JPS62196391A - スズ―鉛電気メッキ溶液およびそれを用いた高速電気メッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はスズ、鉛、及び特にスズ−鉛合金メッキ用のア
ルキル及びアルキロールスルホン酸塩電気メッキ浴の調
製に関するものである。

〔従来の技術〕

一般にはんだ付けと呼ばれるスズ−鉛合金メッキの従来
からの方法は、過剰のフッ化ホウ酸及びホウ酸と共に、
これらの二つの金属がフッ化ホウ酸塩として溶液中に存
在するようにする。より滑らかなメッキ堆積物を得るた
めには、ペプトン。

膠、ゼラチン、又は肉蛋白質のような種々の蛋白質を添
加するのが普通である。ペプトンを含有するフッ化ホウ
酸塩の浴は最も普通に使用され、又、それは滑らかでつ
や消しのメッキ堆積物を得るのに商業的に成功している
。

より光沢のあるスズ−釦はんだ堆積物は、これらのフッ
化ホウ酸塩浴に、芳香族アルデヒド、ピリジン化合物、
可溶性のエチレン酸化物湿潤剤及びホルムアルデヒドの
ような種々の光沢剤の添加によって得ることができる。

これらのフッ化ホウ酸塩浴についての主要な問題は、フ
ッ化ホウ酸イオン自身である。フッ化ホウ酸塩は高度に
有毒であるのみではなく、またメッキ環境内で使用され
る設備に対しても高度の腐蝕性を示す。フッ化ホウ酸塩
は又メッキ操作に使用後の排水から除去することも困難
で、廃棄物処理技術者に対し深刻な問題を提供している
。

アルキルグループ内に１ないし５個の炭素原子を含むア
ルカンないしアルキルスルホン酸は以前より電気メッキ
浴に使用されてきた。例えば、プロエル（Ｐｒｏｅｌ、
ｌ）の米国特許第２，５２５，９４２号参照。

アルカノールスルホン酸塩、フェノールスルホン酸塩及
びクレゾールスルホン酸塩も又電気メッキ浴に使用され
てきた。例えば、Ｎ、土圧、及びに、小知の論文、題名
１′アルカノールスルホン酸塩浴からの光沢性スズ−鉛
合金の電着″中間仕上会報８０、更に又、米国特許第４
，１３２，６１０号及び第３．９０５，８７８号を参照
。

小知氏らの米国特許第４，４５９．１８５号はスズ、鉛
ないしスズ−鉛合金メッキ用のアルキル又はアルカノー
ルスルホン酸浴を開示している。これらの浴は少なくと
も１つの陰イオン性、両性又は非イオン性界面活性剤を
レベリング剤といつし上に含有されている。

しかしながら、先行技術のいずれも、スズ−釦電解質調
製の本発明者らの新規な方法を開示していない。その上
更に、先行技術はいずれも、以下に述べるような特殊目
的に用いる種々の添加物の添加を認識していなかった。

〔発明の概要〕

本発明は、スズ、鉛、及び特にスズ−鉛合金メッキ用の
電解質調製の方法に関するものである。

メッキ浴は鉛および／またはスズアルキルないしアルキ
ロールスルホン酸塩と、メッキ浴のｐ　Ｉ−Ｉを約３以
下、有利には約２以下に保持するに充分な過剰のアルキ
ルまたはアルキロールスルホン酸と、メッキ堆積物の光
沢と、有用な′正流密度範囲と、および／または、スズ
−釦メッキ堆積物のはんだ付着能力とを改良する種々の
添加物とが含まれている。そうした添加物は、ある種の
アルキレン酸化物化合物、脂肪酸ラジカルを含む第四窒
素湿潤剤、芳香族アルデヒド、アセトアルデヒド、およ
び／または、ビスマス化合物を含んでいる。

〔発明の詳細な説明〕

本発明によって使用可能なスズ及び鉛化合物は。

アルキルまたはアルキロールスルホン酸に可溶であるも
ので、アルキルまたはアルキロールスルホン酸塩を形成
するものである。ある種のアルキルスルホン酸とそれら
のスズ及び鉛化合物は公知の化合物で、この技術分野の
熟練者には、例えば、米国特許第２，５２５，９４２号
に開示されている方法、さらには又、その特許に引用さ
れた先行技術のノＪ法から容易に調製しうる。アルキロ
ールスルホン酸塩も又、同様な方法によって調製し得る
。

本発明によって有用な好ましいアルキルまたはアルキロ
ールスルホン酸は、水溶性又は電１’＋：　’（’ｆ　
Ｍ中に可溶なものである。これは約１−７個の炭素原子
を含有する低アルギルまたはアルキロールスルホン酸で
ある。

スズ及び／又は鉛金属はメッキ浴へ種々の形にして添加
でき、可溶性アルギルまたはアルキロールスルホン酸塩
として添加されねばならぬものではない。例えば、鉛は
酢酸鉛として添加できる。

かくしてこれらのメッキ浴は、本発明の有利な結果を生
ずるに充分なスルホン酸塩イオンが存在する限りは、ス
ルホン酸塩以外のイオンを含有していてもよい。しかし
ながら、本発明の電ｆｒＥ質内では金属はスルホン酸塩
が優先している。

アルキル又はアルキロールスルホン酸塩を使っている時
、全体の金属塩のには、約８重駄パーセント以下が、電
解質を低電流密度で使用し、均一電着性を望む時には有
利である。金属塩の量を増加すると、溶液の均一電着性
を、特に低電流密度で著しく減少する。最も有利な量は
金属ないし金属ら（複数）としての含有量が、約４．５
ないし２パーセントの金属塩、または約３ないし１パー
セントの、スルホン酸塩である。

本発明は改良されたスズおよび／または釦アルキルまた
はアルキロールスルホン酸浴で、可溶性の第四窒素−脂
肪酸湿潤剤を含み、浴の高電流密度範囲と均一電着性と
、更に又メッキ堆積物の表面仕上げとを改良するように
したものを含んでいる。

好ましい可溶性の第四窒累−脂肪酸湿ｄ″４剤は両性で
あって、水ないしメッキ溶液可溶性のイミダゾリン、モ
ノアゾリン、および／またはアミドベタイン化合物であ
る。これらの形の湿潤剤はこの技術分野において公知で
、ロンザ（Ｌｏｎｚａ）社から、商品名アンフォタージ
（ＡＮ円１０ＴＥＲＧＥ）として。

ミラノル（Ｍｉｒａｎｏｌ）化学会社から商品名ミラノ
ール（ＭＩＲＡＮＯＬ）及びミラテーヌ（ＭＩＩＩＡＴ
ＡＩＮＥ）として、又、モナ（Ｍｏｎａ）工業会社より
商品名モナテリックス（ＭＯＮＡＴＥＩＩＩＩＣ３）と
して市販されている。また、これらの材料の他の製造者
もある。アンフォタージ（ＡＭＰＩＩＯＴＥＲＧＥ）化
合物はアルキルジカルボキシイミダゾリン界面活性剤で
、それらは一般的にアルキルイミダゾリンとしてカテゴ
リー化できる。また、以下に記すように、これらの材料
の塩も使用しうる。これらの化合物の使用についての唯
一の制限はそれらが電解質内に可溶であることである。

可溶性のモナテリックス（ＭＯＮＡＴＥＲＩＣＳ）湿潤
剤は両性のアミノベタイン及びイミダゾリン誘導体を含
む。これは１−（ヒドロキシエチル）−２−アルキルイ
ミダゾリンのようなモナゾリン化合物を含んでいるだろ
う。

最も好ましい化合物は次の式で示されるイミダゾリンで
ある。

以下余白 この中でＲは脂肪酸ラジカル；Ｒ□はＨ，Ｎａまたは（
ＩＴ、Ｃ００Ｍであり、Ｒ２はＣＯＯＭ、ＣＨ７ＣＯＯ
ＭまたはＣＩ−（ＯＨＣＨ２Ｓｏ、Ｍであり；ＭはＮａ
、Ｔ−１または陽イオン性界面活性硫酸塩ないしスルホ
ン酸塩である。

最も有利な化合物は、それの中でＲが６個の炭素原子以
上を含み、Ｒ１はＣＨ２Ｃ０○Ｈ１Ｒ２はＣ００Ｍ、Ｒ
，はＯＨである。現在、最良の効果があるものは、丁く
がＣ１１１１，（カブリ・ツク）、Ｒ１がＣＨ，ＣＯＯ
Ｎａ、Ｒ２がＣＯＯＮａ、Ｒ，がＯＨであるもの（ＡＭ
円＋０ＴＥＲＡＧＥ　Ｋ　Ｊ　−２）である。

可溶性のカルボキシルまたはスルホン酸−脂肪酸湿潤剤
で第三窒素を含むもの、第（５）式のような化合物もま
た使用でき、第四窒素を含むものは浴内に含ま、れた酸
により適合して形成される。

ＲがＣ，７，ｌｌ２ｏ（ココナツト曲）になっている同
じ化合物もまた優れた効果を与える。オレインヒドロキ
シエチルアルキルイミダゾールとＮ′ココイルＮ−Ｎ’
ジメチルグリジンとは、可溶性のイミダゾリン湿潤剤の
他の特殊例である。

本発明に有効な他の化合物は （２）　　　ＣＩ（。

Ｃｌ−１゜ ＋ Ｒ−ＣＮＩ−ｉ（ＣＩ（２）３−Ｎ　　−ＣＨ，ＣＨＯ
ＣＨ２Ｓ○３ＣＨ。

及び ＯＣＨ：１ 十　　　　　　　　　　− Ｒ−Ｃ−ＮＨ（ＣＨ，）、−Ｎ　−Ｃ：Ｈ□Ｃｏ。

■ ＣＨ。

で、ここにＲは上記の式（１）に対してつけたと同じ意
味を有する。種々のアルギルラジカル及びグループの鎖
の長さは、水またはメッキ溶液に対する溶解度が維持さ
れ、化合物が可溶性の湿潤剤性質を保持する限りにおい
ては、これらを変えることが可能である。

式（３）及び（４）の化合物は現在では二次的興味のも
のである。式（３）及び（４）の特殊な化合物の例には
、ジメチル〔：３ココアミドプロピル〕アミノエタノエ
イ１〜及びココアミドプロピルジメチルアンモニア−２
−ヒドロキシプロパンスルホン酸塩が含まれている。そ
れらは改良された仕−１〕げと均一定着性とを生ずるが
、式（１）及び（２）の化合物程良くはない。式（１）
及び（２）による化合物は、現在一般に使用されている
ペプトン含有フッ化ホウ酸塩の浴から得られるものとす
べての方面で等しい滑らかなつや消し仕上げのはんだ堆
積物を生ずる。

Ｒは」二式では脂肪酸ラジカルとして指示さ才していた
。脂肪族グループは飽和でも不飽和でもありうる。炭素
数に対する唯一の上限はメッキ浴溶液中での化合物の溶
解度であろう。そしてこれは使用されている化合物によ
って変りうる。例えば、式（２）の化合物は式（１，）
のものよりもより多くの炭素原子を脂肪族タルーブ内に
含むことができ、しかもなお、水溶解性を維持する。Ｌ
式内の特殊な陽イオンは決定的ではないが、しかし、ナ
１−リウムが好ましい。湿潤剤の混合物もまた使用でき
る。

本発明によって有用な両性へＭ　ｎ’ｉｌ剤は、脂肪酸
から誘導された酸基と一つ以上の溶解性化」１（を含む
第四窒素湿潤剤として広汎に定義される。溶解性化基は
カーホキシルまたはスルホン酸基、アルカノール基等で
ある。

これらの湿潤剤の１武は決定的ではなく、最ｉ量は使用
するため選ばれた特殊剤とその中でそれが使用されると
ころの浴によって変るだろう。望む効果を得るには充分
な量の湿潤剤を使用すべきである。汗通には、１ないし
２モル／ａの湿潤剤が純スズ及び６０／４０スズ−鉛合
金浴では優れた効果を生ずる。より多いにも使用できよ
うが、そうする特別の理由はない。メッキ浴の船倉はが
増加するにつれ、これらの湿潤剤を追加した量で使用す
べきかも知れない。純鉛浴は、改良された表面特性と改
良された均一付着性を得るには、これらの湿潤剤の４０
ｍ　Ｑ　／　Ｑ以上も多くを必要とするだろう。

第四窒素湿潤剤の添加は低いＨｇ流密度（５〜２０ＡＳ
Ｆ）でのｍＭ堆積物の適用範囲を著しく改良した。そう
した浴はかくして、低い電ｄε密度が使用され、高い均
一′１ヒ着性が必要とされるところの、回路盤のような
ラックメッキに対して特に有利である。もっと有利な湿
潤剤では１ないし２ＡＳ　Ｆまでも低い電流密度でさえ
１適用範囲を１１）ることかできる。

本発明のメッキ浴はまた、光沢あるメッキ堆積物が望ま
れる時には、フッ化ホウ酸塩浴に通常使用される材料を
添加することにより光沢あるメッキ堆積物を作るのにも
有利に使用できるにれらの公知の光沢剤はクロロベンツ
アルデヒド、ベンツアルデヒド、ベンザアルデヒドのよ
うな芳香族アルデヒドであると有利である。フッ化ホウ
酸塩浴と使われてきた他の光沢用剤には芳香族ピリジン
化合物、エチレンオキサイド湿潤剤、及びホルムアルデ
ヒドがある。これらの材料はフッ化ホウ酸浴に使われる
のとほぼ同じ割合で使用できる。

光沢剤として使用されてきた適切なエチレンオキサイド
湿潤剤には、エチレンオキサイドとアルキルフェノール
または高級アルコールの縮合生成物（英国特許明細１１
）第１，１５１．．４６０号及び米国特許第３　、９０
５　、８７８号に示されている）；脂肪族アルコール、
ソルビタンアルキルエステル、またはアルキルフェノー
ルエチレンオキサイド縮合物（米国特許第３，８７５，
０２９号）；アルキルフェノキシポリ（エチレンオキシ
）エタノール（米国特許第４．２４２，１８２号）；ポ
リグリコールの水溶性エーテル（米国特許第３，３６１
，６５２号）；ポリエチレングリコール誘導アルキルフ
ェノール、エーテル、またはアルキルアミド化合物（米
国特許第３，６６１，７３０号）；ポリエトキシル化ア
ルキルフェノールはポリエトキシル化脂肪酸モノアルカ
ノルアミド及び関連アミン（米国特許第４，１１８，２
８９号）；及び、他の化合物との縮合生成物またはポリ
アルギレンオギサイド（米国特晶′１第４，０００，０
４７号の第■表）。

」１記したアルキレンオキサイド化合物は多年にわたり
、フッ化ホウ酸塩スズ及びスズ−釦メッキ浴に使用され
てきた。従来技術は，すへてのアルキレンオキサイド化
合物はお互いにほぼ等価であると常に考えた。小さいス
ケールの応用またはテスト応用に対しては、これは真実
であるかも知れない。しかしながら、現在、アルキレン
オキサイド化合物の多くの物がアルキルまたはアルキロ
ールスルホン酸のメッキ浴に商業的に使用できないこと
が発見された。約９０°Ｆ以下の曇り点を有するこれら
のアルキレンオキサイド化合物は減少した陰極効率を惹
起し、又メッキ堆積物は、曇り点が約９０°　Ｆより上
のアルキレンオキサイド化合物を含む浴と比較してはん
だ付着能力が貧弱である。

若干のアルキレンオキサイド化合物は、アルキルまたは
アルキロールスルホン酸浴に使われた時、アルキレンオ
キサイドが始めに添加される時には透明であるが、約−
日の使用後には、ｉｔってこよう。そうすると、メッキ
浴は陰極効率を失うものと１０１待され、はんだ付着能
力が減少した特性のメッキ堆積物を生ずる。上記したご
と．くに２重要なのは水だけの中のアルキレンオキサイ
ドの＋１り点より、むしろ、使用されている特殊電解質
溶液中でのアルキレンオキサイドの曇り点である。なぜ
なら、メッキ浴の環境条件が曇り点を変化させるからで
ある。この現象は有害か有益かであり得る。

メッキ浴環境が曇り点を９０°　Ｆ以下に減する時は有
害である。これは浴を処方するとすぐ起るか、または時
間をかけた浴の使用後に起り得る。

浴の中の他の薬剤及び化合物がそうしたアルキレンオキ
サイドを含んでいる浴の曇り点に影響する。これらの薬
剤は、アルキレンオキサイドが水中で有するだろうとこ
ろの曇り点をより高いか、より低い値まで変化させるこ
とができる。例えば、イミダゾリン化合物の添加は種々
のアルキレンオキサイド界面活性剤を含むメッキ浴の’
ｈ４り点を引上げよう。かくして、そうした場合には、
水だけの中で約９０°Ｆ以下の曇り点を有するアルキレ
ンオキサイド化合物は、もしも曇り点がイミダゾリンま
たは他の類似の薬剤の添加により望むレベル（即ち、少
なくとも９０’　　Ｆ以上）へ−ヒげられない位に低く
はないならば、そうした電解質内に使用されることがで
きる。メッキ浴環境内で、適切な曇り点（すなわち、９
０°　Ｆ以上）を有するか達成できるところのアルキレ
ンオキサイド含有メッキ浴のみが５本発明により使用さ
れることができる。

これらのメッキ浴は低電流密度範囲（５〜２０ＡＳ＋”
）内で滑らかなつや消しのメッキ堆積物を生成するのに
使用することができ、又、Ｉ８融後、堆積物表面は滑ら
かでより細かい粒になり光ｊくがあり良好なはんだ付着
能力を示した。高電流密ノσ範囲では堆積物は暗色で、
焼けた区域が３０から５０％あった。しかしながら、適
切なアルキレンオキサイド化合物の使用はメッキ範囲を
増太し、その」二ではイｊ用なメッキ堆積物を得ること
ができる。

本発明によると、最も好ましいアルキレンオキサイド湿
潤剤はエチレンオキサイドの縮合生成物および／または
スチレン化したフェノール付きのプロピレンオキサイド
、高級アルコール、アルキルフェノール類、脂肪ａアミ
ン類、アルキルアミン類、エステル化したソルビタン１
．燐酸塩、または脂肪酸アミド類である。少くとも、な
るべくは１２以上のモルのアルキレンオキサイド（すな
わち、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、又
はそれらの混合物）が９０°Ｆより大きい必要なメッキ
浴曇り点を確実に示す。

そうした縮合物をアルキレンオキサイドによって形成す
るために有用な好ましい化合物の例は、スチレン化フェ
ノール類でなるへくはモノ、ヂ、またはトリ、スチレン
化フェノール、モノ、またはヂ、スチレン化クレゾール
、及びモノ、またはヂ、スチレン化フェニルフェノール
である。高級アルコールで典型的なものは、オクタツー
ル、デカノール、ラウリルアルコール、テトラデカノー
ル、ヘキサデカノール、ステアリルアルコール、エイコ
サノール、セチルアルコール、オレイルアルコール及び
ドコサノールである。アルキルフェノールの実例となる
のは、モノ、ヂ、またはトリ、アルキル置換フェノール
では、Ｐ−ターシャリブチルフェノール、ｐ−イソオク
チルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、ｐ−ヘキシル
フェノール、２．４−ジブチルフェノール、２．４．６
−１−　ＩＪジブチルフェノールｐ−ドデシルフェノー
ル、ｐ−ラウリルフェノール及びＩ）−ステアリルフェ
ノールのようなものである。アルキルナフトール類には
アルキル化したα、またはβ、ナフトールが含まれる。

アルキルナフトール類のアルキル置換体としては、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オクチル、
デシル及びオクタデシルがあり、ナフタレン核のどの位
置にあってもよい。

脂肪酸アミドは、プロピオン、ブチル、カプリル、ラウ
リル、ミリスチック、パルミチン、ステアリン及びベヘ
ン酸などであるとよい。燐酸塩は、燐酸の１ないし２個
のヒドロギシ基をＣ１ないしＣ２Ｉ＋アルコールでエス
テル化して得られるエステルである。高級脂肪酸でエス
テル化したソルビタンの典型的なものは、モノ、ジ、ま
たはトリ、エステル化１．４−１１．５−または３．６
−ソルビタンで１例えば、ソルビタンモノラウレ−１〜
、ソルビタンモノパルミテ−１へ、ソルビタンモノステ
アレー１〜、ソルビタンオレエー＋−、ソルビタンジラ
ウレート、ソルビタンジパルミテート、ソルビタンジス
テアレート、ソルビタンジオレエ−１−１及びソルビタ
ンの混合脂肪酸エステル類である。

この技術分野の熟練者は本発明のアルキレンオキサイド
化合物を形成するに使用しうる他の化合物を知っている
。上記したごとく、少なくとも８モルのアルキレンオキ
サイド化合物が必要である。

アルキレンオキサイド化合物と組合せて使用される第四
窒素−脂肪酸化合物、特にイミダゾリン類の使用は、期
待されるだろうよりも更に別の改良を与える。すなわち
、相乗作用的に働くのである。

本発明により有用なピリジンまたはキノリン化合物類は
米国特許第４　、０００　、０４７号に記載されている
ものである。ピリジン化合物が好ましい。本発明の電解
質中に含まれるピリジンないしキノリン化合物の量は米
国特許第４，０００，０４７号に記載されたものと同じ
である。

以下余白 本発明によって有用な芳香族アルデヒド類、更には又そ
の量もまた米国特許第４，０００，０４７号に記載され
ているものである。

かくて、米国特許第４，０００，０４７号はその中に参
考として、特に１本発明によって使用し得るピリジン、
キノリン、及び芳香族アルデヒド類の種類及び量の開示
に関しての記載がある。

本発明では、メッキ堆積物の低電流密度の改良にビスマ
ス化合物を使用しうる。本発明で有用なビスマス化合物
は、水または溶液に可溶性で、ビスマス化合物から生じ
た陽イオンがスズまたは鉛塩と干渉し、それらの沈澱を
惹起するようなことが無いものであるべきである。硝酸
ビスマスは許容可能なビスマス化合物の一例である。ビ
スマスの量は望む低電流密度範囲を得るに充分であるへ
きである。硝酸ビスマスとして０．１ｇ１Ｑ位の少いビ
スマス金属が有用な電流密度範囲をゼロＡＳＦに近くま
で低下させ、かくして浴をバレルメッキに非常に有効に
する。ビスマス単独では低電流密度で光沢を与えない。

しかしながら、もしも芳香族アルデヒドおよび／または
エチレンオキサイト湿潤剤がビスマス化合物と併せて使
用されれば光沢あるメッキ堆積物が得られる。

アセトアルデヒドはメッキ浴の高電流密度を増大するの
に使用されうる。増大の程度は異常で、期待外であり高
度にドラマチックである。アセトアルデヒドの量は有用
な電流密度範囲を望む値に上げるに充分であるべきであ
る。１ｍ／Ｑが電流密度範囲は４０ＡＳＦ（アセトアル
デヒド添加しない場合）から２００ＡＳＦへ上げるに充
分であることが見い出されている。

塩基性電解質と共に使用される添加物の特別な組合せは
望まれるメッキ堆積物の状態又は種類による。良好なは
んだ付着能力のつや消しメッキ堆積物は適切な曇（１点
のアルキレンオギサイドとイミダゾリンまたは第四化合
物を使用することによって得られる。光沢メッキ堆積物
はエチレンオキサイドと芳香族アルデヒドを添加して得
られる。

有効電流密度はアセトアルデヒドの添加で高領域へ伸ば
し１（）る（２０から２００ＡＳＦへ）。又、ゼロより
わずか一ヒの低区域へはビスマス化合物の添加で伸ばし
うる。

メッキ浴はスズおよび／または鉛スルホン酸塩をアルキ
ルまたはアルキロールスルホン酸の過剰の中に置き、酸
含Ｆ、１Ｈを調整して必要なｐＨにし、なにか不溶解物
は濾過して除き、それから水で最終の望む容積にして調
製できる。

メッキ浴は一般に室温で操作される。メッキ速度の増加
には攪拌が必要である。

メッキ溶液中に使用されるスズ−鉛金属比にしたがって
種々の合金が作ら扛うる。６０　：　４０スズ−鉛合金
は、例えば、２０ｇ／Ｑのスズ金属とｌＯに／Ｑの鉛金
属で作られる。そうしたメッキ浴では、アルキルスルホ
ン酸はｌＯＯパーセントアルキルスルホン酸の約１５０
ｇ／Ｑの存在が有利である。

メッキ浴へ還元剤を少量添加すると、ススを可溶性二価
状工Ｎに保つのに助けになる。こ扛は二価スズが四価ス
ズに変換するのを防ぐが、後者は一般に浴環境で不溶性
である。約０．Ｆｉｇ／Ｑのレゾルシノールまたは類似
薬品で、この目的の達成は充分である。

〔発明の実施例〕

以下に本発明の一実施例を挙げ、さらに具体的に説明す
るが、これらの実施例の記載内容のみによって本発明の
技術的範囲はなんら制約を受けるものではない。

（実施例　１） 市販のロンザ（Ｌ　ｏｎｚａ　）社の製品、商品名アン
フォタージ（ＡＮＰＩＩＯＴＥＲＧＥ）　Ｋ　Ｊ　−２
であるカブリツクジカルボキシイミダゾリン２　ｍ　Ｑ
　／　Ｑを下記のメッキ浴に添加した。

スズ金属（メタンスルホン酸塩）１８ｇ／Ｑ鉗金属（メ
チルスルホン酸塩）　　　９ｇ／’Ｑメチルスルホン酸
（１００％）　　　　７０ｒｎ１２／Ｑ室温で、５ない
し１５ＡＳＦでメッキを達成した。

その結果の（ｉｏ　：　４０スズ／鉛合金メッキ堆積物
は白いつや消しのもので、低電流密度適用範囲は、イミ
ダゾリン無しで同条件下での浴に比して著しく改良され
る。イミダゾリン無しで得られたメッキ堆積物は暗い灰
色のつや消しのものであった。

（実施例　２） ２　ｍ　Ｑ　／　ＱのアンフォタージＫＪ−２と、２ｍ
　Ｑ　／　Ｑのココベタイン０式（２）による。ここで
Ｒはココアルキルラジカルでミラノール（Ｍｊｒａｎｏ
ｌ）化学社から商品名ミ□ラテーヌ（ＭＩＲＡＴＡＩＮ
Ｉミ）ＣＤＭＢとして販売〕とを下記のメッキ浴に添加
した。

スズ金属（メタンスルホン酸塩）２０ｇ／Ｑメタンスル
ホン酸（１００％）　　　　１０ｍＱ／Ｑ室温 電流密Ｊσ　　　　　　　　　　５〜１５ＡＳＦ純スズ
メッキ堆積物は白いつや消しの外観で、低電流密度適用
範囲はイミダゾリンの無い場合の浴と比較して著しく改
良されていた。イミダゾリン無しで得られたメッキ堆積
物は暗灰色の外観であった。

（実施例　３） モナ（Ｍｏｎａ）工業社で商品名モナテリック（ＭＯＮ
ＡＴ［ＥＲＩＣ）　ＣＡで製造されているココナツイミ
ダゾリン両性界面活性剤の４．　ｍ　Ｑ　／　Ｑを下記
のメッキ浴に添加した。

スズ金ｈｙｃ　（メチルスルホン酸塩）９０ｇ／Ωメチ
ルスルホン酸（１，００％）　　　１５０ｍＱ／Ｑ室温 電流密度　　　　　　　　　　１０〜２５ＡＳＦ白いつ
や消しのメッキ堆積物と低電流密度適用範囲とは、イミ
ダゾリン無しの同条件下の浴と比較してかなり改良され
た。イミダゾリン無しのメッキ堆積物は暗灰色つや消し
の外観を騎した。

（実施例　４） ４０ｍＱ／Ｑの１−ヒドロキシエチル−２−オレインイ
ミダゾリンを下記のメッキ浴に添加した。

ｔイ）金属（醋酸Ｊブ１Ｓどして）　　　　　　１５ｇ
／Ｑメチルスルホン酸（１００％）　　　　５０ｍＱ／
Ｑ室Ｍ、１ 電流密度　　　　　　　　　　５〜１５ＡｓＦ結果の純
鉛メッキ堆積物は白いつや消しの外観で、低電ｄε密度
適用範囲は、イミダゾリン無しで同条件の浴に比しかな
り改良された。イミダゾリン無しでのメッキ堆積物は暗
灰色つや消しの外観であった。

（実施例　５） スズ金ＪｊＥ　（メタンスルホン酸として）２０ｇ／（
１鉛金属（メタンスルホン酸として）　　２ｐ：／Ｑメ
タンスルホン酸く１００％」１（底）　　７０ｍ　Ｑ　
／　Ｄ。

ＡＭ円１０ＴＩＥＲＧＥ　　Ｋ　Ｊ　−２（Ｌｏｎｚａ
社）１ｒｎＱ／Ｑ室温 電流密度　　　　　　　　　　２〜３０ＡＳＦ生じたメ
ッキ堆積物は白色つや消しで１分析すると９０％スズ、
１０％Ｓ（１であった。他の組成比の合金はメッキ浴内
のスズと釦との含有比を調整することによって可能であ
る。

また、もしもメッキ浴の溶液型導度または均一電着性を
改良する必要かあれば、′ｒｕ導性塩を添加することも
可能である。浴のｐ　Ｉ−１の調整に使用したスルホン
酸のアルカリ塩は、例えば、この目的に使用できる。

（実施例　６） スズ金属（メチルスルホン酸として）１５ｇ／ｉｘ釦金
属（メチルスルホン酸として）　　２ｒ：／Ｑメチルス
ルホン酸す１−リウム塩　　７５ｇ／αＡＭＰＩＩＯＴ
ＥＲＧＥ　　Ｋ　Ｊ　−２（Ｌｏｎｚａ社）１−１／２
ｍＱ／Ｑ ＰＩ（（メチルスルホン酸による調１ｌｌ）　　２．０
室温 電流密度　　　　　　　　　　２０〜４０ＡＳＦ」−記
の浴は白いつや消しのメッキ堆積物を生じた。

以下の実施例においては下記の塩基性電解質浴を使用し
た。

第一スズメタンスルホン酸塩としてのスズ１８ｇ／１２ 釦メタンスルホン酸塩としての鉛　９ｇ／１２メタンス
ルホン酸　　　　　　　　１５０ｇ／Ｑハルセルパネル
は以下の実施例のすべてにおし１て１アンペア５分間の
合計電流で操作した。

（実施例　７） １０ｇ／Ｑのポリオキシエチレンラウリルエーテル（２
３モルのエチレンオキサイド縮合物（Ｂｒｉｊ−３５−
Ａｔｌａｓ）　）を塩基性電解質に添加した。

メッキ浴は、低電流密度範囲では滑らかでつや消しであ
り、高電流密度区域では約３０から５０％焼けがあるハ
ルセルパネルを生じた。溶融後、メッキ堆積物表面は非
常に滑らかで、光沢があり、平滑で、良好なはんだ付着
能力を示した。

（実施例　８） 実施例７へ］、　ｇ　／　Ｑのカブリツクジカルボキシ
イミダゾリン両性表面活性剤（＾ＭｐＨ０ＴＩＥＲＧｆ
ｉ　Ｋ　Ｊ−２−Ｌｏｎｚａ）を添加した。この浴はメ
ッキ堆積物の焼けや暗色化の傾向が無い増大した高電流
密度範囲を示した。溶融後、メッキ堆積物は非常に滑ら
かで光沢があり平らで、良好なはんだ付着能力を示した
。

（実施例　９） １．０ｇ／Ｑのノニルフェノール／１２エチレンオキサ
イド縮合物を塩基性電解液に加えた。浴は単に５０％の
高電流密度範囲が暗色で焼けている滑らかなメッキ堆積
物を示した。

（実施例１０） 実施例９へ０．１８ｇ／１２のピコリン酸と、０．１ｇ
／Ｑのオルソオキシヒドロキシベンズアルデヒドのアリ
ルエーテル及び０．１６ｍ　Ｑ　／　Ｑのオルソクロロ
ベンズアルデヒドを添加した。

このメッキ浴からの堆積物は１５から４０ＡＳＦに光沢
ある電流密度範囲を示した。低電流密度範囲はもうろう
としたところから鈍いところがあり、高電流密度範囲は
鈍く焼けていた。

（実施例　１．１　＞ 実施例］Ｏへ１　ｍ　Ｑ　／　Ｑのアセトアルデヒドを
添加した。メッキ堆積物は２０から２００ＡＳＦにわた
る電流密度で輝きがあった。この実施例においては、実
施例１０の光沢剤を含むアルキルまたはアルキロールス
ルホン酸電解質で、有用電流密度範囲を非常にＥげるア
セトアルデヒドの効果を示す。

（実施例　１２） 実施例１０へ、Ｏ，１ｇ／Ｑのビスマス金属を硝酸ビス
マスとして添加した。メッキ浴はＯ近くから４０Ａ、Ｓ
Ｆにわたる電流密度で輝きをもつメッキ堆積物が得られ
た。

この実施例は、実施例１０の光沢剤を含むアルキルスル
ホン酸電解質で、有用な′電流密度範囲を極端に減少し
て非常に低い値にするビスマスの効果を示す。

〔実施例　１３（比較例）〕 ０．１ｇ／Ｑのビスマス金属を硝酸ビスマスとして実施
例７の浴へ添加すると、低電流密度領域においてなんら
の改良も無い。これは、米国特許第４．０００，０４７
号にリストされた光沢剤と芳香族アルデヒドとの組合せ
中にビスマスを使用することによる低電流密度改良の相
乗作用を示す。

（実施例　１１１） 実施例１１を繰返すが、しかし、この場合にはピコリン
酸は除がいした。メッキ堆積物は４０〜２００ＡＳＦに
わたる光沢電流密度で輝いている。この例は特許第４，
０００，０４７号のピリジン型材料を省くことができ、
そしてなお、より高い電流密度で良好な結果が得られる
ことを示す。低電流密度改良は、実施例】１では２０Ａ
ＳＦが最低限度で、本実施例では４０ＡＳＦまでで若干
の損失はあるが、しかし、ただ高電流密度範囲のみを必
要とするか希望するような場合においてはこの損失は１
１【大ではない。

〔実施例　１５（比較例）〕 次記のごとくメッキ浴を調製した。

ジヒドロキシプロパンスルホン酸 １６０ｍ　Ｑ　／　Ｑ 第一スズジヒドロキシプロパンスルホン酸塩としてのス
ズ金属　　　　　　　１８ｇ／Ｑ釦ジヒドロキシプロパ
ンスルホン酸塩としての鉛金属　　　　　　　　　　　
　９ｇ／Ｑハルセル試験を１アンペアで５分間行った。

そしてつや消しの製品で小さいこぶ付で、均一電着性の
悪いメッキ堆積物を生じた。

（実施例　１６） ５ｇ／Ｑのアンフォタージ（Ａｍｐｈｏｔｅｒｇｅ）　
Ｋ−２（Ｌｏｎｚａ）　　（カプリツクジカルボキシイ
ミダゾリン両性界面活性剤〕を上記の実施例１５へ添加
した。このメッキ浴は均質な堆積物を生じたが。

均一電着性が不良だった。

（実施例　１７） ８　ｇ　／　Ｑのプルロニック（Ｐ　１ｕｒｏｎｉｃ）
　Ｌ　−６２〔ポリ　（オキシプロピレン）ポリ（オキ
シエチレン）ブロックポリマ／２０％エチレンオギサイ
ド含有〕を実施例２のメッキ浴へ添加した。

１、アンペア５分間のハルセル試験は均質なつや消しパ
ネルで許容できる均一”Ｔｊ着性のあるものを生じた。

（実施例　１８） 下記の浴を調製した。

２−ヒドロキシプロパンスルホン酸 １５０ｍ　Ｑ　／　Ｑ 第一スズ−２−ヒドロキシプロパンスルホン酸塩として
のスズ金属　　　　　１５ｇ／Ｑ鉛−２−ヒドロキシプ
ロパンスルホン酸塩としての鉛金属　　　　　　　　　
　５ｇ／Ｑノニルフェノール／１２モルのエチレンオキ
サイド縮合物　　　　　　　　　　１０ｇ／Ｑピコリン
酸　　　　　　　　　　０．１８ｇ／Ｑアリルエーテル
又はオルソヒドロキシベンズアルデヒド　　　　　　　
　　０．１０ｇ／１２オルソクロロベンズアルデヒド０
．１６ｇ／１２アセトアルデヒド　　　　　　　１．０
ｇ／Ｑこの浴から得られたメッキ堆積物は２０から２０
ＯＡＳＦ範囲で光沢性を示した。これらの添加剤は全′
屯流密度範囲で光沢を出すように相乗的に作用し、いか
なるスルホン酸電解質に対しても効果があるものと考え
られろ。

上記のすべての実施例において電解質溶液は水で稀釈し
て望む容積にした。

ここに開示した発明は望む結果を達成すべくよく計画さ
れているが、数々の修正と実施態様とがこの技術分野に
おける熟練者により改良されることは認められるが、本
発明の付属する特許請求の範囲にはすべてのそうした修
正と態様とが本発明の真の技術的思想ならびに特許δ１
１求の範囲に入るように意図されているものである。

代理人弁理士　中　村　純　之　助 手　続　ネ市　、ｔ　Ｆ　　唱）＝（自発）昭和６１年
　６月　２日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、＄件の表示　　　昭和６０年特許願第２９３６６７
号２、発明の名称　　　スズ−釦電気メッキ溶液の調製
方法コミ。補正をする各 Ｉｌ（件との関係　　　　　特許出願人名　称　　リー
ローナル　インコーホレーテッド４、代理人 範囲、発明の詳細な説明の各欄 ６、補正の内容　　　添付別紙のとおり補正の内容 １．願非の発明の名称を「スズ−釦電気メッキ溶液の調
製方法」に訂正する。

２、特許請求の範囲を添付別紙のとおり訂正する。

３、明細−Ｆの発明の詳細な説明欄を次のとおり補正す
る。

（１）明細書第２６頁第１９行〜第２７頁第１行のパ約
０．５ｇ／Ｑのレゾルシノール・・・・・・この目的の
達成は充分である。″を、ｒｏ、５ｇ／Ｑのヒドロキシ
フェニール化合物は酸化防止剤（還元剤）として有効で
ある。レゾルシノール、ピロカテコール、ヒドロキノン
、フロログリシツール、ピロガロール、３−アミノフェ
ノールまたはヒドロキノン硫酸エステル、あるいはこれ
らと類似の薬品でこの目的を達成することができる。」
と訂正する。

（２）明細書第３７頁第９行と第１０行との間に、次に
示す実施例１９〜２４を挿入する。

「以下の実施例において、本発明をさらに具体的に説明
するが、これら実施例は、単に本発明の一例をより具体
的に示すことを目的とするものであって、いかなる意味
においても、本発明の技術的範囲を制限するものではな
い。

（実施例　１９） メッキをするために次のΔおよびＢに示す組成のメッキ
浴を調製した。

Ａ　　　　　　　Ｂ 自山酸　３００　ｇ／　Ｑ　　　　　　フルオボリック
酸　　メタンスルホン酸メッキ浴は次の３種のそれぞれ
の温度に維持した。

（１）１４０°Ｆ （２）　１２０’　Ｆ （３）８０°Ｆ メッキ浴の攪拌を引き起こすため空気をボンピング運動
によりメッキ浴の中へ取り入れた。すなわち、定期的に
空気を各メッキ浴の中へバブリングし、これを５０時間
継続した。５０時間経過後、３種の温度での空気酸化の
結果を調べるためメッキ浴中で酸化された二価のスズ含
有量を分析した。

その結果を以下に示す。

温度　　　　　メッキ浴　　　　酸化した二価のスズ（
％）１４０’　Ｆ　　Ａ＋ピロカテコール　　　　　　
９．８％Ａ＋ヒドロキノン　　　　　　１５．５％Ｂ＋
ピロカテコール　　　　　　３．４％Ｂ＋ヒドロキノン
　　　　　　　６．３％１２０″°ＦＡ＋ピロカテコー
ル　　　　　１５．６％Ａ＋ヒドロキノン　　　　　　
１２．１％Ｂ＋ピロカテコール　　　　　　７．６％Ｂ
＋ヒドロキノン　　　　　　　５．９％８０°　ＦＡ＋
ピロカテコール　　　　　　４．５％Ａ＋ヒドロキノン
　　　　　　　６．２％Ｂ＋ピロカテコール　　　　　
　５．５％Ｂ＋ヒドロキノン　　　　　　　３．０％８
０’　Ｆのメッキ浴では、メッキ浴Ａ＋ヒドロキノンと
比較して、メッキ浴Ｂ＋ヒドロキノン中では二価のスズ
の酸化が少ないことが確認された。

１２０’　Ｆ及びｌ／１０°Ｆでは、酸化防１１−剤を
含むすべてのフルオボレイトメッキ浴（Ａ）中でのスズ
の酸化はかなり生じていたが、同じ酸化防止剤を含むメ
タンスルホン酸メッキ浴中ではスズの酸化はかなり減少
していた。

（実施例　２０） 実施例１９のＢに示す組成のメチロールスルホン酸の代
りにアルキロールスルホン酸を用いて、実施例１９と同
様にして二価のスズの酸化を行った。

その結果、実質的に実施例１９と同様なアルキロールス
ルホン酸メッキ浴中での酸化防止剤の有効性が確認され
た。上記実施例１９および２０において電気メッキ浴は
、所望の容量にするために水で希釈した。

（実施例　２１） エレクトロニクス及び通信産業の分野で使用されるワイ
へ７の大手製造業者において、生産設備であるフルオー
トメーション装置によりワイヤにスズの電気メッキを行
なった。電気メッキには次に示すフルオボレイトをベー
スにした組成のメッキ浴を用いた。

塩化フルオボレイトとしてのスズ金属　　１５０　ｇ／
　Ｑフルオボリック酸　　　　　　　　　　　２００ｍ
　Ｑ／　Ｑゼラチン　　　　　　　　　　　　　　　　
６ｇ／Ｑ。

ベータナフトール　　　　　　　　　　　　　１に／Ｑ
ヒドロキノン　　　　　　　　　　　　　　　３ｇ／Ｑ
。

電流密度　　　　　　　　　　　　　　　１５００Ａ　
Ｓ　Ｆ温度　　　　　　　　　　　　　　　　　１４０
°Ｉ７スズ酸（メ゛タスズ酸）をベースにしたスズスラ
ッジが電着スズ３００，０００　Ｌ　ｂｓにつき６０，
０００Ｌｂｓの割合で生じた。この量は、１０個のドラ
ムカンで。

毎月処理又は精製される廃棄物となる。

（実施例　２２） 実施例２１と同じ１造業者において、スズ電気メッキ浴
の組成を以下のように変えて、実施例２１と同様にして
電気メッキを行った。

塩化メタンスルホン酸（スルホン酸塩）としてのスズ金
属　　　　　　　　　　１００ｇ／Ｑメタンスルホン酸
　　　　　　　　　　　２００ｍ　Ｑ　／　Ｑアルギレ
ンオキサイド及び四元界面 活性剤　　　　　　　　　　　　　　　　５ｇ／２カテ
コール　　　　　　　　　　　　　　　１　ｇ　／　Ｑ
電流密度　　　　　　　　　　　　　　２０００Ａ　Ｓ
　Ｆ温度　　　　　　　　　　　　　　　　　１４０’
　Ｆこの結果、酸化第二スズを主成分とするスラッジが
、電着スズ３００　、０００　Ｌ　ｂｓに対して、わず
か１５００Ｌｂｓであった。この量は、毎月およそ］／
４ドラムカンに相当する量であって、生成するスラッジ
の量が極めて少ないことを示している。

（実施例　２３） 電気接触器及び接続器の大手の製造業者において、生産
設備であるフルオートメーション装置しこより連続して
６０対４０のスズ−鉛合金を電気メッキした。電気メッ
キ浴は、以前は以下の組成のフルオボレイトベースのメ
ッキ浴を用いていた。

塩化フルオボレイトとしてのスズ金属　　６０ｇ／Ｑ釦
フルオボレイトとしてのεイ）金属　　　　　３０ｇ／
Ｑフルオボリック酸　　　　　　　　　　　２００ｍ　
Ｑ　／　Ｑベータナフトール　　　　　　　　　　　　
　１ｇ／Ｑヒドロキノン　　　　　　　　　　　　　　
　３　ｇ　／　Ｑ光沢剤　　　　　　　　　　　　　所
望の光沢を得る必要がある場合に 使用される。

温度　　　　　　　７５〜８５”　Ｆ 電流密度　　　　　　　　　　　　　　　１００ＡＳＦ
スラツジは急激に増加し、電流効率、はんだづけ性及び
光沢性が劣化した。また、スラッジは陽極を被覆し、攪
拌機構を不能にするため、２力月毎にメッキ浴を廃棄し
なければならなかった。新しいメッキ浴は、スラッジに
より被覆されてしまったメッキ槽、陽極、フィルタ及び
ポンプなどを完全に清掃した後にメッキ装置に使用され
た。このメッキ浴の交換及び洗浄］二程は２力月毎に繰
り返されなければならなかった。

（実施例　２４） 実施例２：３と同じ製造業者において、スズ−釦電気メ
ッキ浴の組成を以下のように変えた。

塩化メタンスルホン酸エステル （スルホン酸塩）としてのスズ金属　　　４０ｔｒ、／
Ｑ釦ツメタンスルホン酸エステルスルホン酸塩）として
の鉛金属　　　　　　　　　１５ｇ／Ｑメタンスルホン
酸　　　　　　　　　　　２００ｍ　Ｑ　／　Ｑ酸化ア
ルキレン（ＢＡＳＦによるＬｕｔｓｎｓｏｎ　ＡＰ−１
４）２．５ｇ／Ｑ 四元界面活性剤（Ｌｏｎｚａによる両性表面活性剤Ｋ）
２．５　ｇ　／　Ｑ カテコール　　　　　　　　　　　　　　　Ｉｇ／ＱＯ
−クロロベンザアルデヒド　　　　　　０．３ｇ／Ｑア
セトアルデヒド　　　　　　　　　　　１．５ｇ／Ｑ温
度　　　　　　　　７５〜８５°Ｆ 電流密度　　　　　　　　　　　　　　　１５０ＡｓＦ
この溶液を用いた結果、スラッジの生成量は最少となり
、電気メッキ装置の清掃あるいはメッキ浴の交換を行う
必要性が全くなくなった。」 別　　　　　紙 特許請求の範囲 １、スズ、３イ）またはスズ−鉛合金電気メッキ用の電
解質調製方法であって。

適切な溶媒へ所定量の可溶性二価スズ化合物、可溶性二
価鉛化合物、又は双方と、可溶性アルキル、又はアルコ
キシロールスルホン酸を、実質的に３以下のｐＨを有す
る溶液となるように充分な量を加え、 Ｌ記溶液へ、少くとも実質的に８モルの酸化アルキレン
を有する可溶性酸化アルギレン縮合化合物を加えて、実
質的に９０°Ｆ以上の曇り点を有する電解質となし、上
記電解質は電気、メッキの間に改良された陰極効率を有
し、良好なはんだ付着能力を有するスズ、鉛、またはス
ズ−鉛合金を生ずることが可能であることを特徴とする
スズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。

２、更に、電気メッキ溶液へ過剰のスルホン酸を添加し
、実質的にｐＨが２以下となるように調べ 記載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。

３、二価のスズ及び二価の鉛化合物のうちの少なくとも
１種を、アルキルまたはスルホン酸アルキロール塩の形
で電気メッキ溶液に添加することを特徴とする特許請求
の範囲第１項または第２項に記載のスズ−鉛電気メッキ
溶液の調製方法。

４、更に、充分な量の可溶性第四アンモニウム脂肪酸化
合物を電気メッキ溶液へ、 ａ）電気メッキ用の高電流密度範囲を増大するように、 ｂ）電解質の均一電着性を改良するように、Ｃ）電気メ
ッキされたメッキ堆積物の表面仕上を改良するように、
または ｄ）電気メッキ浴の曇り点を改良するように、添加する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項の
いずれか１項に記載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方
法。

５、第四アンモニウム脂肪酸化合物が可溶性イミダゾリ
ン、モノアゾリン、ないし、アミドベタイン化合物とし
て添加することを特徴とする特許請求の範囲第４項に記
載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。

６、電気メッキ液へ充分な量の芳香族アルデヒドを添加
し、メッキにより生ずる堆積物の光沢を改良することを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれ
か１項に記載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。

７、電気メッキ液へ充分な量の可溶性ビスマス化合物を
添加し、電気メッキの低電流密度範囲を改良することを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれ
か１項に記載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。

８、電気メッキ液へ充分な量のアセトアルデヒドを添加
し、電気メッキの高電流密度範囲を改良することを特徴
とする特許、請求の範囲第１項ないし第７項のいずれか
１項に記載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、スズ、鉛またはスズ−鉛合金電気メッキ用の電解質
   調製方法であって、 適切な溶媒へ所定量の可溶性二価スズ化合物、可溶性二
   価鉛化合物、又は双方と、可溶性アルキル、又はアルコ
   キシロールスルホン酸を、実質的に３以下のｐＨを有す
   る溶液となるように充分な量を加え、 上記溶液へ、少くとも実質的に８モルの酸化アルキレン
   を有する可溶性酸化アルキレン縮合化合物を加えて、実
   質的に９０°Ｆ以上の曇り点を有する電解質となし、上
   記電解質は電気メッキの間に改良された陰極効率を有し
   、良好なはんだ付着能力を有するスズ、鉛、またはスズ
   −鉛合金を生ずることが可能であることを特徴とするス
   ズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。 ２、更に、電気メッキ溶液へ過剰のスルホン酸を添加し
   、実質的にｐＨが２以下となるように調製することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項に記載のスズ−鉛電気メ
   ッキ溶液の調製方法。 ３、二価のスズ及び二価の鉛化合物のうちの少なくとも
   １種を、アルキルまたはスルホン酸アルキロール塩の形
   で電気メッキ溶液に添加することを特徴とする特許請求
   の範囲第１項または第２項に記載のスズ−鉛電気メッキ
   溶液の調製方法。 ４、更に、充分な量の可溶性第四アンモニウム脂肪酸化
   合物を電気メッキ溶液へ、 ａ）電気メッキ用の高電流密度範囲を増大するように、 ｂ）電解質の均一電着性を改良するように、ｃ）電気メ
   ッキされたメッキ堆積物の表面仕上を改良するように、
   または ｄ）電気メッキ浴の曇り点を改良するように、添加する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項の
   いずれか１項に記載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方
   法。 ５、第四アンモニウム脂肪酸化合物が可溶性イミダゾリ
   ン、モノアゾリン、ないし、アミドベタイン化合物とし
   て添加することを特徴とする特許請求の範囲第４項に記
   載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。 ６、電気メッキ液へ充分な量の芳香族アルデヒドを添加
   し、メッキにより生ずる堆積物の光沢を改良することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれ
   か１項に記載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。 ７、電気メッキ液へ充分な量の可溶性ビスマス化合物を
   添加し、電気メッキの低電流密度範囲を改良することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれ
   か１項に記載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。 ８、電気メッキ液へ充分な量のアセトアルデヒドを添加
   し、電気メッキの高電流密度範囲を改良することを特徴
   とする特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれか１
   項に記載のスズ−鉛電気メッキ溶液の調製方法。 ９、スズ、鉛またはスズ−鉛合金を所定の基板上へ電気
   メッキする方法であって、特許請求の範囲第１項ないし
   第８項のいずれか１項に記載の電気メッキ液を用い、上
   記の基板の少くとも一部分を電気メッキ液中に浸漬する
   こと、および 所定のスズ、鉛、もしくはスズ−鉛合金を上記基板上に
   電気メッキすることを特徴とするスズ、鉛またはスズ−
   鉛合金の電気メッキ方法。