JPS5871625A - 電子ビ−ム露光装置のためのパタ−ンデ−タ処理装置 - Google Patents

電子ビ−ム露光装置のためのパタ−ンデ−タ処理装置

Info

Publication number
JPS5871625A
JPS5871625A JP57173382A JP17338282A JPS5871625A JP S5871625 A JPS5871625 A JP S5871625A JP 57173382 A JP57173382 A JP 57173382A JP 17338282 A JP17338282 A JP 17338282A JP S5871625 A JPS5871625 A JP S5871625A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory
turn
segment
graphic data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57173382A
Other languages
English (en)
Inventor
ドナルド・ダブリユ・ベリアン
ビリ−・ダブリユ・ワ−ド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Varian Medical Systems Inc
Original Assignee
Varian Associates Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Varian Associates Inc filed Critical Varian Associates Inc
Publication of JPS5871625A publication Critical patent/JPS5871625A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control
    • H01J37/3026Patterning strategy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景〕 本発明は、被加工物を選択的に照射するための電子ビー
ム露光装置に関する。特に、電子ビーム露光装置に対し
てビームブランキングデータをもたらす丸めのノ譬ター
ンデータ処理装置に関する。
超小型半導体デ/4イスの製作に使用するために、電子
ビーム露光装置が開発されてきた。電子ビームで露光す
ることによって、電子レジスト材料で被覆した半導体ウ
エノ・又はマスク内に4奢ターンが生成される。ノ9タ
ーンの露光において、電子ビームが、ビーム方向に垂直
に位置され九被加工物の表面にわたって走査される。ビ
ームが被加工物表面にわ九り走査されるときに、ビーム
を0N10FFし又は!ランクして、所望の/fターン
を生成する。
・譬ターンのゆがみを最小化するために、電子ビームの
偏向を制限し、被加工物を移動ステージによってビーム
の下に機械的に設置する。電子ビームは1方向に走査さ
れ、且つステージは!方向に移動し、それによシ被加工
物の条片(strlp・)が走査される。追加的なステ
ージ移動により、多数の隣接する条片が走査されて、最
終的に被加工物の全面が走査される。電子ビーム走査域
は1マイクロメートルであシ、移動するステージによっ
て数インチ4方の被加工物の露光が可能となる。
予期されるように、超小型半導体デバイス上に複雑なノ
リーンを描くためには多量のデータが必要とされる。例
えば、0.5−vイクロメートルの電子ビームを利用す
るときには、1辺わずか0.5ミリメートルのノぐター
ンをラスタ走査するために100万ビツトのデータが必
要である。露光すべきツタターンを描くデータは代表的
には、種々の模様の位置1寸法及び形状を特定する図形
データ(Hgur@d@ta )の形態で磁気テープ又
はディスク上に記憶される。ラスク走査装置においては
、露光すべき領域のビットマッグイメージ(bit m
api論1g・)への図形データの変換が、ノ臂ターン
描画に先立ち要求される。図形データの変換に要する時
間は、かな夛のものである。
勢倍(実寸)のマスク又は半導体ウェハの露光において
、グイ(dl・)ツタターンが25〜100回反復され
る。従来技術の装置は、このノ々ターン反復の利点によ
って、図形データ変換に資す総時間を減少させた。1つ
の条片又は1つの条片の一部分についての図形データが
ビ、ットマッグへと1回変換されて、25〜100のダ
イの各々の上の対応する条片が露光される。この方法を
用いることにより、図形データ変換時間は代表的には、
被加工物を露光するための総時間のlO−〜25−にな
る。
レチクル(r@ti*1・)作製のために電子ビーム露
光装置を用いることが、望まれてきた。レチクルと社、
実際のデバイス寸法の5倍又は10倍の寸法であシ、l
又はそれ以上のダイ又は反復/lターンを含んだタイプ
のマスクである。後にウェハステラ/1−I装置にレチ
クルが用いられて、1つ以上のダイの半導体ウェハのデ
バイス層を同時に製作する。レチクル作製のために電子
ビーム露光装置が商業的に使用されるときには、主要な
動作/豐うメータは、単位時間当DK完成されるレチク
ルのスループットである。
レチクルには本来的にノリーン反復がないので、従来技
術装置における図形データ変換に要する時間が増大する
。さらに、5倍又は10倍レチクルの模様は1倍マスク
のそれよりも大きく、ビットマッグ内によυ多くのビッ
トを畳する。図形データはビットととに変換されるので
、大きな模様の変換にはより多くの時間が費される。従
来技術装置がレチクル作製に用いられるときに社、全体
的効果として図形r−タ変換時間を著しく増大させる。
図形データ変換時間は、正味の描画時間の何倍もの時間
を費す。
〔発明の目的〕
本発明の一目的は、電子ビーム露光装置のために高速ビ
ームラランキングデータをもたらす/4ターンデータ処
理装置を提供することである。
他の目的は、電子ビーム露光装置のために連続的ビーム
ブランキング情報タをもたらすノ譬ターンデータ処理装
置を提供することである。
他の目的は、ビットマッグ発生中においても描画を継続
する電子ビーム露光装置のための・譬ターンデータ処理
装置を提供することである。
他の目的は、レチクル用のビームラランヤングデータが
効率的にもたらされ得る電子ビーム露光装置のためのノ
?ターンデータ処理装置を提供することである。
〔発明の概要〕
本発明に従い、V−ムが被加工物の多数の隣接する条片
を選択的に照射する露光装置の丸めにビームfランキ/
グデータをもたらすノ中ターンデータ処理装置によって
、上記諸目的が達成される。
該ノ臂ターンデータ処理装置は、照射すべき/譬ターン
形状を描く図形データを記憶するためのメモリ一手段を
含む。図形データは多数ゾロツクのセグメント図形デー
タへと小分割され、その各々は前記条片領域のうち1つ
の領域内の1つのセグメントに対応する。ノ量ターンデ
ータ処理装置はさらK。
セグメント図形データのブロックの少なくとも1つをそ
れぞれのセグメントについてのピームシ2ンキング情報
を含むビットマツプへと変換する動作と、他のビットマ
ッグ内のビームブランキング情報を直列化して連続的ビ
ームブランキングデータをもたらす動作とを同時に行う
丸めの手段を含む。よって図形データ変換が、被加工物
の照射と同時に実行される。
本発明の他の特色によれば、ビームグラ/キングデータ
の発生方法が提供される。この方法は、図形データを多
数ブロックのセグメント図形データへと小分割してRA
M(ランダムΦアクセス・メモリー)内に記憶させる段
階を含むつこの方法はさらに、セグメント図形データの
ブロックのうちの少なくとも1つをそれぞれのセグメン
トについてのビームブランキング情報を含むビットマツ
プへと変換し、同時に他のビットマツダ内のビームブラ
ンキング情報を直列化して連続的ビームブランキング情
報タをも走らす段階を含む。この方法によれば、図形デ
ータ変換が、被加工物の照射と同時に達成される。
〔電子ビーム露光装置の説明〕
電子ビーム露光装置が、第1図にブロック図で示されて
いる。書込みモジュール10が、ペース14上に取付け
られたコラム12を含む。コラム12は電子源及びビー
ムコラムを含み、それらはビームを形状づけるための開
口、ビームを集束させるためのレンズ、ブランキンググ
レート、中心合わせ用コイル(心合コイル)及び走査用
コイルを有する。電子源、レンズ及び心合コイルは、電
子源・コラム制御器16から電力及び制御信号を受信す
る。走査コイルは、電子ビーム制御器1Bからビーム偏
向信号を受信す、る。!ランキンググレートは、データ
処理装置20からビームブランキング信号を受信する。
ペース14は移動ステージ及びそれに付設された駆動モ
ータを含み、それらは電子ビームの下に被加工物を位置
づけ且つ露光進行中に被加工物を移動させる。さらにペ
ース14は、被加工物の位置を正確に測定するレーデ−
干渉針、並びに電子源、ビームコラム及びチェンバを維
持する真空装置を含む。誼真空装置内の高真空の下に被
加工物が設置される。移動ステージのための駆動モータ
は、ステージ制御器22からステージ駆動信号を受信す
る−。レーデ−干渉計からのステージ位置信号が、ステ
ージ制御器22へと送られる。データ処理装置20は、
電子源・コラム制御器16、電子ビーム制御器18及び
ステージ制御器22へと制御信号を供給することによっ
て、露光装置の動作を制御する。加えて、データ処理装
置20は、チーブユニット24又はディスクユニット2
6からのノ譬ターンデータを処理して、ビームブランキ
ング信号を供給する。露光装置の動作を制御する丸めの
ソフトウェアは、ディスクユニット26内に記憶される
。適尚な書込みモジュール及び付設する制御電子機器が
知られていて市販されている。本発明に従ったデータ処
理装置は、以下に詳細に記す。
動作にあたり、コラム12は電子ビームを発生する。電
子ビームは、電子レジスト材料で被覆された被加工物の
上で走査され、ON10 F Fされ或いは!ランクに
されて、皺加工物上に所望の露光ツクターンを生成する
。電子ビームが有する走査域は約1 t IJメートル
の限界があるので、移動するステージによって、比較的
大きな被加工物の露光が可能になる。
〔従来技術のデータ処理装置の説明〕
従来技術に従ったノ4ターンデータ処理装置が、第2図
11Cfロツク図で示されている。露光されるべきノ譬
ターンが、磁気ディスク上に図形データの形態で記憶さ
れる。図形データは、位置、寸法及び形状に関するパタ
ーンの特色を描く。lブロックの図形データが、汎用コ
ンピュータ30によってディスクユニットからノ譬ター
ンデータプロセッサ32へと転送される。−ノヤターン
データグロセツサ32は、図形データを露光ノ4ターン
のピットマッグイメージ(bit map 1mmg・
)へと変換し、それをピットマッグメモリ−34に記憶
させる。図形データの変換後に、ビットマッグは/譬タ
ーンデータグロセツサ32を通して逆に転送され、ビー
ムブランキングデータをもたらす。
従来技術の描画技法を説明する等倍iスクの1例が、第
3図に示されている。マスク38は多数の等しいグイ(
aS・)40を含む。走査する電子ビームは移動ステー
ジと連係して、各々のグイ40の条片42の露光をもた
らす。移動ステージは、矢印44で示されるような蛇行
運動をマスク38に付課する。それKより、マスク38
上の全ての条片42が順に露光される。このように条片
42のための図形データが1回だけビットマツプへと変
換され、全ての条片42が露光されるまでビットマツプ
が繰り返し読み出される。次に、条片42に隣接した条
片46のための図形データがビットマッグへと変換され
、マスク38上の全ての条片46が露光される。全マス
クが露光されるまで、条片走査の処理が繰シ返される。
上記装置においては、図形データの変換及び被加工物の
露光が順に実行され、それにより図形データ変換時間が
被加工物処1111時間を直接に増大させる。図形デー
タ変換総時間を減少させるように一母ターンを繰り返す
ことから、利点が得られるつ 〔本発明に従ったデータ処理装置の説明〕本発明に従っ
たデータ処理装置20が、第4図にブロック図で示され
ている。データ処理装置20は、当皺装置の動作を制御
するコンピュータ50、数!ロックの図形データを記憶
する・臂ターンデータメモIJ −52、及び複数のノ
やターン発生器54.55.56.57.5Bを含む。
各々の/4ターン発生器は、図形データをビットマッグ
へと変換して、そのピットマッグをシフトレジスタ60
へと転送スる。コンピュータ5Gは、チーブユニット2
4及びディスクユニット26に接続される。制御目的の
ためにコンピュータ12勺・嗜ス62が、・豐ターン発
生器54〜58及びシフトレジスタ60へと接続されて
いる。コンピュータ!浄ノリ]2は又、インターフェー
ス回路64を通して・昔ターンデータメモリーパス66
へ接続され、そして電子源・コラ五制御器16、電子ビ
ーム制御器18及びステージ制御器22へも接続されて
いる。・譬ターンデータメモリーハス66は、ノ譬ター
ンデータメ篭り−52、ノ9ターン発生器54〜58及
び中介回路(arbitration @1rcult
 ) 68へと接続される。デライキングデータノ櫂ス
フ0が、各/#ターン発生器54〜5Bをシフトレジス
タ60の入力へと接続する。上記接続の各々は多芯接続
であることに注意され丸い。
第4図のノ譬ターン発生器54〜58の代表的な・譬タ
ーン発生器が、第5図に!四ツクー形態で示されている
。コンピュータI10パス62は、コンピュータパスイ
ンター7エイス76を通じて、!ログラムメモリー78
、データラッチ80の入力及びデータラッチ82の出力
へと接続される。!ログラムメモリー78の出力は、マ
イクログロセツサであるノ々ターン!ロセツサ84へと
接続される。/譬ターングロセツサ84からのアドレス
ラインが、グロダラムメモリー78に接続される。・ダ
ターンデータメモリーノリ]6はデータラッチ86を通
じてl) a4ス88へ接続され、次にD−々ス88は
・リーン!ロセツ+84のD入力へと接続されている。
ノ譬ターン!ロセツサ84のY出力がYパス90に接続
され、Yノ+ス90が次にアドレスカウンタ92を通じ
て/lターンデータメモリーパス66へと接続されてい
る。データラッチ80の出力は、Dパス8811続され
る。データラッチ82の出力は、Yパス90に接続され
る。Yパス90は、データラッチ94を通じてビットマ
ッグメモリー96のデータ入力に接続され、又マスクラ
ッチ9Bを通じてビットマッグメモリー96の書込みエ
ネイブル(wg)入力に接続される。さらに、Yノリ]
0は、ワードカウンタ100及びアドレスカウンタ10
2の並列ロード入力に接続される。
アドレスカウンタ102の出力は、ビットマツダメモリ
ー96のアドレス入力へと接続される。ワードカウンタ
100のキャリー(garry )出力は、アドレスカ
ウンタ102の禁止(Inhibit )入力に接続さ
れる。ビットマッグメモリーのデータ出力は、データラ
ッチ104を通じてブランキングデータバス70に接続
され、又インターフェイス106を通じてDパス88に
接続される。
第4及び5図に示し上述したようなデータ処理装置20
の動作において、以下の3つの異なる動作が同時に起こ
る。すなわち、1)チーブユニット24からの図形デー
タを74ターンデータメモリー52へと転送する動作、
2)ノリーン発生gs54〜58のうち1つを除いた全
部によってノリtンデータメモリ−52からの図形デー
タを読み取り、そのデータをピットマッグへと変換する
動作、及ヒ3)ノlターン発生器54〜58のうち残る
1つの内にビットマッグメモリー96からのデータを転
送し、ビームグラ/dPングデータをも九らす動作、で
ある。
テープユニット24内に記憶されている図形データは、
被加工物上での描画ノ譬ターンに対応し、且つ用いられ
る描画技法に相応するように組織化されている。本装置
の描画技法及びデータ組織化は、第6〜8図に示されて
いる。第6図は、等しいグイ112,114を含むレチ
クル(r@tl*1*)110を示す。第1図に示す装
置によるレチクル1100露光の際に、条片領域116
及び条片領域118が、図示する方向に順に走査される
。移動ステージがシフトし、方向が変わり、それぞれ条
片領域11g及び116に隣接する条片領域120及び
122が順に走査される。条片領域に隣接して前進後退
する技法が繰り返されて、レチクル110a完全に露光
される。条片領域116、11g、120,122の幅
は、電子ビームの走査幅により制限され、代表的には1
ミリメートル又はそれ以下である。チー!に記憶されて
いる図形データは、数ブロックに分割され、各々が各条
片領域に対応する。・臂ターンデータメモリー52F1
.2fロツクの条片データ分の容量を有する。
レチクルの場合の特色は、勢価の1×マスクに比べて寸
法が大きく数が少ないことである。このように、特定の
ノ譬ターン領域を描画するのに要するデータの量は、レ
チク、、ルの場合に小さい。本実施例においては、ノ々
ターンデータメモリーは0.5メガバイトの容量を有す
る。数ブロックの条片データカ、コンピュータ5oにょ
ジインターフェイス64を通じてノ々ターンデータメモ
リー52へと転送される。
第7図を参照すると、多重セグメント124.126.
128.130へと小分割され九条片領域116の拡大
図が示されている。条片データはノ臂ターンデータメ篭
り一52内に記憶され、条片領域のセグメントに対応す
る数ブロックのセグメント図形データが、ツタターン発
生器54〜58によって独立的にアクセス可能である。
ラスク走査の詳細を示すセグメント124の拡大図が、
第8図に示されている。代表的なセグメントでは、横z
024ビット、長さ244ピツトである。かくして、セ
グメy)124の/ヤターンを特定する丸めに250に
ビットマツ!が必要となる。電子ビームによるラスク走
査は、破線で示されている。
実際上、特定の実例のために244本の走査線が必要で
ある。
数!ロックのセグメント図形データへと小分割され走数
ブロックの条片データがノ譬ターンデータメモリー52
へとロードされると、その後図形データのピットマツダ
への変換が連続的に起こり得る。図形データのビットマ
ツ!への変換は、コンピュータ500制御の下でノfタ
ーン発生器54〜58の各々によって実行される。図形
データ変換ルーチン及びビットマツ!転送ルーチンは、
コンピュータ50から、各ノ奢ターン発生器54〜5B
内の!ログラムメモリーフ8へとダウンロード(t@w
mload )  される。連続する数ブロックのセグ
メント図形データの開始点に対応するアドレスが、コン
ピュータ50から各・皆ターン発生器54〜5Bへとダ
ウンロードされる。このようにして、例えば、セグメン
ト124に対応する数!ロックのセグメント図形データ
のアドレスが74タ一ン発生器54に与えられ、セグメ
ン)126に対応する数ブロックのセグメント図形デー
タのアドレスがツタターン発生器55に与えられ、以後
同様になる。
ツタターン発生器はそこで、コンピュータ50に命令さ
れて、図形データ変換を続行する。、4ターンプロセツ
サ84は、アドレスレジスタ92を通じてアドレスをノ
譬ターンデータメモリー52へと送る。アドレスされた
データワードは、データラッチ86を通じて・譬ターン
!ロセツサ84により受信される。第1の図形データワ
ードは、続くデータワードが長方形であるか或いは台形
であるかを指示する。
図形データは、長方形表示及び台形表示に分けられる。
何れの場合も、X%yの位置、高さ及び幅が特定される
。台形の場合には、非千行辺の傾斜も特定される。各数
字表示が、パターンデータメモリー52の数ワードを占
める。
次に・譬ターン!ロセツサ84は図形表示のうち残るデ
ータ9−ドを読出し、そして長方形変換サブルーチン又
は台形変換サブルーチンの何れかを呼出す。図形データ
ワードはビットマツダを発生させるために用いられる。
ビットマッグは点ごとの図形の表示であり、ビットマツ
ダデータがビットマッグメモリー96内に記憶される。
長方形ビットマッグの発生を第5及び9図を参照して説
明する。本実施例においては、ビットマッグメモリー9
6が16ピツトワードであると仮定する。、第9図は、
ピットマッグメモリー96の領域140を示している。
各々の垂直条片は、特定アドレスを有する16ピツトワ
ードを表わす。
領域140へ1ツノされる長方形142が、斜線部分で
示される。長方形142は、ビットマッグメモリー96
の領域140内に完全に位置される。
説明を明白にするため、領域140の左側に16ピツト
マスクワード144を示す。長方形ピットマッグの発生
は以下のように処理される。長方形142のX位置を示
す開始アドレスムlが、ノ臂ターン!ロセツサ84によ
シ決定され、アドレスカウンタ102へと四−ドされる
。長方形の長さをデータワードで示す数字Llが、ノリ
ーンプロセッサ84によりワードカウンタ100へとロ
ードされる。第9図の実施例では、Llは9ワードであ
る。長方形142の位置を示し且つその幅をビットで示
すマスクワード144は、・臂ターングロセツサ84に
よシラスクラッチ98へとロードされる。第9図の実施
例では、マスクワード144の濃い部分である中央の8
ビツトが″l#である。
!スクラッチ98の出力がビットマッグメモリー96の
書込みエネイゾル入力に接続しているので、データワー
ドのマスクされていないビットへの書込みが達成され、
又データワードのマスクされ九ピットはそのtt残る。
このようにして、マスク部分において以前書込まれ九ピ
ッ)−rツブ情報の転換が禁止される。全て11”から
成るデータワードが、/4ターンプロセッサ84により
データラッチ94へとロードされる。ここで、ビットマ
ッグメモリー96への書込み、及びアドレスカウンタ1
02とワードカウンタ100とのクロッキングが処理さ
れる。アドレスカウンタがカウントするにつれて、マス
クラッチ98内のデータは連続したアドレス位置へと書
込まれる。第9図において、アドレスカラ/りはアドレ
スAIのところで開始して、右方へと進行する。ワード
カウンタ100がLlのカウントに達すると、アドレス
A9においてアドレスカウンタ102が禁止され、そし
て長方形1420ビツトTツグの書込みが完了する。
データラッチ94、マスクラッチ98、ワードカウンタ
lOO及びアドレスカウンタ102へのデータのローデ
ィングの後に、ビットマツプメモリー96への長方形ビ
ットマッグの書込みが、ノ譬ターンプロセッサ84によ
る制御又は介入なしに完了されることに注意され丸い。
かくして、/IFターングロセツサ84は図形データ変
換の次のステツブにおいて自由に動作し、そして図形デ
ータ変換の総処理時間が速くなる。
第1θ図を参照すると、長方形150が示されている。
この長方形150は、リードの境界をまたぎ、ビットマ
ツプメモリー960領域152及び領域154に部分的
に存在している。この場合においては、前述の長方形発
生処理が2回(長方形がさらに大きいときは2回以上)
実行される。
マスクワード156、開始アドレスB1.及び長さく第
10図の例では11)を表わす数字L2が、上述のよう
に適切な位置へとロードされ、そして長方形150の上
方部分が領域152内に書込まれる。次Kwスクワード
158、開始アドレスCI及び数字L2が上述のように
適切水位置にロードされ、長方形15Gの下方部分が領
域154内に書込まれる。このようにして1図形データ
により特定される全ての長方形が、Vットマッ!メモリ
ー96へと願に書込まれる。
台形の図形データのビットマッグへの変換を第11gに
示す。合体して所望の形状の台形を形成するlビット幅
の一連のラインを書込むことによって、ビットマツプメ
モリーの領域162へ台形160が書込まれる。台形の
傾斜辺のために各成分ラインは異なる長さを有し、各ラ
インの書込みに先立ちその長さがノダターンfロセツサ
84によシ計算される。台形ビットマツダの1つの成分
ライン164の書込みは、上述のようにして1ビツト幅
の長方形の書込みと同様にして達成される。
所望のライン位置Klビットを含むマスクワード166
が、マスクラッチ98ヘロードされる。ライン164の
長さを表わす数字L3がワードカウンタ100ヘロード
され、開始アドレスDlがアドレスカウンタ102へp
−ドされ、そしてライン164が領域162内に書込ま
れる。次に、隣接するラインが同41にして書込まれ、
その処理が繰返されて、台形ビットマッグが完了される
1つの条片領域の1つのセグメントに対するビットマツ
プが完了すると、ノ々ター/発生器はデータラッチ82
及びコンピュータパスインター7エイス76を通してコ
ンピュータ50に信号を送夛、ピッ)wラグデータを読
取るための準備ができる。
ビットマッグの発生中において、データをシフトレジス
タ60へと読出す1つのツクターン発生器を除いた各々
のノ母ターン発生854〜58は、新しい図形表示が要
求される各回毎に・中ターンデータメモリー52をアク
セスする。加えて、ノ中ターン発生器54〜5Bによる
図形データの貌取りの際に、コンピュータ50は新しい
図形データの書取シの九めにノ臂ターンデータメモリー
52をアクセスする。かくして、/臂ターンデータメモ
リー52について高速動作の要求がもたらされ、装置動
作の遅砥が阻止される。本発明の111!施例において
は、ノ母ターンデータメモリー52は、100ナノ秒毎
に1つのデータを読取シ或いは書込むことが可能なメモ
リーである。かくして、ツクターン発生器54〜58又
はコンピュータ50のうちの1つがアクセスのために待
ち時間を有する可能性は低い。2つのデノ肴イスが同時
にノ譬ターンデータメモリー52をアクセスしようとす
る時には、中介回路68が1つのrノ4イスにアクセス
を許し他のデバイスに待つことを要求する。仲介回路6
8は優先回路であって、その中で所定の優先度が、・中
ターンデータメモリー52をアクセスしようとする各デ
・臂イスへと与えられる。
ノ4ターン発生器54〜58の成るものが1つのビット
マツダの発生及び記憶を完了させると、次にそれはコン
ピュータ50からの指令を読むために待つ状態になる。
指令が与えられると、ピットマッグメモリー96からシ
フトレジスタ60へとビットマッグデータが読出される
(1度に1つのデータワーP)。次にデータワードはシ
フトレジスタ60へと直列にシフトされて、ビームブラ
ンキングデータをもたらす。ノ譬ターンが被加工物上に
適正に位置されることの必要性のため、ビームブランキ
ングデータは電子ビーム掃引電圧に対して適正に同期さ
れなければならない。このことは、ビットマッグメモリ
ー96からシフトレジスタ60を通るデータの転送を、
電子ビーム場引電圧を制御する同一のクロックに同期さ
せることにより、達成される。ビットマツプメモリー9
6からのデータの転送に先立ち、走査方向が決定されな
ければならない。第6図を参照すれば明白なように、条
片領域116を露光するためにビットマツプメモリー9
6が成る方向#taまれるならば、条片領域122を露
光するためにはピットマッグメモリーは反対方向に読ま
れる。ピットマッグメモリー96の読出しの間、ノ譬タ
ーン!ロセツサ84はアドレスカウンタ102を通じて
データワードをアドレスし、データワードはデータラッ
チ104を通じてシフトレジスタ60へと転送される。
各電子ビームがラインを走査した後に、ノ9ターン!ロ
セツサ84はシフトレジスタ60のクロックに同期され
る。ビットマツプの最後のツインがシフトレジスタ60
へと転送され丸後に、ツクターン発生器がコンピュータ
50に割込み、次のツクターン発生器に読出し指令が与
えられる。
図形データの処理及び条片領域のセグメントの露光の間
の、/母ターン発生器54〜58のタイきング関係を、
第12図に示す。ダイヤグラムの最上部分は、代表的な
条片領域のセグメン)1−10に対する、時間の関数と
してのビームブランキングデータを表わす。ダイヤグラ
ムの残る部分は、セグメン)1−10の露光の際のツク
ターン発生器54〜58の動作を表わす。第12図に示
す時間間隔に先立って全ての初期化手続が完了されてい
ると、仮定する。ツクターン発生器54〜58の各々は
、データ処理又は図形データのビットマッグへの変換と
ビットマッグの読取りとの機部を交替に行い、これら2
つの動作は前述のようである。
ツクターン発生器54〜58は、コンピュータ50の制
御の下にビットマツプを順次に読出し、連続的なプラン
キングーータをもたらす。かくして−、セグメン)IK
対応するビットマッグが、・臂ターン発生器54から読
出される。次にセグメント2に対応するビットマッグが
、・譬ターン発生器55から読み出され、順序このよう
に続く。各・り一ン発生器がビットマッグの読出しを完
了してビームブランキングデータをもたらした後に、そ
のノナタ゛−ン発生器は新しいビットマッグの発生の処
理を行う。第12図を参照すれば、・ぐターン発生器5
4はセグメントlK対するビットマツ!を読出した後に
、セグメント6に対するビットマツ!を発生する。±グ
メント5に対応するビットマッグがノ譬ターン発生器5
8から読出された後に、コンピュータ50によってセグ
メント6が呼出される。
第12図に示された多重動作によって、図形データの変
換及び被加工物の露光の同時性が得られる。
5個のノ臂ターン発生器が利用されるときには、各・譬
ターン発生器は自己の時間の%を図形データ・ビットマ
ッグ変換に資すことができる。かくして、第12図にお
けるセグメント6に対する図形データの処理は、セグメ
ント5が完了する時又は装置の運砥が生じる前までに完
了されなければならない。上述の装置の141色は、装
置に対してノ臂ターン発生器を付加或いは除去すること
が可能でIhb、所望の応用に応じて装置動作を設計し
得ることである。例えば、電子ビーム露光速度が比較的
低い場合には、2又は3個のノリーン発生器によって、
装置の遅嬌を防止すべき十分な速度で図形データの変換
をすることができる。電子ビーム露光速度が比較的高い
場合には、4又はそれ以上の・中ターン発生器によって
、より高速の図形データ変換をすることができる。上述
の議論及び第12図から明らかなように、要求されるノ
9ターン発生器の数はT + 1に等しいか或いはそれ
よυ大きい。ここに、Cは1つのセグメントについての
図形データ変換の最大時間であり、Tは1つのセグメン
トについてのピットマツ!転送時間である。上述のデー
タ地理装置の他の特色は、・母ターン発生器、のうちの
1つが故障したときでも、装置は速度を落として動作を
継続することが可能なことである。或いは、追加的な・
中ターン発生器を装置に設置しておいて、万一のノ譬タ
ーン発生器故障の際にも最大速度での動作を保証するこ
とができる。露光装置の動作速度は、ツタターンデータ
メモリー52の速度並びに書込みモジュール10及びそ
れに付設された制御電子機器の速度によって、いくつか
の時点において制限される。
連続的なビームブランキングデータをもたらす上述のデ
ータ処理装置においては、ツタターンデータメモリー5
2は、ノ譬ターン発生器54〜58にとって有用な新し
い図形データを連続的に有しなければならない。このこ
とは、被加工物の連続し九2つの条片領域に対応する図
形データを記憶するのに十分な容量を有する・中ターン
データメモリー52を利用することにょシ、達成される
。かくして、初期状態を除く何れの時点において亀、コ
ンピュータ50は成る条片の丸めの新しい図形データを
・母ターンデータメモリー52の半分に書込む段階にあ
ることが可能であシ、一方・譬ターン発生器54〜58
は同時にツタターンデータメモリー52の残シの半分か
ら他の条片のための図形データを読出し変換する段階に
あることが可能である。
上述のようJg、1/lターンデータメモリー52の高
速性によって、コンピュータ5o又はノup−y発生1
)54〜5Bの何れかがメモリーアクセスの丸めの待ち
伏I!にあることが防止される。
本発明の一実施例によれば、コンピュータ5゜は64に
ノ々イトのRAMを有するNova  4  < ニコ
ンピエータ(データ・ジェネラル・コーーレイシ耐ン剃
)であシ、ノ9ターンデータメモリー52は512にバ
イトのRAMである。・中ターン発生器54〜58にお
いて、ノ臂ターングロセ、ツサ84はAM  2901
  ビット拳スライス・マイクロノロセッサ(アメリカ
ン・マイクロシステムズ製)であり、ピットマッグメモ
リー96は16kX16ビツトのパイI−ラRAMであ
る。
以上のようにして本発明によってツヤターンデータ処理
装置がもたらされ、それにより図形データ変換が皺加工
物の電子ビーム露光と同時に進行され、連続的なビーム
ラランキング(移動ステージの再位置づけの時を除く)
がもたらされる。故に、図形データ変換後に被加工物の
露光を行う従来装置に比験して、被加工物の全体露光時
間が減少される。本発明の・豐ターンデータ処理装置は
、反復が少なく或いは無く且つ比較的大面積であるとい
う特徴をもつレチクルなどの被加工物の露光に対して、
41に有用である。パス相互接続方式のために、異なる
速度で動作させるように装置の配蓋を組換えることが容
易である。
これまで本発明の好適実施例について説明したけれども
、本発明の範囲を逸脱することなく多くの変形及び修正
をなし得ることは1、当業者には明白であろう。
【図面の簡単な説明】
第1 Ea、電子ビーム露光装置のブロック図である。 第2図及び第3図れ、従来技術のデータ処理装置である
。 第4図は、本発明に従ったデータ処理装置のブロック図
である。 第5図は、第4図に示されたノ譬ターン発生器の詳細を
表わすブロック図である。 第6〜8図は、本発明に従った被加工物の露光を説明す
る図である。 第9〜11図は、本発f!14に従ったビットマツプの
発生を説明する図である。 第12図は、第4図に示され九ノ々ターン発生器の動作
を説明するタイミング図である。 〔主要符号の説明〕 lO・・・書込み等ゾエール 12・・・コラム 14・・・ペース 16・・・電子源・コラ五制御器 1B・・・電子ビーム制御器 20・・・データ46m111置 22・・・ステージ制御器 24・・・テープユニット 26・・・ディスクユニット 30・・・汎用コンピュータ ゛ 32・・り臂ターンデータ!ロセツサ 34・・・Vットマッ!メモリー 38・・・マスク 40・・・Iイ 42.46・・・条片 50・・・コンピュータ 52・・・ノ臂ターンデータメ篭す一 54.55,56,57,58・・・/譬ターン発生器
60・・・シフトレジスタ 62・・・I10パス 64・・・インターフェース回路 66・・・データメモリーパス 68・・・仲介回路 70・・・デランキングデータノ童ス フ6・・・コンピュータノ脅スインターフエイスフB・
・・プログラムメモリー 80.82,86,94,104  ・・・r−タラツ
チ84・・・ノぐターンゾロセッサ 88 ・・・ D ノ譬 ス 9 0 ・・・ Y /童 ス 92・・・アドレスレジスタ 96・・・ビットマツプメモリー 9B・・・マスクラッチ 100・・・ワードカウンタ 102・・・アドレスカウンタ 106・・・インターフェイス 110・・・レチクル 112.114・・・〆イ 116.1181120.122 ・・・条片領域12
4.126,128,130  ・・・セグメント14
0.152,154,162 ・・・領域142.15
0  ・・・長方形 144.156,158,166  ・・・マスクワー
ド160・・・台形 164・・・成分ライン 特許出願人  バリアン番アソシェイッ・インコーIレ
イテツド 9     警 FIG 3 FIG 6 (埋 !;  勧L 、   、OJ”、’;−>紀昏
FIG /2 手続補正書 特許庁長官着 杉 和 夫殿 1、事件、の表示 @和!1?都特許麺颯lフ3382
号2、発明の名称 電子ビーム側光装置のためのパター
ンデータ処理装置 3、補正をする者 事件との関係 轡許出−人 住 所(居所) 氏名(名称)パリアン・アンシェイッ・インコーホレイ
テッド4、代理人 、住所東京S港区西新橋1丁目6番2、特許請求の範囲 1、 ビームが被加工物の多数のIiI接する条片領域
を選択的に照射する露光装置において、ビームブランキ
ングデータをも九らすためのパターンデータ処理装置で
豪つて: 照射すべきパターン形状を描く図形データ゛を記憶する
よう動作するメモリ一手段であり、前記図形データが多
数ブロックのセグメント図形データへと小分割ブれ、各
セグメント図形データが前記条片領域のうちの]領域の
1つのセグメントに対応する、ところのメモリ一手段;
並びに セグメント図形データの前記フロックのうち少なくとも
l)を、それぞれのセグメントにりいてのビームブラン
キング情報管含む1つのビットマツプへと灰換する動作
と、他のビットマツプ内のビームブランキングデータを
も九らす動作とを、同時に行り7田七ツシングを段; から成シ、以て前記被加工−の照射と一時に図形データ
置換が実行畜れるところのI<ターンデータ処m装置。 2、 4許請求の範囲lI1項に記載された処騨装置で
あって、 前記プロセラシンク!!が: 複数のパターン発生器であり、その各々が、ビットマツ
プメモリーを有し、セグメント図形データの特定ブロッ
クをビットマツプへと変換し鋏ピッシマツブをll+記
ビットマツプメモリー内に記憶し且つ特定時に前記ビッ
トマツプメモリーから前記ビットマツプを絖出す動作を
する、ところのパターン発生器;前記パターン発生器の
各々により1俟されるべきセグメント図形データのブロ
ックな特電して条片領域の連続する竜グメン)管質換す
る動作と、前記パターン発生器の各々が前記とツ)!ツ
ブメモリーから前記ピッドマツプを説出す時會特定して
連続的ビームフランキングデータをもたらす動作とを、
行なう制両手段;並びに 前記ビットマツプメモリーがら読出はれ九ピッ)マツプ
を直列化するために前記パターン発生器の各々に接続′
:!れたシフトレジスタ手段; から成る、ところの処理装置。 3、特許請求の範囲第2項に記載された処理装置で率っ
て: 前記制御手段が、前記パターン発生器による図形データ
の変換中に図形データt−前記メモリ一手段へと書込む
ための手段を含む、ところの処理装置。 4、 41jIll’F111>[)範囲[2]JiK
記載−JfLだ処m妓aであって: 前記パターン発生6の数が、1つのセグメントについて
の図形データ簸換最大時間と1つのセグメントについて
のビットマツプ読取シ峙関との比に1に足した数に等し
い、か或いは大きい、ところの処mat。 5、電子ビームが被加工物の隣接する条片領域を選択的
に照射する電子ビーム露x装置において、ビームブラン
キングデータをもたらすた約のパターンデータ処虐ft
&電であって: 照、射すべきパターン形状を描く図形データを記憶する
ためのメモリ一手段であシ、1記図形データか多数ブロ
ックのセグメント図形データへ2小分割され、各セグメ
ント図形データが#IF条片領域のうちの111域の1
つのセグメントに?l応するところの、メモリ一手段; 複数のパターン発生器手段であり、その各−々が、ビッ
トマツプメモリーを有し、前記メモリ一手段からの1ブ
ロツクのセグメント図形データをビットマツ1へと張換
し該ビットマツ:yts記ピッシマツブメモリー内に記
憶し且つ該ビットマツ7メモリーから前記ビットマツプ
を転送する動作をする、ところのパターン発生器手段; 前記パターン発生器から転送されたビットマツプを直列
化してビームブランキングデータをもたらすために、M
U記記構ターン発生器手段各々に接続されたシフトレジ
スタ手段;、!ひに 図形データを前記メモリ一手段へとロードするための手
段と、前記パターン発生器+段によるセグメント図形デ
ータの質換を制御してセグメント図形データの多数ブロ
ックの同時的変換t−も九らすための手段と、前記パタ
ーン発生器手段からのビットマツプの転送及び前記シフ
トレジスタ手段による前記ピントマツプの直列化を制御
して連続的ビームフランキングデータをもたらすための
手段とを、含む制御手段; から成り、以て前記被加工物の照射と同時に図形データ
飯換か実行きれるところのパターンデータ処理装置。 6、  %許請求の範l!l第6項に記載された処蓉装
筐であって: 前記パ)−ン発生器!!一段の谷々が、前記メモリ一手
段から^1記モダメンシ図形データ管読み、それを一連
の成分長方形描画信号信号へと変換するよう動作するパ
ターンプロセッサ手段:並rμに 成分長方形描画信号の各々に応Aして、前記成分長方形
を描くビームフランキンク情報′f前Pビットマツプメ
モリー内VC記憶させるよう動作する長方形発生器手段
; から1“す、前記戚分長万形が結合して、1III!l
f七クメント上に照射すべきパターンをLIkl成する
ことを製做とする、ところC処坤装r07 特許n累の
範咄第6項に1′畝ζrした処理装置であって: @rメモリ一手段、前記制麹手段及び各1紀パターン発
生S手段がメモリーバスに接続され、前記メモリ一手段
へC及びそこか1の図形データの全ての転送が#1メモ
リーバス上で付なわn、#Fシフトレジスタ及び名前6
にパターン発生器手段がプランキンクバスに接経情れ、
前Fビットマツ7メモリーから前記シフトレジスタ手段
へのビームブランキング+段c1全ての転送が前記ブラ
ンキングバス上で行なわれ、以て図形データの転送及び
ビームフランキング情報の転送が同時に生じ得る、とこ
ろの処理装置。 8、  #許請求の範囲第1F項にP載された処理装置
であって: 前記パターン発生器の数が、1つのセグメントについて
の図形データ変換最大時間と1つのセフメン)について
のビットマツプ転送時間との比に1を足した数に輯しい
か或いは大pV1ところの処理装置。 9、電子ビームが仮加工物の隣接する条片領域を選択的
に照射する電子ビーム無光装fItKおし・て、ビーム
フランキングデータをもたらすための方法であって: 照射すべきパターン形状を描く図形データを、前記条片
領域のうちの1gA域の1つのセフメン)にそれぞれ対
応する多数ブロックのセグメント図形データへと小分割
して、RAM内に配憶させる段階;並ひに 前記セグメント図形データの70ツクのうち少なくとも
1つを、それぞれのセフメン)Kついてのビームブラン
キング情報を含むビットマツプへと変換する段階と;一
時に他のビットマツプ内のビームブランキング情報を直
列化して連続的ビームブランキングデータ1本たらす段
階と; から放り、以て前記複加工物の照射と一1時に図形デー
タ変換が実行されるところの方法。 lOo  特許請求の範囲筒9璃に記載さ1.た方法で
めって: セグメント図形データのブロックを一時的に1換するI
II配の段階が、前Pの複数のピントマツプを対応する
複数のビットマツプメモリー内K it’憶ζゼる段階
を含み; 前記ビームフランキング情報110列化する約配の段階
が、前記ビームフランキング情報を前記ヒツトマツプメ
モリーからシフトレジスタへと転送する段階1.及びそ
の体FTI前記ヒームフランキング情報管前記シフトレ
ジスタから直列にシフトする段階を含む: ところの方法。 11、電子ビーム露光装置において、長方形(Qx位置
、y位置、長さ及び幅tJllI定する図形データに基
いて長方形を描くビームブランキングデータを記憶する
ための装置であって: 前記ビームプランキングデータを記憶するためのピッ)
マツプメモリ一手段であり、nピッ)のデータワード管
有し、該データワードのnビットの各々についての書込
みエネイブル入力ヲ含む、ピッ)!ツブメモリ一手段;
前記ビットマツプ゛メモリ一手段の7)”レス入力に接
続され大出力を有し、前記長方形の!位置に相当するア
ドレスがロードされる、アドレスカウンタ手段; #紀要方形の長さに相当するアドレスの数だけ前記アド
レスカウンタ手段が#II進嘔れた俵に、該アドレスカ
ウンタ+段を禁止1°るための手段;並びに nビット位1kを有するマスク’)ツf+IN”T”あ
す、その各々が111I記ピツシマツブメモリ一手段の
前記書込みエネイフル人力(1) 1つに接続し大出力
を有し、咳!スクラッチ手段tこはマスクビットが四−
ドされ、該マスクビットの位置が前記長方形のy位置を
決定し、^訂記マスクピッ)の数が#11配長方形の幅
を決定すル、トコ口のマスクラッチ手段; から成シ、以て前記アドレスカウンタ手段fig#配畏
方形の長さに相当するアト°レスの数だけ―進され喪と
参に、前記長方形を描くビームフランキングデータが前
記ビットマツプメモリ一手段内に配憶され、且つ以前に
に憶さn、たビームフランキングデータは転換寧nない
、ことをIIJIIlkとする装置。 12、特許請求01111第11項に記載された装置で
あって: #記アドレスカウンタ手段【禁止するための前記の手段
がワードカウンタ手段管含み、該ワードカラン#手段か
、前記アドレスカウンタ+*によりアタ竜スされたアド
レスをカラン)するように配列逼れ、且つIt]記アド
レスカウンタ手°段が前記長方形の長場に相当するアド
レスの数だけ前進されたときに前記アドレスカウンタ手
段t*止するように配列されている、ところの装置。・ 13、  ビームが被加工物の多数の隣接する東岸領域
を選択的に照射する露光装雪において、ビームブランキ
ングデータをもたらす大めのパターンデータ処m装置で
あって: 照射すべきパターン形状を描く図形データを記憶するよ
う動作するメモリ一手段であり、前記図形データが多数
ブロックのセグメント図形データへと小分割され、各セ
グメント図形データが前記条片領域のうちC1領域の1
つの七グメンシに対応する、ところのメモリ一手段;並
びに セグメント図形データの複数の1記フロツクを、それぞ
れのセフメン+についてのビームブランキング情報を含
む複数Oビットマツプへと−J[K変換する動作と、前
記ビットマツプの各々の内の卿記ビームフランキング情
@t−直列化して連続的ビームプランキンクデータをも
たらす動作とを、同時に行うツロセツシング手段; から成り、以て前記被加工物の照射と同時に図形データ
置換が奥行されるところの)(ターンデータ処理装置。 14  特許請求の範囲第13項に記載された処理装置
であって、 An &liプロセッシング手段が: 複数のパターン発生−マ゛あり、その各々が、ビットマ
ツプメそり一を有し、セフメン)図形データの特定ブロ
ックをビットマツプへと変換し該ビットマツプ管前−己
ビットマツフメモリー内に記憶し且つ%定時に削Pビン
シマツブメモリーから前記ビットマツプtM出す動作を
する、ところのパターン発生器;前記パターン発生器の
各々により1挨されるべきセグメント図形データのフロ
ック1r特定して条片領域の連続するセグメントヲ淑換
する動作と、Ia紀しくターン発生梅の各々が前記ビッ
トマツプメモリーから前記ビットマツプを計出す時を特
定して連続的ビームフランキングデータをもたらす動作
と倉、行なう制御手段;並びに 前記ビツシ′!ツブメモリーから読出されたビットマツ
プt″直列化するためKm記ノ<a−ン発生器の各々に
接続謬れたシフトレジスタを段; から成る、ところの処理装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 ビームが被加工物の多数の隣接する条片領域を選
    択的に照射する露光装置において、ビームフランキング
    データをもたらすためのノナターンデータ処理装置であ
    って: 照射すぺ龜・量ターン形状を描く図形データを記憶する
    よう動作するメモリ一手段であシ、前記図形データが多
    数ブロックのセグメント図形データへと小分割され、各
    セグメント図形データが前記条片領域のうちの1領域の
    1つのセグメントに対応する、ところのメモリ一手段;
    並びに セグメント図形データの前記ブロックのうち少なくとも
    1つを、それぞれのセグメントについてのビームブラン
    キング情報を含むlノに’ットマッグへと変換する動作
    と、他のピットマッグ内のビームブランキング情報を直
    列化して連続的ビームブランキングデータを4九らす動
    作とを、同時に行う!ロセツシング手段; から成り、以て前記被加工物の照射と同時に図形データ
    変換が実行されるところのノ々ターンデータ処理装置。 2、特許請求の範囲第1項に記載された処理装置であっ
    て、 前記プロ竜ツシング手段が: 複数の/lターン発生器であり、その各々が、ビットマ
    ッグメモリーを有し、セグメント図形データの特定ブロ
    ックをピットマツダへと変換し該ピッドマツ!を前記ピ
    ットマッグメモリー内に記憶し且つ特定時に前記ビット
    マッグメモリーから前記ピットマツダを読出す動作をす
    る、とζろの・ダターン発生器;餉記・臂ターン発生器
    の各々により変換されるべきセグメント図形データのブ
    ロックを特定して条片領域の連続するセグメントを変換
    する動作と、前記ノ豐ターン発生器の各々が前記ビット
    マツプメモリーから前記ビットマツプを読出す時を特定
    して、連続的ビームブランキングデータをも九らす動作
    とを、行なう制御手段:並びに 前記ビットマツダメモリーから読出され九ピットマツプ
    を直列化する丸めに前記・譬ターン発生器の各々に接続
    されたシフトレジスタ手段; から成る、ところの処理装置。 3.4!許請求の範囲第2項に記載された処理装置であ
    って: 前記制御手段が、前記・譬ターン発生器による図形デー
    タの変換中に図形データを前記メモリ一手段へと書込む
    ための手段を含む、とζろの処理装置。 4、特許請求の範囲第2項に記載された処理装置であっ
    て: 前記ノ4ターン発生器の数が、1つのセグメントについ
    ての図形データ変換最大時間と1つのセグメントについ
    てのビットマッグ読取り時間との比に1を足した数に等
    しいか或いは大きい、ところの処理装置。 5、電子ビームが被加工物の隣接する条片領域を選択的
    に照射する電子ビーム露光装置において、ビームブラン
    キングデータをもたらすためのノ豐ターンデータ処理装
    置であって: 照射すべき・譬ターン形状を描く図形データを記憶する
    ためのメ・モリ一手段であり、前記図形データが多数ブ
    ロックのセグメント図形データへと小分割され、各セグ
    メント図形データが前記条片領域のうちの1領域の1つ
    のセグメントに対応するところの、メモリ一手段; 複数の・臂ターン発生器手段であり、その各々が、ビッ
    トマツダメモリーを有し、前記メモリ一手段からのlブ
    ロックのセグメント図形データをビットマツプへと変換
    し該ビットマツプを前記ビットマツプメモリー内に記憶
    1、且ツ諌ビットマッシメモリーから前記ビットマッグ
    を転送する動作をする、ところの・ぐターン発生器手段
    ; 前記ノリーン発生器から転送され九ビットマッグを直列
    化してビームブランキングデータをも九らすために1前
    記・苧ターン発生器手段の各々に接続されたシフトレジ
    スタ手段;並びに 図形データを前記メモリ一手段へとロードするための手
    段と、前記・譬ターン発生器手段によるセグメント図形
    データの変換を制御してセグメント図形データの多数ブ
    ロックの同時的変換をもたらす丸めの手段と、前記・譬
    ターン発生器手段からのビットマッグの転送及び前記シ
    フトレジスタ手段による前記ビットマツプの直列化を制
    御して連続的ビームブランキングデータをもたらすため
    の手段とを、含む制御手段; から成り、以て前記被加工物の照射と同時に図形データ
    変換が実行されるところの/lターンデータ処理装置。 7、  %許請求の範囲第6項に記載された処理装置で
    あって: 前記メモリ一手段、前記制御手段及び各前記・ぐターン
    発生器手段がメモリー・ヤスに接続さ汰前記メモリ一手
    段への及びそこからの図形データの全ての転送が前記メ
    モリー・ヤス上で行なわれ、前記シフトレジスタ及び各
    前記・9タ一ン発生器手段がブランキングツヤスに接続
    され、前記ビットマツダメモリーから前記シフトv、、
    yスp手mへのビームプランキング情報の全ての転送が
    前記ブランキングパス上で行なわれ、以て図形データの
    転送及びビームプランキング情報の転送が同時に生じ得
    る、ところの処理装置。 8.41許請求の範囲第7項に記載された処理装置であ
    って: 前記・奢ターン発生器の数が、1つのセグメントについ
    ての図形データ変換最大時間と1つのセグメントについ
    てのビットマツ!転送時間との比に1を足し九数に等し
    いか或いは大きい、ところの処理装置。 9、電子ビームが被加工物の隣接する条片領域を選択的
    に照射する電子ビーム露光装置において、ビームブラン
    キングデータをも走らすための方法であって: 照射すべき・ぐターン形状を檜〈図形データを、前記条
    片領域のうちの1領域の1つのセグメントにそれぞれ対
    応する多数ブロックのセグメント図形データへと小分割
    して、RAM内に記憶させる段階;並びに 前記セグメント図形データのブロックのうち少なくとも
    1つを、それぞれのセグメントについてのビームブラン
    キング情報を含むピッ)−rラグへと変換する段階と;
    同時に他のビットマツプ内のビームブランキング情報を
    直列化して連続的ビームシランキングデータを、もたら
    す段階と; から成シ、以て前記被加工物の照射と同時に図形データ
    変換が実行されるとζろの方法。 10、特許請求の範囲第9項に記載された方法であって
    : セグメント図形データのブロックを同時的に変換する前
    記の段階が、前記の複数のビットマツプを対応する複数
    のビットマッグメモリー内に記憶させる段階を含み; 前記ビームブランキング情報を直列化する前記の段階が
    、前記ビームブランキング情報を前記ビットマツプメモ
    リーからシフトレジスタへと転送する段階、及びその後
    前記ビームブランキング情報を前記シフトレジスタから
    直列に7フトする段階を含む; ところの方法。 11、  電子ビーム露光装置において、長方形の夏位
    置、1位置、長さ及び櫂を特定する図形データに基いて
    長方形を描くビームブランキングデータを記憶するため
    の装置であって: 前記ビームプランヤングデータを記憶するためのビット
    マッグメモリ一手段であり、nビットのデータワードを
    有し、骸データワードの1ビツトの各々についての書込
    みエネイブル入力を含む、ビットマッグメモリ一手段;
    前記マットマツ!メモリ一手段のアドレス入力に接続さ
    れた出力を有し、前記長方形の!位置に相当するアドレ
    スがロードされる、アドレスカウンタ手段; 前記長方形の長さIn6当するアドレスの数だけ前記ア
    ドレスカウンタ手段が前進された後に、峡アドレスカウ
    ンタ手段を禁止する喪めの手段;並びに nビット位置を有するマスクラッチ手段であり、その各
    々が前記ビットマツプメモリ一手段の前記書込みエネイ
    ブル入力の1つに接続した出力を有し、皺マスクラッチ
    手段にはマスクビットがロードされ、腋マスクピットの
    位置が前記長方形の1位置を決定し、前記マスクビット
    の数が前記長方形の幅を決定する、ところのマスクラッ
    チ手段; から成シ、以て前記アドレスカウンタ手段が前記長方形
    の長さに相当するアドレスの数だけ前進され九ときに、
    前記長方形を描くビームブランキングデータが前記ビッ
    トマツプメモリ一手段内に記憶され、且つ以前に記憶さ
    れ九ビームfランキングデータは転換され表い、ことを
    特徴とする装置。 12、特許請求の範l!l第11項に記載された装置で
    あって: 前記アドレスカウンタ手段を禁止する丸めの前記の手段
    がワードカウンタ手段を含み、該ワードカウンタ手段が
    、前記アドレスカウンタ手段によりアク竜スされたアド
    レスをカウントするように配列され、且つ前記アドレス
    カウンタ手段が前記長方形の長さに相当するアドレスの
    数だけ前進されたときに前記アドレスカラ/り手段を禁
    止するように配列されている。 ところの装置。 13、ビームが被加工物の多数の隣接する条片領域を選
    択的に照射する露光装置において、ビームブランキング
    データをも九らすための・臂ターンデータ処理装置であ
    って: 照射すべき/母ターン形状を描く図形データを記憶する
    よう動作するメモリ一手段であり、前記図形データが多
    数ブロックのセグメント図形データへと小分割され、各
    セグメント図形データが前記条片領域のうちの1領域の
    1つのセグメントに対応する、ところのメモリ一手段;
    並びに セグメント図形データの複数の前記ブロックを、そ、れ
    ぞれのセグメントについてのビームブランキング情報を
    含む複数のビットマツダへと一度に変換する動作と、前
    記ビットマッグの各々の内の前記ビームブランキング情
    報を直列化して連続的ビームブランキングデータをも九
    らす動作とを、同時に行う!ロセツシ/グ手段; から成り、以て前記被加工物の照射と同時に図形データ
    変換が実行されるところの/臂ターンデータ処理装置。 14、特許請求の範囲第13項に記載され九処理装置で
    あって、 前記グロセツシング手段が: 複数のノ豐−−ン発生器であシ、その各々が、ピットマ
    ツダメモリーを有し、セグメント図形データの特定ブロ
    ックをピットマッグへと変換し蚊ピットマツダを前記ビ
    ットマッグメモリー内に記憶し且つ特定時に前記ビット
    1ツグメモリーから前記ビットマツプを読出す動作をす
    る、ところの・母ターン発生器;前記・譬ターン発生器
    の各々により変換されるべきセグメント図形データのブ
    ロックを特定して条片領域の連続するセグメントを変換
    する動作と、前記ノ譬ターン発生器の各々が前記ピット
    マッグメモリーから前記ビットw’)グを貌出す時を特
    定して連続的ビームプランヤングデータを4九らす動作
    とを、行なう制御手段;並びに 前記ビットマッグメモリーから読出されたピットマッグ
    を直列化する丸めに前記・ヤターン発生器の各々に接続
    されたシフトレジスタ手段; から成る、ところの処理装置。
JP57173382A 1981-10-05 1982-10-04 電子ビ−ム露光装置のためのパタ−ンデ−タ処理装置 Pending JPS5871625A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/309,156 US4433384A (en) 1981-10-05 1981-10-05 Pattern data handling system for an electron beam exposure system
US309156 1981-10-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5871625A true JPS5871625A (ja) 1983-04-28

Family

ID=23196934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57173382A Pending JPS5871625A (ja) 1981-10-05 1982-10-04 電子ビ−ム露光装置のためのパタ−ンデ−タ処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4433384A (ja)
JP (1) JPS5871625A (ja)
DE (1) DE3236860A1 (ja)
FR (1) FR2514199B1 (ja)
GB (2) GB2108290B (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821422B2 (ja) * 1980-12-26 1983-04-30 株式会社東芝 荷電ビ−ム露光装置
JPS57180128A (en) * 1981-04-30 1982-11-06 Toshiba Corp Equipment for electron beam exposure
US4641252A (en) * 1981-10-01 1987-02-03 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Electron beam drawing control system
JPS5861629A (ja) * 1981-10-09 1983-04-12 Hitachi Ltd ビツトパタ−ン発生装置
US4510575A (en) * 1982-08-24 1985-04-09 Aerodyne Research, Inc. Method for writing holograms
JPS5958586A (ja) * 1982-09-28 1984-04-04 Toshiba Mach Co Ltd マスクの検査方法および装置
US4482810A (en) * 1982-09-30 1984-11-13 Storage Technology Partners Electron beam exposure system
EP0122563B1 (de) * 1983-04-14 1988-03-30 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Abbildung von elektrischen Sperrschichten (pn-Übergängen) in Halbleitern durch Verarbeitung von korpuskularstrahlinduzierten Signalen im Raster-Korpuskularmikroskop
JPS60196941A (ja) * 1984-02-29 1985-10-05 Fujitsu Ltd 電子線露光方法
JPS6132422A (ja) * 1984-07-24 1986-02-15 Hitachi Ltd 電子線描画装置
FR2582858B1 (fr) * 1985-06-04 1988-11-10 Videocolor Procede et appareil d'illumination de la dalle d'un tube de television en couleurs pour la formation de l'ecran
US4718019A (en) * 1985-06-28 1988-01-05 Control Data Corporation Election beam exposure system and an apparatus for carrying out a pattern unwinder
JPS6298724A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Hitachi Ltd 電子線描画装置
US4837447A (en) * 1986-05-06 1989-06-06 Research Triangle Institute, Inc. Rasterization system for converting polygonal pattern data into a bit-map
JPS6394623A (ja) * 1986-10-09 1988-04-25 Hitachi Ltd 描画装置
US4849928A (en) * 1987-01-28 1989-07-18 Hauck Lane T Logic array programmer
JPH03166713A (ja) * 1989-11-27 1991-07-18 Mitsubishi Electric Corp 電子ビーム露光方法
JP2501726B2 (ja) * 1991-10-08 1996-05-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション コンピュ―タ・イメ―ジ生成装置及びデ―タ減縮方法
US5308991A (en) * 1992-06-02 1994-05-03 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for making a predistorted reticle to compensate for lens distortions
JP3224885B2 (ja) * 1993-01-14 2001-11-05 三菱電機株式会社 集積回路装置及びその設計方法
US5481472A (en) * 1993-05-18 1996-01-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for automatically recognizing repeated shapes for data compaction
US5528048A (en) * 1994-03-15 1996-06-18 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method
US5844809A (en) * 1995-07-28 1998-12-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for generating two-dimensional circuit pattern
JP3461076B2 (ja) * 1995-12-28 2003-10-27 富士通株式会社 高速データ読み出し可能な荷電粒子ビーム露光装置及び方法
JPH10154648A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Mitsubishi Electric Corp 荷電ビーム描画データ作成装置
DE102004055149B4 (de) * 2004-11-16 2007-07-19 Leica Microsystems Lithography Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Abbilden eines Mehrfach-Partikelstrahls auf ein Substrat
US7208330B2 (en) * 2005-01-12 2007-04-24 Texas Instruments Incorporated Method for varying the uniformity of a dopant as it is placed in a substrate by varying the speed of the implant across the substrate
ATE537550T1 (de) 2005-07-08 2011-12-15 Nexgen Semi Holding Inc Vorrichtung und verfahren zur kontrollierten fertigung von halbleitern mittels teilchenstrahlen
WO2008140585A1 (en) 2006-11-22 2008-11-20 Nexgen Semi Holding, Inc. Apparatus and method for conformal mask manufacturing
US10991545B2 (en) 2008-06-30 2021-04-27 Nexgen Semi Holding, Inc. Method and device for spatial charged particle bunching
US10566169B1 (en) 2008-06-30 2020-02-18 Nexgen Semi Holding, Inc. Method and device for spatial charged particle bunching
CN114461550A (zh) * 2021-12-16 2022-05-10 加弘科技咨询(上海)有限公司 基于i2c通信的多主控设备访问仲裁系统及方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3900737A (en) * 1974-04-18 1975-08-19 Bell Telephone Labor Inc Electron beam exposure system
JPS5394772A (en) * 1977-01-31 1978-08-19 Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai System for compressing data in charged beam exposing device
US4280186A (en) * 1978-07-07 1981-07-21 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Exposure apparatus using electron beams
JPS559433A (en) * 1978-07-07 1980-01-23 Toshiba Corp Electron beam exposure device
JPS5577142A (en) * 1978-12-07 1980-06-10 Toshiba Corp Electron beam exposure apparatus
JPS57180128A (en) * 1981-04-30 1982-11-06 Toshiba Corp Equipment for electron beam exposure

Also Published As

Publication number Publication date
GB8503986D0 (en) 1985-03-20
FR2514199A1 (fr) 1983-04-08
GB2108290B (en) 1985-10-16
FR2514199B1 (fr) 1986-12-05
GB2152717A (en) 1985-08-07
US4433384A (en) 1984-02-21
DE3236860A1 (de) 1983-04-21
GB2108290A (en) 1983-05-11
GB2152717B (en) 1986-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5871625A (ja) 電子ビ−ム露光装置のためのパタ−ンデ−タ処理装置
US4759076A (en) Image rotating system by an arbitrary angle
KR100310279B1 (ko) 패턴발생장치용라스터라이저
JP2520937B2 (ja) ビ―ム露光システム
DE69017095T2 (de) Anordnung von Strahlaustastungsblenden, Verfahren zur Herstellung derselben, Gerät und Verfahren zur Belichtung von mit einem Strahl geladenen Teilchen.
US5725974A (en) Method and apparatus for producing scanning data used to produce a photomask
CA2010414C (en) Electron beam direct printing apparatus
JP3121098B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光の方法と装置
JPS6234133B2 (ja)
JPS59101969A (ja) 2値画像パタ−ンのデ−タ処理方法及び装置
JP2003195512A (ja) 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP4324645B2 (ja) 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JPS6348175B2 (ja)
JPH09282349A (ja) データ変換処理装置
JPS60262122A (ja) 原画貼付方法
JPS6227538B2 (ja)
JPH06151285A (ja) パターン露光方法
JPH1074682A (ja) 電子ビーム描画装置
JP3481017B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光装置および該荷電粒子ビーム露光装置の露光データ処理方法
JP4013498B2 (ja) パターン描画装置及びパターン描画体の製造方法
JPS63283021A (ja) 露光方法
JPS6390827A (ja) 荷電粒子線描画方法および装置
JPS622590A (ja) レ−ザ描画装置
JPS6230491B2 (ja)
JPS6381819A (ja) 電子ビ−ム露光の制御方式