JPS59204245A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPS59204245A JPS59204245A JP7950183A JP7950183A JPS59204245A JP S59204245 A JPS59204245 A JP S59204245A JP 7950183 A JP7950183 A JP 7950183A JP 7950183 A JP7950183 A JP 7950183A JP S59204245 A JPS59204245 A JP S59204245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- mold
- semiconductor device
- lower mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C31/00—Handling, e.g. feeding of the material to be shaped, storage of plastics material before moulding; Automation, i.e. automated handling lines in plastics processing plants, e.g. using manipulators or robots
- B29C31/008—Handling preformed parts, e.g. inserts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
- B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、数メートル以上の長尺リードフレームの多
数個の半導体装置を樹脂封止する方法に関する。
数個の半導体装置を樹脂封止する方法に関する。
従来のリードフレーム上の半導体装置の樹脂封止方法は
、周知のように長さ数百ミリメートルのリードフレーム
を用い、数個ないし数十個程度の半導体装置を組立てる
方法がとられていた。
、周知のように長さ数百ミリメートルのリードフレーム
を用い、数個ないし数十個程度の半導体装置を組立てる
方法がとられていた。
上記従来の半導体装置の樹脂封止方法を、第１図ないし
第３図により説明する。第１図は１枚のリードフレーム
に装着された半導体装置の樹脂封止前の状態を示す。リ
ードフレーム（１）は通常数百ミリメートル長さにして
おり、半導体装置が数個ないし数十個分装着される長さ
になっている。このリードフレーム（１）に複数個の半
導体素子（２）が取付けられ、それぞれ金属細線（３）
によるワイヤボンドがされている。
第３図により説明する。第１図は１枚のリードフレーム
に装着された半導体装置の樹脂封止前の状態を示す。リ
ードフレーム（１）は通常数百ミリメートル長さにして
おり、半導体装置が数個ないし数十個分装着される長さ
になっている。このリードフレーム（１）に複数個の半
導体素子（２）が取付けられ、それぞれ金属細線（３）
によるワイヤボンドがされている。
このように、半導体素子（２）の取付けと配線が済んだ
リードフレーム（１）を、第２図に示すように、成形金
型に入れ樹脂封止する。（４）は成形上金型で、（５）
はこれに対応する成形下金型であり、油圧プレス（図示
は略す）により双方が抑圧結合されるようにしていて、
これらの金型を高温度に保つ加熱手段（図示は略す）が
設けである。成形下金型（５）上に、′上記第１図の状
態のリードフレーム（１）を複数個並べて載せる。成形
上金型（４）と下金型（５）とを抑圧結合し、上金型（
４）の樹脂注入口（６）から樹脂を加圧しながら注入す
る。すると、注入樹脂は下金型（５）上面に設けである
移送路（７）を通り、各半導体素子（２）部へ分岐して
導かれて圧入される。こうして、それぞれ封止樹脂が成
型され、第３図に示すようだ、リードフレーム（１）上
に樹脂封止体（８）により封止された複数個の半導体装
置（９）が形成される。
リードフレーム（１）を、第２図に示すように、成形金
型に入れ樹脂封止する。（４）は成形上金型で、（５）
はこれに対応する成形下金型であり、油圧プレス（図示
は略す）により双方が抑圧結合されるようにしていて、
これらの金型を高温度に保つ加熱手段（図示は略す）が
設けである。成形下金型（５）上に、′上記第１図の状
態のリードフレーム（１）を複数個並べて載せる。成形
上金型（４）と下金型（５）とを抑圧結合し、上金型（
４）の樹脂注入口（６）から樹脂を加圧しながら注入す
る。すると、注入樹脂は下金型（５）上面に設けである
移送路（７）を通り、各半導体素子（２）部へ分岐して
導かれて圧入される。こうして、それぞれ封止樹脂が成
型され、第３図に示すようだ、リードフレーム（１）上
に樹脂封止体（８）により封止された複数個の半導体装
置（９）が形成される。
上記従来の樹脂封止方法では、リードフレームを１枚宛
取扱うので、この処理枚数が多数枚となり、組立て装置
が複雑となり、作業工程間の仕掛り量か多くなる欠点が
あった。また、成形金型にリードフレームを並べるのに
人手によることが多く、これを自動化するのには非常に
複雑な機構の装置を要するなどの欠点があった。
取扱うので、この処理枚数が多数枚となり、組立て装置
が複雑となり、作業工程間の仕掛り量か多くなる欠点が
あった。また、成形金型にリードフレームを並べるのに
人手によることが多く、これを自動化するのには非常に
複雑な機構の装置を要するなどの欠点があった。
これに対処し、長尺のリードフレームを使用し、半導体
装置の連続自動組立を行なう方法を、発明者らはすでに
提案した（特願昭５６−９９３９２号）。
装置の連続自動組立を行なう方法を、発明者らはすでに
提案した（特願昭５６−９９３９２号）。
この先行技術による方法は、長尺フレームを用いて自動
組立を行なうことにより、リードフレームの搬送機構が
極めて簡単になり、作業工程間ｉ＝設備的に連続され一
つの作業とみなし得るようになるので、途中仕掛り量が
極めて少なくなる長所力；ある。
組立を行なうことにより、リードフレームの搬送機構が
極めて簡単になり、作業工程間ｉ＝設備的に連続され一
つの作業とみなし得るようになるので、途中仕掛り量が
極めて少なくなる長所力；ある。
この発明は、上記従来の樹脂封止方法の欠点をなくする
ためになされたもので、上言己先行技術による長尺のリ
ードフレームを用いた製造方法の樹脂封止工程をより具
体化したものである。すなわち、順次半導体素子が装着
された長尺リードフレームの所定範囲の被樹脂封止部を
引張ローラで張りながら送りローラにより成形上金型と
下金型間に送り、下金型上に位置決めして載せ、上、下
金型を合わせ樹脂を圧入注型し複数個の半導体素子部を
樹脂封止成形し、順次これを繰返し長尺１ノードフレー
ム全長にわたり多数個の樹脂封止半導体装置を形成し、
簡単な送り手段により長尺１ノー ）”フレームの半導
体装置の樹脂封止７５玉、連続して自動化して行なえ、
生産性が大幅に向上される半導体装置の樹脂封止方法を
提供することを目的としている。
ためになされたもので、上言己先行技術による長尺のリ
ードフレームを用いた製造方法の樹脂封止工程をより具
体化したものである。すなわち、順次半導体素子が装着
された長尺リードフレームの所定範囲の被樹脂封止部を
引張ローラで張りながら送りローラにより成形上金型と
下金型間に送り、下金型上に位置決めして載せ、上、下
金型を合わせ樹脂を圧入注型し複数個の半導体素子部を
樹脂封止成形し、順次これを繰返し長尺１ノードフレー
ム全長にわたり多数個の樹脂封止半導体装置を形成し、
簡単な送り手段により長尺１ノー ）”フレームの半導
体装置の樹脂封止７５玉、連続して自動化して行なえ、
生産性が大幅に向上される半導体装置の樹脂封止方法を
提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例による樹脂封止方法を図につ
いて説明する。第４図は長尺のリードフレーム（１１）
Ｋ装着された多数個の半導体素子（２）の樹脂封止前
の状態を示す。このリードフレーム０］の長さは特に制
約はなく、長さは相当長くてもよいが、発明者らの経験
では、３００〜６００ｍ程度力；実用的である。この長
尺リードフレームαηに多数個の半導体素子（２）が取
付けられ、それぞれ金属細線（３）によるワイヤボンド
がされている。ただし、との長尺リードフレーム（ロ）
は数百メートルの長さである場合が多く、一部は半導体
素子（２）取付前であり、他の一部は半導体素子（２）
が取付けられた状態であり、さらに他の一部は樹脂封止
された状態となり、これらは、一本の長尺リードフレー
ムαυで連続して変化することになる。したがって、第
４図の状態は一本の長尺リードフレームαＤの一部で、
樹脂封止前の状態の部分を示すことになる。（ｌｌａ）
は位置決め穴である。このリードフレームαυを送行し
、第４図の部分を第５図に示すように、成形下金型（５
）上に載せ同時に位置決め穴（ｌｌａ）を下金型（５）
の位置決めピンαＧに合わせ、成形上金型（４）と下金
型（５）を抑圧結合させる。樹脂注入口（６）から樹脂
を加圧しながら注入すると、各半導体素子（２）部は樹
脂封止体（８）の成形により封止される。こうして、第
６図に示すように、リードフレームαＢには樹脂封止体
（８）Ｋ封止された複数個の半導体装置（９）が形成さ
れる。これを連続して順次繰返すことにより、長尺リー
ドフレーム（１１）全長にわたり多数個の樹脂封止半導
体装置（９）が形成される。
いて説明する。第４図は長尺のリードフレーム（１１）
Ｋ装着された多数個の半導体素子（２）の樹脂封止前
の状態を示す。このリードフレーム０］の長さは特に制
約はなく、長さは相当長くてもよいが、発明者らの経験
では、３００〜６００ｍ程度力；実用的である。この長
尺リードフレームαηに多数個の半導体素子（２）が取
付けられ、それぞれ金属細線（３）によるワイヤボンド
がされている。ただし、との長尺リードフレーム（ロ）
は数百メートルの長さである場合が多く、一部は半導体
素子（２）取付前であり、他の一部は半導体素子（２）
が取付けられた状態であり、さらに他の一部は樹脂封止
された状態となり、これらは、一本の長尺リードフレー
ムαυで連続して変化することになる。したがって、第
４図の状態は一本の長尺リードフレームαＤの一部で、
樹脂封止前の状態の部分を示すことになる。（ｌｌａ）
は位置決め穴である。このリードフレームαυを送行し
、第４図の部分を第５図に示すように、成形下金型（５
）上に載せ同時に位置決め穴（ｌｌａ）を下金型（５）
の位置決めピンαＧに合わせ、成形上金型（４）と下金
型（５）を抑圧結合させる。樹脂注入口（６）から樹脂
を加圧しながら注入すると、各半導体素子（２）部は樹
脂封止体（８）の成形により封止される。こうして、第
６図に示すように、リードフレームαＢには樹脂封止体
（８）Ｋ封止された複数個の半導体装置（９）が形成さ
れる。これを連続して順次繰返すことにより、長尺リー
ドフレーム（１１）全長にわたり多数個の樹脂封止半導
体装置（９）が形成される。
次に、この発明の一実施例による長尺のリードフレーム
を使用した樹脂封止方法を、第７図ないし第１２図に工
程順に示す説明図により、さらに詳細に説明する。まず
、第７図に示すように、長尺リードフレーム０１）が送
りローラ（社）によって矢印り方向に送られ、被樹脂封
止部Ｂが成形上金型（４）と成形下金型（５）との間に
正確に案内される。Ｑ３は押えローラである。リードフ
レーム（１１）のＡは樹脂封止完了部である。この被樹
脂封止部Ｂの正確な位置決め案内は、ステップモータ（
図示は略す）により送りローラ（扮を回転するようにし
てあり、リードフレームα１）の案内が正確であるはか
りでなく、回転方向が任意に変えられるようになってい
る。
を使用した樹脂封止方法を、第７図ないし第１２図に工
程順に示す説明図により、さらに詳細に説明する。まず
、第７図に示すように、長尺リードフレーム０１）が送
りローラ（社）によって矢印り方向に送られ、被樹脂封
止部Ｂが成形上金型（４）と成形下金型（５）との間に
正確に案内される。Ｑ３は押えローラである。リードフ
レーム（１１）のＡは樹脂封止完了部である。この被樹
脂封止部Ｂの正確な位置決め案内は、ステップモータ（
図示は略す）により送りローラ（扮を回転するようにし
てあり、リードフレームα１）の案内が正確であるはか
りでなく、回転方向が任意に変えられるようになってい
る。
また、（１４） 、 （１６１は引張ローラで、長尺リ
ードフレーム０］）のＢ部に対し両外方への張力を与え
、垂るむことなく一直線状になるようにしている。続い
て、第８図に示すように、各ロー２０２〜（１９を下げ
るか、下金型（５）を上昇するかにより、リードフレー
ムα℃のＢ部を成形金型（５）上に載せる。このとき、
成形下金型（５）に固着されである位置決めピンαＱを
、リードフレームα９に設けである位置決め穴（第４図
に示す）に合わせることにより、リードフレームα℃は
下金型（５）に精度よく位置合わせできる。ついで、下
金型（５）にリードフレームαηを載せた状態で、上金
型（４）と抑圧結合させ第９図の状態にする。ここで、
樹脂注入口（６）から樹脂を加圧しながら注入する。樹
脂の封止成形、固化が完了すると、第１０図に示すよう
に、成形上金型（４）及び成形下金型（５）全上下に開
く。リードフレームα刀の５３部には、樹脂封止体（８
）で封止された複数個の半導体装置（９）力；形成され
ている。
ードフレーム０］）のＢ部に対し両外方への張力を与え
、垂るむことなく一直線状になるようにしている。続い
て、第８図に示すように、各ロー２０２〜（１９を下げ
るか、下金型（５）を上昇するかにより、リードフレー
ムα℃のＢ部を成形金型（５）上に載せる。このとき、
成形下金型（５）に固着されである位置決めピンαＱを
、リードフレームα９に設けである位置決め穴（第４図
に示す）に合わせることにより、リードフレームα℃は
下金型（５）に精度よく位置合わせできる。ついで、下
金型（５）にリードフレームαηを載せた状態で、上金
型（４）と抑圧結合させ第９図の状態にする。ここで、
樹脂注入口（６）から樹脂を加圧しながら注入する。樹
脂の封止成形、固化が完了すると、第１０図に示すよう
に、成形上金型（４）及び成形下金型（５）全上下に開
く。リードフレームα刀の５３部には、樹脂封止体（８
）で封止された複数個の半導体装置（９）力；形成され
ている。
ここで、成形上金型（４）と成形下金型（５）の対応面
の掃除が必要となるが、第１０図の状態では樹脂封止前
の露出した半導体素子（２）部が近くにあり、金型掃除
により汚染するおそれがある。そこで、第１１図に示す
ように、送りローラ（至）を正規回転方向とは逆回転し
、リードフレームＯｎの樹脂封止完了のＢ部を、封止前
側に移動させ、樹脂封止未済部」 Ｃを金型部から遠くへ離しておく。こうして、第１１図
のように、成形上金型（４）と成形下金型（５）の対応
面を掃除機αηにより掃除する。この掃除機面は、図示
のように平面形ブラシなどでこすってもよく、回転形ブ
ラシによってもよい。また、圧縮空気吹付は機により高
圧空気を吹付けて掃除してもよいＯ掃除が完了すると、
第１２図に示すように、送りローラ■を回転し長尺リー
ドフレーム０ηをＥ方向に送り、樹脂封止完了のＢ１部
を成形金型外に移動し、樹脂封止前の０部を成形上金型
（４）と下金型（５）間に案内する。このようにして、
１回の樹脂封止作業工程が自動的にされ、これらの工程
を繰返すことにより、長尺リードフレーム０１）の半導
体装置（９）の樹脂封止が切れ目なく連続的に行なわれ
る。
の掃除が必要となるが、第１０図の状態では樹脂封止前
の露出した半導体素子（２）部が近くにあり、金型掃除
により汚染するおそれがある。そこで、第１１図に示す
ように、送りローラ（至）を正規回転方向とは逆回転し
、リードフレームＯｎの樹脂封止完了のＢ部を、封止前
側に移動させ、樹脂封止未済部」 Ｃを金型部から遠くへ離しておく。こうして、第１１図
のように、成形上金型（４）と成形下金型（５）の対応
面を掃除機αηにより掃除する。この掃除機面は、図示
のように平面形ブラシなどでこすってもよく、回転形ブ
ラシによってもよい。また、圧縮空気吹付は機により高
圧空気を吹付けて掃除してもよいＯ掃除が完了すると、
第１２図に示すように、送りローラ■を回転し長尺リー
ドフレーム０ηをＥ方向に送り、樹脂封止完了のＢ１部
を成形金型外に移動し、樹脂封止前の０部を成形上金型
（４）と下金型（５）間に案内する。このようにして、
１回の樹脂封止作業工程が自動的にされ、これらの工程
を繰返すことにより、長尺リードフレーム０１）の半導
体装置（９）の樹脂封止が切れ目なく連続的に行なわれ
る。
なお、上記実施では、長尺のリードフレーム（１１）を
送るのに１個の送りローラＯ２によったが、必要により
個数を増加してもよい。また、引張ローラ（１（イ）、
０９も各１個宛に限らず、必要により個数を増してもよ
い。
送るのに１個の送りローラＯ２によったが、必要により
個数を増加してもよい。また、引張ローラ（１（イ）、
０９も各１個宛に限らず、必要により個数を増してもよ
い。
さらに、上記実施例では、半導体装置としてトランジス
タの場合を示したが、サイリスタ、ダイオード、集積回
路など、他の種の半導体装置の場合にも適用できるもの
である。
タの場合を示したが、サイリスタ、ダイオード、集積回
路など、他の種の半導体装置の場合にも適用できるもの
である。
以上のように、この発明の方法によれば、順次半導体素
子が装着された長尺のリードフレームのき、下金型上に
位置決めして載せ、上、下金型を合わせ樹脂を圧入注型
し複数個の半導体素子部を樹脂封止成形し、順次これを
繰返し長尺のリードフレーム全長にわたり多数個の樹脂
封止半導体装置を形成したので、極めて簡単な送り手段
及び位置決め機構により、長尺のリードフレームの半導
体装置の樹脂封止が、連続して自動化して行なえ、生産
性が大幅に向上される。
子が装着された長尺のリードフレームのき、下金型上に
位置決めして載せ、上、下金型を合わせ樹脂を圧入注型
し複数個の半導体素子部を樹脂封止成形し、順次これを
繰返し長尺のリードフレーム全長にわたり多数個の樹脂
封止半導体装置を形成したので、極めて簡単な送り手段
及び位置決め機構により、長尺のリードフレームの半導
体装置の樹脂封止が、連続して自動化して行なえ、生産
性が大幅に向上される。
第１図は従来の半導体装置の樹脂封止前の状態を示すリ
ードフレームの斜視図、第２図は従来の樹脂封止方法を
示す下金型上に第１図のリードフレームを複数枚載せた
状態を示す成形金型の斜視図、呵３図は第２図の成形金
型により半導体装置が樹脂封止されたリードフレームの
斜視図、第４図はこの発明の一実施例による半導体装置
の樹脂封止前の状態を示す長尺リードフレームの一部の
斜視図、第５図は第４図のリードフレームの被樹脂封上
部を下金型上に載せた状態を示す成形金型の斜視図、第
６図は第５図の成形金型により半導体装置が樹脂封止さ
れたリードフレームを送出して示す斜視図、第７図ない
し第１２図はこの発明の一実施例による樹脂封止方法を
第４図の長尺リードフレームに施す工程順に、示す説明
図である。 図において、２・・・半導体素子、３・・・金属細線、
４・・・成形上金型、５・・・成形下金型、６・・・樹
脂注入口、８・・樹脂封止体、９・・・半導体装置、１
１・・・長尺リードフレーム、１ユａ・・・位置決め穴
、１２・・・送りローラ、１４．１５・・・引張ローラ
、１６・・・位置決めビン なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第２図 第４図 第６図 第（う１４ ／／ ｑ 第７１１３’１ 第８図 第９図 （Δ 第１０図 第１１図 第１２図
ードフレームの斜視図、第２図は従来の樹脂封止方法を
示す下金型上に第１図のリードフレームを複数枚載せた
状態を示す成形金型の斜視図、呵３図は第２図の成形金
型により半導体装置が樹脂封止されたリードフレームの
斜視図、第４図はこの発明の一実施例による半導体装置
の樹脂封止前の状態を示す長尺リードフレームの一部の
斜視図、第５図は第４図のリードフレームの被樹脂封上
部を下金型上に載せた状態を示す成形金型の斜視図、第
６図は第５図の成形金型により半導体装置が樹脂封止さ
れたリードフレームを送出して示す斜視図、第７図ない
し第１２図はこの発明の一実施例による樹脂封止方法を
第４図の長尺リードフレームに施す工程順に、示す説明
図である。 図において、２・・・半導体素子、３・・・金属細線、
４・・・成形上金型、５・・・成形下金型、６・・・樹
脂注入口、８・・樹脂封止体、９・・・半導体装置、１
１・・・長尺リードフレーム、１ユａ・・・位置決め穴
、１２・・・送りローラ、１４．１５・・・引張ローラ
、１６・・・位置決めビン なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第２図 第４図 第６図 第（う１４ ／／ ｑ 第７１１３’１ 第８図 第９図 （Δ 第１０図 第１１図 第１２図
Claims (6)
- （１） 長尺のリードフレームに順次連続して半導体
素子を取付けてワイヤポンディングし、との長尺リード
フレームの各半導体素子部を順次連続して樹脂封止する
方法において、 （ａ） 上記リードフレームの所定範囲の被樹脂封止
部に少なくとも両方１対の引張りローラで張力を与えな
がら、送りローラにより上記リードフレームを送り、上
記被樹脂封止部を成形上金型と成形下金型間に至らせ、 （ｂ） 上記送り及び引張り機構と上記下金型とを相
対的に上下接近させ、下金型上に設けである位置決めビ
ンと上記リードフレームに設けである位置決め穴と尾よ
り、双方の位置合わせをし、上記被樹脂封止部を下金型
上に載せ、（ｃ） 上記上金型を上記下金型に結合し
、上金型上部の樹脂注入口から樹脂を圧入し、上記各半
導体素子部を封止する樹脂封止体の成形をし、（ｄ）
上記上金型と下金型を開き、金型掃除機構により各金
型の対応する内面を掃除する、これらの一連の工程を繰
返すことを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。 - （２）送りローラの駆動源としてステップモータを使用
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置の樹脂封止方法。 - （３）成形上、下金型の内面を掃除する際、送りローラ
によりリードフレームを正規の進行方向とは逆方向に所
定量移動しておくことを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の半導体装置の樹脂封止方法。 - （４） 金型掃除機構として、平面形ブラシを使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項
のいづれかの項記載の半導体装置の樹脂封止方法。 - （５）金型掃除機構として、回転ブラシを使用すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいづ
れかの項記載の半導体装置の樹脂封正方法。 - （６）金型掃除機構として、圧縮空気吹付は機を使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項
のいづれかの項記載の半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7950183A JPS59204245A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7950183A JPS59204245A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59204245A true JPS59204245A (ja) | 1984-11-19 |
| JPS6361775B2 JPS6361775B2 (ja) | 1988-11-30 |
Family
ID=13691671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7950183A Granted JPS59204245A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59204245A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02102552A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5448160A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-16 | Hitachi Ltd | Coating device for tape carrier producing resin |
| JPS557701A (en) * | 1977-08-03 | 1980-01-19 | Masanobu Wada | Electro-optic element |
| JPS5550649A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-12 | Matsushita Electronics Corp | Preparation of resin sealing type semiconductor device |
| JPS5553428A (en) * | 1978-10-16 | 1980-04-18 | Hitachi Ltd | Dividing table |
| JPS5582606A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-21 | Fujitsu Ltd | Cleaning method and device for plastic resin mold |
| JPS5599729A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-30 | Hitachi Ltd | Resin molding method of electronic part |
| JPS5664446A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-01 | Peshitsuku:Kk | Method of molding synthetic resin insert for metal terminal, metal terminal and mold |
| JPS5711030A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-20 | Toshiba Corp | Positioning method of lead frame in mold |
| JPS5769006A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of continuously molding small resin parts |
| JPS57133018A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-17 | Kazuo Bando | Method and apparatus for cleaning molds for forming plastics |
| JPS58134A (ja) * | 1981-06-24 | 1983-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5831113U (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | 第一精工株式会社 | 封入成形機における金型表面清掃装置 |
| JPS6361775A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-17 | Nippon Denso Co Ltd | 内燃機関用点火制御装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831113B2 (ja) * | 1978-05-23 | 1983-07-04 | 日東電工株式会社 | 複合接着性シ−トおよびその使用方法 |
-
1983
- 1983-05-06 JP JP7950183A patent/JPS59204245A/ja active Granted
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS557701A (en) * | 1977-08-03 | 1980-01-19 | Masanobu Wada | Electro-optic element |
| JPS5448160A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-16 | Hitachi Ltd | Coating device for tape carrier producing resin |
| JPS5550649A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-12 | Matsushita Electronics Corp | Preparation of resin sealing type semiconductor device |
| JPS5553428A (en) * | 1978-10-16 | 1980-04-18 | Hitachi Ltd | Dividing table |
| JPS5582606A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-21 | Fujitsu Ltd | Cleaning method and device for plastic resin mold |
| JPS5599729A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-30 | Hitachi Ltd | Resin molding method of electronic part |
| JPS5664446A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-01 | Peshitsuku:Kk | Method of molding synthetic resin insert for metal terminal, metal terminal and mold |
| JPS5711030A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-20 | Toshiba Corp | Positioning method of lead frame in mold |
| JPS5769006A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of continuously molding small resin parts |
| JPS57133018A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-17 | Kazuo Bando | Method and apparatus for cleaning molds for forming plastics |
| JPS58134A (ja) * | 1981-06-24 | 1983-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5831113U (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | 第一精工株式会社 | 封入成形機における金型表面清掃装置 |
| JPS6361775A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-17 | Nippon Denso Co Ltd | 内燃機関用点火制御装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02102552A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6361775B2 (ja) | 1988-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6821822B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device | |
| JPS59204245A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
| JP2567603B2 (ja) | 連続自動樹脂封止方法 | |
| JPS63129638A (ja) | 発光ダイオ−ドの製造装置 | |
| JP3578354B2 (ja) | ゲートブレイク方法 | |
| KR200221960Y1 (ko) | 다이본더의 리드 프레임 피딩장치 | |
| JPS6063937A (ja) | 電子部品の組立装置 | |
| JPS6063936A (ja) | リ−ドフレ−ムの処理方法 | |
| JP2001168121A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| JP3242486B2 (ja) | 半導体モールド装置 | |
| JPS6018318A (ja) | 樹脂モ−ルド装置 | |
| JPS5925232A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPS6155930A (ja) | 工程間リ−ドフレ−ム搬送装置 | |
| JP2701174B2 (ja) | バンプ付け方法 | |
| JPS5933838A (ja) | 半導体樹脂封止用金型装置 | |
| JP3126854B2 (ja) | 実装回路の実装方法および実装回路 | |
| JPH08279525A (ja) | 半導体モールド装置 | |
| JPS63947B2 (ja) | ||
| JPH0576046U (ja) | 半導体パッケージモールドのカルブレイク装置 | |
| JPS63184344A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH02110945A (ja) | 半導体装置製造方法及びその実施装置 | |
| JPH06151492A (ja) | 半導体装置の成形方法および装置 | |
| KR970004616Y1 (ko) | 반도체용 스트립 적재장치(loading system for semiconductor strip) | |
| JPH02246347A (ja) | リードフレーム搬送装置 | |
| JPS6016435A (ja) | ボンデイング装置 |