JPH01129988A - 錫‐ニツケル合金めつき液 - Google Patents
錫‐ニツケル合金めつき液Info
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- JPH01129988A JPH01129988A JP28561587A JP28561587A JPH01129988A JP H01129988 A JPH01129988 A JP H01129988A JP 28561587 A JP28561587 A JP 28561587A JP 28561587 A JP28561587 A JP 28561587A JP H01129988 A JPH01129988 A JP H01129988A
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分!?)
本発明は、錫−ニッケル合金めっき液に関する。
(従来技術)
従来、錫−ニッケル合金めっき液としては、ピロリンm
浴等のアルカリ性浴(特開昭49−112835、特公
昭56−21077、特公昭57−27946)、及び
7ツ化物浴、硫酸浴、及びスルファミン酸浴等の酸性浴
(!開明5O−72838)が知られている。これらの
錫−ニッケル合金めっき液から得られる皮膜は、はとん
どが良好な光沢性を有し、耐食性に優れていることから
装飾、防食を主な目的としているものが多い。
浴等のアルカリ性浴(特開昭49−112835、特公
昭56−21077、特公昭57−27946)、及び
7ツ化物浴、硫酸浴、及びスルファミン酸浴等の酸性浴
(!開明5O−72838)が知られている。これらの
錫−ニッケル合金めっき液から得られる皮膜は、はとん
どが良好な光沢性を有し、耐食性に優れていることから
装飾、防食を主な目的としているものが多い。
(発明が解決しようとする問題点)
従来用いられてきた錫−ニッケル合金めっき液を用いた
場合、7フ化物浴は均一電着性、密着性等は優れている
が、電解中に7フ化水素酸を発生し、人体へ悪影響を及
ぼす危険がありまた排水中に7ツ索化合物が出るので公
害対策上問題がある。
場合、7フ化物浴は均一電着性、密着性等は優れている
が、電解中に7フ化水素酸を発生し、人体へ悪影響を及
ぼす危険がありまた排水中に7ツ索化合物が出るので公
害対策上問題がある。
硫酸浴、スルファミン酸浴は半田ぬれ性は良好であるが
析出皮膜の均一電着性が悪い。また、ピクリン酸浴から
の析出皮膜は脆く、析出皮膜が厚くなるとクラックが発
生するために厚付けができない。又半田ぬれ性が悪い等
問題がある。さらに、従来の錫−ニッケル合金めっき液
では錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接銀めっきを施
すと密着性に問題がある。
析出皮膜の均一電着性が悪い。また、ピクリン酸浴から
の析出皮膜は脆く、析出皮膜が厚くなるとクラックが発
生するために厚付けができない。又半田ぬれ性が悪い等
問題がある。さらに、従来の錫−ニッケル合金めっき液
では錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接銀めっきを施
すと密着性に問題がある。
(発明の目的)
本発明の目的は、公害対策上問題がなく、厚付は性、均
一電着性、半田ぬれ性が良好でかつ錫−ニッケル合金め
っき皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施せら
れることを特徴とする錫−ニッケル合金めっき液を提供
することにある。
一電着性、半田ぬれ性が良好でかつ錫−ニッケル合金め
っき皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施せら
れることを特徴とする錫−ニッケル合金めっき液を提供
することにある。
(問題点を解決する手段)
本発明は、上記の問題点を解決する手段として、アルカ
ンスルホン酸またはアルカノールスルホン酸、それらの
2価のスズ塩及びニッケル塩、非イオン性界面活性剤、
並びにOH基、NH2基及び/またはキノイド構造を有
する芳香族化合物(以下、「芳香族化合物」という)を
含有することを特徴とする錫−ニッケル合金めっき液を
提供するものである。
ンスルホン酸またはアルカノールスルホン酸、それらの
2価のスズ塩及びニッケル塩、非イオン性界面活性剤、
並びにOH基、NH2基及び/またはキノイド構造を有
する芳香族化合物(以下、「芳香族化合物」という)を
含有することを特徴とする錫−ニッケル合金めっき液を
提供するものである。
本発明の錫−ニッケル合金めっき液に含有されるアルカ
ンスルホン ン酸、プロパンスルホン酸、2−ヒドロキシエタン−1
−スルホン酸、3−ヒドロキシプロパン−1−スルホン
酸等が挙げられる。アルカンスルホン酸または、アルカ
ノールスルホン酸の含有量としては0.5〜400g/
l,好ましくは20〜300g/lである.アルカンス
ルホン ノールスルホン酸の含有量が0.5g/1未満ではめっ
き液が不安定になり沈澱物が生じやすくなる。
ンスルホン ン酸、プロパンスルホン酸、2−ヒドロキシエタン−1
−スルホン酸、3−ヒドロキシプロパン−1−スルホン
酸等が挙げられる。アルカンスルホン酸または、アルカ
ノールスルホン酸の含有量としては0.5〜400g/
l,好ましくは20〜300g/lである.アルカンス
ルホン ノールスルホン酸の含有量が0.5g/1未満ではめっ
き液が不安定になり沈澱物が生じやすくなる。
また、400g/lを超えると陰i電流効率が悪くなり
、析出速度が低下する。
、析出速度が低下する。
また、アルカンスルホン
スルホン酸の2価の錫塩及びニッケル塩の各金属成分含
有量は、それぞれ1〜50g/i、及び1〜i o o
g72Lf>濃度で含有されることが好ましい。
有量は、それぞれ1〜50g/i、及び1〜i o o
g72Lf>濃度で含有されることが好ましい。
2価の錫の含有量がIF1/1未満では析出速度の低下
が著しく、生産性が悪くなる。*た、50g/7!以上
ではめっき液が不安定になりやすい。ニッケルの含有量
が1g/1未満では、はとんどニッケルが共析せず、1
00g//2以上では析出外観不良となる。
が著しく、生産性が悪くなる。*た、50g/7!以上
ではめっき液が不安定になりやすい。ニッケルの含有量
が1g/1未満では、はとんどニッケルが共析せず、1
00g//2以上では析出外観不良となる。
非イオン性界面活性剤としては次のようなものが用いら
れる。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルま
たはポリオキシエチレンアリールエーテルおよびその誘
導体、ポリオキシエチレン脂肪酸エステルおよびその誘
導体、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルお
よびその誘導体等である。使用される非イオン性界面活
性剤の含有量は、0.1〜50g/l好ましくは0.5
〜20g/2である。含有量が0.1g/ffi未満で
は、含有させる効果が得難く、50g/Aを超えると発
泡が激しく実用的でない。
れる。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルま
たはポリオキシエチレンアリールエーテルおよびその誘
導体、ポリオキシエチレン脂肪酸エステルおよびその誘
導体、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルお
よびその誘導体等である。使用される非イオン性界面活
性剤の含有量は、0.1〜50g/l好ましくは0.5
〜20g/2である。含有量が0.1g/ffi未満で
は、含有させる効果が得難く、50g/Aを超えると発
泡が激しく実用的でない。
芳香族化合物は、例えばヒドロキノン、α−す7トール
、0−クレゾール−4−スルホン酸、硫酸p−メチルア
ミノフェノール、尿酸、a−す7チルアミン等が挙げら
れる。芳香族化合物の含有量は、0、01〜50[1/
4,好ましくは0.02〜30871である。含有量が
0,01g72未満では、含有させる効果が得難く、5
0Fl/jtを超えるとめっき特性には影響しないが、
経済的にメリットがない。
、0−クレゾール−4−スルホン酸、硫酸p−メチルア
ミノフェノール、尿酸、a−す7チルアミン等が挙げら
れる。芳香族化合物の含有量は、0、01〜50[1/
4,好ましくは0.02〜30871である。含有量が
0,01g72未満では、含有させる効果が得難く、5
0Fl/jtを超えるとめっき特性には影響しないが、
経済的にメリットがない。
非イオン性界面活性剤と芳香族化合物は、併用すること
により良好なめっき膜を得ることができる。
により良好なめっき膜を得ることができる。
一般に錫めっき及び析出皮膜中の他金属元素含有量が数
%以下である錫合金めっきにおいては、析出皮膜にウィ
スカーが発生しやすいといわれているが、本発明による
錫−ニッケル合金皮膜中のニッケル含有量は、0.00
3〜0.3%であるにもかかわらず、ウィスカーの発生
は認められない。
%以下である錫合金めっきにおいては、析出皮膜にウィ
スカーが発生しやすいといわれているが、本発明による
錫−ニッケル合金皮膜中のニッケル含有量は、0.00
3〜0.3%であるにもかかわらず、ウィスカーの発生
は認められない。
また、本発明による錫−ニッケル合金めっき液は、2価
の錫イオンの酸化を防ぐ酸化防止剤を含有させることに
より析出皮膜の品質には悪影響を与えず、錫−ニッケル
合金めっき液をより安定化させることがで終る。
の錫イオンの酸化を防ぐ酸化防止剤を含有させることに
より析出皮膜の品質には悪影響を与えず、錫−ニッケル
合金めっき液をより安定化させることがで終る。
尚、本発明による錫−ニッケル合金めっき液は、ラック
方式のみならず、クエット方式(高速度めっき)にても
使用することができる。
方式のみならず、クエット方式(高速度めっき)にても
使用することができる。
(実施例)
以下に本発明による実施例を示すが本発明はこれら数例
に限定されるものではなく、目的に応じてめっき液の組
成および条件は特許請求の範囲内において任意に変更す
ることがで浮る。
に限定されるものではなく、目的に応じてめっき液の組
成および条件は特許請求の範囲内において任意に変更す
ることがで浮る。
実施例 1
メタンスルホン酸第−錫 15g/It(2
価の錫として) メタンスルホン酸ニッケル 3(h/1(2価
のニッケルとして) メタンスルホン酸 100g/lポリオ
キシノニルフェノール 10g/41エーテル ヒドロキノン 5g/ 1を含有
するめっき液を調製し、めっき液温度を50℃に調整し
た。次にこのめっき液をマグネチフクスターラーを用い
て攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板上に
ラック方式にて錫−ニッケル合金めっきを施した。良好
析出外観電流密度範囲は、0.5−15 A/dts2
であり、均一電着性が良好な半光沢で白色のめっき膜が
得られた。得られた析出皮膜の半田スレ性は良好でかつ
錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀
めっき皮膜を施することができた。*た、60℃、60
%RHの恒温恒湿槽に得られた析出皮膜を2週間放置し
た後もウィスカーの発生は認められなかった。尚、10
0μ泣めっきを行った析出皮膜においてもクラックの発
生は認められなかった。
価の錫として) メタンスルホン酸ニッケル 3(h/1(2価
のニッケルとして) メタンスルホン酸 100g/lポリオ
キシノニルフェノール 10g/41エーテル ヒドロキノン 5g/ 1を含有
するめっき液を調製し、めっき液温度を50℃に調整し
た。次にこのめっき液をマグネチフクスターラーを用い
て攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板上に
ラック方式にて錫−ニッケル合金めっきを施した。良好
析出外観電流密度範囲は、0.5−15 A/dts2
であり、均一電着性が良好な半光沢で白色のめっき膜が
得られた。得られた析出皮膜の半田スレ性は良好でかつ
錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀
めっき皮膜を施することができた。*た、60℃、60
%RHの恒温恒湿槽に得られた析出皮膜を2週間放置し
た後もウィスカーの発生は認められなかった。尚、10
0μ泣めっきを行った析出皮膜においてもクラックの発
生は認められなかった。
実施例 2
エタンスルホン酸 200g/gポリ
オキシオクチルフェノール 5g/lエーテル α−す7トール 10g/j!を
含有するめっき液をsll製し、めっき液温度を30′
Cに調整した。そ。の他は、実施例1と同様の条件で錫
−ニッケル合金めっきを施したところ良好析出外観電流
密度範囲は、0.5〜12A/dez2であり、均一電
着性が良好な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得ら
れた析出皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合
金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施
すことができた。
オキシオクチルフェノール 5g/lエーテル α−す7トール 10g/j!を
含有するめっき液をsll製し、めっき液温度を30′
Cに調整した。そ。の他は、実施例1と同様の条件で錫
−ニッケル合金めっきを施したところ良好析出外観電流
密度範囲は、0.5〜12A/dez2であり、均一電
着性が良好な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得ら
れた析出皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合
金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施
すことができた。
また、60℃、60%RHの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を2週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μ−めっきを行った析出皮膜にお
いでもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を2週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μ−めっきを行った析出皮膜にお
いでもクラックの発生は認められなかった。
実施例 3
3−ヒドロキシプロパン−1−30g/Aスルホン酸
ポリオキシオレイル7エ/−ル Ig/lエーテル
硫酸p−メチルアミノフェノール 3g/2を含
有するめっき液を調製し、めっき液温度を60℃に調整
した。その他は、実施例1と同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、0.5〜IOA/dm2であり、均一電着性が良好な
半光沢で白色のめっト膜が得られた。得られた析出皮膜
の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮膜
上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができ
た。
有するめっき液を調製し、めっき液温度を60℃に調整
した。その他は、実施例1と同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、0.5〜IOA/dm2であり、均一電着性が良好な
半光沢で白色のめっト膜が得られた。得られた析出皮膜
の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮膜
上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができ
た。
また、60℃、60%RHの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を2週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μ曽めっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を2週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μ曽めっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
実施例 4
(2価の錫として)
2−ヒドロキシエタン−1−Bog/lスルホン酸
ポリオキシノニルフェノール 15g/j!エー
テル α−す7チルアミン 5g/lを含
有するめっき液を調製し、めっ!液温度を50℃に調整
した。その他は、実施例1と同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、0.5〜IIA/rhs”であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっ外皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことがで
きた。
テル α−す7チルアミン 5g/lを含
有するめっき液を調製し、めっ!液温度を50℃に調整
した。その他は、実施例1と同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、0.5〜IIA/rhs”であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっ外皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことがで
きた。
また、60°C160%RHの恒温恒湿槽に得られた析
出皮膜を2週間放置した後もウィスカーの発生は認めら
れなかった。尚、100μIめっきを行った析出皮膜に
おいてもクラックの発生は認められなかった。
出皮膜を2週間放置した後もウィスカーの発生は認めら
れなかった。尚、100μIめっきを行った析出皮膜に
おいてもクラックの発生は認められなかった。
実施例 5
メタンスルホン酸 120g//!0
−クレゾールー4−スルホンRZOg/lを含有するめ
っき液を調製し、めっき液温度を30℃にs11整した
。その他は、実施例1と同様の条件で錫−ニッケル合金
めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は、0
.5〜15 A / dm2であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことかで
外な。
−クレゾールー4−スルホンRZOg/lを含有するめ
っき液を調製し、めっき液温度を30℃にs11整した
。その他は、実施例1と同様の条件で錫−ニッケル合金
めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は、0
.5〜15 A / dm2であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことかで
外な。
また、60℃、60%RHの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を2週問放置した後らウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μlめっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認めなれなかった。
皮膜を2週問放置した後らウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μlめっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認めなれなかった。
実施例 6
メタンスルホン#第一錫 ZOg/l(2価
の錫として) メタンスルホン酸ニッケル 40g/j!(2
価のニッケルとして) メタンスルホンfi 200g/ 1
ポリオキシオレイルフエノール エーテル 5g/ 1尿酸
0.05g//lを含有す
るめっき液を調製し、めっき液温度を50℃に調整した
。その他は、実施例1と同様の条件で錫−ニッケル合金
めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は、0
.5〜15A/dm’であり、均一電着性が良好な半光
沢で白色のめつき膜が得られた。得られた析出皮膜の半
田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めつき皮膜上に
直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができた。
の錫として) メタンスルホン酸ニッケル 40g/j!(2
価のニッケルとして) メタンスルホンfi 200g/ 1
ポリオキシオレイルフエノール エーテル 5g/ 1尿酸
0.05g//lを含有す
るめっき液を調製し、めっき液温度を50℃に調整した
。その他は、実施例1と同様の条件で錫−ニッケル合金
めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は、0
.5〜15A/dm’であり、均一電着性が良好な半光
沢で白色のめつき膜が得られた。得られた析出皮膜の半
田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めつき皮膜上に
直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができた。
また、60℃、60%RHの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を2週問放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μ−めつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を2週問放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μ−めつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
実施例 7
メタンスフレホン酸 150g/β0
−クレゾールー4−スルホン酸 10g/7!を
含有するめっき液を調製し、めっき液温度を30℃に調
整した。その他は、実施例1と同様の条件で錫−ニッケ
ル合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲
は、0.5〜15A/d輸2であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことがで
きた。
−クレゾールー4−スルホン酸 10g/7!を
含有するめっき液を調製し、めっき液温度を30℃に調
整した。その他は、実施例1と同様の条件で錫−ニッケ
ル合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲
は、0.5〜15A/d輸2であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことがで
きた。
また、60℃、60%RHの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を2週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、106μmめっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を2週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、106μmめっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
実施例 8
メタンスルホン酸 70g/ 12a
−す7チルアミン 5g/ Aを含
有するめっき液を調製し、めっき液温度を50℃に調整
した。その他は、実施例fと同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、0.5〜15 A / dm2であり、均一電着性が
良好な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析
出皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっ
き皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すこと
ができた。
−す7チルアミン 5g/ Aを含
有するめっき液を調製し、めっき液温度を50℃に調整
した。その他は、実施例fと同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、0.5〜15 A / dm2であり、均一電着性が
良好な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析
出皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっ
き皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すこと
ができた。
また、60℃、60%RHの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を2週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μIめつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を2週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μIめつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
実施例 9
実施例1においてラック方式の代わりにジェット方式で
めっきを行った以外は実施例1と同じ条゛件で錫−ニッ
ケル合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範
囲は、5〜100 A/dm2であり、均一電着性が良
好な半光沢で白色のめつき膜が得られた。得られた析出
皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき
皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことが
できた。
めっきを行った以外は実施例1と同じ条゛件で錫−ニッ
ケル合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範
囲は、5〜100 A/dm2であり、均一電着性が良
好な半光沢で白色のめつき膜が得られた。得られた析出
皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき
皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことが
できた。
また、60℃、60%RHの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を2週問放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μ端めつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を2週問放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、100μ端めつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
比較例 1
実施例1においてポリオキシ7ニルフエノールエーテル
を使用しなかった以外は実施例1と同じ条件で錫−ニッ
ケル合金めっきを施した。
を使用しなかった以外は実施例1と同じ条件で錫−ニッ
ケル合金めっきを施した。
上記の錫−ニッケル合金を施しためつき皮膜は粉末状と
なり、良好な合金めっき皮膜は得られなかった。
なり、良好な合金めっき皮膜は得られなかった。
比較例 2
実施例2においてα−す7トールを使用しなかった以外
は実施例2と同じ条件で錫−二・ンケル合金めっきを施
した。
は実施例2と同じ条件で錫−二・ンケル合金めっきを施
した。
上記の錫−ニッケル合金を施しためつき皮膜は色調のむ
らが認められ、良好な合金めつき皮膜は得られなかった
。
らが認められ、良好な合金めつき皮膜は得られなかった
。
比較例 3
実施例1においてポリオキシ7ニル7エ/−ルエーテル
及びヒドロキノンを使用しなかった以外は実施例1と同
じ条件で錫−ニッケル合金めっきを施した。
及びヒドロキノンを使用しなかった以外は実施例1と同
じ条件で錫−ニッケル合金めっきを施した。
上記の錫−ニッケル合金の施しためつき皮膜は粉末状と
なり、良好な合金めっき皮膜は得られなかった。
なり、良好な合金めっき皮膜は得られなかった。
比較例 4
ビロリン酸錫(2価の錫として) 24g/lビ
ロリン酸ニッケル 14g/Q(2価
のニッケルとして) ビロリン酸カリウム 180I?/lグ
リシン 10g/’1グルタ
ミン酸ナトリウム 15g/Aチオグリコー
ル酸 0.05g/Aを含有するピロリ
ン酸浴を調製し、めっき液温度を50℃にIll!iし
た。次にこのめっき液をマグネチックスクーラーを用い
て攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板上に
錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出外観電流密
度範囲は、0.5〜5A/ム2であり、均−電着性が良
好な光沢のめっき膜が得られた。しかし、10℃輪めっ
きを行った析出皮膜においてクラックの発生が認められ
た。また、半田ヌレ性は悪くかつ錫−ニッケル合金めっ
き皮膜上に直!Ii密着性が良好な銀めっきを皮膜を施
すことができなかった。
ロリン酸ニッケル 14g/Q(2価
のニッケルとして) ビロリン酸カリウム 180I?/lグ
リシン 10g/’1グルタ
ミン酸ナトリウム 15g/Aチオグリコー
ル酸 0.05g/Aを含有するピロリ
ン酸浴を調製し、めっき液温度を50℃にIll!iし
た。次にこのめっき液をマグネチックスクーラーを用い
て攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板上に
錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出外観電流密
度範囲は、0.5〜5A/ム2であり、均−電着性が良
好な光沢のめっき膜が得られた。しかし、10℃輪めっ
きを行った析出皮膜においてクラックの発生が認められ
た。また、半田ヌレ性は悪くかつ錫−ニッケル合金めっ
き皮膜上に直!Ii密着性が良好な銀めっきを皮膜を施
すことができなかった。
比較例 5
硫l!l!第一錫(2価の錫として) 28g
/ g硫酸ニッケル 48/l
(2価のニッケルとして) 硫酸 100g/JN−ベ
ンジルトリメチル 5g/ 1アンモニウ
ム臭化物 を含有する硫酸浴を調製し、めっき液温度を50℃に調
整した6次にこのめっき液をマグネチッンスターラーを
用いて攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板
上に錫−ニッケル合金めっきを施した6良好析出外観型
流密度範囲は、1.5〜4A/d輸2であり、光沢のめ
っき皮膜が得られた。しかし、均一電着性が悪くかつ錫
−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀め
っき皮膜を施すことができなかった。
/ g硫酸ニッケル 48/l
(2価のニッケルとして) 硫酸 100g/JN−ベ
ンジルトリメチル 5g/ 1アンモニウ
ム臭化物 を含有する硫酸浴を調製し、めっき液温度を50℃に調
整した6次にこのめっき液をマグネチッンスターラーを
用いて攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板
上に錫−ニッケル合金めっきを施した6良好析出外観型
流密度範囲は、1.5〜4A/d輸2であり、光沢のめ
っき皮膜が得られた。しかし、均一電着性が悪くかつ錫
−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀め
っき皮膜を施すことができなかった。
比較例 6
硫酸第一錫(2価の錫として) 28g/lス
ルファミン酸ニッケル 9g/l(2価の
ニッケルとして) スルファミン酸 100g/jJN
−ベンノルトリメチル 5g/2アンモニ
ウム臭化物 1−ベンゾイル7セトン 1g/lを含有
するスルファミン酸浴を調製し、めっき液温度を50℃
に調整した。次にこのめっき液をマグネチックスクーラ
ーを用いて攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として1
に銅板上に錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出
外観電流密度範囲は、0.5〜1.IA/da2であり
、光沢のめっき皮膜が得られた。しかし、均一電着性が
悪くかつ錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接′I!j
着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができなかった。
ルファミン酸ニッケル 9g/l(2価の
ニッケルとして) スルファミン酸 100g/jJN
−ベンノルトリメチル 5g/2アンモニ
ウム臭化物 1−ベンゾイル7セトン 1g/lを含有
するスルファミン酸浴を調製し、めっき液温度を50℃
に調整した。次にこのめっき液をマグネチックスクーラ
ーを用いて攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として1
に銅板上に錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出
外観電流密度範囲は、0.5〜1.IA/da2であり
、光沢のめっき皮膜が得られた。しかし、均一電着性が
悪くかつ錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接′I!j
着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができなかった。
比較例 7
ホウ7ツ化浴(2価の錫として) 40g/lホ
ウ7ツ酸 100g/j!ゼラチ
ン 2g/lを含有するホ
ウ7ツ化浴を調製し、めっき液温度を50℃に調整した
。次にこのめっき液をマグネチックスクーラーを用いて
攪拌しながら白金被覆チタンをMh極としてff銅板上
に錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出外観電流
密度範囲は、0.5〜3A/dm”であり、光沢のめり
終皮膜が得ちれた。しかし、陽極の白金被覆チタン電極
の断面からチタンが溶解し、めっき治具の金属部分が腐
食した。また、錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密
着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができなかった。
ウ7ツ酸 100g/j!ゼラチ
ン 2g/lを含有するホ
ウ7ツ化浴を調製し、めっき液温度を50℃に調整した
。次にこのめっき液をマグネチックスクーラーを用いて
攪拌しながら白金被覆チタンをMh極としてff銅板上
に錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出外観電流
密度範囲は、0.5〜3A/dm”であり、光沢のめり
終皮膜が得ちれた。しかし、陽極の白金被覆チタン電極
の断面からチタンが溶解し、めっき治具の金属部分が腐
食した。また、錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密
着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができなかった。
(発明の効果)
本発明の錫−ニッケル合金めっき液から得られる錫−ニ
ッケル合金めっき皮膜は半田ヌレ性、均−電着性等の物
理的特性は良好であり、錫−ニッケル合金めっき皮膜上
に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができ、
かつ厚付けが可能であるために従来の装飾、防食を目的
としたものと異なり、電子工業用部品等の外装層めっき
として使用できる。
ッケル合金めっき皮膜は半田ヌレ性、均−電着性等の物
理的特性は良好であり、錫−ニッケル合金めっき皮膜上
に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができ、
かつ厚付けが可能であるために従来の装飾、防食を目的
としたものと異なり、電子工業用部品等の外装層めっき
として使用できる。
Claims (5)
- (1)アルカンスルホン酸またはアルカノールスルホン
酸、それらの2価のスズ塩及びニッケル塩、非イオン性
界面活性剤、並びにOH基、NH_2基及び/またはキ
ノイド構造を有する芳香族化合物を含有することを特徴
とする錫−ニッケル合金めっき液。 - (2)遊離のアルカンスルホン酸またはアルカノールス
ルホン酸の含有量が0.5〜400g/lである特許請
求の範囲第1項記載の錫−ニッケル合金めっき液。 - (3)アルカンスルホン酸またはアルカノールスルホン
酸の2価のスズ塩及びニッケル塩の各金属成分含有量が
、それぞれ1〜50g/l及び1〜100g/lである
特許請求の範囲第1〜2項のいずれかに記載の錫−ニッ
ケル合金めっき液。 - (4)非イオン性界面活性剤の含有量が0.1〜50g
/lである特許請求の範囲第1〜3項のいずれかに記載
のめっき液。 - (5)OH基、NH_2基及び/またはキノイド構造を
有する芳香族化合物の含有量が0.01〜50g/lで
ある特許請求の範囲第1〜4項のいずれかに記載の錫−
ニッケル合金めっき液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62285615A JP2763072B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 錫‐ニツケル合金めつき液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62285615A JP2763072B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 錫‐ニツケル合金めつき液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01129988A true JPH01129988A (ja) | 1989-05-23 |
JP2763072B2 JP2763072B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=17693820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62285615A Expired - Lifetime JP2763072B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 錫‐ニツケル合金めつき液 |
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JP (1) | JP2763072B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0892087A2 (en) * | 1997-06-18 | 1999-01-20 | ATOTECH Deutschland GmbH | Electroplating of low-stress nickel |
KR19990007076A (ko) * | 1998-04-23 | 1999-01-25 | 라이더 존 피. | 저응력 니켈의 전기 도금 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1987
- 1987-11-13 JP JP62285615A patent/JP2763072B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JP2763072B2 (ja) | 1998-06-11 |
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