の中
央にあり、この様な場合は液晶相がスメクチック、ネマ
チックの2相になるが、本願化合物では広いネマチック
相のみを示し実用上優れている。」 (2)明細書第4頁下から8行目の化学式(3)明細書
第9頁下から2行目の[164°C,Jの後に「20°
Cに於ける粘度η2oは860p 1Δnは0.25で
あった。」を挿入する。
は、一般式 (上式でR1,R2の一方はCN基、他方はアルキル基
、アルキルオキシ基などを示す)又は、 (上式で−C)、−Gは合又はべ=Xで、Rはアルキル
基などを示す) などの化合物が知られているが、これらは大きいΔεを
得るために必ず一方の端にCN基を有しており、本願の
化合物に比してΔnは小さく、粘度は高く、安定性は劣
る(特公昭55−27056.lVF開昭55−104
270゜特開昭57−95965)。又、上記特開昭5
7−95965には一般式 %式%) などの直結された8環を有するピリミジン系の液晶化合
物が示されているが、この場合ピリミジン環が8環の中
央にあり、この様な場合は液晶相がスメクチック、ネマ
チックの2相になるが、本願化合物では広いネマチック
相のみを示し実用上優れている。」 (2)明細書第4頁下から8行目の化学式(3)明細書
第9頁下から2行目の[164°C,Jの後に「20°
Cに於ける粘度η2oは860p 1Δnは0.25で
あった。」を挿入する。
(4)明細書第4頁5行目(表の下)の「実施例2〜I
IJから明細書画12頁5行目までを全文削除し、代シ
に次の文及び表を挿入する。
IJから明細書画12頁5行目までを全文削除し、代シ
に次の文及び表を挿入する。
「実施例2〜84
実施例1と同様の方法で合成した他の(I)式の化合物
とその物性値を夾施し11の結果と共に表1に示す。
とその物性値を夾施し11の結果と共に表1に示す。
(5)明細書第12貞10目「実施例12Jを「実施例
85」に補正する。
85」に補正する。
(6)明細書第12頁下から4行目の「本発明の」の後
に「実施例9Ω」を挿入する。
に「実施例9Ω」を挿入する。
(7)明細書第12貞10目の文を次の様に補正する。
「放物のN−I点は66.7°C9Δnは0.146と
上昇したがη2oも27.5 cpと大巾に上昇した。
上昇したがη2oも27.5 cpと大巾に上昇した。
又、上記で混合割合を液晶組成物A96.5部、高温用
液晶化合物3.5部としたところ、η2゜は24.5c
pとなったがN−I点は57.6°C,Alnは0.1
29と低下した。」(8)明細書第12頁9行目F実施
例4」を「実施例86」に補正する。
液晶化合物3.5部としたところ、η2゜は24.5c
pとなったがN−I点は57.6°C,Alnは0.1
29と低下した。」(8)明細書第12頁9行目F実施
例4」を「実施例86」に補正する。
(9)明細書第12貞10行目から最終行目までの文章
を以下の様に補正する。
を以下の様に補正する。
「 実施例35で使用したと同じ液晶組成物A90部に
本発明の実施例17の化合物5−エチ」 以上 手 続 補 正 書 昭和58年9月l/日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和57年特許願第148283号 2、発明の名称 ピリミジン訪導体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区中之島三丁目6番32号(〒530)
(207)チッソ株式会社 代表者 野 木 貞 雄 4、代理人 東京都新宿区新宿2丁目8番1号(〒160)5、補正
命令の日付 6、補正の対象 昭和58年9月6日付差出の手続補正書中の補正の内容
の欄(明細書の発明の詳細な説明欄を対象としたもの) 7、補正の内容 (1) 手続補正書簡8頁の5行目、133行目び1
55行目112頁」をいずれも「13頁」に訂正する。
本発明の実施例17の化合物5−エチ」 以上 手 続 補 正 書 昭和58年9月l/日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和57年特許願第148283号 2、発明の名称 ピリミジン訪導体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区中之島三丁目6番32号(〒530)
(207)チッソ株式会社 代表者 野 木 貞 雄 4、代理人 東京都新宿区新宿2丁目8番1号(〒160)5、補正
命令の日付 6、補正の対象 昭和58年9月6日付差出の手続補正書中の補正の内容
の欄(明細書の発明の詳細な説明欄を対象としたもの) 7、補正の内容 (1) 手続補正書簡8頁の5行目、133行目び1
55行目112頁」をいずれも「13頁」に訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (上式中、鴫、lL2は炭素数1〜10のアルキル基ま
たはアルキルオキシ基、■はシクロヘキサン環またはベ
ンゼン環を示す)で表わされる5−置換−2−(4’−
置換ビフx = I)ル)ピリミジン及び5−置換−2
−(4’−(トランス−4″・−置換シクロヘキシル)
フェニル〕ピリミジン。 (上式中、R1、町は炭素数1〜10のアルキル基また
はアルキルオキシ基、■はシクロヘキサン環またはベン
ゼン環を示す)で表わされる5−置換−2−(4’−置
換ビフェニリル)ピリミジン又は5−置換−2−(4’
−(トランス−4”−置換シクロヘキシル)フェニル〕
ピリミジンな少くとも−・柚含有することを特徴とする
液晶組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57148283A JPS5939876A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | ピリミジン誘導体 |
US06/525,881 US4533488A (en) | 1982-08-26 | 1983-08-24 | Pyrimidine derivatives |
EP83304961A EP0104011B1 (en) | 1982-08-26 | 1983-08-26 | Pyrimidine derivatives |
DE8383304961T DE3363180D1 (en) | 1982-08-26 | 1983-08-26 | Pyrimidine derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57148283A JPS5939876A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | ピリミジン誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5939876A true JPS5939876A (ja) | 1984-03-05 |
JPS625434B2 JPS625434B2 (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=15449296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57148283A Granted JPS5939876A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | ピリミジン誘導体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4533488A (ja) |
EP (1) | EP0104011B1 (ja) |
JP (1) | JPS5939876A (ja) |
DE (1) | DE3363180D1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4713197A (en) * | 1984-01-17 | 1987-12-15 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Nitrogen-containing heterocyclic compounds |
US5702272A (en) * | 1993-01-10 | 1997-12-30 | Ryosei Electro-Circuit Systems, Ltd. | Connecting terminal and method or manufacturing the same |
US6152788A (en) * | 1999-01-20 | 2000-11-28 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Female terminal |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE3315295A1 (de) * | 1983-04-27 | 1984-10-31 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fluorhaltige pyrimidinderivate |
JPS60146877A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-02 | Chisso Corp | 2―置換―6―(5―置換―2―ピリミジニル)ナフタリン |
GB8400665D0 (en) * | 1984-01-11 | 1984-02-15 | Secr Defence | Disubstituted ethanes |
DE3404116A1 (de) * | 1984-02-07 | 1985-08-08 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Stickstoffhaltige heterocyclen |
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DE3587601T2 (de) * | 1984-10-18 | 1994-03-10 | Chisso Corp | Ferroelektrische chirale smektische Flüssigkristallzusammensetzung. |
JPS61152659A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-11 | Chisso Corp | 1,4−ジピリミジニルベンゼン誘導体 |
JPS61167671A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-29 | Chisso Corp | 4−(5−アルキルピリミジン−2−イル)安息香酸−4′−シアノ−3′−ハロゲノフエニル |
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DE3506446A1 (de) * | 1985-02-23 | 1986-08-28 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Pyrimidinderivate |
JPS61197563A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-01 | Chisso Corp | トリフルオロメチルフエニル基をもつピリミジン誘導体 |
US4684477A (en) * | 1985-03-06 | 1987-08-04 | Chisso Corporation | Pyridine derivatives and their use in liquid crystals |
JPS61233689A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-10-17 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 複素環式ホウ素化合物 |
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DE3515373A1 (de) * | 1985-04-27 | 1986-11-06 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Stickstoffhaltige heterocyclen |
JPS61280489A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-11 | Chisso Corp | 新規液晶化合物 |
DE3533333A1 (de) * | 1985-09-18 | 1987-03-26 | Merck Patent Gmbh | Smektische fluessigkristalline phasen |
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- 1983-08-26 DE DE8383304961T patent/DE3363180D1/de not_active Expired
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EP0104011A1 (en) | 1984-03-28 |
DE3363180D1 (en) | 1986-05-28 |
EP0104011B1 (en) | 1986-04-23 |
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