JPS59182986A - スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴 - Google Patents
スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴Info
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- JPS59182986A JPS59182986A JP5519083A JP5519083A JPS59182986A JP S59182986 A JPS59182986 A JP S59182986A JP 5519083 A JP5519083 A JP 5519083A JP 5519083 A JP5519083 A JP 5519083A JP S59182986 A JPS59182986 A JP S59182986A
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- Japan
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- lead
- tin
- salt
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、２価のスズ及び鉛の共通可溶性錯塩としてア
ルカン又はアルカノールスルホン酸を用いたスズ、鉛及
びスズ−鉛合金の電気メッキ浴に関するものである。
ルカン又はアルカノールスルホン酸を用いたスズ、鉛及
びスズ−鉛合金の電気メッキ浴に関するものである。
近年、スズ、スズー鉛合金メッキはハンダ付は性向上用
皮膜及びエツチングレジスト用皮膜として弱電工業及び
電子工業用部品等に広く利用されている。
皮膜及びエツチングレジスト用皮膜として弱電工業及び
電子工業用部品等に広く利用されている。
しかるに、工業的には、スズ、鉛及びスズ−鉛合金を高
速度で均質にメッキする浴としてホウフッ化物浴が広く
用いられている。しかし、ホウ７ツ化物浴は腐食性、毒
性が激しく、メッキ設備及び作業に大きな負担となるば
かりでなく、排水処理が困難である。ホウフッ化物は高
度の処理技術を用いれば＝応解決できるが、処理に多額
の出費を伴ない、経済的損失は少なくない。
速度で均質にメッキする浴としてホウフッ化物浴が広く
用いられている。しかし、ホウ７ツ化物浴は腐食性、毒
性が激しく、メッキ設備及び作業に大きな負担となるば
かりでなく、排水処理が困難である。ホウフッ化物は高
度の処理技術を用いれば＝応解決できるが、処理に多額
の出費を伴ない、経済的損失は少なくない。
本発明は、公害対策上問題の多いホウフッ酸を用いるこ
となく、高速度で均質、緻密なメッキが得られるスズ、
鉛およびスズー鉛合金メッキ浴を提・供することを目的
とする。
となく、高速度で均質、緻密なメッキが得られるスズ、
鉛およびスズー鉛合金メッキ浴を提・供することを目的
とする。
本発明者は、ホウ７ツ化物浴に代えて、公害対策上問題
の少ないアルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン
酸及びそれらのすず及び（又は）鉛塩を主体とするメッ
キ浴を用い、しかもある種の界面活性剤と平滑添加剤を
併用添加してなるものを用いることによって、ホウフッ
化物浴に匹敵し又はそれ以上である性能を有すると共に
、高電流部から低電流部までの広い電流条件下で実施で
き、高速度で、均質、緻密なスズ、鉛又はスズー鉛合金
メッキを与えるメッキ浴を見出した（特願昭５７−１７
６３６５号を参照）。
の少ないアルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン
酸及びそれらのすず及び（又は）鉛塩を主体とするメッ
キ浴を用い、しかもある種の界面活性剤と平滑添加剤を
併用添加してなるものを用いることによって、ホウフッ
化物浴に匹敵し又はそれ以上である性能を有すると共に
、高電流部から低電流部までの広い電流条件下で実施で
き、高速度で、均質、緻密なスズ、鉛又はスズー鉛合金
メッキを与えるメッキ浴を見出した（特願昭５７−１７
６３６５号を参照）。
さらに研究した結果、上記の界面活性剤の中でも、特に
ある種の非イオン界面活性剤がさらに有効であることが
見出された。
ある種の非イオン界面活性剤がさらに有効であることが
見出された。
したがって、本発明は、アルカンスルホン酸又はアルカ
ノールスルホン酸及びそれらの２価のスズ塩と２価の鉛
塩のどちらか一方又は両方を含有する主メッキ浴に、あ
る種の非イオン界面活性剤の１種以上を添加し、さらに
平滑添加剤の１種以上を併用添加してなるスズ、鉛又は
スズー鉛合金メッキ浴に係る。
ノールスルホン酸及びそれらの２価のスズ塩と２価の鉛
塩のどちらか一方又は両方を含有する主メッキ浴に、あ
る種の非イオン界面活性剤の１種以上を添加し、さらに
平滑添加剤の１種以上を併用添加してなるスズ、鉛又は
スズー鉛合金メッキ浴に係る。
本発明の主メッキ浴は、基本的には、アルカンスルホン
酸又はアルカノールスルホン酸の１種以上と、それらの
スルホン酸のスズ塩又は鉛塩又はその両者の１種以上よ
りなっている。
酸又はアルカノールスルホン酸の１種以上と、それらの
スルホン酸のスズ塩又は鉛塩又はその両者の１種以上よ
りなっている。
用いることができるアルカンスルホン酸又はアルカノー
ルスルホン酸は、次の一般式を有するものである。
ルスルホン酸は、次の一般式を有するものである。
Ｒ−８０，Ｈ
〔ここで、Ｒ：アルキル基（ＣＩＮよ、）〕〕ＨＯ−Ｒ
−８ｏ、 Ｈここで、Ｒ：アルキル基（Ｃ工〜、２）、水素基はア
ルキル基の任意の位置にあってよい〕アルカンスルホン
酸の例は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プ０
ハンスルホン酸、２．−プシパンスルホン酸、ブタン
スルホン酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン
酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカン
スルホン酸などである。これらのアルカンスルホン酸は
単独で又は２種以上の混合物として使用できる。
−８ｏ、 Ｈここで、Ｒ：アルキル基（Ｃ工〜、２）、水素基はア
ルキル基の任意の位置にあってよい〕アルカンスルホン
酸の例は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プ０
ハンスルホン酸、２．−プシパンスルホン酸、ブタン
スルホン酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン
酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカン
スルホン酸などである。これらのアルカンスルホン酸は
単独で又は２種以上の混合物として使用できる。
アルカノールスルホン酸の例は、イセチオン酸（２−ヒ
トルキシエタン−１−スルホン酸）、２−ヒト四キシプ
ロパンー１−スルホン酸、１−ヒト四キシプ胃パンー２
−スルホン酸、３−ヒト四キシプシパンー１−スルホン
酸、２−とド四キシブタンー１−スルホン酸、４−ヒト
田キシブタンー１−スルホン酸、２−とドルキシペンタ
ン−１−スルホン酸、２−とドブキシヘキサン−１−ス
ルホン酸、２−ヒト田キシデカンー１−スルホン酸、２
−ヒドロキシドデカン−１−スルホン酸である。これら
のヒドロキシ含有アルカンスルホン酸は単独で又は２種
以上の混合物として使用できるＯ スズメッキ浴の場合には、上記のようなアルカンスルホ
ン酸又はアルカノールスルホン酸及びそのスズ塩を含み
、鉛メッキ浴の場合は同様にスルホン酸とその鉛塩を含
み、さらにはスズ−鉛合金メッキ浴の場合はスルホン酸
とそのすず塩及び鉛塩を含有する。スズ及び（又は）鉛
塩の総１．ｐ０．５〜２００１１／ｌ、好ましくは１０
〜１ｏｎｌ／１である。また、メッキ洛中に存在させる
遊離のアルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸
の濃度は、洛中の２価のスズ及び（又は）鉛イオンと化
学量論的に少なくとも当量以上とする。
トルキシエタン−１−スルホン酸）、２−ヒト四キシプ
ロパンー１−スルホン酸、１−ヒト四キシプ胃パンー２
−スルホン酸、３−ヒト四キシプシパンー１−スルホン
酸、２−とド四キシブタンー１−スルホン酸、４−ヒト
田キシブタンー１−スルホン酸、２−とドルキシペンタ
ン−１−スルホン酸、２−とドブキシヘキサン−１−ス
ルホン酸、２−ヒト田キシデカンー１−スルホン酸、２
−ヒドロキシドデカン−１−スルホン酸である。これら
のヒドロキシ含有アルカンスルホン酸は単独で又は２種
以上の混合物として使用できるＯ スズメッキ浴の場合には、上記のようなアルカンスルホ
ン酸又はアルカノールスルホン酸及びそのスズ塩を含み
、鉛メッキ浴の場合は同様にスルホン酸とその鉛塩を含
み、さらにはスズ−鉛合金メッキ浴の場合はスルホン酸
とそのすず塩及び鉛塩を含有する。スズ及び（又は）鉛
塩の総１．ｐ０．５〜２００１１／ｌ、好ましくは１０
〜１ｏｎｌ／１である。また、メッキ洛中に存在させる
遊離のアルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸
の濃度は、洛中の２価のスズ及び（又は）鉛イオンと化
学量論的に少なくとも当量以上とする。
本発明のメッキ浴に添加される非イオン界面活性剤は、
メッキ浴の分散性を向上させると共に、密着性よく絨密
で平滑なメッキを得るのを可能にする。また、非イオン
界面活性剤は低電流部でのつき回り性を良好にする効果
を有することがわかった。また、下記するように、ある
種の平滑添加剤をさらに併用することによって、さらに
相乗効果が得られ、バレルメッキ、ラックメッキ、高速
度連続メッキ、スルホールメッキ等の全てのメッキ法に
応用することが可能となる。
メッキ浴の分散性を向上させると共に、密着性よく絨密
で平滑なメッキを得るのを可能にする。また、非イオン
界面活性剤は低電流部でのつき回り性を良好にする効果
を有することがわかった。また、下記するように、ある
種の平滑添加剤をさらに併用することによって、さらに
相乗効果が得られ、バレルメッキ、ラックメッキ、高速
度連続メッキ、スルホールメッキ等の全てのメッキ法に
応用することが可能となる。
本発明のメッキ浴には、また、高電流部でのヤケ及びデ
ンドライト（樹脂状）の生長を抑制する効果のある陽イ
オン界面活性剤、例えば特願昭５７−１７６３６５号に
記載のような第四級アルキルアンモニウム塩、ピリジニ
ウム塩、イミダゾリニウム塩、ベタイン型の陽イオン界
面活性剤を添加することができる。しかして、本発明で
は、電流条件に応じて両界面活性剤を併用することによ
り広範囲の電流条件でのメッキが可能となる。
ンドライト（樹脂状）の生長を抑制する効果のある陽イ
オン界面活性剤、例えば特願昭５７−１７６３６５号に
記載のような第四級アルキルアンモニウム塩、ピリジニ
ウム塩、イミダゾリニウム塩、ベタイン型の陽イオン界
面活性剤を添加することができる。しかして、本発明で
は、電流条件に応じて両界面活性剤を併用することによ
り広範囲の電流条件でのメッキが可能となる。
本発明において、有効であることがわかった非（ここで
、ＡはＣ８〜２ｏ アルカノールの残基、Ｃ工〜２５
アルキルフェノールの残基、Ｃ工〜２．アルキルβ−す
７トールの残基、０３〜２２脂肪酸アミドの残基、Ｃ工
〜２．アルコキシル化りん酸の残基、Ｃ８〜Ｃ２２高級
脂肪酸でエステル化したソルビタンエステルの残基、又
はスチレン化フェノール（７ｘノール核の水素はＣ工〜
４ アルキル又ハフェニル基で置換されていてよい）の
残基を表わし、 Ｒ１及びＲｗは水素原子又はメチル基を表わし、ただし
Ｒ１が水素原子を表わすときはＲ１１はメチル基を表わ
し、またＲがメチル基を表わすときはＩは水素原子を表
わし、 ｍは１〜３０の整数を表わし、 ｎは１〜３０の整数を表わす） を有する。
、ＡはＣ８〜２ｏ アルカノールの残基、Ｃ工〜２５
アルキルフェノールの残基、Ｃ工〜２．アルキルβ−す
７トールの残基、０３〜２２脂肪酸アミドの残基、Ｃ工
〜２．アルコキシル化りん酸の残基、Ｃ８〜Ｃ２２高級
脂肪酸でエステル化したソルビタンエステルの残基、又
はスチレン化フェノール（７ｘノール核の水素はＣ工〜
４ アルキル又ハフェニル基で置換されていてよい）の
残基を表わし、 Ｒ１及びＲｗは水素原子又はメチル基を表わし、ただし
Ｒ１が水素原子を表わすときはＲ１１はメチル基を表わ
し、またＲがメチル基を表わすときはＩは水素原子を表
わし、 ｍは１〜３０の整数を表わし、 ｎは１〜３０の整数を表わす） を有する。
本発明のメッキ浴に用いることのできる式（１）の非イ
オン界面活性剤は、斯界で周知のものであって、周知の
方法でＣ８〜２２高級アルコール、アルキルフェノール
、アルキルβ−ナフトール、Ｃ３〜２２ 脂肪酸アミ
ド、アルフキシル化りん酸、Ｃ８〜２２ 高級脂肪酸
でエステル化したソルビタン又はスチレン化フェノール
にエチレンオキシド（又は）四ヒレンオキシド）を付加
縮合させ、さらにプルピレンオキシド（又はエチレンオ
キシド）を付加縮合させることにより製造することがで
きる。
オン界面活性剤は、斯界で周知のものであって、周知の
方法でＣ８〜２２高級アルコール、アルキルフェノール
、アルキルβ−ナフトール、Ｃ３〜２２ 脂肪酸アミ
ド、アルフキシル化りん酸、Ｃ８〜２２ 高級脂肪酸
でエステル化したソルビタン又はスチレン化フェノール
にエチレンオキシド（又は）四ヒレンオキシド）を付加
縮合させ、さらにプルピレンオキシド（又はエチレンオ
キシド）を付加縮合させることにより製造することがで
きる。
エチレンオキシド又はプ四ピレンオキシドを付加縮合さ
せることのできる高級アルコールとしては、例えばオク
タツール、デカノール、ラウリルアルコール、テトラデ
カノール、ヘキサデカノール、ステアリルアルコール、
エイコサノール、セチルアルコール、オレイルアルコー
ル、セチルアルコール、ドコサノールなどがあげられる
。アルキルフェノールとしては、モノ、ジ若しくはトリ
ーアルキル置換フェノール、例えばｐ−ブチルフェノー
ル、ｐ−イソオクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノー
ル、ｐ−ヘキシルフェノール、ｚ４−ジブチルフェノー
ル、２，４，１ｓ−）リブチルフェノール、ｐ−ドデシ
ルフェノール、ｐ−ラウリルフェノール、ｐ−ステアリ
ルフェノールなどがあげられる。アルキルβ−す７トー
ルのアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル１
ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、オク
タデシルなどがあげられ、ナフタリン核の任意の位置に
あってよい。脂肪酸アミドとしては、プロピオン酸、酪
酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン
酸、バルミチン酸、ステアリン酸、ヘヘン酸などのアミ
ドがある。アルコキシル化りん酸は、 （ここでＲ＆及びＲｂ：Ｃ工〜２．アルキル基、そして
そのうちの１個は水素原子でもよい）で表わされるもの
である。即ち、りん酸の１又は２個の水酸基を適当な鎖
長（Ｃ工〜Ｃ２５）のアルコールでエステル化したもの
である。スチレン化フェノールとしては、 次式 （ここでＲＣ：水素、Ｃ工〜４ アルキル基又はフェニ
ル基 ｘ：１〜３） で表わされるモノ−、ジー若しくはトリスチレン化フェ
ノールがあげられ、このフェノール核にはＣ工〜４ ア
ルキル基又はフェニル基が置換していてもよい。好適な
例としては、モノ、ジ又はトリスチレン化フェノール、
モノ又はジスチレン化クレゾール、モノ又はジスチレン
化フェニルフェノールなどがあげられる。これらの混合
物であってもよい。高級脂肪酸でエステル化したソルビ
タンとしては、モノ−、ジ若しくはトリーエステル化し
た１、４−１１．５及びへ６−ソルビタン、例えばソル
ビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、
ソルビタンモノステアレート、ソルビタンオレエート、
ソルビタンジラウレート、ソルビタンジパルミテート、
ソルビタンジステアレート、ソルビタンオレエート、ソ
ルビタン混合脂肪エステルなどがあげられる。
せることのできる高級アルコールとしては、例えばオク
タツール、デカノール、ラウリルアルコール、テトラデ
カノール、ヘキサデカノール、ステアリルアルコール、
エイコサノール、セチルアルコール、オレイルアルコー
ル、セチルアルコール、ドコサノールなどがあげられる
。アルキルフェノールとしては、モノ、ジ若しくはトリ
ーアルキル置換フェノール、例えばｐ−ブチルフェノー
ル、ｐ−イソオクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノー
ル、ｐ−ヘキシルフェノール、ｚ４−ジブチルフェノー
ル、２，４，１ｓ−）リブチルフェノール、ｐ−ドデシ
ルフェノール、ｐ−ラウリルフェノール、ｐ−ステアリ
ルフェノールなどがあげられる。アルキルβ−す７トー
ルのアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル１
ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、オク
タデシルなどがあげられ、ナフタリン核の任意の位置に
あってよい。脂肪酸アミドとしては、プロピオン酸、酪
酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン
酸、バルミチン酸、ステアリン酸、ヘヘン酸などのアミ
ドがある。アルコキシル化りん酸は、 （ここでＲ＆及びＲｂ：Ｃ工〜２．アルキル基、そして
そのうちの１個は水素原子でもよい）で表わされるもの
である。即ち、りん酸の１又は２個の水酸基を適当な鎖
長（Ｃ工〜Ｃ２５）のアルコールでエステル化したもの
である。スチレン化フェノールとしては、 次式 （ここでＲＣ：水素、Ｃ工〜４ アルキル基又はフェニ
ル基 ｘ：１〜３） で表わされるモノ−、ジー若しくはトリスチレン化フェ
ノールがあげられ、このフェノール核にはＣ工〜４ ア
ルキル基又はフェニル基が置換していてもよい。好適な
例としては、モノ、ジ又はトリスチレン化フェノール、
モノ又はジスチレン化クレゾール、モノ又はジスチレン
化フェニルフェノールなどがあげられる。これらの混合
物であってもよい。高級脂肪酸でエステル化したソルビ
タンとしては、モノ−、ジ若しくはトリーエステル化し
た１、４−１１．５及びへ６−ソルビタン、例えばソル
ビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、
ソルビタンモノステアレート、ソルビタンオレエート、
ソルビタンジラウレート、ソルビタンジパルミテート、
ソルビタンジステアレート、ソルビタンオレエート、ソ
ルビタン混合脂肪エステルなどがあげられる。
以上の非イオン界面活性剤は、単独で又は組合せて使用
することができる。
することができる。
用いられる非イオン界面活性剤の濃度は、一般にｒｌ、
０１〜５０ｇ／！、好ましくはＱ、０３〜２０９／ｌで
ある。
０１〜５０ｇ／！、好ましくはＱ、０３〜２０９／ｌで
ある。
さらに、本発明のメッキ浴は、メッキ表面の平滑さを向
上させるためにある種の平滑添加剤を含有する。平滑添
加剤は、前述の界面活性剤と併用することによってさら
に相乗的な効果を奏する。
上させるためにある種の平滑添加剤を含有する。平滑添
加剤は、前述の界面活性剤と併用することによってさら
に相乗的な効果を奏する。
特に有効であると認められた平滑添加剤としては、下記
の一般式（４）〜（６）を有するものがあげられる。
の一般式（４）〜（６）を有するものがあげられる。
（４）
〔ここで、Ｒ：水素、アルキル基（Ｃ工〜４）又はフェ
ニル基、 Ｒ１：水素、水酸基又は存在しない場合、ＲＷ、アルキ
レンＭ（ｃ工〜４）、フヱニレン基又はベンジル基 Ｒ１１＋、 水素又はアルキル基（ｃｏ〜４）〕（Ｂ） に 〔ここで、Ｘ：水素又はアルキル基（Ｃ工〜４）、Ｒ：
水素又は−ＣＨ，、 ｎ：２〜１５の整数〕 ４に （ここで、Ｘ：ハ田ゲン又はアルキル基（Ｃ工〜４）、
Ｒ：水素又は水酸基、 ｎ：ｏ〜１０の整数〕 （ロ） １ Ｃ１ 〔ここで、Ｒ１：水素又は−ＣＨ，、 Ｒ１：アルキル基（Ｃ工〜、）又はヒト四キシル基含有
アルキル基（Ｃ工〜５）〕（ト） 〔ここで、Ｒ：ニトロ基、アミノ基又はアルキル基（Ｃ
１〜５）〕 （ト） 〔ここで、Ｒ，Ｒ’：アルキル基（Ｃ工〜１８）〕〔こ
こで、Ｒ：水素、アルキル基（Ｃ工〜４）又はフェニル
基〕 （ロ） Ｒ−ＣＨ−ＣＨ−ＣミＮ 〔ココで、Ｒ：水素、フェニル基又はアルキル基（Ｃ工
〜８）〕 これらの平滑添加剤のうちでも、特に、Ｎ−（３−ヒド
ロキシブチリデン）−ｐ−スルファニル酸、Ｎ−ブチリ
デンスルファニル酸、Ｎ−シンナモイリデンスルファニ
ル酸、８−７ｔ７ビルキノイルエーテル、１−（３−ヒ
ドロキシブテン−１）ベンゾトリアゾール、Ｎ、 Ｎ’
−ジブチリデンーＯ−フェニレンジアミン、Ｎ、 Ｎ’
−ジイソブチリデン−〇−フェニレンジアミン、Ｎ、
Ｎ’−ジ（３−ヒドロキシブチリデン）−０−７エエレ
ンジアミン、ｍ−ニド四ペンスアルデヒド、λ４−ジア
ミノ−６−（２’−メチルイミダゾリル（１’） ）エ
チル−１，４５−）リアジン、λ４−ジアミノ−６−〔
２１−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’））エチ
ル−１，３，５−）リアジン、λ４−ジアミノ−６−（
２’−ウンデシルイミダゾリル（１’））エチル−１，
３，５−）リアジン、サリチル酸フェニル、スチリルシ
アナイド等があげられる。
ニル基、 Ｒ１：水素、水酸基又は存在しない場合、ＲＷ、アルキ
レンＭ（ｃ工〜４）、フヱニレン基又はベンジル基 Ｒ１１＋、 水素又はアルキル基（ｃｏ〜４）〕（Ｂ） に 〔ここで、Ｘ：水素又はアルキル基（Ｃ工〜４）、Ｒ：
水素又は−ＣＨ，、 ｎ：２〜１５の整数〕 ４に （ここで、Ｘ：ハ田ゲン又はアルキル基（Ｃ工〜４）、
Ｒ：水素又は水酸基、 ｎ：ｏ〜１０の整数〕 （ロ） １ Ｃ１ 〔ここで、Ｒ１：水素又は−ＣＨ，、 Ｒ１：アルキル基（Ｃ工〜、）又はヒト四キシル基含有
アルキル基（Ｃ工〜５）〕（ト） 〔ここで、Ｒ：ニトロ基、アミノ基又はアルキル基（Ｃ
１〜５）〕 （ト） 〔ここで、Ｒ，Ｒ’：アルキル基（Ｃ工〜１８）〕〔こ
こで、Ｒ：水素、アルキル基（Ｃ工〜４）又はフェニル
基〕 （ロ） Ｒ−ＣＨ−ＣＨ−ＣミＮ 〔ココで、Ｒ：水素、フェニル基又はアルキル基（Ｃ工
〜８）〕 これらの平滑添加剤のうちでも、特に、Ｎ−（３−ヒド
ロキシブチリデン）−ｐ−スルファニル酸、Ｎ−ブチリ
デンスルファニル酸、Ｎ−シンナモイリデンスルファニ
ル酸、８−７ｔ７ビルキノイルエーテル、１−（３−ヒ
ドロキシブテン−１）ベンゾトリアゾール、Ｎ、 Ｎ’
−ジブチリデンーＯ−フェニレンジアミン、Ｎ、 Ｎ’
−ジイソブチリデン−〇−フェニレンジアミン、Ｎ、
Ｎ’−ジ（３−ヒドロキシブチリデン）−０−７エエレ
ンジアミン、ｍ−ニド四ペンスアルデヒド、λ４−ジア
ミノ−６−（２’−メチルイミダゾリル（１’） ）エ
チル−１，４５−）リアジン、λ４−ジアミノ−６−〔
２１−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’））エチ
ル−１，３，５−）リアジン、λ４−ジアミノ−６−（
２’−ウンデシルイミダゾリル（１’））エチル−１，
３，５−）リアジン、サリチル酸フェニル、スチリルシ
アナイド等があげられる。
平滑添加剤の濃度は、α０１〜３ｏ１１／ｌ−好ましく
は０．０３〜５１Ｉ／ｌである。
は０．０３〜５１Ｉ／ｌである。
前記したように、添加することのできる陽イオン界面活
性剤としては、例えばラウリルトリメチルアンモニウム
塩、セチルトリメチルアンモニウム塩、ステアリルトリ
メチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルアンモ
ニウム塩、オクタデセニルジメチル−エチルアンモニウ
ム塩、ラウリルジメチルアンモニウムベタイン、ステア
リルジメチルアンモニウムベタイン、ジメチル−ベンジ
ルラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジルア
ンモニウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモニ
ウム塩、トリメチルインジルアンモニウム塩、トリエチ
ルベンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウム
塩、ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピコリニウム塩
、ラウリルイミダゾリニウム塩、オレイルイミダゾリニ
ウム塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミン
アセテート、オクタデシルアミンアセテート等があげら
れる。
性剤としては、例えばラウリルトリメチルアンモニウム
塩、セチルトリメチルアンモニウム塩、ステアリルトリ
メチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルアンモ
ニウム塩、オクタデセニルジメチル−エチルアンモニウ
ム塩、ラウリルジメチルアンモニウムベタイン、ステア
リルジメチルアンモニウムベタイン、ジメチル−ベンジ
ルラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジルア
ンモニウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモニ
ウム塩、トリメチルインジルアンモニウム塩、トリエチ
ルベンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウム
塩、ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピコリニウム塩
、ラウリルイミダゾリニウム塩、オレイルイミダゾリニ
ウム塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミン
アセテート、オクタデシルアミンアセテート等があげら
れる。
用いられる陽イオン界面活性剤の濃度は、一般に０．０
１〜ｓｏｇ７ｔ、好ましくは０．０３〜２０１／ｌであ
る。
１〜ｓｏｇ７ｔ、好ましくは０．０３〜２０１／ｌであ
る。
本発明のメッキ浴の上述の各成分の濃度は、バレルメッ
キ、ラックメッキ、高速連続メッキ、スルホールメッキ
等に対応して任意に選択することができる。適用温度範
囲は常温でよく、高速度メッキでは５０〜６０℃程度に
昇温する。また、本発明のメッキ浴は、広範囲電流密度
において均質で緻密なメッキを得ることができる。
キ、ラックメッキ、高速連続メッキ、スルホールメッキ
等に対応して任意に選択することができる。適用温度範
囲は常温でよく、高速度メッキでは５０〜６０℃程度に
昇温する。また、本発明のメッキ浴は、広範囲電流密度
において均質で緻密なメッキを得ることができる。
次に本発明の実施例によるメッキ液の組成及びメッキ作
業条件を示すが、本発明はこれら数例に限定されるもの
ではなく、前述した目的の高速度で均質、緻密なメッキ
を得るという主旨に添ってメッキ浴の組成およびメッキ
条件は任意に変更することができる。
業条件を示すが、本発明はこれら数例に限定されるもの
ではなく、前述した目的の高速度で均質、緻密なメッキ
を得るという主旨に添ってメッキ浴の組成およびメッキ
条件は任意に変更することができる。
実施例におけるメッキのつき回り性及び外観は、ハルセ
ルテストにより評価した。それらの結果は、表１〜３に
示す。
ルテストにより評価した。それらの結果は、表１〜３に
示す。
実施例１
遊Ｍ２−ヒトｐキシプ田パンスルホン１！ｆｉ
１００９／１温度 ２５（℃） 電流密度範囲 １〜１０Ａ／ｄｍ
鵞比較例１ ラウリルアルコールのエチレンオキサイド７モル付加物
にさらにプルピレンオキサイド５モル付加した物質に代
えて、ラウリルアルコールのエチレンオキサイド７モル
付加物を使用。
１００９／１温度 ２５（℃） 電流密度範囲 １〜１０Ａ／ｄｍ
鵞比較例１ ラウリルアルコールのエチレンオキサイド７モル付加物
にさらにプルピレンオキサイド５モル付加した物質に代
えて、ラウリルアルコールのエチレンオキサイド７モル
付加物を使用。
他は実施例（１）と同じ。
実施例２
遊離メタンスルホン＃１ １２０
り／！湛度 ３５（”Ｃ） 電流密度範囲 ５〜４０Ａ／ｄｍ
ｔ比較例２ ２、４．６− ）リスチレン化フェノールのエチレンオ
キサイド１４モル付加物にさらにプロピレンオキサイド
１０モル付加した物質に代えて、２，４．６−ジリスチ
レン化フェノールのエチレンオキサイド１４モル付加物
を使用。
り／！湛度 ３５（”Ｃ） 電流密度範囲 ５〜４０Ａ／ｄｍ
ｔ比較例２ ２、４．６− ）リスチレン化フェノールのエチレンオ
キサイド１４モル付加物にさらにプロピレンオキサイド
１０モル付加した物質に代えて、２，４．６−ジリスチ
レン化フェノールのエチレンオキサイド１４モル付加物
を使用。
他は実施例（２）と同じ。
実施例３
遊離エタンスルホン酸 １２０
ｇ７１温度 ２５（’Ｃ） 電流密度範Ｎ Ｏ，１〜１５
Ａ／ｄｍ”比較例３ ２．４．６−）リスチレン化フェノールのプロピレンオ
キサイド２モル付加物にさらにエチレンオキサイド５モ
ル付加した物質に代えて、２，４．６−ドリスチレン化
フェノールのプレピレンオキサイド２モル付加物を使用
。
ｇ７１温度 ２５（’Ｃ） 電流密度範Ｎ Ｏ，１〜１５
Ａ／ｄｍ”比較例３ ２．４．６−）リスチレン化フェノールのプロピレンオ
キサイド２モル付加物にさらにエチレンオキサイド５モ
ル付加した物質に代えて、２，４．６−ドリスチレン化
フェノールのプレピレンオキサイド２モル付加物を使用
。
その他は実施例（３）と同じ。
実施例４
遊離エタンスルホン酸 １００
９／ノ温度 ４０ （℃） 電流密度範囲 ５〜２０ Ａ／ｄ ｍ
”比較例４ ２、ｊＬＳ−）リプチルフェノールのプレピレンオキサ
イド３モル付加物にさらにエチレンオキサイド１０モル
付加した物質に代えて、２．４．６−）リブチルフェノ
ールのプレピレンオキサイド２モル付加物を使用。
９／ノ温度 ４０ （℃） 電流密度範囲 ５〜２０ Ａ／ｄ ｍ
”比較例４ ２、ｊＬＳ−）リプチルフェノールのプレピレンオキサ
イド３モル付加物にさらにエチレンオキサイド１０モル
付加した物質に代えて、２．４．６−）リブチルフェノ
ールのプレピレンオキサイド２モル付加物を使用。
その他は実施例（４）と同じ。
実施例５
遊離２−ヒト四キシエタンズルホン酸 １ ２０
９／１温度 ３０ （’Ｃ）電流密度
範囲 ５〜３０ Ａ／ｄ ｍ”比
較例５ ペンタデシルアミドのエチレンオキサイド７モル付加物
にさらに、プロピレンオキサイド１０モル付加した物質
に代えて、ペンタデシルアミドのエチレンオキサイド７
モル付加物を使用。
９／１温度 ３０ （’Ｃ）電流密度
範囲 ５〜３０ Ａ／ｄ ｍ”比
較例５ ペンタデシルアミドのエチレンオキサイド７モル付加物
にさらに、プロピレンオキサイド１０モル付加した物質
に代えて、ペンタデシルアミドのエチレンオキサイド７
モル付加物を使用。
他は実施例（５）と同じ。
実施例６
遊離２−ヒドロキシプレパンスルホン酸 １５０
ｑ／１温度 ３０（℃） 電流密度範囲 ５〜４０ Ａ／ｄ
ｍ”比較例６ ４−スチレン化フェノールのエチレンオキサイド７そル
付加物にさらにプロピレンオキサイド１０モル付加した
物質とλ４−ジスチレン化フェノールのエチレンオキサ
イド７モル付加物にさらにプロピレンオキサイド１０モ
ル付加した物質と２．４．Ｓ−）リスチレン化フェノー
ルのエチレンオキサイド７モル付加物にさらにプロピレ
ンオキサイド１０モル付加した物質に代えて、４−スチ
レン化フェノールのエチレンオキサイド７モル付加物と
λ４−ジスチレン化フェノールのエチレンオキサイド７
モル付加物と２．４Ｓ−）リスチレン化フェノールのエ
チレンオキサイド７モル付加物を使用。
ｑ／１温度 ３０（℃） 電流密度範囲 ５〜４０ Ａ／ｄ
ｍ”比較例６ ４−スチレン化フェノールのエチレンオキサイド７そル
付加物にさらにプロピレンオキサイド１０モル付加した
物質とλ４−ジスチレン化フェノールのエチレンオキサ
イド７モル付加物にさらにプロピレンオキサイド１０モ
ル付加した物質と２．４．Ｓ−）リスチレン化フェノー
ルのエチレンオキサイド７モル付加物にさらにプロピレ
ンオキサイド１０モル付加した物質に代えて、４−スチ
レン化フェノールのエチレンオキサイド７モル付加物と
λ４−ジスチレン化フェノールのエチレンオキサイド７
モル付加物と２．４Ｓ−）リスチレン化フェノールのエ
チレンオキサイド７モル付加物を使用。
他は実施例（６）と同じ。
実施例７
遊Ｆｌ１２−ヒト四キシプ田パンスルホン酸 １０
０ｇ／ノ温度 ４０（’Ｃ） 電流密度範囲 １〜１０ Ａ／ｄ
ｍ”比較例７ ステアリルアルコールのプロピレンオキサイド１モル付
加物にさらにエチレンオキサイド１０モ〃付加した物質
に代えて、ステアリルアルコールのプロピレンオキサイ
ド１モル付加物を使用◎他は実施例（７）と同じ。
０ｇ／ノ温度 ４０（’Ｃ） 電流密度範囲 １〜１０ Ａ／ｄ
ｍ”比較例７ ステアリルアルコールのプロピレンオキサイド１モル付
加物にさらにエチレンオキサイド１０モ〃付加した物質
に代えて、ステアリルアルコールのプロピレンオキサイ
ド１モル付加物を使用◎他は実施例（７）と同じ。
実施例日
鉛（メタンスルホン酸鉛として使用） １０
９／１遊離メタンスルホン＠
Ｉ Ｑ Ｏ９／を温度 ２５（℃） 電流密度範囲 １〜２０ Ａ／ｄ
ｍ”比較例８ Ｐ−ノニルフェノールのエチレンオキサイド１０モル付
加物にさらにプロピレンオキサイド１５モル付加した物
質に代えて、Ｐ−ノニルフェノールのエチレンオキサイ
）＠１０モル付加物を使用。
９／１遊離メタンスルホン＠
Ｉ Ｑ Ｏ９／を温度 ２５（℃） 電流密度範囲 １〜２０ Ａ／ｄ
ｍ”比較例８ Ｐ−ノニルフェノールのエチレンオキサイド１０モル付
加物にさらにプロピレンオキサイド１５モル付加した物
質に代えて、Ｐ−ノニルフェノールのエチレンオキサイ
）＠１０モル付加物を使用。
他は実施例（８）と同じ。
実施例９
鉛（２−ヒトルキシエタンスルホン酸鉛として使用）
２０り／ｌ遊８
２−とドロキシエタンスルホン酸 １５０９／１
温度 ３０（℃） 電流密度範囲 １〜１５ Ａ／
ｄ ｍ”比較例９ Ｐ−インオクチルフェノールのエチレンオキサイド８モ
ル付加物にさらにプロピレンオキサイド１５モル付加し
た物質とソルビタンモノステアレートのエチレンオキサ
イド４モル付加物にさらにプロピレンオキサイド２モル
付加物に代えて、Ｐ−インオクチルフェノールのエチレ
ンオキサイド８モル付加物とソルビタンモノステアレー
トのエチレンオキサイド４モル付加物を使用。
２０り／ｌ遊８
２−とドロキシエタンスルホン酸 １５０９／１
温度 ３０（℃） 電流密度範囲 １〜１５ Ａ／
ｄ ｍ”比較例９ Ｐ−インオクチルフェノールのエチレンオキサイド８モ
ル付加物にさらにプロピレンオキサイド１５モル付加し
た物質とソルビタンモノステアレートのエチレンオキサ
イド４モル付加物にさらにプロピレンオキサイド２モル
付加物に代えて、Ｐ−インオクチルフェノールのエチレ
ンオキサイド８モル付加物とソルビタンモノステアレー
トのエチレンオキサイド４モル付加物を使用。
他は実施例（９）と同じ。
実施例１０
遊離ヒドロキシプルパンスルホン酸 １００９
／１温度 ２０（’（１，）電流密度
範囲 ０．１〜１０ Ａ／ｄｍ
”比較例１０ ２．４６− ）リスチレン化フェノールのエチレンオキ
サイド７モル付加物にさらにプルピレンオキサイド５モ
ル付加した物質に代えて、２，４．６−）リスチレン化
フェノールのエチレンオキサイド７モル付加物を使用。
／１温度 ２０（’（１，）電流密度
範囲 ０．１〜１０ Ａ／ｄｍ
”比較例１０ ２．４６− ）リスチレン化フェノールのエチレンオキ
サイド７モル付加物にさらにプルピレンオキサイド５モ
ル付加した物質に代えて、２，４．６−）リスチレン化
フェノールのエチレンオキサイド７モル付加物を使用。
他は実施例ａ〔と同じ。
実施例１１
鉛（エタンスルホン酸鉛として使用） １
２９／／遊離メタンスルホン酸
１５０９／１温度 ２５（’Ｃ） 電流密度範囲 １〜１０Ａ／ｄｍ
″比較例１１ ６−ニチルナ７）−ルのエチレンオキサイド１０モル付
加物にさらにプルピレンオキサイド２モル付加した物質
とウンデシルアミドのプルピレンオキサイド２モル付加
物にさらにエチレンオキサイド５モル付加した物質に代
わり、６−ニチルナフトールのエチレンオキサイド１０
モル付加物とウンデシルアミドのプルピレンオキサイド
２モル付加物を使用。
２９／／遊離メタンスルホン酸
１５０９／１温度 ２５（’Ｃ） 電流密度範囲 １〜１０Ａ／ｄｍ
″比較例１１ ６−ニチルナ７）−ルのエチレンオキサイド１０モル付
加物にさらにプルピレンオキサイド２モル付加した物質
とウンデシルアミドのプルピレンオキサイド２モル付加
物にさらにエチレンオキサイド５モル付加した物質に代
わり、６−ニチルナフトールのエチレンオキサイド１０
モル付加物とウンデシルアミドのプルピレンオキサイド
２モル付加物を使用。
他は実施例α０と同じ。
実施例１２
２価のスズ（２−ヒドリキシプ四パンスルホン酸第１ス
ズとして使用） １２９／１遊１
１１２−ヒトルキシプリパンスルホン酸 ２００ｇ
／ｊ温度 ２ｏ（℃） 電流密度範囲 １〜１５Ａ／ｄ
ｍ”※ りん酸ジエステルにエチレンオキサイドを付加
させたもの。
ズとして使用） １２９／１遊１
１１２−ヒトルキシプリパンスルホン酸 ２００ｇ
／ｊ温度 ２ｏ（℃） 電流密度範囲 １〜１５Ａ／ｄ
ｍ”※ りん酸ジエステルにエチレンオキサイドを付加
させたもの。
比較例１２
ＧＡＦＡＣ−Ｒ８７１０（東邦化学工業社製）にさらに
プルピレンオキサイド６モル付加した物質に代えて、Ｇ
ＡＦ’ＡＣ−Ｒ８７１０を使用。
プルピレンオキサイド６モル付加した物質に代えて、Ｇ
ＡＦ’ＡＣ−Ｒ８７１０を使用。
他は実施例ａのと同じ。
スズめっきについて
表 １
◎：優Ｏ：良Δ：可 Ｘ：不良
発泡性テスト
めっき液４０−を１００−の共栓付メスシリンダーに採
取し、５秒間激しく振とうし、１０分間後の泡立ち高さ
を測定。
取し、５秒間激しく振とうし、１０分間後の泡立ち高さ
を測定。
鉛めっきについて
表 ２
はんだめっきについて
表 ３
第１頁の続き
８
■出 願 人 石原薬品株式会社
神戸市兵庫区西柳原町９２番地
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸
及びそれらの２価のすず塩又は２価の鉛塩又はすず塩と
鉛塩の両者を含有する主メッキ浴に、下記の一般式（Ｉ
） Ｒ１Ｒ１′ Ａ−（ＣＨ，−ＣＨ−０）ｍ−（ＣＨ２−−ＣＨ−０）
（Ｉ）（ここで、ＡはＣ３〜、、高級アルコールの
残基、Ｃ１〜７．アルキルフェノールの残３、ｃ、〜７
．アルキルβ−ナフトールの残基、Ｃ３〜、宜脂肪酸ア
ミドの残基、Ｃ１〜Ｃ，アルコキシル化りん酸の残基、
Ｃ８〜Ｃ！２ 高級脂肪酸でエステル化したソルビタ
ンの残基、又はスチレン化フェノール（フェノール核の
水素はＣ３〜４アルキル又は７エ二ル基で置換されてい
てよい）の残基を表わし、ｄ及びＲ′は水素原子又はメ
チル基を表わし、ただしＲ′が水素原子を表わすときは
Ｒ１はメチル基を表わし、またＲ１がメチル基を表わす
ときはＲＷは水素原子を表わし、 ｍは１〜３０の整数を表わし、 ｎは１〜３０の整数を表わす） を有する非イオン界面活性剤の１種以上を添加し、さら
に平滑添加剤の１種以上を添加してなるスズ、鉛又はス
ズー鉛合金メッキ浴。 （２）非イオン界面活性剤の濃度が０．０１〜５０詔で
ある特許請求の範囲第１項記載のメッキ浴。 （３）平滑添加剤の濃度が０．０１〜３０１／／ｌであ
る特許請求の範囲第１項記載のメッキ浴。 （４） アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホ
ン酸のスズ塩及び（又は）鉛塩の総濃、Ｈ２００１／
／ ｌである特許請求の範［ｆｆｌ第１項記載のメッキ
浴。 （５） ｍ離のアルカンスルホン酸又はアルカノール
スルホン酸の濃度が２価のスズ及び（又は）鉛イオンと
化学量論的に少なくとも当量以上である特許請求の範囲
第１項記載のメッキ浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5519083A JPS59182986A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5519083A JPS59182986A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182986A true JPS59182986A (ja) | 1984-10-17 |
| JPS6214639B2 JPS6214639B2 (ja) | 1987-04-03 |
Family
ID=12991776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5519083A Granted JPS59182986A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182986A (ja) |
Cited By (16)
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