JPS61223193A - 水性めつき浴およびそれによるめつき方法 - Google Patents
水性めつき浴およびそれによるめつき方法Info
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- JPS61223193A JPS61223193A JP61009055A JP905586A JPS61223193A JP S61223193 A JPS61223193 A JP S61223193A JP 61009055 A JP61009055 A JP 61009055A JP 905586 A JP905586 A JP 905586A JP S61223193 A JPS61223193 A JP S61223193A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の背景）
本発明は、錫、鉛および錫−鉛合金の電着、特に、フッ
化ホウ素酸塩を含有せず且つ平滑忙して均厚で光沢のあ
る錫および／または鉛の被覆を破着するめつき浴に関す
る。
化ホウ素酸塩を含有せず且つ平滑忙して均厚で光沢のあ
る錫および／または鉛の被覆を破着するめつき浴に関す
る。
基体上に錫および／または鉛の被覆を破着するための水
系の酸性めっき浴は当該技術において既知であり、これ
らの浴の多くは水溶性の錫および／または鉛の塩に加う
るにフッ化ホウ素酸塩、フッケイ酸塩、硫酸塩、スルフ
ァミノ酸塩等を含有する。フッ化ホウ素酸塩を含有する
めつき浴は広く使用されており、それＫより錫、鉛また
は錫−鉛合金の高速にして均一な金属めっきが可能であ
る。しかし乍ら、７ツ化ホウ素酸塩を含有する浴は一般
に＠る腐蝕性且つ有毒であり、高価にして操作困難な特
殊な装置を必要とし、廃水処理問題をも包含する。
系の酸性めっき浴は当該技術において既知であり、これ
らの浴の多くは水溶性の錫および／または鉛の塩に加う
るにフッ化ホウ素酸塩、フッケイ酸塩、硫酸塩、スルフ
ァミノ酸塩等を含有する。フッ化ホウ素酸塩を含有する
めつき浴は広く使用されており、それＫより錫、鉛また
は錫−鉛合金の高速にして均一な金属めっきが可能であ
る。しかし乍ら、７ツ化ホウ素酸塩を含有する浴は一般
に＠る腐蝕性且つ有毒であり、高価にして操作困難な特
殊な装置を必要とし、廃水処理問題をも包含する。
基本的成分の他にも、先行技術は、かかる浴から得られ
る沈着物の光沢を改善する添加物を含めることによる錫
および／または鉛めっき浴の改良を示唆している。例え
ば、米国特許第 ８．８７５，０２９号明細書忙おいては、ナフタレンモ
ノカルボキシアルデヒドを単独でまたは該特許明細誉に
記載された酸槽の置換オレフィンと組合わせて使用し、
鍍着物の光沢を改良する結果を得ている。錫および／ま
たは鉛のめっぎ浴に有用な添加物であるとして示唆され
ているその他の成分は、アルデヒド、ケトン、非イオン
界面活性剤およびアミンの種々の組合わせを含む。錫−
鉛合金の光沢のある鍍着物を作り出すための、米国特許
第８．７８５．９８９号明細書に記載されためつき浴は
、非イオン性ポリオキシアルキル化界面活性剤、低級脂
肪族アルデヒド、芳香族アルデヒド、およびアミンの組
合わせを含んでなる。
る沈着物の光沢を改善する添加物を含めることによる錫
および／または鉛めっき浴の改良を示唆している。例え
ば、米国特許第 ８．８７５，０２９号明細書忙おいては、ナフタレンモ
ノカルボキシアルデヒドを単独でまたは該特許明細誉に
記載された酸槽の置換オレフィンと組合わせて使用し、
鍍着物の光沢を改良する結果を得ている。錫および／ま
たは鉛のめっぎ浴に有用な添加物であるとして示唆され
ているその他の成分は、アルデヒド、ケトン、非イオン
界面活性剤およびアミンの種々の組合わせを含む。錫−
鉛合金の光沢のある鍍着物を作り出すための、米国特許
第８．７８５．９８９号明細書に記載されためつき浴は
、非イオン性ポリオキシアルキル化界面活性剤、低級脂
肪族アルデヒド、芳香族アルデヒド、およびアミンの組
合わせを含んでなる。
更に最近では、浴がフッ化ホウ素酸塩を含有せずに、錫
および／または鉛の被覆の破着を保証するめつぎ浴の処
方が示唆されている。例えば、米国特許第４，４５９，
１８５号明細書は、アルカンスルホン酸またはアルカノ
ールスルホン酸と、スルホン酸の二価錫塩または二価鉛
塩の何れか或いはこれらの混合物とを含有する主要なめ
つき浴忙、１種またはそれ以上の特定されたカチオン性
、両性および／または非イオン性界面活性剤とＩＮまた
はそれ以上の平滑剤とを添加することによって満製され
るめっき浴を述べている。その特許権者は。
および／または鉛の被覆の破着を保証するめつぎ浴の処
方が示唆されている。例えば、米国特許第４，４５９，
１８５号明細書は、アルカンスルホン酸またはアルカノ
ールスルホン酸と、スルホン酸の二価錫塩または二価鉛
塩の何れか或いはこれらの混合物とを含有する主要なめ
つき浴忙、１種またはそれ以上の特定されたカチオン性
、両性および／または非イオン性界面活性剤とＩＮまた
はそれ以上の平滑剤とを添加することによって満製され
るめっき浴を述べている。その特許権者は。
かかるめっき浴の性能はホウフッ化物を含有するめつき
浴に比し勝ると岨劣らないことを示唆している。そのめ
っき浴は成る特定された界面活性剤を含有しており、界
面活性剤はカチオン界面活性剤、両性界面活性剤または
非イオン界面活性剤であり得る。被覆物の平滑性は特定
された界面活性剤と成る平ｌＩｌ剤との組合わせＫよっ
て得られる相乗効果により改善される。ベンズアルデヒ
ド誘導体を含む各種の平滑剤はこの特許の中に記載され
ている。
浴に比し勝ると岨劣らないことを示唆している。そのめ
っき浴は成る特定された界面活性剤を含有しており、界
面活性剤はカチオン界面活性剤、両性界面活性剤または
非イオン界面活性剤であり得る。被覆物の平滑性は特定
された界面活性剤と成る平ｌＩｌ剤との組合わせＫよっ
て得られる相乗効果により改善される。ベンズアルデヒ
ド誘導体を含む各種の平滑剤はこの特許の中に記載され
ている。
ヒドロキシアルキルスルホン酸を含有する錫−鉛合金め
っき浴は米国特許第４．１８２，８１０号明細書に記載
されている。この浴はフッ化ホウ素ｅ塩またはフェノー
ルスルホン酸塩を含有せず、０−トルイジンとアセトア
ルデヒドとの反応生成物を光沢剤として含有する。
っき浴は米国特許第４．１８２，８１０号明細書に記載
されている。この浴はフッ化ホウ素ｅ塩またはフェノー
ルスルホン酸塩を含有せず、０−トルイジンとアセトア
ルデヒドとの反応生成物を光沢剤として含有する。
米国特許第８．９０５，８７８号明細簀には、遊離フェ
ノールスルホン酸および／または遊離クレゾールスルホ
ン酸と共に錫および鉛の少なくとも１つのスルホン酸塩
を含有する錫−鉛めっき浴が記載されている。その上に
、めっき浴は、脂肪族アルデヒドと芳香族第一級アミン
とをアルカリ性条件下に反応させてＤ４製される光沢剤
を含有する。またこのめっき浴はアセトアルデヒドと、
必要に応じて界面活性剤をも含有する。
ノールスルホン酸および／または遊離クレゾールスルホ
ン酸と共に錫および鉛の少なくとも１つのスルホン酸塩
を含有する錫−鉛めっき浴が記載されている。その上に
、めっき浴は、脂肪族アルデヒドと芳香族第一級アミン
とをアルカリ性条件下に反応させてＤ４製される光沢剤
を含有する。またこのめっき浴はアセトアルデヒドと、
必要に応じて界面活性剤をも含有する。
錫および錫−鉛合金めっき浴における光沢剤としてのオ
レフィン化合物、フッ化ホウ素酸の塩または硫ａＩ塩の
使用は米国特許第８．８７５，０２９号明細書忙記載さ
れている。光沢剤として有用なオレフィン化合物は、一
般式、 Ｋよって４１１Ｆ倣づけられる。かかるオレフィンはナ
フタレンモノカルボキシアルデヒドと組合わせて利用さ
れる。
レフィン化合物、フッ化ホウ素酸の塩または硫ａＩ塩の
使用は米国特許第８．８７５，０２９号明細書忙記載さ
れている。光沢剤として有用なオレフィン化合物は、一
般式、 Ｋよって４１１Ｆ倣づけられる。かかるオレフィンはナ
フタレンモノカルボキシアルデヒドと組合わせて利用さ
れる。
米国特許第７７４．０４９号明細書には過酸他船を鉛板
上に電着させる方法が記載されている。その浴は、メチ
ルスルホン＃、メチレンジスルホン酸。
上に電着させる方法が記載されている。その浴は、メチ
ルスルホン＃、メチレンジスルホン酸。
オキシメチレン−ジスルホン酸等の如き、メタンのスル
ホン酸またはオキジスルホン酸の誘導体およびそのヒド
ロキシ置換置導体を包含する。
ホン酸またはオキジスルホン酸の誘導体およびそのヒド
ロキシ置換置導体を包含する。
芳香族スルホンおよびベンゼン、フェノールおよびクレ
ゾールのモノ−およびポリ−スルホン酸を含有する錫お
よび／または鉛めっき浴が米国特許第２，８１８．８７
１号並びに英国特許第５５！Ｓ、９２９号各明細書に記
載されている。芳香族スルホン酸は、錫および鉛の可溶
性塩を＠成し、またジスルホン酸は、著しく可溶性の塩
を与えるので格別好ましい。
ゾールのモノ−およびポリ−スルホン酸を含有する錫お
よび／または鉛めっき浴が米国特許第２，８１８．８７
１号並びに英国特許第５５！Ｓ、９２９号各明細書に記
載されている。芳香族スルホン酸は、錫および鉛の可溶
性塩を＠成し、またジスルホン酸は、著しく可溶性の塩
を与えるので格別好ましい。
米国特許第８．９８４．２９１号明細書は、フッ化物ま
たはフッ化ホウ素酸塩を全く含有しないめっき浴を述べ
ている。これらのめつき浴はピロ燐酸塩およびロッシェ
ル塩を基本としている。浴は、例えば、ピロ燐酸第一錫
、ピロ燐酸カリおよびロッシェル塩（酒石酸ナトリウム
カリウム）を酒石酸鉛またはピロ燐酸鉛の如ぎ鉛塩と共
に水に溶解して調製される。一般Ｋ、これらの形式の電
解浴は８．０から１０までのｐＨで操作される。
たはフッ化ホウ素酸塩を全く含有しないめっき浴を述べ
ている。これらのめつき浴はピロ燐酸塩およびロッシェ
ル塩を基本としている。浴は、例えば、ピロ燐酸第一錫
、ピロ燐酸カリおよびロッシェル塩（酒石酸ナトリウム
カリウム）を酒石酸鉛またはピロ燐酸鉛の如ぎ鉛塩と共
に水に溶解して調製される。一般Ｋ、これらの形式の電
解浴は８．０から１０までのｐＨで操作される。
アルキル基が１乃至５個の炭素原子を有するアルカンス
ルホン酸塩イオンを含有する電気めっき浴は米国特許第
２．５２Ｌ９４２号明細蕾に記載されている。スルホン
酸塩イオンはめつき浴中の主要・な若しくは唯一のアニ
オンである。電気化学浴に含有される金属イオンは、°
鉛、ニッケル、クロム。
ルホン酸塩イオンを含有する電気めっき浴は米国特許第
２．５２Ｌ９４２号明細蕾に記載されている。スルホン
酸塩イオンはめつき浴中の主要・な若しくは唯一のアニ
オンである。電気化学浴に含有される金属イオンは、°
鉛、ニッケル、クロム。
鋼、亜鉛、鉄、コバルト、カドミウムおよび銀であって
よい。浴は鉛およびニッケルの電気めっきに特に好適で
あるとして説明されている。
よい。浴は鉛およびニッケルの電気めっきに特に好適で
あるとして説明されている。
（発明の概り
錫、鉛または錫−鉛合金の平滑、均厚且つ光沢のある鑞
着物は全くフッ化物またはフッ化ホウ素酸塩を含有しな
い水性めっき浴から基体上にＷ着し得ることがここに確
認された。本発明の水性めっき浴は、 （ａ）第一錫塩、鉛塩または第一錫塩と鉛塩との混合物
よりなる群から選ばれる少なくとも１種の浴可溶性金属
塩と、 （ｂ）少な（とも１橿のアルカンスルホン酸またはアル
カノールスルホン酸と、 （ｃｉ）少なくとも１種の非イオン、カチオンまたは両
性の界面活性剤と、 （ｄ）Ｊ香族アルデヒド、アセトフェノン、および一般
式、 ムｒ −０（Ｈ） ＝Ｏ（Ｈ） −０（Ｃ） −ＯＨｓ
（［１を有するカルボニル化合物とより
なる群から選ばれる少なくとも１種の第一次光沢剤の有
効量と、（ｅ）低級脂肪族アルデヒドと次式、 で嵌わされる置換オレフィンとよりなる群から選ばれる
第二次光沢剤の有効量と を含んでなるものである。
着物は全くフッ化物またはフッ化ホウ素酸塩を含有しな
い水性めっき浴から基体上にＷ着し得ることがここに確
認された。本発明の水性めっき浴は、 （ａ）第一錫塩、鉛塩または第一錫塩と鉛塩との混合物
よりなる群から選ばれる少なくとも１種の浴可溶性金属
塩と、 （ｂ）少な（とも１橿のアルカンスルホン酸またはアル
カノールスルホン酸と、 （ｃｉ）少なくとも１種の非イオン、カチオンまたは両
性の界面活性剤と、 （ｄ）Ｊ香族アルデヒド、アセトフェノン、および一般
式、 ムｒ −０（Ｈ） ＝Ｏ（Ｈ） −０（Ｃ） −ＯＨｓ
（［１を有するカルボニル化合物とより
なる群から選ばれる少なくとも１種の第一次光沢剤の有
効量と、（ｅ）低級脂肪族アルデヒドと次式、 で嵌わされる置換オレフィンとよりなる群から選ばれる
第二次光沢剤の有効量と を含んでなるものである。
（発明の好ましい態様の説明）
本発明のめつき浴は、錫イオン、鉛イオン、または錫と
鉛面イオンの混合物と、少な（とも１種のアルカンスル
ホン酸またはアルカノールスルホン酸と、少なくとも１
種の界面活性剤と、少な（とも１種の第一次光沢剤と、
少な（とも１ｍの第二次光沢剤との混合物を含んでなる
。一般的には、本発明のメッキ浴は、遊離スルホン酸と
、スルホン酸の錫塩、鉛塩または福と鉛との混合物の塩
との混合物を含んでなり、それらの塩はめつき浴に可溶
である。
鉛面イオンの混合物と、少な（とも１種のアルカンスル
ホン酸またはアルカノールスルホン酸と、少なくとも１
種の界面活性剤と、少な（とも１種の第一次光沢剤と、
少な（とも１ｍの第二次光沢剤との混合物を含んでなる
。一般的には、本発明のメッキ浴は、遊離スルホン酸と
、スルホン酸の錫塩、鉛塩または福と鉛との混合物の塩
との混合物を含んでなり、それらの塩はめつき浴に可溶
である。
本発明に利用可能なアルカンスルホン酸は次式％式％
式中、Ｒは約１個乃至約１ｚ個の炭素原子、より好まし
くは約１個乃至約６個の炭素原子を含むアルキル基を示
す。かかるアルカンスルホン酸の例は、例えば、メタン
スルホン酸、エタンスルホン酸、フロパンスルホン酸、
２−フロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブ
タンスルホン酸。
くは約１個乃至約６個の炭素原子を含むアルキル基を示
す。かかるアルカンスルホン酸の例は、例えば、メタン
スルホン酸、エタンスルホン酸、フロパンスルホン酸、
２−フロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブ
タンスルホン酸。
ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホンｆｌ！、テカン
スルホン＃、およびドデカンスルホン酸を包含する。個
々のアルカンスルホン酸或いは上記アルカンスルホン酸
の何れかの混合物は本発明のめっき浴に利用することが
できる。
スルホン＃、およびドデカンスルホン酸を包含する。個
々のアルカンスルホン酸或いは上記アルカンスルホン酸
の何れかの混合物は本発明のめっき浴に利用することが
できる。
本発明に有用なアルカノールスルホン酸は次式で夛わさ
れることを特徴とする。
れることを特徴とする。
ＯｎＨｇｎ＋Ｔ−ＯＨ−（ＯＨ，）１．１ｌ−８ｏ、Ｈ
（ｍｌＨ 式中、ｎは０ｆｆｉ至約１０１ｍは１乃芋約１１、また
ｍ＋ｎの和は約１２までとする。上記１式から判る通り
、水酸基は末端または分子内水酸基となり得る。有用な
アルカノールスルホン酸の例は、２−ヒドロキシエチル
−１−スルホン酸、ｌ−ヒドロキシプロピル−２−スル
ホン酸、２−ヒドロキシプロピル−１−スルホンａｔ、
８−ヒドロキシプロピル−１−スルホン酸、ｚ−ヒドロ
キシブチル−１−スルホン酸、４−ヒドロキシブチル−
１−スルホン酸、２−ヒドロキシ−ペンチル−１−スル
ホン酸。
（ｍｌＨ 式中、ｎは０ｆｆｉ至約１０１ｍは１乃芋約１１、また
ｍ＋ｎの和は約１２までとする。上記１式から判る通り
、水酸基は末端または分子内水酸基となり得る。有用な
アルカノールスルホン酸の例は、２−ヒドロキシエチル
−１−スルホン酸、ｌ−ヒドロキシプロピル−２−スル
ホン酸、２−ヒドロキシプロピル−１−スルホンａｔ、
８−ヒドロキシプロピル−１−スルホン酸、ｚ−ヒドロ
キシブチル−１−スルホン酸、４−ヒドロキシブチル−
１−スルホン酸、２−ヒドロキシ−ペンチル−１−スル
ホン酸。
番−ヒドロキシ−ペンチルー１−スルホン酸、２−ヒド
ロキシ−へキシル−１−スルホン酸、２−ヒドロキシデ
シル−１−スルホン酸、２−ヒドロキシデシル−１−ス
ルホン酸を包含する。
ロキシ−へキシル−１−スルホン酸、２−ヒドロキシデ
シル−１−スルホン酸、２−ヒドロキシデシル−１−ス
ルホン酸を包含する。
アルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸は布
中で入手可能であり、また公知の多様な方法で製造する
こともそきる。成る方法はメルカプタン、または次式、 Ｒ１８ｎＲ。
中で入手可能であり、また公知の多様な方法で製造する
こともそきる。成る方法はメルカプタン、または次式、 Ｒ１８ｎＲ。
を有する脂肪族硫化物の接触酸化を含む。空気または酸
素を酸化剤として使用してよ（、また種々の窒素酸化物
を触媒として使用し得る。酸化は通常的１５０℃を下廻
る温度で行なわれる。かかる酸化法は米ｌ特許第ｚ、４
ａａ、ｓｊｓ号および同第２．４８８．８９６号明細誉
中に記載され且つ特許請求しである。それらに代えて塩
素を酸化剤として使用することも可能である。
素を酸化剤として使用してよ（、また種々の窒素酸化物
を触媒として使用し得る。酸化は通常的１５０℃を下廻
る温度で行なわれる。かかる酸化法は米ｌ特許第ｚ、４
ａａ、ｓｊｓ号および同第２．４８８．８９６号明細誉
中に記載され且つ特許請求しである。それらに代えて塩
素を酸化剤として使用することも可能である。
メッキ浴を錫めっき浴となす場合には、浴は上記アルカ
ンまたはアルカノールスルホン酸の少なくとも１種とそ
の錫塩とを含有する。同様に、鉛めっき浴は少なくとも
１種のアルカンまたはアルカノールスルホン酸とその鉛
塩とを含有する。それらの酸と塩との混合物は有用であ
る。錫−鉛合金めっき浴は少なくとも１種のアルカンま
たはアルカノールスルホン酸とその錫および鉛の塩とを
含有する。アルカンスルホン酸およびアルカノールスル
ホン酸の二価の錫および二価の鉛との塩は、二価の錫ま
たは二価の鉛の塩と所望のスルホン酸との反応によって
容鵬忙調製することができる。
ンまたはアルカノールスルホン酸の少なくとも１種とそ
の錫塩とを含有する。同様に、鉛めっき浴は少なくとも
１種のアルカンまたはアルカノールスルホン酸とその鉛
塩とを含有する。それらの酸と塩との混合物は有用であ
る。錫−鉛合金めっき浴は少なくとも１種のアルカンま
たはアルカノールスルホン酸とその錫および鉛の塩とを
含有する。アルカンスルホン酸およびアルカノールスル
ホン酸の二価の錫および二価の鉛との塩は、二価の錫ま
たは二価の鉛の塩と所望のスルホン酸との反応によって
容鵬忙調製することができる。
スルホン酸と反応して所望の金属スルホン酸塩を形成し
得る錫および鉛の例は錫と鉛の酸化物を含む。
得る錫および鉛の例は錫と鉛の酸化物を含む。
浴中の金属イオンのｈａ度は、基体上にポ着すべきめっ
きの希望する性質に応じ、広範囲に亘って変わる橡であ
ろう。一般に、１リットル当り約０．５グラムから約８
５０グラム迄、もしくはそれ以上の金属イオンが浴中に
含有され、更に一般的忙は、浴は１リットル当り約１０
グラムカ、１ら約１００グラムの金属イオンを含有する
。当然、錫めっきを施し度い場合には、蛤イオンは浴か
ら除外すべきであり、また反対に、鉛めっきを望む時は
錫イオンを浴から省く。
きの希望する性質に応じ、広範囲に亘って変わる橡であ
ろう。一般に、１リットル当り約０．５グラムから約８
５０グラム迄、もしくはそれ以上の金属イオンが浴中に
含有され、更に一般的忙は、浴は１リットル当り約１０
グラムカ、１ら約１００グラムの金属イオンを含有する
。当然、錫めっきを施し度い場合には、蛤イオンは浴か
ら除外すべきであり、また反対に、鉛めっきを望む時は
錫イオンを浴から省く。
本発明のめつき浴中の遊離アルカンまたはアルカノール
スルホン酸（ｂ）の濃度は浴１リットル当り約１０グラ
ムから約５００グラムまで、より好ましくは浴１リット
ル当り約５０グラムから約２００グラムまでの範囲にあ
る。
スルホン酸（ｂ）の濃度は浴１リットル当り約１０グラ
ムから約５００グラムまで、より好ましくは浴１リット
ル当り約５０グラムから約２００グラムまでの範囲にあ
る。
上記成分忙加つるに、本発明めっき浴は少なくとも１つ
の非イオン、カチオンまたは両性イオン界面活性剤を含
有するを要する。本発明に利用し−得る各種の非イオン
界面活性剤は、エチレンオキサイドおよび／またはプロ
ピレンオキサイドと、少なくとも１個のＮ−Ｈを含有す
る水酸基、メルカプト基或いはアミノ基含有化合物との
縮合生成物である。水酸基含有物質の例は、アルキルフ
エ／−ル、スデレン化フェノール、［Ｆｙ７＃：ｒ ＋
ル。
の非イオン、カチオンまたは両性イオン界面活性剤を含
有するを要する。本発明に利用し−得る各種の非イオン
界面活性剤は、エチレンオキサイドおよび／またはプロ
ピレンオキサイドと、少なくとも１個のＮ−Ｈを含有す
る水酸基、メルカプト基或いはアミノ基含有化合物との
縮合生成物である。水酸基含有物質の例は、アルキルフ
エ／−ル、スデレン化フェノール、［Ｆｙ７＃：ｒ ＋
ル。
脂肪酸、ポリアルキレングリコール、等を含む。
アミノ基金Ｍ物質の例は、アルキルアミンおよびポリア
ミン、脂肪酸アミド、等を包含する。
ミン、脂肪酸アミド、等を包含する。
本発明のめつき浴に有用な非イオン界面活性剤の例は、
次式、 Ｒ−０−（（ＯＨ，）ｎＯ〕、Ｈ（Ａ）を有するエーテ
ル含有界面活性剤を含む。かかる界面活性剤は一般に、
脂肪アルコール或いはアルキル置換またはアルコキシ置
換フェノールまたはナフトールを、過剰のエチレンオキ
サイドまたはプロピレンオキサイドで処理することＫよ
って製造される。アルキル炭素鎖は約１４個から２４個
の嘴素原子を含有してよく、オレイルアルコールまたは
ステアリルアルコールのよ５な長鎖脂肪アルコールから
誘導することができる。
次式、 Ｒ−０−（（ＯＨ，）ｎＯ〕、Ｈ（Ａ）を有するエーテ
ル含有界面活性剤を含む。かかる界面活性剤は一般に、
脂肪アルコール或いはアルキル置換またはアルコキシ置
換フェノールまたはナフトールを、過剰のエチレンオキ
サイドまたはプロピレンオキサイドで処理することＫよ
って製造される。アルキル炭素鎖は約１４個から２４個
の嘴素原子を含有してよく、オレイルアルコールまたは
ステアリルアルコールのよ５な長鎖脂肪アルコールから
誘導することができる。
この種の非イオンポリオキシエチレン化合物は米国特許
第８ｊ８５５．０８５号明細書に記載されてい□る。か
かるポリオキシエチレン化合物は、ペンシルバニア州ウ
ニインのエア・プロダクツ・アンド・ケミカルズΦイン
コーポレイデツド（ム１ｒＰｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ
Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ 、 Ｉｎｃ、 ） Ｋより「サー
フイノールＪ （５ｕｒｆｙｎｏｌ ）なる一般的商標
名の下忙、またミシガン州ワイアンドットのパスフ・ワ
イアンドット・コーポレイション（ＢＡＳＦ Ｗｙａｎ
−ｄｏｔｔｅ （３ｏｒｐ、 ） Ｋより「プルロニッ
クＪ （Ｐｌｕｒｏ−ｎｉｃ ）または［テトａ＝ツク
Ｊ （Ｔｉｔ、ｒｏｎｉｃ ）なる商標名の下に市販さ
れている。本発明に有用な特定のポリオキシエチレン縮
合生成物の例は、約１０モルのエチレンオキサイドと１
モルのテトラメチルデシンジオールとの反応によって得
られる生成物である「サーフイノール４６５」を含む。
第８ｊ８５５．０８５号明細書に記載されてい□る。か
かるポリオキシエチレン化合物は、ペンシルバニア州ウ
ニインのエア・プロダクツ・アンド・ケミカルズΦイン
コーポレイデツド（ム１ｒＰｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ
Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ 、 Ｉｎｃ、 ） Ｋより「サー
フイノールＪ （５ｕｒｆｙｎｏｌ ）なる一般的商標
名の下忙、またミシガン州ワイアンドットのパスフ・ワ
イアンドット・コーポレイション（ＢＡＳＦ Ｗｙａｎ
−ｄｏｔｔｅ （３ｏｒｐ、 ） Ｋより「プルロニッ
クＪ （Ｐｌｕｒｏ−ｎｉｃ ）または［テトａ＝ツク
Ｊ （Ｔｉｔ、ｒｏｎｉｃ ）なる商標名の下に市販さ
れている。本発明に有用な特定のポリオキシエチレン縮
合生成物の例は、約１０モルのエチレンオキサイドと１
モルのテトラメチルデシンジオールとの反応によって得
られる生成物である「サーフイノール４６５」を含む。
□「サーフイノール４８５Ｊは、エチレンオキサイド８
０モルをテトラメチルデシンジオールと反応せしめて得
た生成物である。「プルロニックＬ８５」は、２２モル
のエチレンオキサイドを、プロピレンオキサイド１６モ
ルの縮合によって得られたポリグミピレングリコールと
反応させて得た生成物である。
０モルをテトラメチルデシンジオールと反応せしめて得
た生成物である。「プルロニックＬ８５」は、２２モル
のエチレンオキサイドを、プロピレンオキサイド１６モ
ルの縮合によって得られたポリグミピレングリコールと
反応させて得た生成物である。
１ 公知のアルコキシル化アミン、長鎖脂肪アミ
ン長＠脂肪酸、アルカノールアミン、ジアミン、アミド
、アルカノールアミドおよびポリグリコール型界面活性
剤もまた有用である。錫または鉛めっき浴に特忙有用で
あることが判明したアミン界面活性剤の成るタイプは、
プロピレンオキサイドとエチレンオキナイドとの混合物
のジアミンへの付加によって取得される一群のものであ
る。更に特定するならば、エチレンジアミンにプロピレ
ンオキサイドを付加し続いてエチレンオキサイドを付加
することＫよって形成される化合物は有・用であり、「
テトロニック」なる一般的商標名の下にバスフ・ワイア
ンドット・インダストリーズ・ケミカル・グループから
購買可能である。
ン長＠脂肪酸、アルカノールアミン、ジアミン、アミド
、アルカノールアミドおよびポリグリコール型界面活性
剤もまた有用である。錫または鉛めっき浴に特忙有用で
あることが判明したアミン界面活性剤の成るタイプは、
プロピレンオキサイドとエチレンオキナイドとの混合物
のジアミンへの付加によって取得される一群のものであ
る。更に特定するならば、エチレンジアミンにプロピレ
ンオキサイドを付加し続いてエチレンオキサイドを付加
することＫよって形成される化合物は有・用であり、「
テトロニック」なる一般的商標名の下にバスフ・ワイア
ンドット・インダストリーズ・ケミカル・グループから
購買可能である。
異なった分子量を有するポリエチレングリコールである
カルボワックス型界面活°性剤も有用である。例えば、
カルボワックス１０００番は、約９５０から１．０５０
までの分子量範囲を有し、１分子当り２０個から２４個
までのエトキシ単位を含有する。カルボワックス４００
０＃ｒは、約８０００から８７００までの分子量範囲を
有し、１分子当り６８個から８５個までのエトキシ単位
を含有する。布中で購買可能なポリアルキレングリコー
ルエーテルやメトキシポリエチレングリコールの如き、
その他公知の非イオン性グリコール誘導体は本発明の組
成における界面活性剤として利用することができる。
カルボワックス型界面活°性剤も有用である。例えば、
カルボワックス１０００番は、約９５０から１．０５０
までの分子量範囲を有し、１分子当り２０個から２４個
までのエトキシ単位を含有する。カルボワックス４００
０＃ｒは、約８０００から８７００までの分子量範囲を
有し、１分子当り６８個から８５個までのエトキシ単位
を含有する。布中で購買可能なポリアルキレングリコー
ルエーテルやメトキシポリエチレングリコールの如き、
その他公知の非イオン性グリコール誘導体は本発明の組
成における界面活性剤として利用することができる。
エチレンオキサイドのｌ脂肪酸との縮合生成物もまた有
用な非イオン界面活性剤である。アルマツク・インダス
トリーズ（Ａｒｍａｋ Ｉｎｄ、 ）から「エトファツ
） Ｊ （ＥｔｈＯｆａｔ ）なる一般的商標名の下に
、 布板されているような、これら多（のものが商
業的に人手可能である。それらの例はココヤシ酸。
用な非イオン界面活性剤である。アルマツク・インダス
トリーズ（Ａｒｍａｋ Ｉｎｄ、 ）から「エトファツ
） Ｊ （ＥｔｈＯｆａｔ ）なる一般的商標名の下に
、 布板されているような、これら多（のものが商
業的に人手可能である。それらの例はココヤシ酸。
オレインｍ′４の縮合物を含む。脂肪酸アミド、例えば
オレアミドのエチレンオキサイド−合物もまた、アルマ
ツク・インダストリーズから市販されている。
オレアミドのエチレンオキサイド−合物もまた、アルマ
ツク・インダストリーズから市販されている。
若干の浴においては、ポリオキシアルキル化グリコール
、フェノールおよ・び／またはナフトールを含有した場
合に改良された結果が得られた。例えば、脂肪族アルコ
ール、ソルビタンアルキルエステル、アルキル、アルコ
キシおよびスチレン化フェノール並びにナフトールとの
エチレンオキサイドおよびプロピレンオキサイド縮合物
は有用な添加剤である。約６乃至約４０モルのオキサイ
ドを上述の化合物と縮合させることがよい。これら縮合
物の多くのものが、米国アイ・シー・アイ社（ＩＯＩ
Ａｍｅｒｉｃａ ）からの「トウイーｙ Ｊ （Ｔｖｅ
ｓｎ ）。
、フェノールおよ・び／またはナフトールを含有した場
合に改良された結果が得られた。例えば、脂肪族アルコ
ール、ソルビタンアルキルエステル、アルキル、アルコ
キシおよびスチレン化フェノール並びにナフトールとの
エチレンオキサイドおよびプロピレンオキサイド縮合物
は有用な添加剤である。約６乃至約４０モルのオキサイ
ドを上述の化合物と縮合させることがよい。これら縮合
物の多くのものが、米国アイ・シー・アイ社（ＩＯＩ
Ａｍｅｒｉｃａ ）からの「トウイーｙ Ｊ （Ｔｖｅ
ｓｎ ）。
ローム・アンド−ハース社（Ｒｏｈｍ ＆ Ｈａａｓ
（３ｏ、 ）からの［トライトンＪ （’Ｔｒｉｔｏｎ
） ＊ユニオン・カーバイド社（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒ
ｂｉｄｅ ）からの［タージトールＪ （Ｔｅｒｇｉｔ
ｏｌ ）およびジェネラル・アニリン・アンド・フィル
ム社（Ｇｅｎｅｒａｌ Ａｎｉｌｉｎｅ ａｎｄ Ｆｉ
ｌｍＣｏｒｐ、 ）からの［イゲパー７’Ｊ （Ｉｇａ
ｐａｌ ）といった商標名で市販され【いる。
（３ｏ、 ）からの［トライトンＪ （’Ｔｒｉｔｏｎ
） ＊ユニオン・カーバイド社（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒ
ｂｉｄｅ ）からの［タージトールＪ （Ｔｅｒｇｉｔ
ｏｌ ）およびジェネラル・アニリン・アンド・フィル
ム社（Ｇｅｎｅｒａｌ Ａｎｉｌｉｎｅ ａｎｄ Ｆｉ
ｌｍＣｏｒｐ、 ）からの［イゲパー７’Ｊ （Ｉｇａ
ｐａｌ ）といった商標名で市販され【いる。
本発明のめつぎ浴に利用する界面活性剤は両性界面活性
剤であってもよい。好適な両性界面活性剤はベタインや
スルホベタインを含み、またエチレンオキサイドおよび
／またはプロピレンオキサイドとアルキルアミンまたは
ジアミンとの縮合生成物の硫酸化またはスルホン酸化附
加物を包含する。ベタインは一般式、 〇− で表わすことができる。
剤であってもよい。好適な両性界面活性剤はベタインや
スルホベタインを含み、またエチレンオキサイドおよび
／またはプロピレンオキサイドとアルキルアミンまたは
ジアミンとの縮合生成物の硫酸化またはスルホン酸化附
加物を包含する。ベタインは一般式、 〇− で表わすことができる。
代表的なベタインは、ラウリルジメチルアンモニウムベ
タインおよびステアリルジメチルアンモニウムベタイン
を包含する。硫酸化およびスルホン酸化附加物はトライ
トンＱＳ−１５（Ｃ−ム・アンド・ハース社）即ちエト
キシル化アルキルアミンの硫酸化附加物、ミラノーｋ
Ｈ８（Ｍｉｒａｎｏｌ Ｈ８）即ちスルホン酸化ラフリ
ン酸誘導体のナトリウム塩、ミラノールＯ８即ちスルホ
ン酸化オレイン酸のナトリウム塩、等を含む。
タインおよびステアリルジメチルアンモニウムベタイン
を包含する。硫酸化およびスルホン酸化附加物はトライ
トンＱＳ−１５（Ｃ−ム・アンド・ハース社）即ちエト
キシル化アルキルアミンの硫酸化附加物、ミラノーｋ
Ｈ８（Ｍｉｒａｎｏｌ Ｈ８）即ちスルホン酸化ラフリ
ン酸誘導体のナトリウム塩、ミラノールＯ８即ちスルホ
ン酸化オレイン酸のナトリウム塩、等を含む。
またカチオン界面活性剤も本発明のめつき浴に有用であ
り、かかる界面活性剤は高級アルキルアミン塩、四級ア
ンモニウム塩、アルキルビリジ゛ニウム塩およびアルキ
ルイミダゾリクム塩よりなる群から１ぶことができる。
り、かかる界面活性剤は高級アルキルアミン塩、四級ア
ンモニウム塩、アルキルビリジ゛ニウム塩およびアルキ
ルイミダゾリクム塩よりなる群から１ぶことができる。
種々の量のエチレンオキサイドまたはプロピレンオキサ
イドと第一級脂肪アミンとの縮合によって得られるカチ
オン界面活性剤は有用であり次式％式％ 上式中、 Ｒは約８個乃至約２２個の炭素原子を含む脂肪酸アルキ
ル基、 Ｒ１は約５個迄の炭素原子を含むアルキレン基、Ｒ３お
よびＲｌＩはそれぞれ独立にエチレン基またはプロピレ
ン基、 ａは０またはｌ、また Ｘ、ｙ、”ｊ！ａはそれぞれ独立に１乃至約８０の整数
であって、Ｘ ｅ ７ ｓ Ｚの合計は約２乃至約５０
の整数を示す。
イドと第一級脂肪アミンとの縮合によって得られるカチ
オン界面活性剤は有用であり次式％式％ 上式中、 Ｒは約８個乃至約２２個の炭素原子を含む脂肪酸アルキ
ル基、 Ｒ１は約５個迄の炭素原子を含むアルキレン基、Ｒ３お
よびＲｌＩはそれぞれ独立にエチレン基またはプロピレ
ン基、 ａは０またはｌ、また Ｘ、ｙ、”ｊ！ａはそれぞれ独立に１乃至約８０の整数
であって、Ｘ ｅ ７ ｓ Ｚの合計は約２乃至約５０
の整数を示す。
更に詳しくは、本発明の浴に利用するアルコキシル化ア
ミンは次式りおよびＥで夛わされる。
ミンは次式りおよびＥで夛わされる。
上式中１
、 Ｈ４は１２個乃至１８個の吹素原子を含む脂
肪−アルキル基を示し、またＸ ａ Ｙ ＊ Ｚは式０
で定義した通りである。
肪−アルキル基を示し、またＸ ａ Ｙ ＊ Ｚは式０
で定義した通りである。
上述のカチオン界面活性剤は公知であり種々の商業的供
給源から入手し得る。式（Ｄ）で夛わしたタイプの界面
活性剤は、種々な量のエチレンオキサイドと第一級脂肪
アミンとを縮合させて製造することができ、この脂肪ア
ミンは獣噌油、鯨油。
給源から入手し得る。式（Ｄ）で夛わしたタイプの界面
活性剤は、種々な量のエチレンオキサイドと第一級脂肪
アミンとを縮合させて製造することができ、この脂肪ア
ミンは獣噌油、鯨油。
椰子油等の加水分解によって得られるようなアミンの単
独若しくは混合物であり得る。８乃至２Ｓ個の炭素原子
を含有する脂肪酸アミンの特定例は、例えばオクチルア
ミン、デシルアミン、ラウリルアミン、ステアリルアミ
ン、オレイルアミン、ミリスチルアミン、パルミチルア
ミン、ドデシルアミンおよびオクタデシルアミンの如き
飽和および不飽和脂肪族アミンを包含する。
独若しくは混合物であり得る。８乃至２Ｓ個の炭素原子
を含有する脂肪酸アミンの特定例は、例えばオクチルア
ミン、デシルアミン、ラウリルアミン、ステアリルアミ
ン、オレイルアミン、ミリスチルアミン、パルミチルア
ミン、ドデシルアミンおよびオクタデシルアミンの如き
飽和および不飽和脂肪族アミンを包含する。
本発明のめつき浴に有用なアルコキシル化アミンはアル
キレンオキサイドと上述の第一級アミンとを当該分野の
公知技術によって縮合させることにより、上記同様に製
造し得る。多（のかかるアルコキシル化アミンが種々の
供給源から商業的に入手し得る。式（Ｂ）で表わされる
タイプのアルコキシル化アミンは、イリノイ州シカゴ市
のアクシナ・インコーホレイテッド（Ａｋｚｏｎａ 、
Ｉｎｃ、 ）のアルマツク・ケミカル・ディビジョン
（ＡｒｍａｋＣｈｅｍｉｃａｌ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ ）
から「エトミーン」（Ｅｔｈｏｍｅｅｎ ）なる一般的
商標名の下に市販されている。かかる製品の特定例は、
椰子の実脂肪アミンのエチレンオキサイド縮合物であり
、約５モルのエチレンオキサイドを含有する「エトミー
ン’ Ｏ／１５」；同様に椰子の実脂肪アミンか
らのエチレンオキサイド縮合生成物であり、約１０モル
および約１５モルのエチレンオキサイドをそれぞれ含有
する「エトミーンＯ／２０Ｊおよび「エトミーンＣ／２
１５にステアリルアミンとのエチレンオキサイド縮合生
成物であり、アミン１−１’ル当り約５モルおよび約１
０モルのエチレンオキサイドをそれぞれ含有する「エト
ミーンＳ／１５Ｊおよび「エトミーンＳ／２０Ｊ：およ
び獣脂アミンのエチレンオキサイド縮合生成物であり、
アミン１モル当り約５モルおよび約ｌＩｓモルのエチレ
ンオキサイドをそれぞれ含有する「エトミーンＴ／１５
Ｊおよび［エトミーンＴ／２５Ｊを包含する。式（Ｃ）
で仮わしだタイプのアルコキシル化アミンの商業的に入
手可能な例は、Ｎ−タロクートリメチレンジアミンのエ
チレンオキサイド縮合生成物であり、ジアミン１モル当
り約８モルおよび約１０モルのエチレンオキサイドをそ
れぞれ含有する「エトドウオミーンＴ／ｌ ８Ｊ（Ｅｔ
ｈｏｄｕｏｍｅｅｎ １’ ／ １ Ｂ ）および「エ
トドウオミーンＴ／２０Ｊを包含する。
キレンオキサイドと上述の第一級アミンとを当該分野の
公知技術によって縮合させることにより、上記同様に製
造し得る。多（のかかるアルコキシル化アミンが種々の
供給源から商業的に入手し得る。式（Ｂ）で表わされる
タイプのアルコキシル化アミンは、イリノイ州シカゴ市
のアクシナ・インコーホレイテッド（Ａｋｚｏｎａ 、
Ｉｎｃ、 ）のアルマツク・ケミカル・ディビジョン
（ＡｒｍａｋＣｈｅｍｉｃａｌ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ ）
から「エトミーン」（Ｅｔｈｏｍｅｅｎ ）なる一般的
商標名の下に市販されている。かかる製品の特定例は、
椰子の実脂肪アミンのエチレンオキサイド縮合物であり
、約５モルのエチレンオキサイドを含有する「エトミー
ン’ Ｏ／１５」；同様に椰子の実脂肪アミンか
らのエチレンオキサイド縮合生成物であり、約１０モル
および約１５モルのエチレンオキサイドをそれぞれ含有
する「エトミーンＯ／２０Ｊおよび「エトミーンＣ／２
１５にステアリルアミンとのエチレンオキサイド縮合生
成物であり、アミン１−１’ル当り約５モルおよび約１
０モルのエチレンオキサイドをそれぞれ含有する「エト
ミーンＳ／１５Ｊおよび「エトミーンＳ／２０Ｊ：およ
び獣脂アミンのエチレンオキサイド縮合生成物であり、
アミン１モル当り約５モルおよび約ｌＩｓモルのエチレ
ンオキサイドをそれぞれ含有する「エトミーンＴ／１５
Ｊおよび［エトミーンＴ／２５Ｊを包含する。式（Ｃ）
で仮わしだタイプのアルコキシル化アミンの商業的に入
手可能な例は、Ｎ−タロクートリメチレンジアミンのエ
チレンオキサイド縮合生成物であり、ジアミン１モル当
り約８モルおよび約１０モルのエチレンオキサイドをそ
れぞれ含有する「エトドウオミーンＴ／ｌ ８Ｊ（Ｅｔ
ｈｏｄｕｏｍｅｅｎ １’ ／ １ Ｂ ）および「エ
トドウオミーンＴ／２０Ｊを包含する。
またカチオン界面活性剤は、次式（Ｆ）、で表わされる
第四級アンモニウム塩； 次の一般式（Ｇ）、 で夛わされるピリジニウム塩； 次の一般式（Ｈ）、 で表わされるイミダゾリニウム塩：および次の一般式（
Ｉ）、 （Ｒ−ＮＨ）■ＯＨ−（ＯＨ，）ｎ−０００ｅ（Ｉ）１
８ Ｂ でｆわされる高級アルキルアミン塩であってもよい。
第四級アンモニウム塩； 次の一般式（Ｇ）、 で夛わされるピリジニウム塩； 次の一般式（Ｈ）、 で表わされるイミダゾリニウム塩：および次の一般式（
Ｉ）、 （Ｒ−ＮＨ）■ＯＨ−（ＯＨ，）ｎ−０００ｅ（Ｉ）１
８ Ｂ でｆわされる高級アルキルアミン塩であってもよい。
塩の＠態の上記カチオン界面活性剤の例は、ラウリルト
リメチルアンモニウム塩、セチルトリメチルアンモニウ
ム塩、ステアリルトリメチルアンモニウム塩、ラウリル
ジメチルエチルアンモニウム塩、オクタデシルジメチル
エチルアンモニウム塩、ジメチルベンジルラウリルアン
モニウム塩。
リメチルアンモニウム塩、セチルトリメチルアンモニウ
ム塩、ステアリルトリメチルアンモニウム塩、ラウリル
ジメチルエチルアンモニウム塩、オクタデシルジメチル
エチルアンモニウム塩、ジメチルベンジルラウリルアン
モニウム塩。
セチルジメチルベンジルアンモニウム塩、オクタデシル
ジメチルベンジルアンモニウム塩、トリメチルベンジル
アンモニウム４．）リエチルベンジルアンモニウム塩、
ヘキサデシルピリジニウム塩。
ジメチルベンジルアンモニウム塩、トリメチルベンジル
アンモニウム４．）リエチルベンジルアンモニウム塩、
ヘキサデシルピリジニウム塩。
ラクリルピリジニクム塩、ドデシルピコリニクム１１１
．１−ヒドロキシエチル−１−ベンジル−２−７ウリル
イミダゾリニウム塩、ｌ−ヒドロキシエチル−１−ベン
ジル−２−オレイルイミダソリニウム塩、ステアリルア
ミン酢酸塩、ラウリルアミン酢酸塩、およびオクタデシ
ルアミン酢酸塩である。
．１−ヒドロキシエチル−１−ベンジル−２−７ウリル
イミダゾリニウム塩、ｌ−ヒドロキシエチル−１−ベン
ジル−２−オレイルイミダソリニウム塩、ステアリルア
ミン酢酸塩、ラウリルアミン酢酸塩、およびオクタデシ
ルアミン酢酸塩である。
上述の界面活性剤は、本発明のめつき浴において、浴１
リットル当り約０．Ｏｌ乃至約５０グラム、より好まし
くは浴１リットル当り約０．０５乃至約２０グラムの濃
度で使用することがよい。
リットル当り約０．Ｏｌ乃至約５０グラム、より好まし
くは浴１リットル当り約０．０５乃至約２０グラムの濃
度で使用することがよい。
また本発明のめつき浴は、一般に芳香族アルデヒドまた
はケトンである第一次光沢剤の少なくとも１１４を有効
量含有する。第一次光沢剤は芳香族アルデヒド、アセト
フェノンおよび次の一般式（１入Ａｒ−０（Ｈ）＝Ｏ（
Ｈ）−０（Ｃ）−ＯＨ（璽）を有するカルボニル化合物
よりなる群から選ばれる。
はケトンである第一次光沢剤の少なくとも１１４を有効
量含有する。第一次光沢剤は芳香族アルデヒド、アセト
フェノンおよび次の一般式（１入Ａｒ−０（Ｈ）＝Ｏ（
Ｈ）−０（Ｃ）−ＯＨ（璽）を有するカルボニル化合物
よりなる群から選ばれる。
芳香族アルデヒドは、ベンズアルデヒド、ナフトアルデ
ヒド、ピリジンカルボキシアルデヒド。
ヒド、ピリジンカルボキシアルデヒド。
チオフェンカルボキシアルデヒドおよびフルアルデヒド
であることがよい。
であることがよい。
ベンズアルデヒドは、次式（Ｊ）、
で表わされる誘導体を含む。ベンズアルデヒド類のＱＩ
Ｈｉ［は、ベンズアルデヒド、０−クロルーベンズアル
デヒ）°、トルアルデヒド、シンナムアルデヒドおよび
アニスアルデヒドを包含する。
Ｈｉ［は、ベンズアルデヒド、０−クロルーベンズアル
デヒ）°、トルアルデヒド、シンナムアルデヒドおよび
アニスアルデヒドを包含する。
ナツトアルデヒドは、次式（Ｋ）、
（原子を含有する、 」で夛
わされるような置換または非置換ｌ−ナツトアルデヒド
および２−ナツトアルデヒドであってもよい。かかるナ
ツトアルデヒド類の特定例は、１−ナツトアルデヒド、
２−ナツトアルデヒド。
わされるような置換または非置換ｌ−ナツトアルデヒド
および２−ナツトアルデヒドであってもよい。かかるナ
ツトアルデヒド類の特定例は、１−ナツトアルデヒド、
２−ナツトアルデヒド。
２−メトキシ−１−ナツトアルデヒド、２−ヒドロキシ
−１−ナツトアルデヒド、２−エトキシ−１−ナツトア
ルデヒド、４−メトキシ−１−ナツトアルデヒド、４−
エトキシ−１−ナツトアルデヒド。
−１−ナツトアルデヒド、２−エトキシ−１−ナツトア
ルデヒド、４−メトキシ−１−ナツトアルデヒド、４−
エトキシ−１−ナツトアルデヒド。
４−ヒドロキシ−１−ナフトアルデヒド、２−クロル−
１−ナツトアルデヒド、４−クロル−１−ナフトアルデ
ヒド、等を含む。
１−ナツトアルデヒド、４−クロル−１−ナフトアルデ
ヒド、等を含む。
第一次光沢剤として利用し得るピリジンカルボキシアル
デヒドは次式（Ｌ）で表わすことができる。
デヒドは次式（Ｌ）で表わすことができる。
上式中、
Ｘは水翼、ヒドロキシ、アルコキシ、塩素、または臭素
を示し、アルコキシ基のアルキル基はｌ乃至５個の炭素
原子を含有する。
を示し、アルコキシ基のアルキル基はｌ乃至５個の炭素
原子を含有する。
かかるアルデヒド類の特定例は、ピリジン−２−カルボ
キシアルデヒド、ピリジン−８−カルボキシアルデヒド
、ピリジン−４−カルボキシアルデヒド、６−メトキシ
−ピリジンー２−カルボキシアルデヒドを包含する。
キシアルデヒド、ピリジン−８−カルボキシアルデヒド
、ピリジン−４−カルボキシアルデヒド、６−メトキシ
−ピリジンー２−カルボキシアルデヒドを包含する。
本発明のめつぎ浴に利用し得るチオフェンカルボキシア
ルデヒドは次式（Ｍ）によって表わすことができる。
ルデヒドは次式（Ｍ）によって表わすことができる。
上式中、Ｘは式（Ｌ） Ｋついて上に定義した通りであ
る。
る。
かかるカルボキシアルデヒドの特定例は、２−チオフェ
ンカルボキシアルデヒド、８−チオフェンカルボキシア
ルデヒド、等を包含する。
ンカルボキシアルデヒド、８−チオフェンカルボキシア
ルデヒド、等を包含する。
本発明において利用し得るフルアルデヒドは、次の一般
式（Ｎ）で着わされるものを含む。
式（Ｎ）で着わされるものを含む。
上式中、Ｘは式（Ｌ）について上に定義した通りである
。
。
かかるフルアルデヒドの特定例は、２−フルアルデヒド
および８−フルアルデヒドを包含する。
および８−フルアルデヒドを包含する。
また、本発明のめつき浴に利用する第一次光沢剤は、次
式（Ｃ）、 で夕わされることを特徴とする１種またはそれ以上のア
セトフェノン類であり得る。かかる化合物の例は、アセ
トフェノンおよび８１．＋１−ジクロルアセトフェノン
である。
式（Ｃ）、 で夕わされることを特徴とする１種またはそれ以上のア
セトフェノン類であり得る。かかる化合物の例は、アセ
トフェノンおよび８１．＋１−ジクロルアセトフェノン
である。
他の好適な態様において、第一次光沢剤は式（［）、ム
ｒ −０（Ｈ） ＝Ｏ（Ｈ）−０（Ｃ）ＯＨ（１）を有
するカルボニル化合物である。
ｒ −０（Ｈ） ＝Ｏ（Ｈ）−０（Ｃ）ＯＨ（１）を有
するカルボニル化合物である。
Ａｒがフェニル基であるとぎには、カルボニル化合物は
次の一般式（Ｐ）で表わすことができる。
次の一般式（Ｐ）で表わすことができる。
上式中、Ｘ□およびＸ、はハロゲン、ヒドロキシ。
アルコキシ、塩素寥たは臭素であり、アルコキシ基中の
アルキル基は約１個乃至約５個の炭素原子を含有するこ
とがよい。・ かかる化合物の例は、ベンジリジンアセトンおよび８′
−クロルベンシリジンアセトンを、包含する。
アルキル基は約１個乃至約５個の炭素原子を含有するこ
とがよい。・ かかる化合物の例は、ベンジリジンアセトンおよび８′
−クロルベンシリジンアセトンを、包含する。
式偉）で夛わされるタイプのカルボニル化合物でＡｒが
ナフチル基であるものは次式（Ｑ）で夛わすことができ
る。
ナフチル基であるものは次式（Ｑ）で夛わすことができ
る。
上式中、Ｘ工およびＸ、は式（Ｐ）について上に定義し
た通りである。
た通りである。
かかる光沢剤の特定例は４（１−ナフチル）−８−ブテ
ン−２−オンである。
ン−２−オンである。
、 ピリジル、チオフェニルおよびフリルを含有
するこのタイプのカルボニル化合物は、次式（Ｒ）、（
Ｓ）および（Ｔ）で夛わされる。
するこのタイプのカルボニル化合物は、次式（Ｒ）、（
Ｓ）および（Ｔ）で夛わされる。
上式中、Ｘ□は式（Ｐ） Ｋついて上に定義した通りで
ある。
ある。
かかるカルボニル化合物の特定例は、４−（ｚ−フリル
）−８−ブテン−２−オン、４−（ピリジル−２−）−
８−ブテン−２−オン、および４−（チオフェニル−２
−）−８−ブテン−２−オンを包含スル。
）−８−ブテン−２−オン、４−（ピリジル−２−）−
８−ブテン−２−オン、および４−（チオフェニル−２
−）−８−ブテン−２−オンを包含スル。
本発明のめつき浴に利用される上述の第一次光沢剤の量
は浴１リットル当り約０．０５乃至約５グラム、１ｊＫ
一般的にはめつき浴１リットル当り約０．２乃至約１グ
ラムの範囲内にある。
は浴１リットル当り約０．０５乃至約５グラム、１ｊＫ
一般的にはめつき浴１リットル当り約０．２乃至約１グ
ラムの範囲内にある。
第一次光沢剤に加うるに１本発明のめつぎ浴はまた、（
Ｅ）低級脂肪族アルデヒドと、次式、で夛わされる置換
オレフィンとよりなる群からの第二次光沢剤の有効量を
含有する。
Ｅ）低級脂肪族アルデヒドと、次式、で夛わされる置換
オレフィンとよりなる群からの第二次光沢剤の有効量を
含有する。
第二次光沢剤として有用な脂肪族アルデヒドは、好まし
くは約６個迄の炭素原子を含有する低級脂肪族アルデヒ
ドであり、また、脂肪族基は飽和していても不飽和であ
ってもよい。かかるアルデヒドの例は、ホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド。
くは約６個迄の炭素原子を含有する低級脂肪族アルデヒ
ドであり、また、脂肪族基は飽和していても不飽和であ
ってもよい。かかるアルデヒドの例は、ホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド。
パラアルデヒド、ブチルアルデヒド、プロピオンアルデ
ヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒドおよび８−ヒ
ドロキシ−ブタナールを包含する。
ヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒドおよび８−ヒ
ドロキシ−ブタナールを包含する。
好ましい態様忙おいては、式ＱＶ）で表わされるオレフ
ィン化合物は、アルファ不飽和カルボン酸そのアミドま
たはエステルである。かかる物質の例は、アクリル酸、
メタクリル酸、メチルアクリレート、メチルメタクリレ
ート、エタクリル酸。
ィン化合物は、アルファ不飽和カルボン酸そのアミドま
たはエステルである。かかる物質の例は、アクリル酸、
メタクリル酸、メチルアクリレート、メチルメタクリレ
ート、エタクリル酸。
エチルアクリレート、アクリルアミド、メタクリルアミ
ド、クロトン酸、ケイ皮酸、ブチルメタクリレート、等
を包含する。これらのアルファ不飽和化合物は一般に、
めっき浴中における良好な分散を保証するために水溶液
またはアルコール溶液（例えば、メチル、エチル、プロ
ピルおよびイソプロピルアルコール）としてめっき浴に
添加する。
ド、クロトン酸、ケイ皮酸、ブチルメタクリレート、等
を包含する。これらのアルファ不飽和化合物は一般に、
めっき浴中における良好な分散を保証するために水溶液
またはアルコール溶液（例えば、メチル、エチル、プロ
ピルおよびイソプロピルアルコール）としてめっき浴に
添加する。
本発明のめつき浴に利用する第二次光沢剤（Ｅ）の量は
、浴１リットル当り約０．１乃至約２０グラムの範囲で
あり更に一般的にはめつき浴１リットル曲り約０．５乃
至約２０グラムの範囲である。
、浴１リットル当り約０．１乃至約２０グラムの範囲で
あり更に一般的にはめつき浴１リットル曲り約０．５乃
至約２０グラムの範囲である。
フッ化物またはフッ化ホウ素酸塩を全く含有しない本発
明の錫、鉛および錫−鉛めっき浴は、錫および／または
鉛のめつき浴に使用する即ち通常使用する慣用の任球な
温度で、また広い電流密度範囲に暇って、基体上に金属
または合金の光輝ある平滑な被覆を破着する。次の実施
例は、本発明のめつぎ浴を説明するものである。以下の
実施例および明細督並びに特許請求の範囲の補において
、特に他の明示がなされない限り、すべての「部」およ
び「パーセント」は庫鎗基準であり、また温度は「℃」
である。
明の錫、鉛および錫−鉛めっき浴は、錫および／または
鉛のめつき浴に使用する即ち通常使用する慣用の任球な
温度で、また広い電流密度範囲に暇って、基体上に金属
または合金の光輝ある平滑な被覆を破着する。次の実施
例は、本発明のめつぎ浴を説明するものである。以下の
実施例および明細督並びに特許請求の範囲の補において
、特に他の明示がなされない限り、すべての「部」およ
び「パーセント」は庫鎗基準であり、また温度は「℃」
である。
５ｊ！施例 １
２０ Ｅｌ／ｌの第一錫イオンを与えるに充分な量のメ
タンスルホン酸第−錫と、 １００ ｉ／ｉｃｒ＞遊
離メタンスルホン酸と、ノニルフェノールに１０モルの
エチレンオキサイドを縮合した非イオン界面活性剤５１
／ｌと、１９７１のメチルメタクリレ−トド、０．２１
／／ｌのベンジリジンアセトンとを、水と混合して水性
めっき浴を調製した。
タンスルホン酸第−錫と、 １００ ｉ／ｉｃｒ＞遊
離メタンスルホン酸と、ノニルフェノールに１０モルの
エチレンオキサイドを縮合した非イオン界面活性剤５１
／ｌと、１９７１のメチルメタクリレ−トド、０．２１
／／ｌのベンジリジンアセトンとを、水と混合して水性
めっき浴を調製した。
実施例１の一般的手順に従い、本発明により、ａ 続
いてめっき浴をｙ４製した。
いてめっき浴をｙ４製した。
実施例 ２
第一錫イオン（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第−
錫として添加）２０ 遊離２−ヒドロキシプロパンスルホン酸９０テキサコ
８１５ （Ｔｅｘａｃｏ ８１５ ）−プロポキシル化
後、エチレンオキサイドと縮合させたエチレンジアミン
１０メタクリル酸
０゜５２−ヒドロキシ−１−ナツトアルデヒド
０．０６水を加えて１リツトルとなした。
錫として添加）２０ 遊離２−ヒドロキシプロパンスルホン酸９０テキサコ
８１５ （Ｔｅｘａｃｏ ８１５ ）−プロポキシル化
後、エチレンオキサイドと縮合させたエチレンジアミン
１０メタクリル酸
０゜５２−ヒドロキシ−１−ナツトアルデヒド
０．０６水を加えて１リツトルとなした。
実施例 ８
第−傷イオン（エタンスルホン酸第−錫として添加）
１８ 第−鉛イオン（エタンスルホン酸第−鉛として添加）
８ 遊離エタンスルホン！ｌ １００
エチレンオキサイド１２モルト 縮合したナフトール ６ バラアルデヒド １５２−ナ
ツトアルデヒド ０．２水を加えて
１リツトルとなした。
１８ 第−鉛イオン（エタンスルホン酸第−鉛として添加）
８ 遊離エタンスルホン！ｌ １００
エチレンオキサイド１２モルト 縮合したナフトール ６ バラアルデヒド １５２−ナ
ツトアルデヒド ０．２水を加えて
１リツトルとなした。
実施例 ４
２価の錫（メタンスルホン酸第−錫
とじ【添加） １８２価の鉛（メタ
ンスルホン酸第−鉛 とし【添加） ８ 遊離メタンスルホン酸 １００アミ
ドツクス Ｃ−５（ムｍ１ｄｏｘ Ｏ−５）（エトキシ
ル化脂肪酸アミド）・ １０クロトンアルデヒ
ド ８８′、４′−ジクロルアセ
トフェノン ０．５水を加えて１リツトルと
なした。
ンスルホン酸第−鉛 とし【添加） ８ 遊離メタンスルホン酸 １００アミ
ドツクス Ｃ−５（ムｍ１ｄｏｘ Ｏ−５）（エトキシ
ル化脂肪酸アミド）・ １０クロトンアルデヒ
ド ８８′、４′−ジクロルアセ
トフェノン ０．５水を加えて１リツトルと
なした。
実施例 ５
第一錫イオン（ヒドロキシェタンスルホン酸第−錫とし
て添加）１８ 第−鉛イオン（ヒドロキシェタンスルホン酸第−鉛とし
て添加） ８ 遊離ヒドロキシェタンスルホン酸１２Ｇサーフイノール
４８５ （５ｕｒｆｙｎｏｌ ４８５ ）（エトキシ
ル化テトラメチルデシンジオ−〃）５メタクリルアミド
２４（２−フリル）−８−
ブテン−２−オン ｌ水を加えて１リツトルとな
した。
て添加）１８ 第−鉛イオン（ヒドロキシェタンスルホン酸第−鉛とし
て添加） ８ 遊離ヒドロキシェタンスルホン酸１２Ｇサーフイノール
４８５ （５ｕｒｆｙｎｏｌ ４８５ ）（エトキシ
ル化テトラメチルデシンジオ−〃）５メタクリルアミド
２４（２−フリル）−８−
ブテン−２−オン ｌ水を加えて１リツトルとな
した。
実施例 ６
第一錫イオン（メタンスルホン酸
第−錫として添加）１８
雛−鉛イオン（メタンスルホン酸
第−鉛として添加） ３
遊離メタンスルホン酸 １００ブリ
ジ５８（Ｂｒｉｊ ５８） （エチレンオキサイド２０モルと縮合 したセチルアルコール） ５アルカ
チリルＴ （Ａｌｋａｔ、ｅｒｙｌ Ｔ ）（カチオン
性、置換オキシアニリン） １アクリル虐
１．５２−メトキシナフトア
ルデヒド ０．１水を加えて１リツトルとな
した。
ジ５８（Ｂｒｉｊ ５８） （エチレンオキサイド２０モルと縮合 したセチルアルコール） ５アルカ
チリルＴ （Ａｌｋａｔ、ｅｒｙｌ Ｔ ）（カチオン
性、置換オキシアニリン） １アクリル虐
１．５２−メトキシナフトア
ルデヒド ０．１水を加えて１リツトルとな
した。
実施例 ？
２価の４（ヒトａΦジプロピルスルホン酸第−一として
添加） １８ｚ価の鉛（ヒドロキシプロピ
ルスルホン酸第−鉛として添加）９ 遊離ヒドロ中ジプロピレンスルホン酸８０プルロニク
Ｌ −４４（Ｐｌｕｒｏｎｉｃ Ｌ −４４）（ポリプ
ロピレングリコールの疎水性塩基とのエチレンオキシド
縮金物） ４イゲパールＣｏ −６１０（Ｉｇ
ｅｔｔａｌ Ｃｏ−６１０）〔ノニルフェノキシポリ（
エチレノキシ）エタノール〕４ホルムアルデヒド（８７
％水溶液として添加）１０４（１−ナフチル）−８−ブ
テン−２−オン ０．５水を加えて１リツトルとなし
た。
添加） １８ｚ価の鉛（ヒドロキシプロピ
ルスルホン酸第−鉛として添加）９ 遊離ヒドロ中ジプロピレンスルホン酸８０プルロニク
Ｌ −４４（Ｐｌｕｒｏｎｉｃ Ｌ −４４）（ポリプ
ロピレングリコールの疎水性塩基とのエチレンオキシド
縮金物） ４イゲパールＣｏ −６１０（Ｉｇ
ｅｔｔａｌ Ｃｏ−６１０）〔ノニルフェノキシポリ（
エチレノキシ）エタノール〕４ホルムアルデヒド（８７
％水溶液として添加）１０４（１−ナフチル）−８−ブ
テン−２−オン ０．５水を加えて１リツトルとなし
た。
実施例 ８
２価の錫（メタンスルホン酸第−錫
として添加）１８
２価の鉛（メタンスルホン酸第−鉛
として添加） ９
遊離メタンスルホンＩ！！！ １
００ドライドｙ ＱＳ −１５（Ｔｒｉｔｏｎ ＱＳ
−１５）（エトキシル化アルキルアミンの 硫酸化付加物） ６メチルアク
リレート ２８′−クロルア
セトフェノン ０・２２−ナツトアルデ
ヒド ０．１水を加えて１リツトル
となした。
００ドライドｙ ＱＳ −１５（Ｔｒｉｔｏｎ ＱＳ
−１５）（エトキシル化アルキルアミンの 硫酸化付加物） ６メチルアク
リレート ２８′−クロルア
セトフェノン ０・２２−ナツトアルデ
ヒド ０．１水を加えて１リツトル
となした。
実施例 ９
２価の錫（ヒドロキシェタンスルホン酸第−錫として添
加）１８ ２価の鉛（ヒドロキシェタンスルホン酸第−鉛として添
加） ８ 遊離とドロキシエタンスルホン＃ １２０エ
トミーン Ｓ／２０（ステアリルアミンとエチレンオキ
サイドとの縮合物） ４ジメチルベンジルラウリル
アンモニウムメタンスルホン酸塩
８アクリルアミド ８
４（ヒドロキシ−８−メトキシフェニル）−８−ブテン
−２−オン ０．４水を加え
て１リツトルとなした。
加）１８ ２価の鉛（ヒドロキシェタンスルホン酸第−鉛として添
加） ８ 遊離とドロキシエタンスルホン＃ １２０エ
トミーン Ｓ／２０（ステアリルアミンとエチレンオキ
サイドとの縮合物） ４ジメチルベンジルラウリル
アンモニウムメタンスルホン酸塩
８アクリルアミド ８
４（ヒドロキシ−８−メトキシフェニル）−８−ブテン
−２−オン ０．４水を加え
て１リツトルとなした。
実施例１０
２価の錫（メタンスルホン酸第−錫
として添加）２０
遊離メタンスルホン酸 １００トラ
イトン Ｎ−１０１（エト〜キシル化ノニルフェノール
） ８ ミラノールＨ８（Ｍｉｒａｎｏｌ Ｈ８）（スルフォン
化ラウリン酸誘導体の ナトリウム塩） Ｓクロトン酸
２４−（ピリジル−
２−）−８−ブテン−２−オン ０．８水を加えて１
リツトルとなした。
イトン Ｎ−１０１（エト〜キシル化ノニルフェノール
） ８ ミラノールＨ８（Ｍｉｒａｎｏｌ Ｈ８）（スルフォン
化ラウリン酸誘導体の ナトリウム塩） Ｓクロトン酸
２４−（ピリジル−
２−）−８−ブテン−２−オン ０．８水を加えて１
リツトルとなした。
実施例１１
２価の錫（ヒドロキシブａビルスルホン酸第−錫として
添加） １８２１１［ｆｉの鉛（ヒドロキ
シプロピルスルホン酸第−鉛として添加）
Ｂ 遊離ヒドロキラプロパンスルホン酸 、１２０ブリミノ
ツクスＲ−１５（ＰｒｉｍｉｎＯＸＲ−１５）（エトキ
シル化第三級アミン） １０エチルアクリレ
ート １２−チオフェニルカル
ボキシアルデヒド ０．２水を加えて１リツト
ルとなした。
添加） １８２１１［ｆｉの鉛（ヒドロキ
シプロピルスルホン酸第−鉛として添加）
Ｂ 遊離ヒドロキラプロパンスルホン酸 、１２０ブリミノ
ツクスＲ−１５（ＰｒｉｍｉｎＯＸＲ−１５）（エトキ
シル化第三級アミン） １０エチルアクリレ
ート １２−チオフェニルカル
ボキシアルデヒド ０．２水を加えて１リツト
ルとなした。
実施例１２
２価の錫（メタンスルホン！１１２第一錫として添加）
１８ ２価の鉛（メタンスルホン酸第−鉛 として添加） ８ ＴＤＧ−１２９０（メルカプトエタノールとエチレンオ
キサイドとの縮合物）２ エトフアツト Ｏ−２０（Ｅｔｈｏｆａｔ、 ０−２０
）（脂肪酸のエチレンオキサイ１縮合物） ｌパラ
アルデヒド ８８−ピリジン
カルボキシアルデヒド ０．４水を加えて１リツ
トルとなした。
１８ ２価の鉛（メタンスルホン酸第−鉛 として添加） ８ ＴＤＧ−１２９０（メルカプトエタノールとエチレンオ
キサイドとの縮合物）２ エトフアツト Ｏ−２０（Ｅｔｈｏｆａｔ、 ０−２０
）（脂肪酸のエチレンオキサイ１縮合物） ｌパラ
アルデヒド ８８−ピリジン
カルボキシアルデヒド ０．４水を加えて１リツ
トルとなした。
錫および錫−鉛めつぎにおける本発明のめつき浴の有用
性を、陽極として錫または錫−鉛合金（錫／鉛＝６０／
４０）を用いて標準′２６りｄハルセル中でめっき試験
を行なうことにより実証した。
性を、陽極として錫または錫−鉛合金（錫／鉛＝６０／
４０）を用いて標準′２６りｄハルセル中でめっき試験
を行なうことにより実証した。
鋼製パネルを２アンペアの電流で５分間めっきした。浴
の機械的攪拌を採用し、浴温度は約２０℃乃至約２５℃
忙維持した。めっき試験の結果を次表に集約する。
の機械的攪拌を採用し、浴温度は約２０℃乃至約２５℃
忙維持した。めっき試験の結果を次表に集約する。
ｌ Ｓｎ 良好２
Ｓｎ 極めて良好８ ９０
／１０ 良好４ ９０／１０
良好５ ９０／１０
普通６ ９０／１０ 良好？
６０／４０ 普通８ ６０
／４０ 良好９ ９０／１０
良好１０ Ｓｎ
普通１１ ９０／１０ 良好１２
９０／１０ 良好傘極めて良好
−ハルセル・パネルの殆どに亘り光輝性ある電ぽ。
Ｓｎ 極めて良好８ ９０
／１０ 良好４ ９０／１０
良好５ ９０／１０
普通６ ９０／１０ 良好？
６０／４０ 普通８ ６０
／４０ 良好９ ９０／１０
良好１０ Ｓｎ
普通１１ ９０／１０ 良好１２
９０／１０ 良好傘極めて良好
−ハルセル・パネルの殆どに亘り光輝性ある電ぽ。
良好−鑞着の殆どは光沢あるも、成る
電流密度において着干曇りがあ
る。
普通−破着は制限電流密度に亘って半
光沢乃至光沢。
実際上は、光沢剤組成物を含有する改良された本発明の
錫、鉛、および錫−鉛合金めっき浴は連続的忙或いは間
歇的に操業することができ、また、随時に浴成分を補光
しなければならない。各種成分は必要に応じて個別に添
加してもよ（または幾つかを組合わせて添加してもよい
。めっき浴に添加する種々の添加組成物の量は、組成物
が添加されるめっき浴の性質および性能により広範囲に
旺って変わる怜であろう。かかる量は当業者が容鵬に決
定し得る。
錫、鉛、および錫−鉛合金めっき浴は連続的忙或いは間
歇的に操業することができ、また、随時に浴成分を補光
しなければならない。各種成分は必要に応じて個別に添
加してもよ（または幾つかを組合わせて添加してもよい
。めっき浴に添加する種々の添加組成物の量は、組成物
が添加されるめっき浴の性質および性能により広範囲に
旺って変わる怜であろう。かかる量は当業者が容鵬に決
定し得る。
上述の如（、本発明のめつき浴の大きい利点は、フッ化
物またはフッ化ホウ素酸塩を全く含有せず、これらの宅
ましからざるイオンの回収および処分の必要性を解消す
ることである。フッ化物およびフッ化ホウ素酸塩は、廃
棄処分によって生ずる環境汚染問題のため、更忙はめつ
ぎ浴中に存在する際の腐蝕性の故に望ましくない。フッ
化物或いはフッ化ホウ素酸塩を含有しない本発明のめつ
ぎ浴は、機械やガラス部品忙対して腐蝕性が少な（、ま
たチタンまたはチタン合金の陽極バスケットの使用が可
能となる。また本発明のめつき浴において陽極溶解は改
善され、その結果、陽極分極が少なくなり浴中の錫酸塩
状の錫の量が減少することが観察された。
物またはフッ化ホウ素酸塩を全く含有せず、これらの宅
ましからざるイオンの回収および処分の必要性を解消す
ることである。フッ化物およびフッ化ホウ素酸塩は、廃
棄処分によって生ずる環境汚染問題のため、更忙はめつ
ぎ浴中に存在する際の腐蝕性の故に望ましくない。フッ
化物或いはフッ化ホウ素酸塩を含有しない本発明のめつ
ぎ浴は、機械やガラス部品忙対して腐蝕性が少な（、ま
たチタンまたはチタン合金の陽極バスケットの使用が可
能となる。また本発明のめつき浴において陽極溶解は改
善され、その結果、陽極分極が少なくなり浴中の錫酸塩
状の錫の量が減少することが観察された。
本発明のめつき浴から鑞着した被覆は電子回路。
電子デバイス、電気的コネクターに有用である。
錫、鉛および錫−鉛合金の夛ｒｆＵ層は腐蝕防止用の保
傾層として、或いは印刷回路または集積回路の製作にお
けるパターン作成手順に使用することができる。またこ
の被覆は、プリント配線板等の鑞着のための化学的に安
定な表面を提供する。
傾層として、或いは印刷回路または集積回路の製作にお
けるパターン作成手順に使用することができる。またこ
の被覆は、プリント配線板等の鑞着のための化学的に安
定な表面を提供する。
本発明を、その属する技術分野における熟練者が再現し
実施し得るように党全、明瞭、簡潔且つ正確な用語な以
って最も良（説明し、また本発明の実施について意図し
た最良の態様を述べたが、上に特定して記載した本発明
の具体例の各部分に対する均等条件または置換は、本発
明の範囲並びに発明思想を逸脱することなく行ない得る
ことを理解すべきである。
実施し得るように党全、明瞭、簡潔且つ正確な用語な以
って最も良（説明し、また本発明の実施について意図し
た最良の態様を述べたが、上に特定して記載した本発明
の具体例の各部分に対する均等条件または置換は、本発
明の範囲並びに発明思想を逸脱することなく行ない得る
ことを理解すべきである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（Ａ）第一錫塩、鉛塩および第一錫塩と鉛塩との混
合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の浴可溶性
金属塩と、 （Ｂ）少なくとも１種のアルカンスルホン酸またはアル
カノールスルホン酸と、 （Ｃ）少なくとも１種の非イオン、カチオンまたは両性
の界面活性剤と、 （Ｄ）芳香族アルデヒド、アセトフェノン、および一般
式 Ａｒ−Ｃ（Ｈ）＝Ｏ（Ｈ）−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ＿３（III
）〔式中、Ａｒはフェニル、ナフチル、ピリジル、チオ
フェニルまたはフリル基を示す〕 を有するカルボニル化合物とよりなる群から選ばれる少
なくとも１種の第一次光沢剤の有効量と、 （Ｅ）低級脂肪族アルデヒドと次式 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔式中、Ｒ＿１はカルボキシ、カルボキシアミド、アル
カリ金属カルボン酸塩、アンモ ニウムカルボン酸塩、アミンカルボン酸 塩、またはアリルカルボン酸塩であり、 またＲ＿２、Ｒ＿３およびＲ＿４はそれぞれ独立に水素
または低級アルキル基を示す〕 で表わされる置換オレフィンとよりなる群から選ばれる
第二次光沢剤の有効量と を含んでなり、フッ化物またはフッ化ホウ素酸塩を含ま
ず、錫、鉛または錫−鉛合金の電気めっきに用いること
を特徴とする水性めっき浴。 ２、浴可溶性金属塩（Ａ）が少なくとも１種のアルカン
スルホン酸またはアルカノールスルホン酸およびそれら
の混合物の塩を含んでなる特許請求の範囲第１項記載の
水性めっき浴。 ３、アルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸
が次式、 ＲＳＯ＿３Ｈ（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 上記各式中、Ｒは１個乃至１２個の炭素 原子を含む脂肪族の基を示し、ｎは０乃 至約１０、ｍは１乃至約１１であり、 ｍ＋ｎの和は約１２迄である を有するものである特許請求の範囲第１項記載の水性め
っき浴。 ４、第一次光沢剤がナフトアルデヒドである特許請求の
範囲第１項記載の水性めっき浴。 ５、第一次光沢剤がベンジリジンアセトンである特許請
求の範囲第１項記載の水性めっき浴。 ６、第二次光沢剤が低級脂肪族アルデヒドである特許請
求の範囲第１項記載の水性めっき浴。 ７、第二次光沢剤が式（IV）の置換オレフィンであり、
同式中、Ｒ＿１はカルボキシ基、Ｒ＿２、Ｒ＿３および
Ｒ＿４はそれぞれ独立に水素または低級アルキル基であ
る特許請求の範囲第１項記載の水性めっき浴。 ８、フッ化物およびフッ化ホウ素酸塩を含まず、（Ａ）
少なくとも１種の第一錫イオン、鉛イオンまたは第一錫
イオンと鉛イオンとの混合物を１リットル当り約０．５
乃至約３５０グラムと、 （Ｂ）少なくとも１種の、一般式、 ＲＳＯ＿３Ｈ（ I ） を有するアルカンスルホン酸、または一般式、▲数式、
化学式、表等があります▼（II） で表わされるアルカノールスルホン酸、 〔上式中、Ｒは１個乃至約６個の炭素原子 を含む脂肪族の基を示し、ｎは０乃至約 １０、ｍは１乃至約１１であり、ｍ＋ｎ の和は約１２までである〕 を１リットル当り約１０乃至約３５０グラムと、 （Ｃ）少なくとも１種の非イオン、カチオンまたは両性
の界面活性剤を１リットル当り約 ０．０１乃至約５０グラムと、 （Ｄ）ナフトアルデヒドと一般式、 Ａｒ−Ｃ（Ｈ）＝Ｃ（Ｈ）−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ＿３（III
）〔上式中、Ａｒはフェニル、ナフチル、ピリジル、チ
オフェニルまたはフリル基を示 す、〕 を有するカルボニル化合物とよりなる群から選ばれる少
なくとも１種の第一次光沢剤の有効量と、 （Ｅ）低級脂肪族アルデヒドと、次式、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔上式中、 Ｒ＿１はカルボキシ、カルボキシアミド、 アルカリ金属カルボン酸塩、アンモニウ ムカルボン酸塩、アミンカルボン酸塩、 またはアリルカルボン酸塩であり、 Ｒ＿２、Ｒ＿３およびＲ＿４はそれぞれ独立に水素また
は低級アルキル基を示す、〕 で表わされる置換オレフィンとよりなる群から選ばれる
第二次光沢剤の有効量と を含んでなり、錫、鉛または錫−鉛合金の電着用である
ことを特徴とする水性めっき浴。 ９、第一次光沢剤が、１リットル当り約０．０５乃至約
５グラムの量で存在する特許請求の範囲第８項記載の水
性めっき浴。 １０、第二次光沢剤が、１リットル当り約０．１乃至約
２０グラムの量で存在する特許請求の範囲第８項記載の
水性めっき浴。 １１、第一次光沢剤がナフトアルデヒドである特許請求
の範囲第８項記載の水性めっき浴。 １２、第二次光沢剤がベンジリジンアセトンである特許
請求の範囲第８項記載の水性めっき浴。 １３、第二次光沢剤が低級脂肪族アルデヒドである特許
請求の範囲第８項記載の水性めっき浴。 １４、第二次光沢剤が式（IV）で表わされる少なくとも
１種の置換オレフィンであり、式中のＲ＿１がカルボキ
シ基、Ｒ＿２、Ｒ＿３およびＲ＿４はそれぞれ独立に水
素または低級アルキル基である特許請求の範囲第８項記
載の水性めっき浴。 １５、（Ａ）第一錫塩、鉛塩および第一錫塩と鉛塩との
混合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の浴可溶
性金属塩と、 （Ｂ）少なくとも１種のアルカンスルホン酸またはアル
カノールスルホン酸と、 （Ｃ）少なくとも１種の非イオン、カチオンまたは両性
の界面活性剤と、 （Ｄ）芳香族アルデヒド、アセトフェノン、および一般
式、 Ａｒ−Ｃ（Ｈ）＝Ｃ（Ｈ）−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ＿３（III
）〔式中、Ａｒはフェニル、ナフチル、ピリジル、チオ
フェニルまたはフリル基を示す、〕を有するカルボニル
化合物とよりなる群から選ばれる少なくとも１種の第一
次光沢剤の有効量と、 （Ｅ）低級脂肪族アルデヒドと次式、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔式中、Ｒ＿１はカルボキシ、カルボキシアミド、アル
カリ金属カルボン酸塩、アンモ ニウムカルボン酸塩、アミンカルボン酸 塩、またはアリルカルボン酸塩であり、ま たＲ＿２、Ｒ＿３およびＲ＿４はそれぞれ独立に水素ま
たは低級アルキル基を示す〕 で表わされる置換オレフィンとよりなる群から選ばれる
第二次光沢剤の有効量と を含んでなり、フッ化物またはフッ化ホウ素酸塩を含ま
ない水性めっき浴中で基体に電気めっきを施し、該基体
上に光沢のある錫、鉛または錫−鉛合金を電着すること
を特徴とするめっき方法。 １６、フッ化物およびフッ化ホウ素酸塩を含まず、（Ａ
）少なくとも１種の第一錫イオン、鉛イオンまたは第一
錫イオンと鉛イオンとの混合物を１リットル当り約０．
５乃至約３５０グラムと、 （Ｂ）少なくとも１種の、一般式、 ＲＳＯ＿３Ｈ（ I ） を有するアルカンスルホン酸、または一般式、▲数式、
化学式、表等があります▼（II） で表わされるアルカノールスルホン酸、 上式中、Ｒは１個乃至約６個の炭素原子 を含む脂肪族の基を示し、ｎは０乃至約 １０、ｍは１乃至約１１であり、ｍ＋ｎ の相は約１２までである、 を１リットル当り約１０乃至約３５０グラムと、 （Ｃ）少なくとも１種の非イオン、カチオンまたは両性
イオン界面活性剤を１リットル当り約０．０１乃至約５
０グラムと、 （Ｄ）ナフトアルデヒドと一般式、 Ａｒ−Ｃ（Ｈ）＝Ｃ（Ｈ）−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ＿３（III
）〔上式中、Ａｒはフェニル、ナフチル、ピリジル、チ
オフェニルまたはフリル基を示 す、〕 を有するカルボニル化合物とよりなる群から選ばれる少
なくとも１種の第一次光沢剤の有効量と、 （Ｅ）低級脂肪族アルデヒドと、次式、 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔上式中、 Ｒ＿１はカルボキシ、カルボキシアミド、アルカリ金属
カルボン酸塩、アンモニウム カルボン酸塩、アミンカルボン酸塩、ま たはアリルカルボン酸塩であり、 Ｒ＿２、Ｒ＿３およびＲ＿４はそれぞれ独立に水素また
は低級アルキル基を示す、〕 で表わされる置換オレフィンとよりなる群から選ばれる
第二次光沢剤の有効量と を含んでなる水性めっき浴中で基体に電気めっきを施し
、該基体上に光沢のある錫、鉛または錫−鉛合金を電着
することを特徴とするめっき方法。 １７、第一次光沢剤がナフトアルデヒドである特許請求
の範囲第１６項記載のめっき方法。 １８、第二次光沢剤が低級脂肪族アルデヒドである特許
請求の範囲第１６項記載のめっき方法。 １９、第二次光沢剤が式（IV）で表わされる置換オレフ
ィンであり、式中のＲ＿１がカルボン酸またはそのエス
テルであり、Ｒ＿２、Ｒ＿３およびＲ＿４はそれぞれ独
立に水素または低級アルキル基である特許請求の範囲第
１７項記載のめっき方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US716260 | 1985-03-26 | ||
| US06/716,260 US4582576A (en) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | Plating bath and method for electroplating tin and/or lead |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61223193A true JPS61223193A (ja) | 1986-10-03 |
Family
ID=24877357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61009055A Pending JPS61223193A (ja) | 1985-03-26 | 1986-01-21 | 水性めつき浴およびそれによるめつき方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4582576A (ja) |
| EP (1) | EP0196232B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61223193A (ja) |
| CA (1) | CA1257220A (ja) |
| DE (1) | DE3682520D1 (ja) |
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- 1985-11-14 CA CA000495362A patent/CA1257220A/en not_active Expired
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- 1986-01-21 JP JP61009055A patent/JPS61223193A/ja active Pending
- 1986-03-26 EP EP86302269A patent/EP0196232B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-26 DE DE8686302269T patent/DE3682520D1/de not_active Expired - Fee Related
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| EP0196232B1 (en) | 1991-11-21 |
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