JPH09176863A - 水性無電解メッキ溶液 - Google Patents
水性無電解メッキ溶液Info
- Publication number
- JPH09176863A JPH09176863A JP8305369A JP30536996A JPH09176863A JP H09176863 A JPH09176863 A JP H09176863A JP 8305369 A JP8305369 A JP 8305369A JP 30536996 A JP30536996 A JP 30536996A JP H09176863 A JPH09176863 A JP H09176863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- plating solution
- salt
- aqueous electroless
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3473—Plating of solder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
Abstract
銅または銅合金のような金属表面の上に、スズ、鉛、ビ
スマス、インジウム、ガリウムおよびゲルマニウムから
なる群から選択され、1種またはそれ以上の金属を析出
するためのメッキ浴を提供すること。 【解決手段】 以下を含有する、水性無電解メッキ溶
液: (A)第一スズ塩、鉛塩、ビスマス塩、インジウム塩、ガ
リウム塩およびゲルマニウム塩から選択される、少なく
とも1種の溶液可溶性金属塩; (B)フルオロホウ酸、アルカンスルホン酸、アルカノー
ルスルホン酸およびそれらの混合物から選択される少な
くとも1種の酸; (C)式IIIのイミダゾール-2-チオン化合物である錯化
剤: AおよびBは-RY基、RはC12までのハイドロカルビ
レン基、Yは水素、ハロゲン、シアノ、ビニル、フェニ
ル、またはエーテル部分;および (D)水。
Description
電子回路要素に使用される銅または銅合金のような金属
表面の上に、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、ガリウ
ムおよびゲルマニウムからなる群から選択される1種ま
たはそれ以上の金属を析出するためのメッキ浴に関す
る。さらに詳細には本発明は、浸漬、噴霧、フラッド、
またはカスケード付与プロセスを用いる化学置換によ
る、上記の1種またはそれ以上の金属の銅、銅合金、お
よび他の金属の上への浸漬メッキに関する。よりさらに
詳細には、本発明は、このようなメッキ溶液のプリント
回路板の製造における使用に関する。
金のコーティングは、浸漬メッキ技術のような置換メッ
キによって銅および、銅ベース合金の表面に付与されて
いる。化学置換メッキは、プリント回路板(PCB)、特に
多層プリント基板の製造に使用される。プリント基板は
通常、片面または両面が銅のような金属導電層で被覆さ
れているガラス繊維/エポキシシートのような絶縁層ま
たは誘電層を備えている。プロセシング前のPCBの金属
層は、代表的には銅の連続層で、その層は基板の両面を
つなぐメッキされた貫通孔のパターンによって断続され
る。プロセシングの間、銅層の選択された部分が除去さ
れ、浮き出た銅回路のイメージパターンが作られる。部
分的に硬化されたB-状態の樹脂(すなわち、プリプレ
グ)のような誘電接着層と共に銅を含むようなイメージ
された導電層を、熱および圧力の両方を加えられること
によって接着する多層サンドイッチ構造に挟み込むこと
によって、多層PCBは代表的に組み立てられる。これら
の型のPCBの製造は「PrintedCircuits Handbook」第3
版、C.F.Coombs,Jr.編、McGraw-Hill、1988に記載さ
れ、本明細書中で参考として援用される。平滑な銅表面
の導電層はプリプレグ材にはあまり接着しないので銅表
面処理は多層PCBのサンドイッチの層間の結合力を増
やすように開発されている。銅の表面処理の一例はHolt
zmanら(米国特許4,715,894号)に開示されているよう
に、多層の回路への接着媒体として、スズ、およびスズ
合金の浸漬を使用する。この特許では、ラミネートする
前に浸漬プロセスによってスズと各PCBの銅表面を置換
メッキし多層基板を形成するために、チオ尿素化合物ま
たは尿素化合物を含有する浸漬スズ組成物を開示してい
る。
キ、さらに詳細にはイミダゾール-2-チオン化合物であ
る錯化剤の使用について記載している。この錯化剤は先
行技術で記載されているチオ尿素の代わりに利用され
る。より詳細には米国特許第5,196,053号は、基板金属
表面を他の金属で置換メッキするための水性メッキ溶液
を記載しており、そのメッキ溶液は以下を含有する (i)フリー金属(free metal)の金属イオン、ここ
で、フリー金属は基板表面の金属とは異なる; (ii)イミダゾール-2-チオン化合物である錯化剤;お
よび (iii)酸 使用され得る酸はイオウ、リン、ハロゲン、またはそれ
らの混合物をベースにした有機酸および無機酸を包含す
る。イオウベースの鉱酸が好ましく、これらの例として
は、硫酸およびスルファミン酸が挙げられる。硫酸およ
び次亜リン酸の混合物が特に好ましい。使用され得る有
機酸の例としては、約6個までの炭素原子を有するモノ
カルボキシル酸またはジカルボキシル酸が挙げられ、例
えばギ酸、酢酸、リンゴ酸、マレイン酸などがある。
金上にスズ/鉛浸漬メッキするためのメッキ浴に関す
る。スズと鉛に加えて、これらの浴は、アルカンスルホ
ン酸またはヒドロキシアルカンスルホン酸のような有機
スルホ化合物、およびチオ尿素を含有している。フルオ
ロホウ酸塩もまたこれらのメッキ溶液に含有され得る。
または種々の電子回路要素に使用される銅または銅合金
のような金属表面の上に、スズ、鉛、ビスマス、インジ
ウム、ガリウムおよびゲルマニウムからなる群から選択
され、1種またはそれ以上の金属を析出するためのメッ
キ浴を提供することである。
キ溶液は、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、ガリウム
およびゲルマニウムからなる群から選択される1種また
はそれ以上の金属を金属表面上に析出させるための水性
無電解メッキ溶液であって、以下を含有する: (A)第一スズ塩、鉛塩、ビスマス塩、インジウム塩、ガ
リウム塩およびゲルマニウム塩からなる群から選択され
る、少なくとも1種の溶液可溶性金属塩; (B)フルオロホウ酸、アルカンスルホン酸、アルカノー
ルスルホン酸およびそれらの混合物からなる群から選択
される少なくとも1種の酸; (C)式IIIのイミダゾール-2-チオン化合物である錯化
剤:
Y基であり、Rは12個までの炭素原子を含有する直鎖、
分枝または環状のハイドロカルビレン基であり、そして
Yは水素、ハロゲン、シアノ、ビニル、フェニル、また
はエーテル部分である;および (D)水。
以下の式で表されるアルカンスルホン酸である: RSO3H (I) ここで、Rは、1個〜約12個の炭素原子を含有するアル
キル基、または以下の式で表されるアルカノールスルホ
ン酸である: CnH2n+1CH(OH)(CH2)m-SO3H (II) ここで、nは0から約10であり、mは1から約11であ
り、そしてn+mの合計は1から約12である。
のアルカンスルホン酸である。
ルカンスルホン酸およびフルオロホウ酸の混合物であ
る。
タンスルホン酸である。
は式IIIにより特徴づけられ、ここでAはメチルまたは
エチルであり、そしてBはC3-6アルキルまたはシクロ
アルキル基である。
は1-メチル-3-プロピルイミダゾール-2-チオンである。
メッキ溶液は、実質的にチオ尿素がない。
銅表面または銅合金表面である。
(A)は第一スズ塩である。
(A)は第一スズ塩および鉛塩の混合物である。
(A)は第一スズ塩およびビスマス塩の混合物を含む。
(A)はアルカンスルホン酸の第一スズ塩である。
鉛およびビスマスからなる群から選択される1種または
それ以上の金属を金属表面上に析出するための水性無電
解浸漬メッキ溶液であって、以下を含有する: (A)第一スズ塩、鉛塩およびビスマス塩からなる群から
選択される、少なくとも1種の溶液可溶性金属塩; (B)フルオロホウ酸およびアルカンスルホン酸からなる
群から選択される少なくとも1種の酸; (C)式IIIにより特徴づけられる錯化剤:
そしてBはC3-6のアルキルまたはシクロアルキル基で
ある;および (D)水。
塩(A)はアルカンスルホン酸の塩である。
カンスルホン酸は、以下の式により特徴づけられる: RSO3H (I) ここで、Rは1個〜約12個の炭素原子を含有するアルキ
ル基である。
フルオロホウ酸およびアルカンスルホン酸の混合物を含
有する。
は、1-メチル-3-プロピルイミダゾール-2-チオンであ
る。
は、銅表面または銅合金表面である。
メッキ溶液は、実質的にチオ尿素がない。
ズ、鉛およびビスマスからなる群から選択される1種ま
たはそれ以上の金属を金属表面上に析出するための水性
無電解浸漬メッキ溶液であって、以下のものを含有す
る: (A)1リッターあたり約1〜約70グラムの、スズ、鉛お
よびビスマスからなる群から選択される1種またはそれ
以上の金属; (B)1リッターあたり約20〜約400グラムの、フルオロホ
ウ酸、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、
およびそれらの混合物からなる群から選択される少なく
とも1種の酸 (C)1リッターあたり約5〜約100グラムの式IIIの錯化
剤であって、該錯化剤がイミダゾール-2-チオン化合物
である錯化剤
Y基であり、ここでRは12個までの炭素原子を含有する
直鎖、分枝または環状のハイドロカルビレン基であり、
そしてYは水素、ハロゲン、シアノ、ビニル、フェニ
ル、またはエーテル部分である;および (D)水。
ン、カチオン、アニオンまたは両性イオンの界面活性剤
からなる群から選択される少なくとも1種の界面活性剤
もまた含有する。
鉛、ビスマス、インジウム、ガリウムおよびゲルマニウ
ムからなる群から選択される1種またはそれ以上の金属
でメッキされた金属表面であって、上記の水性無電解浸
漬メッキ溶液で金属表面を浸漬メッキすることにより、
メッキされた金属表面である。
鉛およびビスマスからなる群から選択される1種または
それ以上の金属でメッキされた金属表面であって、上記
の水性無電解浸漬メッキ溶液で金属表面を浸漬メッキす
ることによりメッキされた金属表面である。
ム、ガリウムおよびゲルマニウムからなる群から選択さ
れる1種またはそれ以上の金属は、以下の(A)〜(D)を含
有する水性無電解メッキ溶液を利用して、金属表面上に
析出され得ることが見出された: (A)第一スズ塩、鉛塩、ビスマス塩、インジウム塩、ガ
リウム塩およびゲルマニウム塩からなる群から選択され
る、少なくとも1種の溶液可溶性金属塩; (B)フルオロホウ酸、アルカンスルホン酸、アルカノー
ルスルホン酸、およびまたはそれらの混合物からなる群
から選択される少なくとも1種の酸; (C)式IIIのイミダゾール-2-チオン化合物である錯化
剤:
Y基であり、ここでRは12個までの炭素原子を含有する
直鎖、分枝または環状のハイドロカルビレン基であり、
そしてYは水素、ハロゲン、シアノ、ビニル、フェニ
ル、またはエーテル部分である;および (D)水。
はそれ以上の界面活性剤を含有し得る。
ス、インジウム、ガリウムおよびゲルマニウムから選択
される1種またはそれ以上の金属を含有する。従って、
このメッキ浴は、スズまたは鉛、ビスマス、インジウ
ム、ガリウムおよびゲルマニウム、またはスズ/鉛、ス
ズ/ビスマス、スズ/インジウム、鉛/ビスマス、スズ
/ゲルマニウム、インジウム/ガリウム、スズ/鉛/ビ
スマス、スズ/ガリウム/ゲルマニウムなどのような金
属の混合物を含有し得る。金属は、メッキ浴中で水溶性
の塩としては、酸化物、硝酸塩、ハロゲン化物、酢酸
塩、フルオロホウ酸塩、フルオロケイ酸塩、アルカンス
ルホン酸塩およびアルカノールスルホン酸塩が含まれる
水溶性の塩として存在する。好ましい実施態様におい
て、金属塩のアニオンは、メッキ浴中で使用される酸の
アニオンに相当する。例えば、フルオロホウ酸が酸とし
て使用されている場合は、塩は、例えば、フルオロホウ
酸第一スズ、フルオロホウ酸鉛、フルオロホウ酸ビスマ
ス、フルオロホウ酸インジウム、フルオロホウ酸ガリウ
ムおよびフルオロホウ酸ゲルマニウムであり得る。浴で
使用される酸がアルカンまたはアルカノールスルホン酸
である場合、可溶性金属塩は、例えば、メタルスルホン
酸スズ、メタルスルホン酸鉛、メタルスルホン酸ビスマ
ス、メタルスルホン酸インジウムなどであり得る。
ム、ゲルマニウムまたはそれらの金属の混合物の量は、
溶液1リットルあたりの金属が約1gから約75gまでま
たはさらに100gまでのように、広い範囲にわたって変
化し得る。好ましい実施様態において、好ましい範囲
は、溶液1リットルあたりの金属が約5gから約50gで
あり、さらに多くの場合において約6gから約25gであ
る。より高含量の金属がメッキ溶液中に含有され得る
が、経済的な面から金属の含量は低く保持されることが
指示される。
フルオロホウ酸、アルカンスルホン酸、アルカノールス
ルホン酸、およびそれらの混合物からなる群から選択さ
れる少なくとも1種の酸である。溶液に含まれる酸の量
は、溶液1リットルあたり約20gから約400gの酸まで
変化し得る。さらに多くの場合、メッキ溶液は溶液1リ
ットルあたり約80gから約150gの酸を含有する。約0
から約3のpH、さらに多くの場合約0から約2のpH溶液
を与えるに十分な酸が水性メッキ溶液に存在している。
一般に、金属の酸性塩に共通のアニオンを有する酸を使
用することが望ましい。
して本発明に有用なアルカンスルホン酸は、以下の式I
によって表され得る: RSO3H (I) ここで、Rは約1個から約12個までの炭素原子、さらに
好ましくは約1個から6個までの炭素原子を有するアル
キル基である。このようなアルカンスルホン酸の例とし
ては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、
プロパンスルホン酸、2-プロパンスルホン酸、ブタン
スルホン酸、2−ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン
酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカン
スルホン酸が挙げられる。個々のアルカンスルホン酸の
ビスマス塩または上記のアルカンスルホン酸の任意の混
合物が本発明のメッキ浴で利用され得る。
表され得る: CnH2n+1-CH(OH)-(CH2)m-SO3H (II) ここでnは0から約10、mは1から約11であり、そして
m+nの合計が1から約12である。上記の式IIから理解
され得るように、水酸基は末端または内部の水酸基であ
り得る。有用なアルカノールスルホン酸の例としては、
以下が挙げられる:2-ヒドロキシエチル-1-スルホン
酸、1-ヒドロキシプロピル-2-スルホン酸、2-ヒドロキ
シプロピル-1-スルホン酸、3-ヒドロキシプロピル-1-ス
ルホン酸、2-ヒドロキシブチル-1-スルホン酸、4-ヒド
ロキシブチル-1-スルホン酸、2-ヒドロキシペンチル-1-
スルホン酸、4-ヒドロキシペンチル-1-スルホン酸、2-
ヒドロキシヘキシル-1-スルホン酸、2-ヒドロキシデシ
ル-1-スルホン酸、2-ヒドロキシドデシル-1-スルホン
酸。
ルホン酸は市販され入手可能であり、そして当該分野で
公知の種々の方法によって、調製されうる。1つの方法
としては式R1SnR2を有するメルカプタンまたは脂肪族硫
化物の触媒的酸化が挙げられ、ここでR1またはR2はア
ルキル基であり、そしてnは1と6との間の正の整数で
ある。空気または酸素は酸化剤として使用され得、そし
て種々の窒素酸化物が触媒として使用され得る。酸化は
一般に約150℃未満の温度で行われる。このような酸化
プロセスは米国特許第2,433,395号および2,433,396号に
記載されており、特許請求の範囲とされている。あるい
は、塩素が酸化剤として使用され得る。このような酸の
金属塩は、例えば、アルカンまたはアルカノールスルホ
ン酸の熱い濃水溶液に金属酸化物を溶解することにより
調製される。上記の酸の任意の混合物が使用され得、そ
して、有用な混合物の例は、フルオロホウ酸とメタンス
ルホン酸との混合物である。
は(C)式IIIのイミダゾール-2-チオン化合物である錯化
剤である:
-RY基であり、ここでRは12個までの炭素を有する直
鎖、分枝または環状のヒドロカルビレン基であり、そし
てYは水素、ハロゲン、シアノ、ビニル、フェニル、ま
たはエーテル部分である。1つの実施態様において、錯
化剤は、1,3-ジアルキルイミダゾール-2-チオン化合物
(ここで、AおよびBはそれぞれ独立してアルキル基ま
たはシクロアルキル基である)であり、そしてチオン化
合物は、非対称(AおよびBが異なる)または対称(A
およびBが同じ)であり得る。好ましくは、錯化剤は、
例えばAがメチルまたはエチルであり、そしてBが3個
から6個の炭素原子を含有するアルキルまたはシクロア
ルキル基のような非対称である。好ましくは、Aがメチ
ルのとき、BはC3-C6アルキルまたはシクロアルキル
基であり、そしてAがエチルのとき、BはC4-C6アル
キルまたはシクロアルキル基である。非対称の化合物の
例は、1-メチル-3-プロピルイミダゾール-2-チオンであ
る。
ダゾール-2-チオン化合物も本発明のメッキ溶液に利用
し得、そしてジアルキル基は1個から6個までの炭素原
子を含有する同じアルキル基またはシクロアルキル基で
ある。このクラスの錯化剤の例は、1,3-ジメチルイミダ
ゾール-2-チオンである。
量は、1リットルあたり約5gからメッキ溶液における
錯化剤の溶解限界までの範囲に及び得る。一般にメッキ
溶液は、1リットルあたり約5gから約100gの錯化
剤、さらに多くの場合1リットルあたり約40gから約80
gの錯化剤を含有する。錯化剤の溶解性が低い場合には
共溶媒が添加されて、錯化剤を溶解し得、それにより得
られた溶液の活性を高められ得る。適切な共溶媒として
は、アルコール(例えば、エタノール)、グリコール(例
えば、エチレングリコール)、アルコキシアルカノール
(2-ブトキシエタノール)、ケトン(例えば、アセトン)、
非プロトン性溶媒(例えば、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド、アセトニトリルなど)などのよう
な水混和性溶媒が挙げられる。
(A)、酸(B)および錯化剤(C)の各々と相溶性のある1種
またはそれ以上の界面活性剤を必要に応じて含有するこ
とは発明の範囲内である。本発明のメッキ浴は、少なく
とも1種の界面活性剤を浴の1リットルあたり約0.01g
から約100g、さらに好ましくは浴の1リットルあたり
約0.05gから約20gの濃度で必要に応じて含有し得る。
上記のように、界面活性剤は、両性、非イオン性、カチ
オン性、またはアニオン性の界面活性剤を包含する少な
くとも1種の界面活性剤、あるいはそれらの混合物であ
り得る。さらに多くの場合、界面活性剤は少なくとも1
種のカチオン性またはアニオン性界面活性剤、あるいは
それらの混合物である。好ましくは、非イオン性界面活
性剤である。
面活性剤は、エチレンオキシドおよび/またはプロピレ
ンオキシドと水酸基、メルカプト基または少なくとも1
つのN-Hを含有するアミノ基を含む化合物との縮合生成
物である。水酸基を含有する物質の例としては、アルキ
ルフェノール、スチレン化フェノール、脂肪族アルコー
ル、脂肪酸、ポリアルキレングリコールなどが挙げられ
る。アミノ基を含有する物質の例としては、アルキルア
ミンおよびポリアミン、脂肪酸アミンなどが挙げられ
る。
活性剤の例としては、式IVを有する界面活性剤を含有す
るエーテルが挙げられる: R-O-[(CH2)nO]XH (IV) ここで、Rは約6個から20個の炭素原子を含有するアリ
ールまたはアルキル基であり、nは2または3であり、
そしてxは2と100との間の整数である。このような界
面活性剤は、脂肪酸アルコールあるいはアルキルまたは
アルコキシ置換フェノールあるいはナフトールを過剰の
エチレンオキシドまたはプロピレンオキシドで処理する
ことにより一般に生成される。アルキル炭素鎖は、約14
から24の炭素原子を含み得、そしてオレイルアルコール
またはステアリルアルコールのような長鎖脂肪族アルコ
ールから誘導され得る。
ン化合物は、米国特許3,855,085号に記載されている。
このようなポリオキシエチレン化合物は、一般商品名
「Surfynol」でAir Products and Chemicals,Inc. of W
ayne,Pa.より、商品名「Pluronic」または「Tetronic」
でBASF Wyandotte Corp.of Wyandotte,Mich.により、そ
して商品名「Surfonic」でHuntsmern Corporation of H
ouston,Texasより市販されている。本発明で有用な特定
のポリオキシエチレン縮合生成物の例としては、約10mo
lのエチレンオキシドと1molのテトラメチルデシンジオ
ールとの反応によって得られる生成物である「Surfynol
465」が挙げられる。「Surfynol 485」は、30molのエ
チレンオキシドとテトラメチルデシンジオールとの反応
により得られる生成物である。「Pluronic L 35」は、2
2molのエチレンオキシドと16molのプロピレンオキシド
の縮合により得られるポリプロピレングリコールとの反
応により得られる生成物である。Surfonic N-150はエト
キシ化アルキルフェノールである。
鎖脂肪族アミン、長鎖脂肪酸、アルカノールアミン、ジ
アミン、アミド、アルカノールアミドおよびポリグリコ
ール型界面活性剤もまた有用である。浸漬浴に特に有用
と考えられるアミン界面活性剤の1つのタイプは、プロ
ピレンオキシドとエチレンオキシドの混合物をジアミン
に添加することによって得られるグループである。さら
に詳細には、プロピレンオキシドをエチレンジアミンに
添加し、続いてエチレンオキシドを添加することによっ
て形成される化合物が有用であり、BASF Wyandotte,In
d.Chemical Groupから一般商品名「Tetronic」で市販さ
れている。
ールであるカーボワックス型界面活性剤もまた有用であ
る。例えば、カーボワックスNo.1000は、約950から1050
の範囲の分子量を有し、1分子あたり20から24のエトキ
シユニットを含む。カーボワックスNo.4000は、約3000
から3700の範囲の分子量を有し、1分子あたり68から85
のエトキシユニットを含む。市販の入手可能なポリアル
キレングリコールエーテルおよびメトキシポリエチレン
グリコールのような他の公知の非イオングリコール誘導
体も、本発明の組成物中の界面活性剤として利用し得
る。
た、有用な非イオン性界面活性剤である。これらの多く
は、Armak Ind.からの一般商品名「Ethofat」のように
市販されている。例としては、ココ酸(coco acid)、オ
レイン酸などの縮合物が挙げられる。脂肪酸アミド(例
えば、オレイン酸アミド(oleamide))のエチレンオキシ
ド縮合物もまたArmak Ind.から入手できる。
キル化グリコール、フェノールおよび/またはナフトー
ルが含まれている場合に改良された結果が得られる。例
えば、脂肪族アルコール、ソルビタンアルキルエステ
ル、アルキル、アルコキシおよびスチレン化フェノール
およびナフトールとのエチレンオキシドおよびプロピレ
ンオキシド縮合物は有用な添加剤である。約6から約40
molのオキシドは、上記と同一の化合物と縮合され得
る。これらの縮合物の多くは、例えば、商品名「Twee
n」でICI Americaから、「Triton」でRohm&Haas Co.か
ら、「Tergitol」でUnion Carbideから、「Igepal」でG
eneral Aniline and Firm Corpから市販されている。
性剤はまた、両性界面活性剤であり得る。好ましい両性
界面活性剤としては、ベタインおよびスルホベタイン、
ならびにエチレンオキシドおよび/またはプロピレンオ
キシドとアルキルアミンまたはジアミンとの縮合生成物
の硫酸化またスルホン化付加物が挙げられる。
チルアンモニウムベタインおよびステアリルジメチルア
ンモニウムベタインが挙げられる。硫酸化およびスルホ
ン化付加物としては、Triton QS-15(Rohm&Haas Co.)、
エトキシ化アルキルアミンの硫酸化付加物、Miranol H
S、スルホン化ラウリル酸誘導体のナトリウム塩、Miran
ol OS、スルホン化オレイン酸のナトリウム塩などが挙
げられる。カチオン性界面活性剤もまた、本発明のメッ
キ浴に有用であり、そしてこのような界面活性剤は、高
級アルキルアミン塩、4級アンモニウム塩、アルキルピ
リジニウム塩およびアルキルイミダゾリニウム塩からな
る群から選択され得る。
レンオキシドと1級脂肪族アミンとの縮合によって得ら
れるカチオン性界面活性剤は有用であり、そして以下の
式Vにより表され得る:
を含有する脂肪酸アルキル基であり、R1は約5個まで
の炭素原子を含有するアルキレン基であり、R2および
R3は、それぞれ独立して、エチレンまたはプロピレン
基であり、aは0または1であり、そしてx、yおよび
zは、それぞれ独立して1から約30の整数であり、そし
てx、yおよびzの合計は、約2から約50の整数であ
る。
アルコキシ化アミンは、式VIおよびVIIにより表され
る:
含有する脂肪酸アルキル基であり、そしてx、yおよび
zは式Vで定義した通りである。
で公知であり、そして種々の発売元から入手可能であ
る。式VIで表されるタイプの界面活性剤は、種々の量の
エチレンオキシドと1級脂肪族アミンとの縮合によって
調製され得、このアミンは、タロー(tallow)油、鯨油、
ココナッツ油などの加水分解により得られるような単一
のアミンまたはアミンの混合物であり得る。8個から22
個の炭素原子を含有する脂肪酸アミンの具体的な例とし
ては、飽和および不飽和の脂肪族アミンが挙げられ、例
えば、オクチルアミン、デシルアミン、ラウリルアミ
ン、ステアリルアミン、オレイルアミン、ミリスチルア
ミン、パルミチルアミン、ドデシルアミン、およびオク
タデシルアミンである。
ミンは、上記のように、アルキレンオキシドと上記の1
級アミンとを当業者に公知の技術で縮合することにより
調製され得る。このようなアルコキシ化アミンの多く
は、様々な発売元から市販されている。
ンオキシドと上記の1級アミンとを当業者に公知の技術
で縮合することで調製され得る。このようなアルコキシ
化アミンの多くが種々の発売元から市販されている。式
VIによって表されるタイプのアルコキシ化アミンはArma
k Chemical Division of Akzona,Inc.,Chicago,III.か
ら一般商品名「Ethomeen」で入手可能である。このよう
な製品の具体的な例としては、「Ethomeen C/15」(こ
れは約5molのエチレンオキシドを含有するココナッツ
脂肪族アミンのエチレンオキシド縮合物である)、「Et
homeen C/20」および「Ethomeen C/25」(これらもま
た、それぞれ約10molおよび15molのエチレンオキシドを
含有するココナッツ脂肪族アミンのエチレンオキシド縮
合物である)、「Ethomeen S/15」および「S/20」(こ
れらは、それぞれ、アミン1molあたり約5molおよび15
molのエチレンオキシドを含有するステアリルアミンと
のエチレンオキシド縮合物である)、および「Ethomeen
T/15」および「T/25」(これらは、それぞれ、アミン
1molあたり約5molおよび15molのエチレンオキシドを
含有するタローアミンのエチレンオキシド縮合物であ
る)である。式(V)によって表されるタイプのアルコキ
シ化アミンの市販入手可能な例としては、「Ethoduomee
n T/13」および「T/20」が挙げられ、これらは、それぞ
れ、ジアミン1molあたり約3molおよび10molの
エチレンオキシドを含有するN-タロートリメチレンジ
アミンのエチレンオキシド縮合物である。有用なカチオ
ン性界面活性剤の他のタイプは、式VIIIによって表され
る:
子を含有するアルキル基であり、Yはメチルまたは水酸
基であり、mおよびnは整数であり、その合計は約2か
ら約20である。
アミン界面活性剤は、より高いレベルのエトキシ化で非
イオンの性質が増加することにより、カチオン性および
非イオン性界面活性剤の両方の性質を示す。すなわち、
xとyの合計が増加するにつれて、エトキシ化アミン
は、非イオン性界面活性剤に似た性質を示す。
される界面活性剤は、Texaco Chemical Companyから商
品名「M-300 Series」として市販されている。一般にTe
xacoから入手でき、そして本発明の水性酸メッキ浴に有
用であることが見出されているM-300 Series化合物とし
ては、商品名M-302、M-305、M-310、M-315およびM-320
が挙げられ、それぞれ、2、5、10、15および20molの
エチレンオキシドを含む。これらのすべての化合物にお
いて、Rは10個および12個の炭素のアルキル基の混合物
である。
(c)、および(d)であり得る: (a)式IXの四級アンモニウム塩:
C1-5のアルカンスルホン酸の残基を表し;R1はアルキ
ル基を表し、R’およびR”はC1-4のアルキル基を表
し;そしてR'"はC1-10のアルキル基またはベンジル基
を表す; (b)一般式Xにより表されるピリジニウム塩:
C1-5のアルカンスルホン酸の残基を表し;R1はC8-20
のアルキル基を表し;そしてRaは水素またはC1-5のア
ルキル基を表す; (c)一般式XIにより表されるイミダゾリニウム塩:
C1-10のアルカンスルホン酸の残基を表し;R1は、C
8-20のアルキル基を表し;そしてRbはヒドロキシ含有
C1-4のアルキル基を表し、そして;R'"はC1-10のア
ルキル基またはベンジル基を表す;および (d)一般式XIIにより表される高級アミン塩: [R1−NH3](+)CH3−(CH2)n−COO(-) (XII) ここで、R1は、C8-20のアルキル基を表し;そしてn
は約0から約4である。
例は、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、セチルトリ
メチルアンモニウム塩、ステアリルトリメチルアンモニ
ウム塩、ラウリルジメチルエチルアンモニウム塩、オク
タデシルジメチルエチルアンモニウム塩、ジメチルベン
ジルラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジル
アンモニウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモ
ニウム塩、トリメチルベンジルアンモニウム塩、トリエ
チルベンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウ
ム塩、ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピコリニウム
塩、1-ヒドロキシエチル-1-ベンジル-2-ラウリルイミダ
ゾリニウム塩、1-ヒドロキシエチル-1-ベンジル-2-オレ
イルイミダゾリニウム塩、ステアリルアミンアセテー
ト、ラウリルアミンアセテート、およびオクタデシルア
ミンアセテートである。
であり得る。有用なアニオン性界面活性剤の例として
は、硫酸化アルキルアルコール、硫酸化低級エトキシ化
アルキルアルコール、およびアルカリ金属塩のようなそ
れらの塩が挙げられる。このような界面活性剤の例とし
ては、ラウリル硫酸ナトリウム(Duponol CまたはQC、D
uPont製)、ナトリウム混合長鎖アルコールスルフェート
(商品名Duponol WN、DuPont製)、オクチル硫酸ナトリウ
ム(商品名Sipex OLS、Alcolac,Ltd.製)、トリデシルエ
ーテル硫酸ナトリウム(Sipex EST)、ラウリルエーテル
硫酸ナトリウム(Sipon ES)、ラウリル硫酸マグネシウム
(Sipon LM)、ラウリル硫酸のアンモニウム塩(Sipon L-2
2)、ジエタノールアミノラウリル硫酸(Sipon LD)、ドデ
シルベンゼンスルホン酸ナトリウム(Siponate DS)など
が挙げられる。
たは溶液中の置換された金属を保持するのに有用な1種
またはそれ以上のキレート試薬を含有し得る。本発明の
溶液で有用なキレート試薬は、一般に種々のクラスのキ
レート試薬、およびKirK-Othmar,Encyclopedia of Chem
ical Technology, 第3版, Vol.5,pp.339-368に開示さ
れた特定の化合物を包含する。この開示は本明細書中で
参考として援用する。特に好ましいキレート試薬は、ポ
リアミン、アミノカルボン酸およびヒドロキシカルボン
酸を包含する。いくつかの使用され得るアミノカルボン
酸は、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチ
レンジアミン三酢酸、ニトロ三酢酸、N-ジヒドロキシ
エチルグリシンおよびエチレンビス(ヒドロキシフェニ
ルグリシン)を包含する。使用され得るヒドロキシカル
ボン酸は、酒石酸、クエン酸、グルコン酸および5-ス
ルホサリチル酸を包含する。他に有用なキレート試薬と
しては、エチレンジアミンのようなポリアミン、ジメチ
ルグリオキシム、ジエチレントリアミンなどを包含す
る。
得、そしてこれらは一般に飽和または不飽和、脂肪族ま
たは環状であるにせよ、約10個までの炭素原子を有する
有機アルデヒドを含む。約6個までの炭素原子を有する
低級アルキルアルデヒドが、この局面では用いられ得、
例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
オンアルデヒド、ブチルアルデヒドなどがある。特に好
ましいアルデヒドは、ヒドロキシ脂肪族アルデヒド、例
えば、グリセルアルデヒド、エリトロース、トレオー
ス、アラビノースおよびそれらの種々の位置の異性体(p
osition isomer)、ならびにグルコースおよびそれらの
種々の位置の異性体を包含する。グルコースは、金属塩
のより高い酸化状態(例えばスズ(II)イオンからスズ(I
V))への酸化を防ぐことが見出されているが、キレート
試薬としてもこれらの理由で特に有用である。他の有用
な還元剤は次亜リン酸、ジメチルアミノボランなどを包
含する。
体、それらの同族体または類似体を含み得る。有用な尿
素誘導体の例は、Holtzmanら、米国特許第4,657,632号
の第14-15欄に見出されており、これは本明細書中で参
考として援用する。具体的な例としては、硝酸尿素、シ
ュウ酸尿素、1-アセチル尿素、1-ベンジル尿素、1-
ブチル尿素、1,1-ジエチル尿素、1,1-ジフェニル尿素、
1-ヒドロキシ尿素などが挙げられる。尿素が好まし
い。1つの好ましい実施態様において、本発明のメッキ
溶液は、チオ尿素およびチオ尿素誘導体が実質的に存在
しない。
は上述した濃度で存在し得る。1つの実施様態におい
て、置換メッキ溶液はモルベースで以下を含有する:約
1部から約15部の置換金属イオン;約10部から約125部
の錯化剤化合物;および約1部から約360部の酸。
る:約10部から約125部の尿素化合物 約5部から約40部のキレート試薬;および約5部から約
110部の還元剤。
ッキ用途に依存して変化し得る。
ることによって調製され得る。成分はどのような順序で
も添加し得る。
噴霧、フラッド、またはカスケード付与プロセスを使用
して化学置換によって銅、銅合金、および他の金属のよ
うな基板のメッキに利用され得る。好ましくは、金属基
板は、約15℃から約70℃の温度で保持されたメッキ溶液
に基板を浸漬またはディップすることによってメッキ溶
液と接触させる。さらに多くの場合、メッキ溶液の温度
は約25℃から約35℃の範囲内である。メッキされる金属
基板は一般に浴に約1分から約5分保持され、所望のメ
ッキ質および厚さ(例えば、約1ミクロンから約10ミク
ロン)が提供される。メッキ溶液は機械的にまたは超音
波処理で撹拌され、置換反応を促進させる。本発明のメ
ッキ溶液で作製されたメッキは密(dense)であり、下の
金属基板にしっかりと付着する。上記のように、上のメ
ッキ溶液に析出したメッキは、スズ、鉛、またはビスマ
ス、インジウム、ガリウム、またはゲルマニウム、また
は該金属の2種またはそれ以上の合金であり得る。
明する。以下の実施例ならびに明細書および特許請求の
範囲において特に示さない限り、すべての部およびパー
センテージは重量基準であり、温度は摂氏であり、そし
て圧力は大気圧またはその付近である。
る本発明のメッキ溶液の実用性は、銅、銅被覆ラミネー
トまたは黄銅のHullセルパネルを、1分間実施例の溶液
に浸漬することによって示されている。温和な機械での
浴の撹拌を用い、浴の温度は約25℃から約35℃で維持す
る。メッキ試験の結果を実施例に報告する。
観察される。
板に観察される。
銅の両方の基板に得られる。
黄銅の両方の基板に得られる。
析出が銅および黄銅の両方の基板に得られる。析出は、
実施例1で得られる析出と同じぐらいには光沢はない。
の析出が黄銅で作製される。
る。
ィングは、電子回路、電子デバイスおよび電子コネクタ
ーに有用である。スズ、鉛、ビスマスおよびこれらの合
金の表面は、保護層として用いられ得、プリント回路ま
たは集積回路の製作の際、パターニング工程で銅の腐食
を防ぐ。このコーティングはまた、プリント配線板など
のはんだのための化学的に安定な表面を提供する。
路基板の製造に有用である。このプリント回路基板は、
中間層を通して絶縁層に付着されている銅の回路部(地
板として機能する間に挟まれた銅シートのような他の層
を有し得る)を支持する誘電体の交互の層を有する。多
層回路板は数ダースのの導電層と非導電層を有してい
る。多層回路板の形成では、しばしば基板に穴を空ける
必要があるので、その穴を囲む部分の層剥離のため欠損
が生じる。
せを含む誘電層である。銅層は少なくとも4ミクロンさ
らに好ましくは約32ミクロンの厚さであり、銅層が導電
回路部を形成するために使用される。周知の技術が、こ
のような回路部分を形成するのに用いられる。誘電層の
組成は、それが絶縁体として機能するという条件におい
ては、重要ではない。導電回路部の形成後、スズ、鉛ま
たはビスマス、そのような物質の2種以上の混合物の薄
い外部層が回路部に形成される。プリント回路基板の回
路部は、代表的に、本発明のメッキ溶液と接触させる前
に、本発明のメッキ溶液中にプリント基板を浸漬するよ
うにして、最初に洗浄され、エッチングされる。
てきたが、これらの種々の改変は、明細書を読んだ当業
者には明らかであることが理解されるべきである。従っ
て、ここで開示された発明は添付のクレームの範囲内に
あるような改変を包含することを意図したものであるこ
とは理解されるべきである。
回路要素に使用される銅または銅合金のような金属表面
の上に、スズ、鉛、ビスマス、インジウム、ガリウムお
よびゲルマニウムからなる群から選択され、1種または
それ以上の金属を析出するためのメッキ浴が提供され
る。
Claims (24)
- 【請求項1】 スズ、鉛、ビスマス、インジウム、ガリ
ウムおよびゲルマニウムからなる群から選択される1種
またはそれ以上の金属を金属表面上に析出させるための
水性無電解メッキ溶液であって、以下を含有する、水性
無電解メッキ溶液: (A)第一スズ塩、鉛塩、ビスマス塩、インジウム塩、ガ
リウム塩およびゲルマニウム塩からなる群から選択され
る、少なくとも1種の溶液可溶性金属塩; (B)フルオロホウ酸、アルカンスルホン酸、アルカノー
ルスルホン酸およびそれらの混合物からなる群から選択
される少なくとも1種の酸; (C)式IIIのイミダゾール-2-チオン化合物である錯化
剤: 【化1】 ここで、AおよびBは同一または異なる-RY基であり、
Rは12個までの炭素原子を含有する直鎖、分枝または環
状のハイドロカルビレン基であり、そしてYは水素、ハ
ロゲン、シアノ、ビニル、フェニル、またはエーテル部
分である;および (D)水。 - 【請求項2】 前記酸(B)が以下の式で表されるアルカ
ンスルホン酸である、請求項1に記載の水性無電解メッ
キ溶液: RSO3H (I) ここで、Rは、1個〜約12個の炭素原子を含有するアル
キル基、または以下の式で表されるアルカノールスルホ
ン酸である: CnH2n+1CH(OH)(CH2)m-SO3H (II) ここで、nは0から約10であり、mは1から約11であ
り、そしてn+mの合計は1から約12である。 - 【請求項3】 前記酸(B)が式Iのアルカンスルホン酸で
ある、請求項2に記載の水性無電解メッキ溶液。 - 【請求項4】 前記酸(B)がアルカンスルホン酸および
フルオロホウ酸の混合物である、請求項1に記載の水性
無電解メッキ溶液。 - 【請求項5】 前記酸(B)がメタンスルホン酸である、
請求項1に記載の水性無電解メッキ溶液。 - 【請求項6】 前記錯化剤(C)が式IIIにより特徴づけら
れる請求項1に記載の水性無電解メッキ溶液であって、
ここでAがメチルまたはエチルであり、そしてBがC
3-6アルキルまたはシクロアルキル基である、水性無電
解メッキ溶液。 - 【請求項7】 前記錯化剤(C)が1-メチル-3-プロピルイ
ミダゾール-2-チオンである、請求項1の水性無電解メ
ッキ溶液。 - 【請求項8】 実質的にチオ尿素のない、請求項1に記
載の水性無電解メッキ溶液。 - 【請求項9】 前記金属表面が銅表面または銅合金表面
である、請求項1に記載の水性無電解メッキ溶液。 - 【請求項10】 前記可溶金属塩(A)が第一スズ塩であ
る、請求項1に記載の水性無電解メッキ溶液。 - 【請求項11】 前記可溶金属塩(A)が第一スズ塩およ
び鉛塩の混合物である、請求項1に記載の水性無電解メ
ッキ溶液。 - 【請求項12】 前記可溶金属塩(A)が第一スズ塩およ
びビスマス塩の混合物を含む、請求項1に記載の水性無
電解メッキ溶液。 - 【請求項13】 前記可溶金属塩(A)がアルカンスルホ
ン酸の第一スズ塩である、請求項1に記載の水性無電解
メッキ溶液。 - 【請求項14】 スズ、鉛およびビスマスからなる群か
ら選択される1種またはそれ以上の金属を金属表面上に
析出するための水性無電解浸漬メッキ溶液であって、以
下を含有する水性無電解浸漬メッキ溶液: (A)第一スズ塩、鉛塩およびビスマス塩からなる群から
選択される、少なくとも1種の溶液可溶性金属塩; (B)フルオロホウ酸およびアルカンスルホン酸からなる
群から選択される少なくとも1種の酸; (C)式IIIにより特徴づけられる錯化剤: 【化2】 ここで、Aはメチルまたはエチルであり、そしてBはC
3-6のアルキルまたはシクロアルキル基である;および (D)水。 - 【請求項15】 前記溶液可溶性塩(A)がアルカンスル
ホン酸の塩である、請求項14に記載の水性無電解浸漬
メッキ溶液。 - 【請求項16】 前記(B)のアルカンスルホン酸が以下
の式により特徴づけられる、請求項14に記載の水性無
電解浸漬メッキ溶液: RSO3H (I) ここで、Rは1個〜約12個の炭素原子を含有するアルキ
ル基である。 - 【請求項17】 前記酸(B)がフルオロホウ酸およびア
ルカンスルホン酸の混合物を含有する請求項14に記載
の水性無電解浸漬メッキ溶液。 - 【請求項18】 前記錯化剤(C)が1-メチル-3-プロピル
イミダゾール-2-チオンである、請求項14に記載の水
性無電解浸漬メッキ溶液。 - 【請求項19】 前記金属表面が銅表面または銅合金表
面である、請求項14に記載の水性無電解浸漬メッキ溶
液。 - 【請求項20】 実質的にチオ尿素のない、請求項14
に記載の水性無電解メッキ溶液。 - 【請求項21】 スズ、鉛およびビスマスからなる群か
ら選択される1種またはそれ以上の金属を金属表面上に
析出するための水性無電解浸漬メッキ溶液であって、以
下を含有する水性無電解浸漬メッキ溶液: (A)1リッターあたり約1〜約70グラムの、スズ、鉛お
よびビスマスからなる群から選択される1種またはそれ
以上の金属; (B)1リッターあたり約20〜約400グラムの、フルオロホ
ウ酸、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、
およびそれらの混合物からなる群から選択される少なく
とも1種の酸; (C)1リッターあたり約5〜約100グラムの式IIIの錯化
剤であって、該錯化剤がイミダゾール-2-チオン化合物
である錯化剤: 【化3】 ここでAおよびBは同一または異なる-RY基であり、こ
こでRは12個までの炭素原子を含有する直鎖、分枝また
は環状のハイドロカルビレン基であり、そしてYは水
素、ハロゲン、シアノ、ビニル、フェニル、またはエー
テル部分である;および (D)水。 - 【請求項22】 非イオン、カチオン、アニオンまたは
両性イオンの界面活性剤からなる群から選択される少な
くとも1種の界面活性剤もまた含有する、請求項21に
記載の水性無電解浸漬メッキ溶液。 - 【請求項23】 スズ、鉛、ビスマス、インジウム、ガ
リウムおよびゲルマニウムからなる群から選択される1
種またはそれ以上の金属でメッキされた金属表面であっ
て、請求項1に記載の水性無電解浸漬メッキ溶液で金属
表面を浸漬メッキすることにより、メッキされた金属表
面。 - 【請求項24】 スズ、鉛およびビスマスからなる群か
ら選択される1種またはそれ以上の金属でメッキされた
金属表面であって、請求項21に記載の水性無電解浸漬
メッキ溶液で金属表面を浸漬メッキすることによりメッ
キされた金属表面。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/559,712 US5554211A (en) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | Aqueous electroless plating solutions |
US08/559,712 | 1995-11-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09176863A true JPH09176863A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=24234709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8305369A Pending JPH09176863A (ja) | 1995-11-15 | 1996-11-15 | 水性無電解メッキ溶液 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5554211A (ja) |
EP (1) | EP0774534B1 (ja) |
JP (1) | JPH09176863A (ja) |
KR (1) | KR100394315B1 (ja) |
DE (2) | DE69607106T4 (ja) |
TW (1) | TW322516B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006037227A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-02-09 | Ormecon Gmbh | ウィスカ形成傾向の少ないスズ被覆プリント配線基板 |
JP2008260981A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Yuken Industry Co Ltd | めっき液、めっき方法およびめっき皮膜が形成された物品 |
JP2010505045A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | ソロパワー、インコーポレイテッド | 効率的なガリウム薄膜電気めっき方法及び化学 |
US8460533B2 (en) | 2006-12-15 | 2013-06-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium compositions |
US8491773B2 (en) | 2008-04-22 | 2013-07-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5928790A (en) * | 1996-04-23 | 1999-07-27 | Mcgean-Rohco, Inc. | Multilayer circuit boards and processes of making the same |
WO1998049367A1 (en) * | 1997-04-28 | 1998-11-05 | Fry's Metals, Inc. | Bismuth coating protection for copper |
EP0924777A3 (en) * | 1997-10-15 | 1999-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | A method for the formation of an indium oxide film by electro deposition process or electroless deposition process, a substrate provided with said indium oxide film for a semiconductor element, and a semiconductor element provided with said substrate |
US6284309B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-09-04 | Atotech Deutschland Gmbh | Method of producing copper surfaces for improved bonding, compositions used therein and articles made therefrom |
US6063172A (en) * | 1998-10-13 | 2000-05-16 | Mcgean-Rohco, Inc. | Aqueous immersion plating bath and method for plating |
US6086779A (en) * | 1999-03-01 | 2000-07-11 | Mcgean-Rohco, Inc. | Copper etching compositions and method for etching copper |
US6806236B2 (en) * | 1999-05-13 | 2004-10-19 | Schlumberger Technology Corporation | Composition and method for treating a subterranean formation |
US6821323B1 (en) * | 1999-11-12 | 2004-11-23 | Enthone Inc. | Process for the non-galvanic tin plating of copper or copper alloys |
US6361823B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-03-26 | Atotech Deutschland Gmbh | Process for whisker-free aqueous electroless tin plating |
US6506314B1 (en) | 2000-07-27 | 2003-01-14 | Atotech Deutschland Gmbh | Adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
US6551931B1 (en) | 2000-11-07 | 2003-04-22 | International Business Machines Corporation | Method to selectively cap interconnects with indium or tin bronzes and/or oxides thereof and the interconnect so capped |
US7037559B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-05-02 | International Business Machines Corporation | Immersion plating and plated structures |
JP2005060822A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 複合基体の電気メッキ |
DE102004047423C5 (de) * | 2004-09-28 | 2011-04-21 | AHC-Oberflächentechnik GmbH & Co. OHG | Außenstromlos aufgebrachte Nickellegierung und ihre Verwendung |
US7410899B2 (en) * | 2005-09-20 | 2008-08-12 | Enthone, Inc. | Defectivity and process control of electroless deposition in microelectronics applications |
US7892413B2 (en) * | 2006-09-27 | 2011-02-22 | Solopower, Inc. | Electroplating methods and chemistries for deposition of copper-indium-gallium containing thin films |
US20100139557A1 (en) * | 2006-10-13 | 2010-06-10 | Solopower, Inc. | Reactor to form solar cell absorbers in roll-to-roll fashion |
US20080175993A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-07-24 | Jalal Ashjaee | Reel-to-reel reaction of a precursor film to form solar cell absorber |
US20090183675A1 (en) * | 2006-10-13 | 2009-07-23 | Mustafa Pinarbasi | Reactor to form solar cell absorbers |
US7868182B2 (en) * | 2007-01-12 | 2011-01-11 | Arduengo Iii Anthony J | Solventless one-step process for the production of imidazole-2-thiones |
US20080176096A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-24 | Yen-Hang Cheng | Solderable layer and a method for manufacturing the same |
US8425753B2 (en) * | 2008-05-19 | 2013-04-23 | Solopower, Inc. | Electroplating methods and chemistries for deposition of copper-indium-gallium containing thin films |
US20090145764A1 (en) * | 2007-12-11 | 2009-06-11 | Enthone Inc. | Composite coatings for whisker reduction |
US8226807B2 (en) | 2007-12-11 | 2012-07-24 | Enthone Inc. | Composite coatings for whisker reduction |
TW200936960A (en) | 2008-02-20 | 2009-09-01 | Grand Mate Co Ltd | LPG flow rate control valve |
WO2009124314A1 (en) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | Ecolab Inc. | Limescale and soap scum removing composition containing methane sulfonic acid |
KR101330987B1 (ko) | 2008-05-29 | 2013-11-18 | 니혼 파커라이징 가부시키가이샤 | 비스무트 피막 부착 금속재료 및 그의 제조방법, 그것에 사용하는 표면처리액 및 양이온 전착도장 금속재료 및 그의 제조방법 |
US20100226629A1 (en) * | 2008-07-21 | 2010-09-09 | Solopower, Inc. | Roll-to-roll processing and tools for thin film solar cell manufacturing |
US8895441B2 (en) | 2012-02-24 | 2014-11-25 | Lam Research Corporation | Methods and materials for anchoring gapfill metals |
JP6163023B2 (ja) | 2013-06-10 | 2017-07-12 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法 |
US20150221930A1 (en) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | Ayyakkannu Manivannan | ELECTROLESS DEPOSITION OF Bi, Sb, Si, Sn, AND Co AND THEIR ALLOYS |
JP6813574B2 (ja) | 2015-10-06 | 2021-01-13 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH | インジウムまたはインジウム合金の堆積方法および物品 |
EP3199666B1 (en) | 2016-01-29 | 2018-09-26 | ATOTECH Deutschland GmbH | Aqueous indium or indium alloy plating bath and process for deposition of indium or an indium alloy |
US20180016690A1 (en) | 2016-07-18 | 2018-01-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium electroplating compositions containing 2-imidazolidinethione compounds and methods for electroplating indium |
KR20180024765A (ko) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 주식회사 호진플라텍 | 전기도금을 이용한 주석-비스무트-납 삼원합금 솔더 조성물 |
WO2019125951A1 (en) * | 2017-12-18 | 2019-06-27 | New Mexico Tech University Research Park Corporation | Tin-indium alloy electroplating solution |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2433395A (en) | 1945-01-01 | 1947-12-30 | Standard Oil Co | Process for production of oxygenated sulfur compounds |
US2433396A (en) | 1945-04-28 | 1947-12-30 | Standard Oil Co | Process for production of sulfonic acids |
US3855085A (en) | 1973-06-14 | 1974-12-17 | Du Pont | Acid zinc electroplating electrolyte, process and additive |
US4871429A (en) * | 1981-09-11 | 1989-10-03 | Learonal, Inc | Limiting tin sludge formation in tin or tin/lead electroplating solutions |
KR890004583B1 (ko) * | 1984-06-29 | 1989-11-16 | 히다찌가세이고오교 가부시끼가이샤 | 금속표면 처리공정 |
US4582576A (en) * | 1985-03-26 | 1986-04-15 | Mcgean-Rohco, Inc. | Plating bath and method for electroplating tin and/or lead |
US4657632A (en) * | 1985-08-29 | 1987-04-14 | Techno Instruments Investments 1983 Ltd. | Use of immersion tin coating as etch resist |
US4715894A (en) * | 1985-08-29 | 1987-12-29 | Techno Instruments Investments 1983 Ltd. | Use of immersion tin and tin alloys as a bonding medium for multilayer circuits |
US5039576A (en) * | 1989-05-22 | 1991-08-13 | Atochem North America, Inc. | Electrodeposited eutectic tin-bismuth alloy on a conductive substrate |
US5160422A (en) * | 1989-05-29 | 1992-11-03 | Shimizu Co., Ltd. | Bath for immersion plating tin-lead alloys |
JP3180918B2 (ja) * | 1991-03-12 | 2001-07-03 | 石原薬品株式会社 | 無電解錫及び無電解錫−鉛合金メッキ浴 |
US5266103A (en) * | 1991-07-04 | 1993-11-30 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Bath and method for the electroless plating of tin and tin-lead alloy |
US5196053A (en) * | 1991-11-27 | 1993-03-23 | Mcgean-Rohco, Inc. | Complexing agent for displacement tin plating |
US5391402A (en) * | 1993-12-03 | 1995-02-21 | Motorola | Immersion plating of tin-bismuth solder |
-
1995
- 1995-11-15 US US08/559,712 patent/US5554211A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-07-02 TW TW085108025A patent/TW322516B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-07-30 KR KR1019960031377A patent/KR100394315B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-11-14 EP EP96118273A patent/EP0774534B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-14 DE DE69607106T patent/DE69607106T4/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-14 DE DE69607106A patent/DE69607106D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-15 JP JP8305369A patent/JPH09176863A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006037227A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-02-09 | Ormecon Gmbh | ウィスカ形成傾向の少ないスズ被覆プリント配線基板 |
JP4647412B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2011-03-09 | オルメコン・ゲーエムベーハー | ウィスカ形成傾向の少ないスズ被覆プリント配線基板 |
JP2010505045A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | ソロパワー、インコーポレイテッド | 効率的なガリウム薄膜電気めっき方法及び化学 |
US8460533B2 (en) | 2006-12-15 | 2013-06-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium compositions |
US9206519B2 (en) | 2006-12-15 | 2015-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium compositions |
JP2008260981A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Yuken Industry Co Ltd | めっき液、めっき方法およびめっき皮膜が形成された物品 |
US8491773B2 (en) | 2008-04-22 | 2013-07-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5554211A (en) | 1996-09-10 |
DE69607106T4 (de) | 2002-03-14 |
KR100394315B1 (ko) | 2003-10-22 |
TW322516B (ja) | 1997-12-11 |
EP0774534A1 (en) | 1997-05-21 |
EP0774534B1 (en) | 2000-03-15 |
DE69607106T2 (de) | 2000-08-10 |
KR970027362A (ko) | 1997-06-24 |
DE69607106D1 (de) | 2000-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH09176863A (ja) | 水性無電解メッキ溶液 | |
US6361823B1 (en) | Process for whisker-free aqueous electroless tin plating | |
JP3314966B2 (ja) | 置換すずめっき用錯化剤 | |
US6063172A (en) | Aqueous immersion plating bath and method for plating | |
TWI376427B (en) | Silver plating in electronics manufacture | |
US9072203B2 (en) | Solderability enhancement by silver immersion printed circuit board manufacture | |
US4895739A (en) | Pretreatment for electroplating process | |
US5007990A (en) | Electroplating process | |
US4919768A (en) | Electroplating process | |
US4952286A (en) | Electroplating process | |
US5698087A (en) | Plating bath and method for electroplating tin and/or lead | |
US6555170B2 (en) | Pre-plate treating system | |
JPH051385A (ja) | 無電解スズ‐鉛合金めつき浴 | |
US5147454A (en) | Electrolessly solder plating composition | |
US5238550A (en) | Electroplating process | |
US5328561A (en) | Microetchant for copper surfaces and processes for using same | |
CA2326049A1 (en) | Method for coating surfaces of copper or of a copper alloy with a tin or tin alloy layer | |
US5017742A (en) | Printed circuit board | |
US20090081370A1 (en) | Method for coating substrates containing antimony compounds with tin and tin alloys | |
US4693907A (en) | Process or non-electrolytic copper plating for printed circuit board | |
JP4789361B2 (ja) | 誘電体表面上に導電層を製造する方法 | |
JPH04231473A (ja) | スズ−鉛浸漬メッキ用の予備処理組成物と方法 | |
CA1169304A (en) | Preparing substrate surface for electroless plating | |
US5387332A (en) | Cleaner/conditioner for the direct metallization of non-conductors and printed circuit boards | |
JP3342852B2 (ja) | 触媒化処理の前処理方法およびこれに用いる付き回り改善剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050617 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051006 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051006 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061017 |