JP3342852B2 - 触媒化処理の前処理方法およびこれに用いる付き回り改善剤 - Google Patents
触媒化処理の前処理方法およびこれに用いる付き回り改善剤Info
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ラジウム触媒の付き回りを改善するための触媒化処理の
前処理方法に関し、更に詳細にはスルーホールやビアホ
ール等の微少孔中においても均一で十分な触媒を付き回
らせることができ、結果的に密着性の良い金属被膜を形
成することのできる触媒化処理の前処理方法およびこれ
に用いるパラジウム触媒の付き回り改善剤に関する。
薄化、高速化、高性能化などに伴い、プリント配線板も
薄型化、多層化と高密度化の要求が高まっている。この
プリント配線板では、スルーホールやブラインドホール
内、あるいは表面等での導体形成が必要であり、無電解
めっきや電解めっきが広く使用されている。
深さ30μm以上)のブラインドホール内へ金属被膜が
付き回ることと、樹脂表面上の金属被膜の密着性が高い
こと(例えば、600gf/cm以上)が極めて重要で
あるとされている。
めっきによる樹脂基材上の金属被膜の析出は、樹脂基材
上にパラジウム触媒を付着させ、次いでこの触媒を核に
して金属を析出させるというものであるから、ブライン
ドホール内での付き回り性を向上させるためには、ブラ
インドホール内でのパラジウム付着量を均一で多くする
ことが重要である。
ドホール内に処理液を確実に浸透させることは困難であ
ることが知られていた。すなわち、界面活性剤で表面張
力を35dyne/cm以下にした処理液に浸漬しても
濡れ性が確保されないために後続のカチオン性界面活性
剤を含有するコンディショニング液(以下、「コンディ
ショニング液」と略す)、パラジウム触媒液、無電解金
属めっき液等の処理液が浸透せず、無電解金属めっき被
膜(例えば無電解銅めっき被膜や無電解ニッケルめっき
被膜)が成膜しなかった。
めるためには、金属析出の核となるパラジウム触媒の析
出量を増加せしめることが必要であり、コンディショニ
ング液の利用がまず思い浮かぶが、コンディショニング
液で処理するとカチオン性界面活性剤濃度の増加に伴っ
て、無電解金属めっき被膜との密着強度が低下する傾向
があり、単純に解決できるものではなかった。
線板の作成においても、更にそれ以外の電磁波シールド
やプラスチックめっきでも樹脂と金属の密着性を向上せ
しめることは重要であり、コンディショニング液を使用
せずに密着性を向上させる手段の開発が求められてい
た。
ようとする課題は、従来広く使用されてきたカチオン性
界面活性剤を用いることなく、触媒化処理において樹脂
表面上あるいは樹脂上に形成されたブラインドホールや
スルーホール等の微小孔内部に均一で十分な量のパラジ
ウム触媒を付着させることのできる触媒化処理の前処理
方法を提供することである。
ョニング液処理なしでの触媒化処理方法について種々検
討を行った。そしてその結果、過マンガン酸塩やクロム
酸等の酸化剤を用いるエッチング処理をした場合の方
が、行わない場合より触媒化処理後のパラジウム付着量
が多いこと、エッチング処理の後でアミン化合物および
銅イオンを含む溶液に浸漬すれば均一で強固にパラジウ
ムが付着すること、およびエッチングした場合のパラジ
ウムの付着量増加と付着状態は、エッチングによる粗化
程度とは関係がないことを見出し、本発明を完成した。
む触媒液で樹脂基材を触媒化するに先立ち、当該基材を
過マンガン酸塩またはクロム酸を含有する酸化剤液に浸
漬し、次いでアミン系化合物および非イオン界面活性剤
を含有し、カチオン性界面活性剤を含有しない、付き回
り改善剤に浸漬することを特徴とする触媒化処理の前処
理方法である。
り改善剤としてアミン系化合物、非イオン界面活性剤お
よび銅イオンを含有し、カチオン性界面活性剤を含有し
ない溶液を使用する触媒化処理の前処理方法である。
系化合物および非イオン界面活性剤、更に必要により銅
イオンを含有し、カチオン性界面活性剤を含有しない、
パラジウム触媒の付き回り改善剤を提供するものであ
る。
パラジウム触媒の付き回りを改善すべき樹脂基材を、過
マンガン酸塩またはクロム酸を含有する酸化剤液(以
下、「酸化剤」と略す)に浸漬することが必要である。
過マンガン酸塩の場合は、過マンガン酸カリウムとして
10g/L以上、水酸化ナトリウム10g/L以上、ク
ロム酸の場合は、無水クロム酸として100g/L以上
の溶液に浸漬する。この酸化剤への浸漬処理は、通常の
エッチング処理をかねて行うこともできるが、脱脂工程
の代わるものとして行っても良い。エッチング処理をか
ねて行うときは、酸化剤に浸漬する前に、予めNメチル
ピロリドン等の溶剤を含む膨潤液に浸漬して、表面を粗
化しやすくすれば良い。そして、酸化剤には5〜30分
程度浸漬し、表面を粗化させれば良い。一方、エッチン
グ処理を必要としない場合は、樹脂を膨潤液に浸漬させ
ないで、酸化剤に2〜10分間、表面が濡れる程度浸漬
すればよい。
解させるだけで凹凸が形成され、最近使用され始めてい
る銅箔付き樹脂(RCC)等を例示することができる。
に水洗、中和・還元する。この中和・還元には、ヒドロ
キシルアミン化合物、ヒドラジンおよびヒドラジン化合
物等の溶液が用いられる。この中和・還元工程は省略す
ることも可能であるが、その場合、酸化剤液が次のパラ
ジウム触媒の付き回り改善剤(以下、「付き回り改善
剤」と略す)に持ち込まれ、その液寿命を短くするおそ
れがある。
付き回り改善剤に浸漬される。この付き回り改善剤はア
ミン系化合物および非イオン界面活性剤、更に必要によ
り銅イオンを含有し、カチオン性界面活性剤を含有しな
いものである。
合物としては、可溶性アミン(特にエチレンジアミン、
ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テ
トラエチレンペンタアミン等)、アルカノールアミン
(特にモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン等)、アミンカルボン酸(特にED
TA、NTA、HEDTA、EDTP(BASF社製、
商品名クアドロール))。このアミン化合物のうち、好
ましいものとしては、アルカノールアミンが挙げられ
る。
オン性界面活性剤の好ましい例としては、例えばポリオ
キシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンア
ルキルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンアルキ
ルアミン、ポリアセチレングリコール等である。
する場合は、通常の銅塩、例えば硫酸銅、塩化銅、酢酸
銅等を付き回り改善剤中に添加すればよい。
系化合物および非イオン性界面活性剤と、必要により銅
イオンを常法により混合させることにより調製される。
この場合のアミン系化合物の配合量は1〜50g/L程
度、通常は5〜30g/L程度であり、好ましくは10
〜20g/L程度である。また、非イオン性界面活性剤
の配合量は、0.1〜20g/L程度、通常は0.5〜5
g/L程度であり、好ましくは1〜3g/L程度であ
る。更に、銅イオンを配合する場合の添加量は、1〜1
0000mg/L程度、通常は10〜2000mg/L
程度であり、好ましくは50〜1000mg/L程度で
ある。
の温度とし、2〜30分程度浸漬すればよい。
善剤に浸漬した樹脂は、以後常法に従って触媒化処理お
よび無電解金属めっき処理に付される。すなわち、プレ
ディッピングされた後、キャタライジング、アクセラレ
ーティングの処理を経て無電解金属めっきが行われる。
浸漬時間等の条件を付して以下に示す。 膨潤 (40〜70℃; 2〜10分) (樹脂を粗化するときのみ) ↓ エッチング処理 (50〜85℃;粗化する場合は5〜30分、 粗化しない場合は2〜10分) ↓ 中和・還元工程 (30〜50℃; 2〜10分) ↓ 付き回り改善処理 (50〜70℃; 5〜30分) ↓ プレディッピング (20〜30℃; 1〜 3分) ↓(水洗なし) キャタライジング (20〜50℃; 2〜10分) ↓ アクセラレーティング (20〜30℃; 2〜10分) ↓ 無電解金属めっき 注)上記において、原則的に各工程間で水洗を行う。
上でのパラジウム触媒の付き回りを著しく改善すること
ができ、特に樹脂基材上に形成されるスルーホールやビ
アホール等の微少孔中においても均一で十分な触媒を付
き回らせ、結果的に密着性の良い金属被膜を形成せしめ
ることが可能となる。
ーホール内、ブラインドホール内、表面等)の導体形
成、電磁波シールド金属被膜形成、プラスチックめっき
等において有利に適用することができるものである。
するが、本発明はこれら実施例等に何ら制約されるもの
ではない。
ン酸カリウム:50g/L、水酸化ナトリウム:25g
/L)に5分間浸漬処理した後、40℃の還元液(硫酸
ヒドロキシルアミン:25g/L、98%硫酸:10m
L/L)に5分間浸漬し、中和還元した。その後、60
℃の付き回り改善剤(モノエタノールアミン:20g/
L、ポリオキシエチレンノニルフェノール:1g/L)
に5分間浸漬した。
23MT:200g/L、36%塩酸:50mL/L)
に2分、キャタライジング液(*PB−323MT:2
00g/L、36%塩酸:50mL/L、*PB−31
8:20mL/L)に5分、アクセラレーティング液
(98%硫酸:50mL/L)に5分それぞれ浸漬し
た。なお、各液の温度は25℃であった。
ースを無電解銅めっき液(*PB−503AF:100
mL/L、*PB−503BF:100mL/L)に、
25℃で、30分間浸漬し、銅被膜を析出させた。 注)* の付された商品は、何れも荏原ユージライト株式
会社製のものである。
は実施例1と同様にして前処理および無電解銅めっきを
行い、テストサンプル上に銅被膜を析出させた。
は実施例1と同様にして前処理および無電解銅めっきを
行い、テストサンプル上に銅被膜を析出させた。
は実施例1と同様にして前処理および無電解銅めっきを
行い、テストサンプル上に銅被膜を析出させた。
実施例1と同様にして前処理および無電解銅めっきを行
い、テストサンプル上に銅被膜を析出させた。
にして前処理および無電解銅めっきを行い、テストサン
プル上に銅被膜を析出させた。
様にして前処理および無電解銅めっきを行い、テストサ
ンプル上に銅被膜を析出させた。
様にして前処理および無電解銅めっきを行い、テストサ
ンプル上に銅被膜を析出させた。
を含有する市販のクリーナー/コンディショナー( *P
B−117SW:40mL/L;60℃、5分)に浸漬
する以外は実施例1と同様にして前処理および無電解銅
めっきを行い、テストサンプル上に銅被膜を析出させ
た。 注)* の付された商品は、荏原ユージライト株式会社製
のものである。
〜4で析出させた銅被膜について、下記方法でそれらの
外観、ブラインドホール内の付き回り性、密着強度を調
べた。この結果を表1に示す。
樹脂(RCC)を貼付し、硬化させて4層基板を作成し
た。硫酸−過酸化水素エッチング剤で基板表面の銅箔を
剥離した後、無電解銅めっきを施した。無電解銅めっき
後1日放置したときの被膜の色調から評価した。この時
の評価基準は次の通りである。 評 価 外観内容 ○ : 若干褐色〜ピンク色(良好) △ : 褐色〜紫色 × : 黒色
樹脂(RCC)を貼付し、硬化させて4層基板を作成し
た。硫酸−過酸化水素エッチング剤で基板表面の銅箔を
剥離し、さらにレーザー穴あけでブラインドホールを形
成した後、無電解銅めっきを施した。穴径50μm、深
さ50μmのブラインドホール内の無電解銅めっきの付
き回り性で評価した。この時の評価基準は次の通りであ
る。 評 価 ○ : 均一膜厚で析出 △ : 底部薄い × : 無めっき
樹脂(RCC)を貼付し、硬化させて4層基板を作成し
た。硫酸−過酸化水素エッチング剤で表面の銅箔を剥離
した後、無電解銅めっきを施し、電気銅めっき(* Cu
−BRITE TH)を30μm(3A/dm2 、50
分)形成した(無電解銅めっき後と電気銅めっき後、1
20℃、2時間ずつ大気中で熱処理を実施)。めっき被
膜が1cm幅になるように溝を削り、1cm幅の銅めっ
き被膜の引き剥し強度をJIS規格(JIS C648
1 5.7)に従って測定した。 注)* の付された商品は、荏原ユージライト株式会社製
のものである。
れば外観が良く、また付き回り性の良い無電解銅めっき
被膜を得ることができた。そして、析出する銅被膜と樹
脂間での密着強度も極めて優れたものであった。
したように外観、付き回り性が良く、かつ樹脂間での密
着性も優れた無電解金属めっき被膜が得られる。
ディショニング処理により生じる問題、すなわち、コン
ディショニング処理に伴う、カチオン性界面活性剤の影
響と考えられる無電解金属めっき被膜と樹脂間の密着強
度の低下の問題を回避することが可能となる。
っき被膜での無めっき部、ピンホール、シミ、変色等が
発生しやすいという問題も回避される。
ブラインドホール等の微孔を有するプリント配線板をは
じめ、電磁波シールドやプラスチックめっき等の前処理
法として極めて有利に利用することができる経済性の高
いものである。 以 上
Claims (4)
- 【請求項1】 パラジウム化合物を含む触媒液で樹脂基
材を触媒化するに先立ち、当該基材を過マンガン酸塩ま
たはクロム酸を含有する酸化剤液に浸漬し、次いでアミ
ン系化合物および非イオン界面活性剤を含有し、カチオ
ン性界面活性剤を含有しない、付き回り改善剤に浸漬す
ることを特徴とする触媒化処理の前処理方法。 - 【請求項2】 パラジウム化合物を含む触媒液で樹脂基
材を触媒化するに先立ち、当該基材を過マンガン酸塩ま
たはクロム酸を含有する酸化剤液に浸漬し、次いでアミ
ン系化合物、非イオン界面活性剤および銅イオンを含有
し、カチオン性界面活性剤を含有しない、付き回り改善
剤に浸漬することを特徴とする触媒化処理の前処理方
法。 - 【請求項3】 アミン系化合物および非イオン界面活性
剤を含有し、カチオン性界面活性剤を含有しない、パラ
ジウム触媒の付き回り改善剤。 - 【請求項4】 アミン系化合物、非イオン界面活性剤お
よび銅イオンを含有し、カチオン性界面活性剤を含有し
ない、パラジウム触媒の付き回り改善剤。
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JP22728799A JP3342852B2 (ja) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | 触媒化処理の前処理方法およびこれに用いる付き回り改善剤 |
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-
1999
- 1999-08-11 JP JP22728799A patent/JP3342852B2/ja not_active Expired - Fee Related
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