JP2013072133A

JP2013072133A - スズからなるめっき用酸性水系組成物

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Publication number: JP2013072133A
Application number: JP2011214393A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Kusunoki; 義則楠
Original assignee: Yuken Industry Co Ltd; Yuken Kogyo Co Ltd
Current assignee: Yuken Industry Co Ltd; Yuken Kogyo Co Ltd
Priority date: 2011-09-29
Filing date: 2011-09-29
Publication date: 2013-04-22
Anticipated expiration: 2031-09-29
Also published as: WO2013046731A1; JP5033979B1; CN103154328A

Abstract

【課題】コストに与える影響を抑制しつつ、得られためっきにおける「ヨリ」の発生を抑制することが可能な、スズ系めっき用酸性水系組成物を提供する。
【解決手段】水溶性第一スズ含有物質と、非イオン性界面活性剤およびポリオキシアルキレン基を有するイオン性界面活性剤からなる群から選ばれる一種または二種以上の界面活性剤と、芳香族カルボニル化合物からなる光沢成分と、２位および４位の少なくとも一つが電子求引性基により置換されたピリジン誘導体からなる光沢補助剤とを含有するスズ系めっき用酸性水系組成物が提供される。
【選択図】なし

Description

本発明は、スズ系めっき用酸性水系組成物に関する。
本発明において、「スズ系めっき」なる用語は、スズからなるめっきおよびスズ合金からなるめっきの総称として用いられる。

スズ系めっきは、半導体チップ部品、水晶発振子、コンデンサ、コネクタピン、リードフレーム、プリント回路基板などの電気・電子部品における接点部やはんだ接続部に広く使用されている。スズ系めっきのうち、光沢めっきは、無光沢めっきに比べて、疵がつきにくい、はんだ濡れ性に優れるといった利点を有しているため、上記用途に本来適している。

しかしながら、電気・電子部品は、その製造の過程でリフロー処理などの加熱処理を経る場合があるところ、従来技術に係る光沢めっきはこのような加熱処理を経るとめっきに「ヨリ」が発生しやすいという問題点を有する。ここで、「ヨリ」とは、加熱処理を受けることによってスズ系めっきの厚さが局所的に変動する現象であり、その変動によって生じためっきの凹凸は波状や木目状の模様の外観をもたらすことがある。しかも、めっきの凹部においてはめっきの下地（ニッケルなど）やスズと下地金属との金属間化合物が露出する場合があり、この場合にはその露出部分のはんだ濡れ性が極端に低下してしまい、そのような露出部分が生じた電気・電子部品は廃棄対象となることもある。

このような「ヨリ」の発生を抑制するべく様々な技術が提案されている。
例えば、特許文献１には、（ａ）第一スズ塩と、第一スズ塩及び銅、ビスマス、銀、インジウム、亜鉛、ニッケル、コバルト、アンチモンから選ばれた金属の塩とのいずれかよりなる可溶性塩と、（ｂ）アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸よりなる群から選ばれた脂肪族スルホン酸の少なくとも一種を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴において、上記脂肪族スルホン酸（ｂ）が、同スルホン酸以外の不純物としてのイオウ化合物をゼロ濃度に排除するか、微量濃度にまで低減した精製脂肪族スルホン酸であって、上記不純物としてのイオウ化合物が、分子内に酸化途上のイオウ原子を有する化合物と、分子内にイオウ原子と塩素原子を併有する化合物との少なくとも一種である、スズ及びスズ合金の脂肪族スルホン酸メッキ浴が提案されている。

また、特許文献２には、ａ）基体表面上にスズ皮膜をめっきする工程；ｂ）基体表面上の該スズ皮膜を、リフロー処理する前に、グリシンおよびＬ−アルギニンからなる群から選択される１以上のアミノ酸を含む水溶液で処理する工程；およびｃ）該スズ皮膜をリフロー処理する工程を含むスズめっき皮膜の表面処理方法が提案されている。

特願２００４−２４４７１９号公報特願２０１０−２０９４７４号公報

しかしながら、特許文献１に開示されるめっき浴は、そのめっき浴に大量に含有される脂肪族スルホン酸を高度に精製しておく必要があり、めっき浴の生産コストの大幅な上昇は避けられない。スズ系めっきは低コストであることが他のめっき、例えば金めっきなどの貴金属系めっきに対する有利な点であることから、スズ系めっきが高コストではその価値は著しく低下してしまう。

また、特許文献２に開示される方法は、特定のアミノ酸を含有する水溶液で処理する工程が追加されることになるため、電気・電子部品の生産コストの上昇をもたらしてしまう。

このため、コストに与える影響を小さくしつつ「ヨリ」の発生を抑制する手段が望まれている。

本発明は、このような技術背景を鑑み、コストに与える影響を抑制しつつ、得られためっきにおける「ヨリ」の発生を抑制することが可能な、スズ系めっき用酸性水系組成物を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために提供される本発明は次のとおりである。
（１）水溶性第一スズ含有物質と、非イオン性界面活性剤およびポリオキシアルキレン基を有するイオン性界面活性剤からなる群から選ばれる一種または二種以上の界面活性剤と、芳香族カルボニル化合物からなる光沢成分と、２位および４位の少なくとも一つが電子求引性基により置換されたピリジン誘導体からなる光沢補助剤とを含有することを特徴とするスズ系めっき用酸性水系組成物。

（２）フェナントロリン系化合物の一種または二種以上を含む上記（１）記載のめっき用酸性水系組成物。

（３）前記電子求引性基がビニル基、カルボキシル基およびピリジル基からなる群から選ばれる一種または二種以上である、上記（１）または（２）記載のめっき用酸性水系組成物。

（４）前記ピリジン誘導体は、４−ビニルピリジンおよび４−ピリジンカルボン酸の一種または二種を含む上記（１）または（２）記載のめっき用酸性水系組成物。

（５）前記ピリジン誘導体が２，２’−ビピリジンを含む上記（１）または（２）記載のめっき用酸性水系組成物。

（６）さらに水溶性銅含有物質を含む上記（１）から（５）のいずれか一項に記載の光沢めっき用酸性水系組成物。

上記の発明によれば、コストに与える影響を抑制しつつ、「ヨリ」の発生が抑制されたスズ系めっきを形成可能な酸性水系組成物を提供することが実現される。

１．スズ系めっき用酸性水系組成物
本発明は一実施形態として、水溶性第一スズ含有物質と、非イオン性界面活性剤およびポリオキシアルキレン基を有するイオン性界面活性剤からなる群から選ばれる一種または二種以上の界面活性剤と、芳香族カルボニル化合物からなる光沢成分と、２位および４位の少なくとも一つが電子求引性基により置換されたピリジン誘導体からなる光沢補助剤とを含有するスズ系めっき用酸性水系組成物を提供する。かかる組成物を用いて適切な条件においてめっきを行えば、「ヨリ」の発生が抑制された光沢外観を有するスズ系めっきが得られる。

本実施形態において、「光沢」を有する表面とは、表面粗さに係るパラメータのうち、中心線平均粗さ（以下、「表面粗さ」と略称する。）Ｒａが０．６μｍ以下であることを意味する。表面粗さＲａが０．５μｍ以下であれば優れた光沢を有する表面といえる。

また、表面粗さのパラメータの一つである最大高さＲｍａｘを用いて「ヨリ」が発生した表面を表現すれば、リフロー後の表面における最大高さＲｍａｘがスズ系めっきの厚さよりも大きい表面であるといえる。この点を具体的に数値で説明すれば、３μｍ程度の厚さのスズ系めっきが形成されたプリント基板を２６０℃で１分間静置してリフローを再現したときに、「ヨリ」が発生した表面では、最大高さＲｍａｘが１０〜４０μｍとなる場合もある。

（１）水溶性第一スズ含有物質
本実施形態に係るスズ系めっき用酸性水系組成物（以下、「めっき液」ともいう。）は水溶性第一スズ含有物質を含む。「水溶性第一スズ含有物質」とは、スズの二価の陽イオン（Ｓｎ^２＋）およびこれを含有する水溶性物質からなる群から選ばれる一種または二種以上からなる物質をいう。

水溶性第一スズ含有物質をめっき液に供給する原料物質（本実施形態において、「第一スズ源」ともいう。）として、硫酸第一スズ、塩化第一スズ、ホウフッ化第一スズ等の無機系酸第一スズ；イセチオン酸第一スズなどのアルカノールスルホン酸第一スズ、メタンスルホン酸第一スズ、エタンスルホン酸第一スズ等のアルカンスルホン酸第一スズ；フェノールスルホン酸第一スズ、クレゾールスルホン酸第一スズ等の芳香族系スルホン酸第一スズ、クエン酸第一スズ、酢酸第一スズ等のカルボン酸第一スズなどが例示される。これらは単独で用いてもよいし、複数種類を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態に係るめっき液における水溶性第一スズ含有物質のスズ換算含有量は、５ｇ／Ｌ以上２００ｇ／Ｌ以下とすることが好ましく、３０ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ以下とすることがさらに好ましい。水溶性第一スズ含有物質の含有量が過度に低い場合にはスズ系めっきを析出させることができなくなる。一方、水溶性第一スズ含有物質の含有量が過度に高い場合には、めっき液の粘度が高くなったことに基づいてめっきの付きまわり性が低下することが懸念される。なお、第一スズ源の配合量が過度に高くなると、めっき液中にはめっき液に溶解した状態にある水溶性第一スズ含有物質とめっき液中で固体の状態にある第一スズ源とが含まれることとなり、このとき、水溶性第一スズ含有物質のめっき液中の含有量は第一スズ源の溶解度に依存する。

（２）界面活性剤
本実施形態に係るめっき液は、非イオン性界面活性剤およびポリオキシアルキレン基を有するイオン性界面活性剤からなる群から選ばれる一種または二種以上の界面活性剤を含む。

非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシアルキレンアルキルフェノールエーテル、ポリオキシアルキレン高級アルコールエーテル、ポリオキシアルキレン−α−またはβ−ナフトールエーテル、ポリオキシアルキレン−モノ−、ジ−またはトリ−スチレン化フェノールエーテル、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン−ブロックポリマー、エチノンジアミンのポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物、ポリオキシアルキレン付加アルキルアミン、ポリオキシアルキレン付加アルキルアミド等が例示される。これらは単独で用いてもよいし、複数種類を組み合わせて用いてもよい。

ポリオキシアルキレン基を有するイオン性界面活性剤としては、アルキルフェノキシポリオキシアルキレンエチルスルホン酸およびその塩、高級アルコールのポリオキシアルキレンエチルスルホン酸およびその塩等のアニオン性界面活性剤、Ｎ，Ｎ−ジポリオキシアルキレン−Ｎ，Ｎ−ジアルキルアンモニウム塩酸塩等のカチオン性界面活性剤が例示される。これらは単独で用いてもよいし、複数種類を組み合わせて用いてもよい。

上記の界面活性剤の含有量は限定されない。当該含有量が過度に少ない場合には得られためっきに光沢が得られにくくなる。一方、含有量が過度に多い場合には発泡が盛んになって消泡剤を用いなければめっきを行うことが不可能になることが懸念される。上記の界面活性剤の含有量の好ましい一例を挙げれば、０．５ｇ／Ｌ以上４０ｇ／Ｌ以下である。

本実施形態に係るめっき液は上記の界面活性剤以外の界面活性剤を含有してもよい。そのような界面活性剤として、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤が例示される。カチオン性界面活性剤の具体例として、Ｎ−モノアルキル−Ｎ−トリメチルアンモニウム塩、Ｎ，Ｎ−ジアルキル−Ｎ−ジメチルアンモノウム塩、Ｎ−アルキル−イソキノリニウム塩および１−アルキル−１−ヒドロキシエチル−イミダゾリウム塩が挙げられる。両性界面活性剤の具体例として、１−ヒドロキシエチル−１−カルボキシアルキレン−２−アルキルイミダゾリウムベタイン、およびＮ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−アルキルベタインが挙げられる。

本実施形態に係るめっき液が含有する界面活性剤の合計含有量は特に限定されないが、０．５ｇ／Ｌ以上８０ｇ／Ｌ以下の範囲で用いられることが好ましく、１ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下であればさらに好ましい。

（３）光沢成分
本実施形態に係るめっき液は芳香族カルボニル化合物からなる光沢成分を含有する。
芳香族カルボニル化合物としては、芳香族アルデヒド、芳香族ケトンなどが例示される。

芳香族アルデヒドの具体例として、ベンズアルデヒド、ｏ−クロルベンズアルデヒド、トルアルデヒド、アニスアルデヒド、シンナムアルデヒド、２，５−ジメトキシベンズアルデヒド、および１−または２−ナフトアルデヒドが例示される。芳香族ケトンの具体例として、ベンジリデンアセトンおよびアルキルナフチルケトンが例示される。

上記の光沢成分の含有量は限定されない。過度に少ない場合には得られるめっきに光沢を付与することができなくなり、過度に多い場合にはめっき液の安定性が低下することを考慮して適宜設定すればよい。好ましい含有量の範囲は０．００５ｇ／Ｌ（５ｐｐｍ）以上５ｇ／Ｌ以下であり、０．０１ｇ／Ｌ（１０ｐｐｍ）以上２ｇ／Ｌ以下とすればさらに好ましい。

（４）光沢補助剤
本実施形態に係るめっき液は、２位および４位の少なくとも一つが電子求引性基により置換されたピリジン誘導体からなる光沢補助剤を含有する。以下、かかる光沢補助剤を「ピリジン系光沢補助剤」ともいう。ピリジン系光沢補助剤を与える電子求引性基として、ビニル基、カルボキシル基、トシル基、塩素などのハロゲン原子、シアノ基、ベンゾイル基、アセチル基、ピリジル基などが例示される。これらの中でも、ビニル基およびカルボキシル基が好ましい電子求引性基である。したがって、４−ビニルピリジンおよび４−ピリジンカルボン酸が特に好ましいピリジン系光沢補助剤である。

ピリジン系光沢補助剤の含有量は、０．００５ｇ／Ｌ（５ｐｐｍ）以上０．２ｇ／Ｌ（２００ｐｐｍ）以下とすることが好ましい。ピリジン系光沢補助剤の含有量が過度に少ない場合にはこれを含有させた効果を得ることができなくなることが懸念される。一方、過度に多い場合には他の添加成分とのバランスが崩れ、所望の外観（例えば光沢）が得られなくなったり、めっきの析出速度が低下したりすることが懸念される。

（５）その他の成分
本実施形態に係るめっき液は、上記の成分に加えて、めっき液の導電性を高めるための成分（以下、「電解質成分」ともいう。）を含有する。電解質成分の種類は特に限定されない。硫酸、塩酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の無機酸；イセチオン酸等のアルカノールスルホン酸、メタンスルホン酸等のアルカンスルホン酸、フェノールスルホン酸等の芳香族系スルホン酸などのスルホン酸；および酢酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸等のカルボン酸などの酸ならびにこれら酸のアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等の塩が例示され、これらは単独で用いられてもよいし、複数種類が用いられてもよい。これらの中でもスルホン酸および／またはスルホン酸塩が好ましい。

電解質成分の含有量は限定されず、めっきにおける電流密度などに基づいて適宜設定されるべきものである。その含有量の範囲の一例を挙げれば、遊離酸換算含有量として５０ｇ／Ｌ以上３００ｇ／Ｌ以下である。

また、本実施形態に係るめっき液は、好ましい一態様において、少なくとも一種のフェナントロリン系化合物を含有する。「フェナントロリン化合物」なる用語は、フェナントレンの縮合環を構成する１４個の炭素のうち２つを窒素で置換した縮合芳香族化合物およびその誘導体の総称として用いられる。フェナントロリン化合物を含有することにより、得られたスズ系めっきはめっき直後の表面粗さＲａが小さくなる。このため、リフロー後に「ヨリ」の発生に至るまで表面粗さＲａが増大することが抑制される。

フェナントロリン化合物の具体例を示せば、１，１０‐フェナントロリン、２，９‐ジメチルフェナントロリン、３，４，７，８‐テトラメチルフェナントロリン、４，７‐ジヒドロキシフェナントロリン、４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン（バソフェナントロリン）、４，７‐ジフェニル‐２，９‐ジメチルフェナントロリン（バソクプロイン）、４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン‐ジスルホン酸およびその塩（バソフェナントロリンジスルホン酸およびその塩）、ならびに４，７‐ジフェニル‐２，９‐ジメチル‐１，１０‐フェナントロリン‐ジスルホン酸およびその塩（バソクプロインジスルホン酸及びその塩）が挙げられる。

本実施形態に係るめっき液が含有するフェナントロリン化合物は一種であってもよいし、二種以上であってもよい。また、フェナントロリン化合物の含有量は限定されないが、その効果を安定的に得る観点から、含有させる場合には０．０００１ｇ／Ｌ以上（０．１ｐｐｍ）含有させることが好ましく、０．００１ｇ／Ｌ（１ｐｐｍ）以上含有させることがさらに好ましい。一方、フェナントロリン化合物を過度に含有させるとめっきの析出速度の低下が顕著となるため、１ｇ／Ｌ程度を上限とすることが好ましく、０．１ｇ／Ｌ以下とすることがさらに好ましい。

本実施形態に係るめっき液は、必要に応じて、合金成分として水溶性の金属イオン含有物質を含有してもよい。そのような物質に含有させる金属イオンとして、銅および銀のイオンが例示される。これらの含有量は得られるめっきに求められる組成に応じて適宜設定されるべきものであり、一例を挙げれば、水溶性銅含有物質について銅換算で０．１ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下、水溶性銀含有物質について銀換算で０．１ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下である。

本実施形態に係るめっき液は、必要に応じて、酸化防止剤や消泡剤をさらに含有してもよい。酸化防止剤はめっき液中のスズ第一イオンが酸化されることを抑制するためのものであり、カテコール、ハイドロキノンなどが例示される。その含有量は限定されないが、好ましい一例を挙げれば０．０５ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下であり、０．１ｇ／Ｌ以上１５ｇ／Ｌ以下とすればさらに好ましい。

（６）溶媒、ｐＨ
本実施形態に係るめっき液の溶媒は水を主成分とする。水以外の溶媒としてアルコール、エーテル、ケトンなど水への溶解度が高い有機溶媒を混在させてもよい。この場合には、めっき液全体の安定性および廃液処理への負荷の緩和の観点から、その比率は全溶媒に対して１０体積％以下とすることが好ましい。

本実施形態に係るめっき液は酸性である。好ましい一態様においては強酸性であり、そのｐＨは通常１以下である。前述の電解質成分を含有させるにあたり、酸として加える量を調整することによって、めっき液を所望のｐＨに設定することができる。

２．めっき条件
本実施形態に係るめっき液のめっき条件は特に限定されない。各条件についての好ましい態様は次のとおりである。

（１）電流密度
「ヨリ」の発生が問題となるような電気・電子部品用途における電流密度は通常１０Ａ／ｄｍ^２以下であり、７Ａ／ｄｍ^２以下とされる場合が多い。得られためっきに光沢を安定的に付与する観点からは、３Ａ／ｄｍ^２以上とすることが好ましく、５Ａ／ｄｍ^２以上とすればさらに好ましい。

（２）めっき温度
めっき温度は特に限定されない。通常、２０℃以上５０℃以下の範囲で実施される。温度の変動はめっき外観の変化をもたらす場合があるため、めっき温度の管理幅は５℃程度とすることが好ましい。

（３）積算電流量
積算電流量は特に限定されない。積算電流量が過度に少ない場合にはニッケルなどからなる下地金属を十分に覆うことができず、はんだ濡れ性を向上させることができなくなることが懸念される。一方、積算電流量が過度に多い場合には経済的な観点から不利となる。積算電流量の範囲は、これらを考慮して適宜設定されるべきものである。

以下、本発明の効果を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

（実施例１）
（１）めっき液の調製
表１に示されるめっき液１〜７を調製した。

（２）めっき処理
得られためっき液１〜７のそれぞれを用いて、下記のめっき条件にてめっきを行った。なお、めっきの基板は、Ｃｕ１０２０からなる配線上に電気ニッケルめっき（スルファミン酸浴、１μｍ）が形成されたオープンフレームのプリント基板であって、公知の方法で洗浄・活性化を行ったものとした。
電流密度：５、１０、１５Ａ／ｄｍ^２
めっき温度：２５℃ （管理幅：±１℃）
積算電流量：３００Ａ・ｓｅｃ／ｄｍ^２
その他のめっき条件：攪拌あり（攪拌子にて５００ｒｐｍで回転）、揺動あり（カソードロッカにて５ｍ／分）

（３）リフロー試験
上記のめっき処理により得られたスズ系めっきが形成されたプリント基板を、２６０℃に保持されたホットプレート上に１分間静置して、リフローさせた。

（４）評価
めっき後のプリント基板の任意の位置におけるめっき面の表面粗さＲａを測定した。測定長さは１３５４μｍであり、３箇所の測定結果の平均値を求めた。なお、電流密度が大きい場合などにおいて表面が粗面化している領域がある場合には、その領域が可能な限り測定範囲内に含まれるようにして測定を行った。
また、リフロー後のプリント基板を観察し、ヨリが発生している場合には、ヨリが発生している領域が可能な限り測定範囲内に含まれるようにして、めっきが施された部分における表面粗さＲａを測定した。測定長さは１３５４μｍであり、３箇所の測定結果の平均値を求めた。
得られたリフロー後の表面粗さＲａについて、全ての電流密度においてＲａが０．６μｍ以下の場合には良好（光沢あり）と判定し、表面粗さＲａが０．６μｍ超となる結果を少なくとも一つ含む場合には不良（光沢なし）と判定した。また、上記の基準に基づき良好と判定された結果のうち、近時のめっき条件を考慮して、電流密度を５Ａ／ｄｍ^２としたときにおけるめっき後およびリフロー後の表面粗さＲａが０．５μｍ以下となる場合には、特に良好と判定した。

（５）結果
評価結果を表２に示す。

表２に示されるように、めっき液１から３については、少なくともリフロー後の表面粗さＲａは電流密度にかかわらず０．６μｍ以下の光沢となり、ヨリが発生しなかった。特に、めっき液１および２については、５Ａ／ｄｍ^２のときの表面粗さＲａが０．５μｍ以下となった。
一方、めっき液４から６については、リフロー後の表面粗さＲａは０．６μｍを超える場合があり、ヨリが発生した。

（実施例２）
表３に示されるめっき液８〜１０を調製した。得られためっき液８〜１０のそれぞれを用いて、実施例１と同様のめっき処理およびリフロー試験を行い、それらの結果を実施例１の場合と同様の方法で評価した。

評価結果を表４に示す。

めっき液１とめっき液８との対比により、フェナントロリン化合物を含有させることによってめっき後の表面粗さＲａが小さくなり、その結果、リフロー後においても表面粗さＲａは０．５μｍよりも十分に小さくなって、優れた光沢が得られることが確認された。
また、めっき液１、めっき液９およびめっき液１０の対比により、ピリジン系光沢補助剤の含有量を１００ｐｐｍとしても十分にヨリの発生を抑制できることが確認された。

本発明は、このような技術背景を鑑み、コストに与える影響を抑制しつつ、得られためっきにおける「ヨリ」の発生を抑制することが可能な、スズからなるめっき用酸性水系組成物を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために提供される本発明は次のとおりである。
（１）水溶性第一スズ含有物質と、非イオン性界面活性剤およびポリオキシアルキレン基を有するイオン性界面活性剤からなる群から選ばれる一種または二種以上の界面活性剤と、芳香族カルボニル化合物からなる光沢成分と、２位および４位の少なくとも一つが電子求引性基により置換されたピリジン誘導体からなる光沢補助剤とを含有することを特徴とするスズからなるめっき用酸性水系組成物。

１．スズからなるめっき用酸性水系組成物
本発明は一実施形態として、水溶性第一スズ含有物質と、非イオン性界面活性剤およびポリオキシアルキレン基を有するイオン性界面活性剤からなる群から選ばれる一種または二種以上の界面活性剤と、芳香族カルボニル化合物からなる光沢成分と、２位および４位の少なくとも一つが電子求引性基により置換されたピリジン誘導体からなる光沢補助剤とを含有するスズからなるめっき用酸性水系組成物を提供する。かかる組成物を用いて適切な条件においてめっきを行えば、「ヨリ」の発生が抑制された光沢外観を有するスズからなるめっきが得られる。

（１）水溶性第一スズ含有物質
本実施形態に係るスズからなるめっき用酸性水系組成物（以下、「めっき液」ともいう。）は水溶性第一スズ含有物質を含む。「水溶性第一スズ含有物質」とは、スズの二価の陽イオン（Ｓｎ^２＋）およびこれを含有する水溶性物質からなる群から選ばれる一種または二種以上からなる物質をいう。

上記課題を解決するために提供される本発明は次のとおりである。
（１）水溶性第一スズ含有物質と、非イオン性界面活性剤およびポリオキシアルキレン基を有するイオン性界面活性剤からなる群から選ばれる一種または二種以上の界面活性剤と、芳香族カルボニル化合物からなる光沢成分と、２位および４位の少なくとも一つが電子求引性基により置換されたピリジン誘導体からなる光沢補助剤と、フェナントロリン系化合物の一種または二種以上とを含有することを特徴とするスズからなるめっき用酸性水系組成物。

（２）前記電子求引性基がビニル基、カルボキシル基およびピリジル基からなる群から選ばれる一種または二種以上である、上記（１）に記載のめっき用酸性水系組成物。

（３）前記ピリジン誘導体は、４−ビニルピリジンおよび４−ピリジンカルボン酸の一種または二種を含む上記（１）に記載のめっき用酸性水系組成物。

（４）前記ピリジン誘導体が２，２’−ビピリジンを含む上記（１）に記載のめっき用酸性水系組成物。

Claims

水溶性第一スズ含有物質と、
非イオン性界面活性剤およびポリオキシアルキレン基を有するイオン性界面活性剤からなる群から選ばれる一種または二種以上の界面活性剤と、
芳香族カルボニル化合物からなる光沢成分と、
２位および４位の少なくとも一つが電子求引性基により置換されたピリジン誘導体からなる光沢補助剤とを含有すること
を特徴とするスズ系めっき用酸性水系組成物。
フェナントロリン系化合物の一種または二種以上を含む請求項１記載のめっき用酸性水系組成物。
前記電子求引性基がビニル基、カルボキシル基およびピリジル基からなる群から選ばれる一種または二種以上である、請求項１または２記載のめっき用酸性水系組成物。
前記ピリジン誘導体は、４−ビニルピリジンおよび４−ピリジンカルボン酸の一種または二種を含む請求項１または２記載のめっき用酸性水系組成物。
前記ピリジン誘導体が２，２’−ビピリジンを含む請求項１または２記載のめっき用酸性水系組成物。
さらに水溶性銅含有物質を含む請求項１から５のいずれか一項に記載の光沢めっき用酸性水系組成物。