JP2019173162A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019173162A5 JP2019173162A5 JP2019040216A JP2019040216A JP2019173162A5 JP 2019173162 A5 JP2019173162 A5 JP 2019173162A5 JP 2019040216 A JP2019040216 A JP 2019040216A JP 2019040216 A JP2019040216 A JP 2019040216A JP 2019173162 A5 JP2019173162 A5 JP 2019173162A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- plating solution
- benzalacetone
- alloy plating
- surfactant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 27
- BWHOZHOGCMHOBV-BQYQJAHWSA-N Benzylideneacetone Chemical compound CC(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 BWHOZHOGCMHOBV-BQYQJAHWSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 12
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 claims 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims 2
- 229920001451 Polypropylene glycol Polymers 0.000 claims 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BYLSIPUARIZAHZ-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(1-phenylethyl)phenol Chemical compound C=1C(C(C)C=2C=CC=CC=2)=C(O)C(C(C)C=2C=CC=CC=2)=CC=1C(C)C1=CC=CC=C1 BYLSIPUARIZAHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-Naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N sulfonic acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVKLXMNYCBBYDL-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxydodecane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)S(O)(=O)=O RVKLXMNYCBBYDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDKIWFRRJZZYRP-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypropane-2-sulfonic acid Chemical compound OCC(C)S(O)(=O)=O KDKIWFRRJZZYRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSRGOAGKXKNHQX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybutane-1-sulfonic acid Chemical compound CCC(O)CS(O)(=O)=O NSRGOAGKXKNHQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWLIPWXABAEXNY-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxydecane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCC(O)CS(O)(=O)=O ZWLIPWXABAEXNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZFRHHAIWDBFCI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyhexane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCC(O)CS(O)(=O)=O CZFRHHAIWDBFCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIYJUQDMHMUBMK-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypentane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCC(O)CS(O)(=O)=O RIYJUQDMHMUBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSXUNHYXJWDLDK-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(O)CS(O)(=O)=O HSXUNHYXJWDLDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQPMYSHJKXVTME-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropane-1-sulfonic acid Chemical compound OCCCS(O)(=O)=O WQPMYSHJKXVTME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEGPVWSPNYPPIK-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutane-1-sulfonic acid Chemical compound OCCCCS(O)(=O)=O YEGPVWSPNYPPIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMOEFOXLIZJOW-UHFFFAOYSA-M DODECANESULFONATE ION Chemical compound CCCCCCCCCCCCS([O-])(=O)=O LDMOEFOXLIZJOW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N Isethionic acid Chemical compound OCCS(O)(=O)=O SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRXCDHOLJPJLLT-UHFFFAOYSA-N butane-2-sulfonic acid Chemical compound CCC(C)S(O)(=O)=O BRXCDHOLJPJLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N ethanesulfonic acid Chemical compound CCS(O)(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- FYAQQULBLMNGAH-UHFFFAOYSA-N hexane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCCCS(O)(=O)=O FYAQQULBLMNGAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- RJQRCOMHVBLQIH-UHFFFAOYSA-N pentane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCCS(O)(=O)=O RJQRCOMHVBLQIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCS(O)(=O)=O KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNDXKIMMSFCCFW-UHFFFAOYSA-N propane-2-sulphonic acid Chemical compound CC(C)S(O)(=O)=O HNDXKIMMSFCCFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic Effects 0.000 description 1
Description
本発明の第1の観点の錫又は錫合金めっき液は、少なくとも第一錫塩を含む可溶性塩(A)と、有機酸及び無機酸から選ばれた酸又はその塩(B)と、界面活性剤(C)と、ベンザルアセトン(D)と、溶剤(E)とを含む錫又は錫合金めっき液であって、前記めっき液は基材上にバンプ径が異なるパターンを形成するために用いられ、前記ベンザルアセトン(D)が前記めっき液中に0.05g/L〜0.2g/Lの量で含まれ、前記ベンザルアセトン(D)に対する前記界面活性剤(C)の質量比(C/D)が50〜200であり、前記ベンザルアセトン(D)に対する前記溶剤(E)の質量比(E/D)が10以上である。
本発明の第1の観点の錫又は錫合金めっき液では、ベンザルアセトン(D)がめっき液中に0.05g/L〜0.2g/Lの量で含まれる。ベンザルアセトン(D)に対する界面活性剤(C)の質量比(C/D)が50〜200に規定される。ベンザルアセトン(D)に対する溶剤(E)の質量比(E/D)が10以上に規定される。図1(a)に示すように、このめっき液を用いて銅シード層13を通じて給電することにより、レジストパターン15のビア内部に電気錫めっきを行うと、めっき液中のベンザルアセトンがビアの底部に吸着し、錫の析出を阻害する。めっき液が入り易い大径のビア14bにはベンザルアセトンが吸着し易く、錫の析出を抑制する効果が大きい。これに対して、めっき液が入り難い小径のビア14aには大径のビア14bと比べ、相対的にベンザルアセトンの吸着量が少なく、錫の析出を抑制する効果が小さい。これにより、大径のビア14bのめっき堆積層17bの膜厚が小径のビア14aのめっき堆積層17aの膜厚と比較して、より薄く形成される。図1(b)に示すように、レジスト層14、シード層13、12を順次除去し、次いで残っためっき堆積層17a、17bをリフロー処理により溶融すると、図1(c)に示すように、バンプ高さのばらつきがなく、かつボイドの無いバンプ(めっき膜)18a、18bが形成される。これにより、基板と、基板上に形成された複数のそれぞれ面積が異なる下地層と、複数の下地層上のそれぞれに形成された複数のはんだバンプと、を備え、複数のはんだバンプの高さ均一性が10%以下であるはんだバンプ付き電子部品を得ることができる。
本実施形態の錫又は錫合金めっき液は、少なくとも第一錫塩を含む可溶性塩(A)と、有機酸及び無機酸から選ばれた酸又はその塩(B)と、界面活性剤(C)と、ベンザルアセトン(D)と、溶剤(E)とを含む錫又は錫合金めっき液である。その特徴ある点は、めっき液は基材上にバンプ径が異なるパターンを形成するために用いられ、ベンザルアセトン(D)がめっき液中に0.05g/L〜0.2g/Lの量で含まれ、ベンザルアセトン(D)に対する界面活性剤(C)の質量比(C/D)が50〜200であり、ベンザルアセトン(D)に対する溶剤(E)の質量比(E/D)が10以上であることにある。なお、本実施形態の基材とは、半導体ウエハ及び半導体チップ搭載用基板を含む。
従って、本実施形態の可溶性塩(A)はめっき液中でSn 2+ 、Ag + 、Cu + 、Cu 2+ 、Bi 3+ 、Ni 2+ 、Sb 3+ 、In 3+ 、Zn 2+ などの各種金属イオンを生成する任意の可溶性塩を意味する。可溶性塩としては、例えば、これらの金属の酸化物、ハロゲン化物、無機酸又は有機酸の当該金属塩などが挙げられる。
上記アルカンスルホン酸としては、化学式C n H 2n+1 SO 3 H(例えば、n=1〜5、好ましくは1〜3)で示されるものが使用できる。具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、1―プロパンスルホン酸、2―プロパンスルホン酸、1―ブタンスルホン酸、2―ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸などの他、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸などが挙げられる。
上記アルカノールスルホン酸としては、化学式C p H 2p+1 −CH(OH)−C q H 2q −SO 3 H(例えば、p=0〜6、q=1〜5)で示されるものが使用できる。具体的には、2―ヒドロキシエタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシプロパン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシペンタン―1―スルホン酸などの外、1―ヒドロキシプロパン―2―スルホン酸、3―ヒドロキシプロパン―1―スルホン酸、4―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシヘキサン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシデカン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシドデカン―1―スルホン酸などが挙げられる。
また、ベンザルアセトン(D)に対する界面活性剤(C)の質量比(C/D)が50〜200、好ましくは50〜150になるように、界面活性剤とベンザルアセトンとを混合する。質量比C/Dが50未満、もしくは200を超えた場合では、ベンザルアセトンと界面活性剤の相乗効果による錫の析出を抑制する作用が十分に働かず、大径バンプにおける錫の析出を抑制する作用が弱まる。このため、リフロー後の異径バンプの高さのばらつきを小さくすることができない。
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。以下に示す実施例4は実施例ではなく参考例である。
Claims (3)
- 少なくとも第一錫塩を含む可溶性塩(A)と、有機酸及び無機酸から選ばれた酸又はその塩(B)と、界面活性剤(C)と、ベンザルアセトン(D)と、溶剤(E)とを含む錫又は錫合金めっき液であって、
前記めっき液は基材上にバンプ径が異なるパターンを形成するために用いられ、
前記ベンザルアセトン(D)が前記めっき液中に0.05g/L〜0.2g/Lの量で含まれ、
前記ベンザルアセトン(D)に対する前記界面活性剤(C)の質量比(C/D) が50〜200であり、
前記ベンザルアセトン(D)に対する前記溶剤(E)の質量比(E/D) が10以上であることを特徴とする錫又は錫合金めっき液。 - 前記界面活性剤(C)が、ポリオキシエチレン(EO)とポリオキシプロピレン(PO)が縮合したノニオン系界面活性剤、又はフェノール、アルキルフェノール、スチレン化フェノール、β-ナフトール、ビスフェノール類、及びクミルフェノールから選択されるいずれか1つとポリオキシエチレン(EO)が縮合したノニオン系界面活性剤である請求項1記載の錫又は錫合金めっき液。
- 請求項1又は2記載の錫又は錫合金めっき液を用いて、基材上に異なる径の複数の錫又は錫合金めっき堆積層を形成する工程、次いでリフロー処理をしてバンプ径の異なる複数のバンプを形成する工程とを有するバンプの形成方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/768,921 US11053600B2 (en) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | Tin or tin alloy plating solution and bump forming method |
US16/979,717 US20210040636A1 (en) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | Tin or tin-alloy plating liquid, bump forming method, and circuit board production method |
TW108109401A TWI754135B (zh) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | 錫或錫合金的鍍敷液、凸塊的形成方法、電路基板的製造方法 |
PCT/JP2019/011348 WO2019181905A1 (ja) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | 錫又は錫合金のめっき液、バンプの形成方法、回路基板の製造方法 |
TW108109402A TWI703239B (zh) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | 錫或錫合金鍍敷液及凸塊的形成方法 |
CN201980015474.4A CN111788337A (zh) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | 锡或锡合金电镀液、凸点的形成方法及电路基板的制造方法 |
EP19772301.8A EP3770305A4 (en) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | TIN OR TIN ALLOY PLATING LIQUID, BUMPER MOLDING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A CIRCUIT BOARD |
PCT/JP2019/011349 WO2019181906A1 (ja) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | 錫又は錫合金めっき液、及びバンプの形成方法 |
KR1020207024682A KR20200133330A (ko) | 2018-03-20 | 2019-03-19 | 주석 또는 주석 합금의 도금액, 범프의 형성 방법, 회로 기판의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018057551 | 2018-03-26 | ||
JP2018057551 | 2018-03-26 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019173162A JP2019173162A (ja) | 2019-10-10 |
JP2019173162A5 true JP2019173162A5 (ja) | 2019-11-21 |
JP6677873B2 JP6677873B2 (ja) | 2020-04-08 |
Family
ID=68169564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019040216A Active JP6677873B2 (ja) | 2018-03-20 | 2019-03-06 | 錫又は錫合金めっき液及び該液を用いたバンプの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6677873B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7455675B2 (ja) | 2020-06-04 | 2024-03-26 | 上村工業株式会社 | 錫または錫合金めっき浴 |
CN113652719B (zh) * | 2021-08-13 | 2024-01-19 | 广西隆林利通线缆科技有限公司 | 用于铜线镀锡的电镀液及铜线电镀锡的方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006348347A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Nippon Mektron Ltd | 電子部品の表面処理方法 |
JP5658442B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | 電子部品とその製造方法 |
EP2405468A1 (en) * | 2010-07-05 | 2012-01-11 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method to form solder deposits on substrates |
JP5033979B1 (ja) * | 2011-09-29 | 2012-09-26 | ユケン工業株式会社 | スズからなるめっき用酸性水系組成物 |
JP6834070B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2021-02-24 | 石原ケミカル株式会社 | 電気スズ及びスズ合金メッキ浴、当該メッキ浴を用いて電着物を形成した電子部品の製造方法 |
-
2019
- 2019-03-06 JP JP2019040216A patent/JP6677873B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6169211B2 (ja) | 鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 | |
JP6133056B2 (ja) | スズまたはスズ合金めっき液 | |
JP6482822B2 (ja) | めっき浴および方法 | |
JP5808403B2 (ja) | はんだ堆積物を基板上に形成する方法 | |
JP2013167019A (ja) | めっき浴および方法 | |
JP2019173162A5 (ja) | ||
TWI582870B (zh) | 製造經塗佈的銅柱 | |
WO2019181906A1 (ja) | 錫又は錫合金めっき液、及びバンプの形成方法 | |
JP6635139B2 (ja) | 錫又は錫合金めっき堆積層の形成方法 | |
CN111788337A (zh) | 锡或锡合金电镀液、凸点的形成方法及电路基板的制造方法 | |
JP6677873B2 (ja) | 錫又は錫合金めっき液及び該液を用いたバンプの形成方法 | |
JP5659821B2 (ja) | Sn合金バンプの製造方法 | |
US11162182B2 (en) | Tin or tin alloy plating solution | |
JP6601269B2 (ja) | めっき液 | |
EP3560304B1 (en) | Method of forming a solderable solder deposit on a contact pad | |
JP7064178B2 (ja) | 錫又は錫合金めっき液及び該液を用いたバンプの形成方法 | |
JP6557466B2 (ja) | ニッケルめっき液 | |
WO2021153160A1 (ja) | 錫又は錫合金電解めっき液、バンプの形成方法、及び回路基板の製造方法 | |
JP2021116473A (ja) | 錫又は錫合金電解めっき液、バンプの形成方法、及び回路基板の製造方法 |