JP6677873B2 - 錫又は錫合金めっき液及び該液を用いたバンプの形成方法 - Google Patents
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Description
本実施形態の可溶性塩(A)は、第一錫塩と、この第一錫塩及び銀、銅、ビスマス、ニッケル、アンチモン、インジウム、亜鉛からなる群から選ばれた1種又は2種以上の金属の塩の混合物よりなる。
本実施形態の酸又はその塩(B)は、有機酸及び無機酸、及びそれらの塩から選択される。上記有機酸には、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸等の有機スルホン酸、或いは脂肪族カルボン酸などが挙げられ、無機酸には、ホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルファミン酸、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸などが挙げられる。それらの塩は、アルカリ金属の塩、アルカリ土類金属の塩、アンモニウム塩、アミン塩、スルホン酸塩などである。成分(B)としては、金属塩の溶解性や排水処理の容易性の観点から有機スルホン酸が好ましい。
本実施形態の界面活性剤(C)は、ベンザルアセトン(D)と相乗して錫の析出を抑制する効果を高める作用がある。この界面活性剤(C)としては、ポリオキシエチレン(EO)とポリオキシプロピレン(PO)が縮合したノニオン系界面活性剤、又はフェノール、アルキルフェノール、スチレン化フェノール、β-ナフトール、ビスフェノール類、及びクミルフェノールから選択されるいずれか1つとポリオキシエチレン(EO)が縮合したノニオン系界面活性剤であることが好ましい。
アルキルフェノールとポリオキシエチレン(EO)が縮合したノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルフェニルエーテルが挙げられる。
スチレン化フェノールとポリオキシエチレン(EO)が縮合したノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンモノスチレン化フェニルエーテル、ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル、ポリオキシエチレントリスチレン化が挙げられる。
β-ナフトールとポリオキシエチレン(EO)が縮合したノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンβ-ナフチルエーテルが挙げられる。
ビスフェノール類とポリオキシエチレン(EO)が縮合したノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンビスフェノールAエーテル、ポリオキシエチレンビスフェノールEエーテル、ポリオキシエチレンビスフェノールFエーテル、ポリオキシエチレンビスフェノールSエーテル、ポリオキシエチレンビスフェノールMエーテルが挙げられる。
クミルフェノールとポリオキシエチレン(EO)が縮合したノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンクミルフェニルエーテルが挙げられる。
本実施形態のベンザルアセトン(D)は、市販されているものをそのまま使用することができる。また、市販されているものを精製して含有される不純物を除去した精製品を使用することができる。
ベンザルアセトン(D)は、被めっき物の表面に吸着し、電析による錫の結晶成長を阻害するため、めっき皮膜の堆積を抑制する効果を有する。
そして、めっき液が入り易い大径のビアにはベンザルアセトンが吸着し易く、めっきの抑制効果が大きい。これに対して、めっき液が入り難い小径のビアにはベンザルアセトンが吸着し難く、めっきの抑制効果が小さい。
このため、小径のビアでのめっき堆積層の形成と比較して、大径のビアでのめっき堆積層の形成がより抑制される。このため、大径のビアのめっき膜が、小径のビアのめっき膜よりも薄く形成される。このようなめっき膜をリフロー処理により溶融すると、高さのばらつきのないバンプが得られる。
なお、ベンザルアセトンの含有量は、異径バンプの径の差の大きさに応じて、差が大きいほど配合量を多くすることが好ましい。
本実施形態の溶剤(E)としては、炭素数が1〜3のアルコールが好ましい。炭素数が1〜3のアルコールは、上記界面活性剤やベンザルアセトンの溶解性を向上させる。このアルコールとしては、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール(イソプロピルアルコール)等が挙げられる。アルコールは、1種を単独で用いることができるが、2種以上を組合せて用いることもできる。
本実施形態の錫又は錫合金めっき液は、上記可溶性錫塩(A)と、有機酸及び無機酸から選ばれた酸又はその塩(B)と、界面活性剤(C)と、ベンザルアセトン(D)と、溶剤(E)と、水(残部)とを混合することによって調製することができる。
本実施形態のめっき液を用いてバンプを形成する方法について説明する。図1(a)に示すように、先ず半導体ウエハ基板などのような基材11の表面にチタン層12及び銅シード層13を順次形成する。例えば、チタン層12は厚さ100nm程度にスパッタリング法により形成され、銅シード層13は厚さ500nm程度にスパッタリング法により形成される。その後、所定の厚さのレジスト層14を形成する。このレジスト層14にマスク露光をし、現像を行って異なる径のビア14a、14bを有するレジストパターン15を形成する。次いでこれらのビア14a、14b内の銅シード層13上に銅又はニッケルをめっきして下地層16を形成する。次に上述した本実施形態の錫又は錫合金めっき液を用いて銅シード層13を通じて給電することにより、レジストパターン15のビア14a、14bの内部に電気錫めっきを行う。これにより、下地層16の上のビア14a、14b内に錫又は錫合金めっき堆積層(錫又は錫合金のめっき膜)17a、17bをそれぞれ形成する。続いて図1(b)に示すように、有機溶剤を用いて、レジスト層14を剥離する。次いで、酸により銅シード層13及びチタン層12を順次エッチングして除去する。更に続いて、残った錫又は錫合金のめっき堆積層(錫又は錫合金のめっき膜)17a、17bを窒素雰囲気下で210℃〜240℃でリフロー処理により溶融する。これにより、図1(c)に示すように、ドーム形状の錫又は錫合金バンプ18a、18bを形成する。なお、錫又は錫合金バンプは、上面視で円形の円柱状のバンプに限らず、上面視で三角形、四角形、多角形の角柱状のバンプ、及び上面視で楕円形の楕円柱状のバンプを含む。
<実施例1>
先ず、ベンザルアセトン(D)とメタノール(E)を用い、質量比でE/Dが10になるようにこれらを混合して、ベンザルアセトンをメタノールに溶解した。次いでメタンスルホン酸Sn(A)の水溶液に、遊離酸としてのメタンスルホン酸(B)と、ベンザルアセトンのメタノール溶液を混合して、均一な溶液を得た。次いで、界面活性剤(C)として、上述した式(1)のN,N−ジポリアルキレンオキシドN−アルキルアミンを用意した。このN,N−ジポリアルキレンオキシドN−アルキルアミンは、炭素原子数12個のアルキル基(R)を1個有し、EO基:PO基が50:50のモル比でEO基とPO基を含むポリアルキレンオキシド基(X及びY)を2個有した。この界面活性剤を質量比でC/Dが100となるように加えた。なお、この界面活性剤のアルキル基の炭素数は12、質量平均分子量は940である。そして最後にイオン交換水を加えて、下記組成のSnめっき液を建浴した。
なお、メタンスルホン酸Sn水溶液は、金属Sn板をメタンスルホン酸水溶液中で電解させることにより調製した。まためっき液中のアルコール量をガスクロマトグラフィーにより測定し、配合量とほぼ同じ含有量であることを確認した。
メタンスルホン酸Sn(Sn2+として):80g/L
メタンスルホン酸カリウム(遊離酸として):150g/L
ノニオン系界面活性剤:12g/L
ベンザルアセトン:0.05g/L
メタノール:0.5g/L
イオン交換水:残部
実施例2〜11及び比較例1〜5のめっき液中の成分(A)〜(E)の種類と配合割合を表1、3に示すように変更し、質量比(C/D)及び質量比(E/D)を表4に示すように、変更した。それ以外は、実施例1と同様にして、めっき液を建浴した。実施例6では、メタンスルホン酸Sn、メタンスルホン酸Ag及びメタンスルホン酸Cuを可溶性塩として用いて、SnAgCuめっき液を建浴した。
実施例12〜17のめっき液中の成分(A)〜(E)の種類と配合割合を表2に示すように変更し、質量比(C/D)及び質量比(E/D)を表4に示すように、変更した。それ以外は、実施例1と同様にして、めっき液を建浴した。実施例12〜17では、表2に示す界面活性剤(C)を用いた。実施例13では、メタンスルホン酸Sn、メタンスルホン酸Agを可溶性塩として用いて、SnAgめっき液を建浴した。
なお、表1〜3中、「MeOH」はメタノールを、「IPA」はイソプロピルアルコールを意味する。
実施例1〜17及び比較例1〜5の22種類の建浴しためっき液を用いて、図1(a)〜(c)に示すように、22種類のシリコンウエハ上に、液温25℃、電流密度4A/dm2の条件で電気めっきを行った。これにより、上面視がそれぞれ円形である小径のビア及び大径のビアの内部の下地層上にめっき膜を形成した。その後、レジスト層、銅シード層及びチタン層を順次除去した。続いて、残っためっき膜を窒素雰囲気下で、240℃でリフロー処理により溶融した。これにより、直径約20μmの小径のバンプを2000個形成し、直径約60μmの大径のバンプを2000個形成した。(1) リフロー処理した後のバンプの高さばらつき(均一性)及び(2) バンプ表面のめっき膜の外観を次の方法で評価した。その結果を上記の表4に示す。
下地層の表面からドーム形状のバンプの頭頂部までの距離をリフロー処理後のバンプの高さとした。2000個の小径のバンプと2000個の大径のバンプ、計4000個について、それぞれのバンプの高さをレーザー顕微鏡を用いて測定した。4000個のバンプの高さ平均値、最大値及び最小値を求め、下記の式によりバンプの高さばらつきを算出した。
バンプ高さばらつき(%)={(最大値−最小値)/平均値}×100
22種類の建浴した錫及び錫合金めっき液を山本鍍金試験器社製のハルセル槽にそれぞれ別々に入れ、液中にカソードとして銅製ハルセル板を配置し、アノードとして白金板を配置し、ハルセル試験を行った。めっき条件としては、液温を25℃とし、通電電流を3Aとし、めっき処理時間は5分間とした。めっき処理中、めっき液をカソードロッカーで撹拌した。以下の手順で、ハルセル評価を行った。めっき処理したハルセル板上のめっき膜の皮膜外観を電流密度早見板を用いて、目視で確認した。光沢・半光沢のある皮膜を「良好」と評価した。無光沢・くもりのある皮膜を「可」と評価した。焦げ・ヤケのある皮膜を「不良」と評価した。以上の3つの判断基準で評価した。
12 チタン層
13 銅シード層
14 レジスト層
14a、14b ビア
15 レジストパターン
16 下地層
17a、17b 錫又は錫合金めっき堆積層(錫又は錫合金めっき膜)
18a、18b 錫バンプ
Claims (3)
- 少なくとも第一錫塩を含む可溶性塩(A)と、有機酸及び無機酸から選ばれた酸又はその塩(B)と、界面活性剤(C)と、ベンザルアセトン(D)と、溶剤(E)とを含む錫又は錫合金めっき液であって、
前記めっき液は基材上にバンプ径が異なるパターンを形成するために用いられ、
前記ベンザルアセトン(D)が前記めっき液中に0.1g/L〜0.2g/Lの量で含まれ、
前記溶剤(E)が前記めっき液中に5g/L〜10g/Lの量で含まれ、
前記ベンザルアセトン(D)に対する前記界面活性剤(C)の質量比(C/D) が50〜200であり、
前記ベンザルアセトン(D)に対する前記溶剤(E)の質量比(E/D) が50〜100であることを特徴とする錫又は錫合金めっき液。 - 前記界面活性剤(C)が、ポリオキシエチレン(EO)とポリオキシプロピレン(PO)が縮合したノニオン系界面活性剤、又はフェノール、アルキルフェノール、スチレン化フェノール、β-ナフトール、ビスフェノール類、及びクミルフェノールから選択されるいずれか1つとポリオキシエチレン(EO)が縮合したノニオン系界面活性剤である請求項1記載の錫又は錫合金めっき液。
- 請求項1又は2記載の錫又は錫合金めっき液を用いて、基材上に異なる径の複数の錫又は錫合金めっき堆積層を形成する工程、次いでリフロー処理をしてバンプ径の異なる複数のバンプを形成する工程とを有するバンプの形成方法。
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