JP3429895B2 - 錫−ビスマス合金電気めっき浴 - Google Patents
錫−ビスマス合金電気めっき浴Info
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Description
めっき浴に関する。更に詳しくは、本発明は、表面粒子
が緻密で良好な外観を有し、耐熱性、耐スチームエージ
ング性及びはんだ付け性が良好であり、しかも高い陰極
電流密度での粗電着(ヤケ)のないめっき皮膜を得るこ
とができる錫−ビスマス合金電気めっき浴に関するもの
である。
はんだ付け性向上用として、またエッチングレジスト用
として弱電あるいは電子工業の分野で広く利用されてき
た。しかしながら、錫単独めっきではホイスカーの問題
があり、はんだめっきはめっき浴及び得られるめっき皮
膜に有害な鉛が含まれるため、それに替わる合金めっき
が強く要望されている。近年、このような問題を生じな
い新しいめっき方法として、錫−ビスマス合金めっきが
有望視されている。この錫−ビスマス合金めっきは、低
融点めっきとして従来から注目されており、ビスマス含
有量が30〜50重量%のめっきを対象としたものが多
い。例えば、特開昭63−14887号には、有機スル
ホン酸をベースとし、エパン740、ノイゲンEN、ゼ
ラチン等を添加しためっき浴が開示されているが、めっ
き皮膜は暗色の無光沢な外観を呈し、表面粒子は極めて
粗いため、耐熱性、耐スチームエージング性及びはんだ
付け性が悪いという欠点を有する。また、特公平6−6
3110号には、無機酸や有機スルホン酸をベースと
し、アルキルノニルフェニルエーテルを添加しためっき
浴が開示されているが、この浴は陰極電流密度が少し高
くなると粗電着(ヤケ)が発生するため、作業効率が悪
いという欠点を有する。
題点を解決するためには、めっき液に添加される界面活
性剤を適切に組合せて使用することが必要があると考え
られた。本発明者らは、鋭意検討した結果、可溶性の第
一錫化合物、可溶性のビスマス化合物及びそれらの加水
分解を防止するに充分な量の酸を含有する錫−ビスマス
合金めっき浴に、非イオン界面活性剤と共に、陽イオン
界面活性剤、陰イオン界面活性剤及び両性界面活性剤を
添加することによって、表面粒子が緻密で耐熱性、はん
だ付け性の良好な皮膜が得られるのみならず、高い陰極
電流密度においても粗電着(ヤケ)が発生しないことを
見出し、本発明を完成した。従って、本発明は、表面粒
子が緻密であり、耐熱性、耐スチームエージング性及び
はんだ付け性が良好であり、しかも高い陰極電流密度で
の粗電着のないめっき皮膜を得ることができる錫−ビス
マス合金電気めっき浴を提供することを目的とする。
物、可溶性のビスマス化合物及びそれらの加水分解を防
止するに充分な量の酸を含有する水溶液に、非イオン性
活性剤と共に、陽イオン性界面活性剤、陰イオン性界面
活性剤及び両性界面活性剤の群から選ばれる少なくとも
一種類の界面活性剤を含有することを特徴とする錫−ビ
スマス合金電気めっき浴である。
うな目的を達成するために、錫−ビスマス合金電気めっ
き浴に非イオン性活性剤と共に、陽イオン性界面活性
剤、陰イオン性界面活性剤及び両性界面活性剤の群から
選ばれる少なくとも一種類の界面活性剤を併用添加する
ことを特徴とする。
非イオン性界面活性剤の具体例としては、C1 〜C20ア
ルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール
類、C1 〜C25アルキルフェノール、アリールアルキル
フェノール、C1 C25アルキルナフトール、C1 〜C25
アルコキシル化リン酸(塩)、ソルビタンエステル、ス
チレン化フェノール、ポリアルキレングリコール、C1
〜C22脂肪族アミン、C1 〜C22脂肪族アミド等にエチ
レンオキサイド(EO)及び/又はプロピレンオキサイ
ド(PO)を2〜300モル付加縮合させたものや、C
1 〜C25アルコキシル化リン酸(塩)等が挙げられる。
ロピレンオキサイド(PO)を付加縮合させるC1 〜C
20アルカノールとしては、オクタノール、デカノール、
ラウリルアルコール、テトラデカノール、ヘキサデカノ
ール、ステアリルアルコール、エイコサノール、セチル
アルコール、オレイルアルコール、ドコサノール等が挙
げられる。ビスフェノール類としてはビスフェノール
A、ビスフェノールB等が挙げられる。C1 〜C25アル
キルフェノールとしては、モノ、ジもしくはトリアルキ
ル置換フェノール、例えば、p−ブチルフェノール、p
−イソオクチルフェノール、p−ノニルフェノール、p
−ヘキシルフェノール、2,4−ジブチルフェノール、
2,4,6−トリブチルフェノール、p−ドデシルフェ
ノール、p−ラウリルフェノール、p−ステアリルフェ
ノール等が挙げられる。アリールアルキルフェノールと
しては、2−フェニルイソプロピルフェノール等が挙げ
られる。C1 〜C25アルキルナフトールのアルキル基と
しては、メチル、エチル、プロピル、ブチルヘキシル、
オクチル、デシル、ドデシルオクタデシル等が挙げら
れ、ナフタレン核の任意の位置にあってよい。C1 〜C
25アルコキシル化リン酸は、式
ル、但し、一方がHであってよい。MはH又はアルカリ
金属を示す〕等にて表わされるものである。ソルビタン
エステルとしては、モノ、ジまたはトリエステル化した
1,4−、1,5−または3,6−ソルビタン、例えば
ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテー
ト、ソルビタンジステアレート、ソルビタンジオレエー
ト、ソルビタン混合脂肪酸エステル等が挙げられる。C
1 〜C22脂肪酸アミンとしては、プロピルアミン、ブチ
ルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルア
ミン、ラウリルアミン、ステアリルアミン、エチレンジ
アミン、プロピレンジアミン等の飽和及び不飽和脂肪族
アミンが挙げられる。C1 〜C22脂肪族アミドとして
は、プロピオン酸、酪酸、カプリル酸、カプリン酸、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン
酸、ベヘン酸等のアミドが挙げられる。
(R”はC1 〜C5 のアルキレンを示す、R’は同一又
は異なってC1 〜C5 のアルキルを示す)〕等にて示さ
れるアミンオキサイドも用いることができる。
用してもよく、めっき浴における濃度は0.05〜10
0g/l、好ましくは0.1〜50g/lである。
ンスルホン酸又は硫酸を示し、R1、R2及びR3は同一
又は異なってC1〜C20アルキルを示し、R4はC1〜C
10のアルキル又はベンジルを示す〕にて表わされる第4
級アンモニウム塩、式
ンスルホン酸又は硫酸を示し、R5はC1〜C20アルキル
を示し、R6はH又はC1〜C10アルキルを示す〕にて表
されるピリジニウム塩等が挙げられる。
ては、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、ステアリル
トリメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルア
ンモニウム塩、オクタデシルジメチルエチルアンモニウ
ム塩、ジメチルベンジルラウリルアンモニウム塩、セチ
ルジメチルベンジルアンモニウム塩、オクタデシルジメ
チルベンジルアンモニウム塩、トリメチルベンジルアン
モニウム塩、トリエチルベンジルアンモニウム、ヘキサ
デシルピリジニウム塩、ラウリルピリジニウム塩、ドデ
シルピコリニウム塩、ステアリルアミンアセテート、ラ
ウリルアミンアセテート、オクタデシルアミンアセテー
ト等が挙げられる。
キル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸
塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩等が挙げられる。ア
ルキル硫酸塩としては、ラウリル硫酸ナトリウム、オレ
イル硫酸ナトリウム等が挙げられる。ポリオキシエチレ
ンアルキルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレ
ン(EO12)、ノニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリ
オキシエチレン(EO15)、ドデシルエーテル硫酸ナ
トリウム等が挙げられる。ポリオキシエチレンアルキル
フェニルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレン
(EO15)、ノニルフェニルエーテル硫酸塩等が挙げ
られる。アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、ドデ
シルベンゼンスルホン酸ナトリウム等が挙げられる。
ホベタイン、アミノカルボン酸等が挙げられる。また、
エチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイドと
アルキルアミン又はジアミンとの縮合生成物の硫酸化又
はスルホン酸化付加物も使用できる。ベタインは、式
9 は同一又は異なってC1 〜C5 アルキルを示し、nは
1〜3の整数を示す〕及び式
H2 )m OH又は(CH2 )m OCH2 COO- を示
し、R12は(CH2 )n CO2 -、(CH2 )n SO3 -、
CH(OH)CH2 SO3 -を示し、m及びnは1〜4の
整数を示す〕等にて表わされるものである。
ンモニウムベタイン、ステアリルジメチルアンモニウム
ベタイン、2−ウンデシル−1−カルボキシメチル−1
−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、2−オ
クチル−1−カルボキシメチル−1−カルボキシオキシ
エチルイミダゾリニウムベタイン等が挙げられ、硫酸化
及びスルホン酸化付加物としてはエトキシル化アルキル
アミンの硫酸付加物、スルホン酸化ラウリン酸誘導体ナ
トリウム塩等が挙げられる。スルホベタインとしては、
ヤシ油脂肪酸アミドプロピルジメチルアンモニウム−2
−ヒドロキシプロパンスルホン酸、N−ココイルメチル
タウリンナトリウム、N−パルミトイルメチルタウリン
ナトリウム等が挙げられる。アミノカルボン酸として
は、ジオクチルアミノエチルグリシン、N−ラウリルア
ミノプロピオン酸、オクチルジ(アミノエチル)グリシ
ンナトリウム塩等が挙げられる。非イオン界面活性剤以
外のこれらの界面活性剤は2以上を混合して使用しても
よく、めっき浴における濃度は0.05〜100g/
l、好ましくは0.1〜50g/lである。
抑制するものとして、アスコルビン酸又はその塩、ハイ
ドロキノン、クレゾールスルホン酸又はその塩、フェノ
ールスルホン酸又はその塩、ピロカテコール、レゾルシ
ン、フロログルシンなどを添加することができる。めっ
き浴における濃度は0.05〜50g/l、好ましくは
0.1〜10g/lである。
化合物、可溶性のビスマス化合物として、第一錫及びビ
スマスと無機酸との塩はそれらの硫酸塩、塩酸塩、過塩
素酸塩、硝酸塩、ホウフッ酸塩、ケイフッ酸塩などであ
り、第一錫及びビスマスと有機酸との塩はアルカノール
スルホン酸塩(2−ヒドロキシエタン−1−スルホン
酸、2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、2−ヒ
ドロキシブタン−1−スルホン酸など)、アルカンスル
ホン酸塩(メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロ
パンスルホン酸、クロルプロパンスルホン酸、スルホ酢
酸、スルホこはく酸など)、芳香族スルホン酸塩(ベン
ゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホ
ン酸、p−フェノールスルホン酸、スルホ安息香酸、ス
ルホサリチル酸など)、スルファミン酸塩などであり、
さらに第一錫及びビスマスの酸化物などである。第一錫
化合物とビスマス化合物は、第一錫イオン濃度とビスマ
スイオン濃度(Sn2+及びBi3+として表わして)の和
が1〜200g/l、好ましくは5〜100g/lであ
るような量で使用される。第一錫イオン濃度とビスマス
イオン濃度の比率は、所望に応じて任意に設定できる。
錫及びビスマスの塩の陰イオン部分は同一又は異なって
いてもよい。
るために添加される酸は硫酸、塩酸、過塩素酸、硝酸、
ホウフッ酸、ケイフッ酸、アルカノールスルホン酸、ア
ルカンスルホン酸、芳香族スルホン酸、スルファミン酸
などである。添加量は、可溶性の第一錫化合物及びビス
マス化合物の加水分解を防止するのに充分な量であれば
よく、一般に濃度で表わせば0.05〜5.0規定、好
ましくは0.1〜3.0規定である。これらの酸は同一
又は異なっていてもよい。
カルボン酸、例えばグルコン酸、酒石酸、クエン酸、コ
ハク酸、マレイン酸、マロン酸、フマル酸などを添加す
ることができる。また、本発明のめっき浴には、めっき
皮膜を平滑にする目的で適当な光沢剤、例えばアルデヒ
ド類やケトン類を添加することができる。
他の界面活性剤とを併用することにより、長期間にわた
り良好なはんだ付け性が持続でき、しかも作業性、経済
性の点で広い電流密度にわたり安定な皮膜特性が得られ
たので、現状の錫−鉛合金めっきに替わって各種電子部
品のめっきに適用できるという効果が得られた。
及びめっき条件を示すが、本発明はこれら数例に限定さ
れるものではなく、前述した目的の表面粒子が緻密で白
色平滑なめっき皮膜を得るという主旨に添ってめっき浴
の組成及びめっき条件は任意に変更することができる。
各実施例におけるめっき浴において、めっき外観はハル
セルテストにより評価した。即ち、陰極にバフ研磨した
銅板を用い、電流1Aで5分間のめっきを行った後、ハ
ルセル外観を目視判定した。
スマス0.5g/l(Bi3+として表わして)、硫酸8
0g/l、ポリオキシアルキレンアルキルアリールエー
テル5.0g/l、アルキルトリメチルアンモニウム硫
酸塩2.5g/l及びピロカテコール0.1g/lを含
有するめっき浴を調製した。次いでこのめっき浴につい
て電流1Aで5分間めっきを行った。得られた錫−ビス
マス合金めっき皮膜の外観をハルセルテストにより評価
した。また、比較のために、非イオン性界面活性剤を添
加しないめっき浴を調製し、同様にめっきし、ハルセル
テストを行った。ハルセルテストによる評価を後記の表
1に要約する。
合物、可溶性のビスマス化合物、酸、非イオン性界面活
性剤及びその他の界面活性剤を含有するめっき浴を調製
した。次いでこれらのめっき浴について電流1Aで5分
間めっきを行った。同様にして、本発明の界面活性剤の
併用系を使用しない比較のためのめっき浴を調製し、め
っきを行った。得られた錫−ビスマス合金めっき皮膜の
外観をハルセルテストにより評価し、その結果を後記の
表1に要約する。
よれば、良好な半光沢平滑ないし白色光沢外観を有する
錫−ビスマス合金めっきが得られ、また高い電流密度域
において粗電着(ヤケ)は認められなかったが、これに
対して比較例ではすず−ビスマス合金めっきの皮膜とし
ては好ましくない灰白色ないし暗色の外観が得られた。
Claims (2)
- 【請求項1】 可溶性の第一錫化合物、可溶性のビスマ
ス化合物及びそれらの加水分解を防止するに充分な量の
酸を含有する水溶液に界面活性剤を添加してなる錫−ビ
スマス合金電気めっき浴において、 該界面活性剤として 、非イオン性界面活性剤と共に、陽
イオン性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤及び両性界
面活性剤の群から選ばれる少なくとも一種類の界面活性
剤を使用すること、 該非イオン性界面活性剤がC 1 〜C 20 アルカノール、フ
ェノール、ナフトール、ビスフェノール類、C 1 〜C 25
アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、C
1 〜C 25 アルキルナフトール、C 1 〜C 25 アルコキシル化
リン酸(塩)、ソルビタンエステル、スチレン化フェノ
ール、ポリアルキレングリコール、C 1 〜C 22 脂肪族ア
ミン又はC 1 〜C 22 脂肪族アミドにエチレンオキサイド
(EO)及び/又はプロピレンオキサイド(PO)を2
〜300モル付加縮合させたもの、C 1 〜C 25 アルコキ
シル化リン酸(塩)或いは式 【化1】 RN(R’)2 →O〔式中、RはC 5 〜C 25 アルキル又はRCONHR”
(R”はC 1 〜C 5 のアルキレンを示す、R’は同一又は
異なってC 1 〜C 5 のアルキルを示す)〕等にて示される
アミンオキサイドから選ばれるものの一種以上であり 、該陽イオン性界面活性剤が 【化2】 〔式中、Xはハロゲン、ヒドロキシ、C 1 〜C 5 アルカン
スルホン酸又は硫酸を示し、R 1 、R 2 及びR 3 は同一又
は異なってC 1 〜C 20 アルキルを示し、R 4 はC 1 〜C 10
のアルキル又はベンジルを示す〕にて表わされる第4級
アンモニウム塩、式 【化3】 〔式中、Xはハロゲン、ヒドロキシ、C 1 〜C 5 アルカン
スルホン酸又は硫酸を示し、R 5 はC 1 〜C 20 アルキルを
示し、R 6 はH又はC 1 〜C 10 アルキルを示す〕にて表さ
れるピリジニウム塩、ステアリルアミンステアレート、
ラウリルアミンステアレート又はオクタデシルアミンス
テアレートから選ばれるものの一種以上であり、 該陰イオン性界面活性剤がアルキル硫酸塩、ポリオキシ
エチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレン
アルキルフェニルエーテル硫酸塩又はアルキルベンゼン
スルホン酸塩から選ばれるものの一種以上であり、 該両性界面活性剤がベタイン、スルホベタイン、アミノ
カルボン酸、或いはエチレンオキサイド及び/又はプロ
ピレンオキサイドとアルキルアミン又はジアミンとの縮
合生成物の硫酸化又はスルホン酸化付加物から選ばれる
ものの一種以上であることを特徴とする錫−ビスマス合
金電気めっき浴。 - 【請求項2】 さらに酸化防止剤を含有することを特徴
とする、請求項1記載の錫−ビスマス合金電気めっき
浴。
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---|---|---|---|
JP08751595A JP3429895B2 (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 錫−ビスマス合金電気めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08751595A JP3429895B2 (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 錫−ビスマス合金電気めっき浴 |
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JPH08260186A JPH08260186A (ja) | 1996-10-08 |
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Family
ID=13917137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP08751595A Expired - Lifetime JP3429895B2 (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 錫−ビスマス合金電気めっき浴 |
Country Status (1)
Country | Link |
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-
1995
- 1995-03-20 JP JP08751595A patent/JP3429895B2/ja not_active Expired - Lifetime
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