JPS6132422A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JPS6132422A JPS6132422A JP15370384A JP15370384A JPS6132422A JP S6132422 A JPS6132422 A JP S6132422A JP 15370384 A JP15370384 A JP 15370384A JP 15370384 A JP15370384 A JP 15370384A JP S6132422 A JPS6132422 A JP S6132422A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- blanking
- sample
- exposure
- signal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子線描画装置に係り、特に露光箇所に均一に
電子を照射するのに好適な電子線描画装置に関する。
電子を照射するのに好適な電子線描画装置に関する。
電子線描画装置において、電子線をブランキングする場
合、描画信号に合せて電子線通路に設けられた静電電極
に電圧を印加し、電子線通路に設置された絞シ孔外に電
子線を偏向して行なっている。また、試料に電子線を照
射し露光する時は、前記ブランキング状態から描画信号
に合せ、前記静電電極に印加されている電圧を解除し、
決められた時間電子線を絞シ孔を通し、試料に電子線を
照射する。その後、再び描画信号に合せてブランキング
を行なうととＫよシ試料上に所望の露光が得られる。
合、描画信号に合せて電子線通路に設けられた静電電極
に電圧を印加し、電子線通路に設置された絞シ孔外に電
子線を偏向して行なっている。また、試料に電子線を照
射し露光する時は、前記ブランキング状態から描画信号
に合せ、前記静電電極に印加されている電圧を解除し、
決められた時間電子線を絞シ孔を通し、試料に電子線を
照射する。その後、再び描画信号に合せてブランキング
を行なうととＫよシ試料上に所望の露光が得られる。
この際の露光箇所に照射されている電子の量の時間的変
化を第５図（Ｊｌ）を用いて説明する。
化を第５図（Ｊｌ）を用いて説明する。
０点に４μｍＸ４μｍのビームの大きさで露光する場合
、ブランキング電圧信号に同期し、電子線は試料上をＡ
、Ｂ、Ｃと移動し、Ｃ点Ｋ ｔ ｈ時間止まシ、再びＣ
ＢＡと移動し、露光は完了する。
、ブランキング電圧信号に同期し、電子線は試料上をＡ
、Ｂ、Ｃと移動し、Ｃ点Ｋ ｔ ｈ時間止まシ、再びＣ
ＢＡと移動し、露光は完了する。
試料面におけるビームの移動の電子を第５図（ｂ）に示
している。この時、点ａ、ｂに照射される電荷量θ、、
θ、は次式となる。
している。この時、点ａ、ｂに照射される電荷量θ、、
θ、は次式となる。
θ・＝Ｊ・（ｔｂ＋２ｔ、） ・・・・・・（１）θ
ｂ＝Ｊ−ｔｉ＋ ・・・・・・・・・・・・・
・・（２）ただしＪは電流値を表わす。
ｂ＝Ｊ−ｔｉ＋ ・・・・・・・・・・・・・
・・（２）ただしＪは電流値を表わす。
したがって点ａ、ｂに照射される電荷量の差は次式とな
る。
る。
Δθ＝θ１−θｂ＝２Ｊ Ｌ ｈ ・・・・・・・・
・（８）点ａでの電荷量を最適露光条件とすると第６図
に示すように点すにおいてはΔθだけ露光不足となシ、
プロセスを通して現像すると０点の寸法は４μｍよシ小
さくなる。一方、レジストの感度が高くなると最適露光
条件θ１の値は小さくなるため、Δθのθ、に対する割
合が大きくなシ、露光不足が寸法誤差に大きく影響して
くることになる。
・（８）点ａでの電荷量を最適露光条件とすると第６図
に示すように点すにおいてはΔθだけ露光不足となシ、
プロセスを通して現像すると０点の寸法は４μｍよシ小
さくなる。一方、レジストの感度が高くなると最適露光
条件θ１の値は小さくなるため、Δθのθ、に対する割
合が大きくなシ、露光不足が寸法誤差に大きく影響して
くることになる。
本発明の目的は、試料の電子線照射面における露光を均
一にすることのできる電子線描画装置を提供するもので
ある。
一にすることのできる電子線描画装置を提供するもので
ある。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するために、本発明は、電子線を
発生する手段と、該電子線を整形する手段と、整形され
た電子線を試料上に結像する手段と、結像された電子線
を該試料上で走査させる手ングおよびアンブランキング
する手段とを備えた電子線描画装置において、同一方向
に電子線を偏向してブランキング、アンブランキング、
およびブランキングを行なうようにしたものである。
発生する手段と、該電子線を整形する手段と、整形され
た電子線を試料上に結像する手段と、結像された電子線
を該試料上で走査させる手ングおよびアンブランキング
する手段とを備えた電子線描画装置において、同一方向
に電子線を偏向してブランキング、アンブランキング、
およびブランキングを行なうようにしたものである。
第１図は本発明が適用される電子線描画装置の概略を示
す構成図を示している。同図において、電子銃１があり
、この電子銃１から照射される電子線２は整形絞り４を
介して整形レンズ３および３′によって矩形状に整形さ
れるようになっている。これによ）矩形状に整形された
電子線２はさらに整形絞＃）４により整形され、ブラン
カ１０を介して投影レンズ５に入射される。投影レンズ
５を通過した電子線２は偏向器９によって試料６面に走
査されるようになっている。
す構成図を示している。同図において、電子銃１があり
、この電子銃１から照射される電子線２は整形絞り４を
介して整形レンズ３および３′によって矩形状に整形さ
れるようになっている。これによ）矩形状に整形された
電子線２はさらに整形絞＃）４により整形され、ブラン
カ１０を介して投影レンズ５に入射される。投影レンズ
５を通過した電子線２は偏向器９によって試料６面に走
査されるようになっている。
一方、ＣＰｕ７があシこのＣＰｕ７からのデータが描画
信号発生部８に転送され、この描画信号発生部８からの
所定の信号は、前記ブランカ１゜に入力されてブランキ
ング電圧が印加されるようになっており、さらに前記描
画信号発生部８からの他の所定の信号は偏向器９に入力
されて投影レンズ５からの電子線を試料６面に走査させ
るようになっている。
信号発生部８に転送され、この描画信号発生部８からの
所定の信号は、前記ブランカ１゜に入力されてブランキ
ング電圧が印加されるようになっており、さらに前記描
画信号発生部８からの他の所定の信号は偏向器９に入力
されて投影レンズ５からの電子線を試料６面に走査させ
るようになっている。
また、前記ブランカ１０に印加される電圧は第２図に示
される構成にて形成されるようになっている。同図にお
いて、ＨレベルあるいはＬレベルの信号が入力される端
子Ｄｈ、Ｄｓがワシ、端子ＤＡはスイッチングトランジ
スタ１ｚのゲートに接続されている。このスイッチング
トランジスタ１２は抵抗との直列体を構成しており、該
抵抗側は接地され他端は一２■の電圧が印加されるよう
Ｋなっている。また前記スイッチングトランジスタ１３
も抵抗との直列体を構成し、該抵抗側は接地され他端は
一■の電圧が印加されるようになっている。そして、前
記ブランカ１０の一方の静電電極１１Ａは各スイッチン
グトランジスタ１２゜１３の抵抗との接続的に接続され
、他方の静電電極１１Ｂは前記スイッチングトランジス
タ１３の電圧印加点に接続されている。
される構成にて形成されるようになっている。同図にお
いて、ＨレベルあるいはＬレベルの信号が入力される端
子Ｄｈ、Ｄｓがワシ、端子ＤＡはスイッチングトランジ
スタ１ｚのゲートに接続されている。このスイッチング
トランジスタ１２は抵抗との直列体を構成しており、該
抵抗側は接地され他端は一２■の電圧が印加されるよう
Ｋなっている。また前記スイッチングトランジスタ１３
も抵抗との直列体を構成し、該抵抗側は接地され他端は
一■の電圧が印加されるようになっている。そして、前
記ブランカ１０の一方の静電電極１１Ａは各スイッチン
グトランジスタ１２゜１３の抵抗との接続的に接続され
、他方の静電電極１１Ｂは前記スイッチングトランジス
タ１３の電圧印加点に接続されている。
このように第２図に示した構成において、端子ＤムにＨ
レベル、端子ＤｉにＬレベルの信号を与え右と静電電極
１１Ａ、ＩＩＢの中間点であるα点のブランキング電圧
は−Ｖ／２となる。（ただし、静電電極１１からの電圧
差で表わす。）電子線は図中すの軌道を通シブランキン
グ状態となる。
レベル、端子ＤｉにＬレベルの信号を与え右と静電電極
１１Ａ、ＩＩＢの中間点であるα点のブランキング電圧
は−Ｖ／２となる。（ただし、静電電極１１からの電圧
差で表わす。）電子線は図中すの軌道を通シブランキン
グ状態となる。
次に端子ＤムにＬレベル、端子ＤＢにＨレベルヲ与える
とα点のブランキング電圧はＯＶとなシ図中の軌道Ｐ′
を通シ露光状態となる。この際、試料上で電子線は第３
図（ｂ）に示すようにり、Ｅ、Ｆと移動して２点に露光
される。次に端子ＤＡにＬレベル、端子Ｄ ｓ Ｋ Ｌ
レベルを与えるとブランキング電圧は＋Ｖ／２となυ第
２図に示す軌道Ｑを通りブランキング状態となる。この
際、試料上で電子線は第３図（ｂ）に示すようにＦ、Ｇ
、Ｈと移動する。次の露光部Ｋを露光する場合には、ブ
ランキング電圧を＋Ｖ／２からＯＶ、−Ｖ／２と与える
ことにより、試料上で電子線は第３図（Ｃ）に示すよう
にＪ、Ｊ、に、Ｌ、Ｍと移動してＫは露光される。
とα点のブランキング電圧はＯＶとなシ図中の軌道Ｐ′
を通シ露光状態となる。この際、試料上で電子線は第３
図（ｂ）に示すようにり、Ｅ、Ｆと移動して２点に露光
される。次に端子ＤＡにＬレベル、端子Ｄ ｓ Ｋ Ｌ
レベルを与えるとブランキング電圧は＋Ｖ／２となυ第
２図に示す軌道Ｑを通りブランキング状態となる。この
際、試料上で電子線は第３図（ｂ）に示すようにＦ、Ｇ
、Ｈと移動する。次の露光部Ｋを露光する場合には、ブ
ランキング電圧を＋Ｖ／２からＯＶ、−Ｖ／２と与える
ことにより、試料上で電子線は第３図（Ｃ）に示すよう
にＪ、Ｊ、に、Ｌ、Ｍと移動してＫは露光される。
なお、第３図（ａ）は、ブランキング電圧の変化状態を
示した図で１）前記端子ＤＡ、ＤＢに印加する信号と対
応させている。
示した図で１）前記端子ＤＡ、ＤＢに印加する信号と対
応させている。
ここでＦ内の露光点ｃ、ｄに照射された電荷量を調べる
と、 θ、＝θｄ＝Ｊ・（ｔ＊＋ｔａ） ・・・・・・（４
）となシ、第４図に示すようにｃ、ｄ点での電荷量は等
しくなる。また、最適露光条件をθ、（＝θｄ）とする
と、最大の露光不足が生じる点ｅでの露光不足量はΔθ
＝＝Ｊ−１，となシ、従来に比べて半分に軽減される。
と、 θ、＝θｄ＝Ｊ・（ｔ＊＋ｔａ） ・・・・・・（４
）となシ、第４図に示すようにｃ、ｄ点での電荷量は等
しくなる。また、最適露光条件をθ、（＝θｄ）とする
と、最大の露光不足が生じる点ｅでの露光不足量はΔθ
＝＝Ｊ−１，となシ、従来に比べて半分に軽減される。
故に、露光部Ｆ、にはより均一に露光され寸法誤差を小
さくすることができる。
さくすることができる。
以上説明したことから明らかなように、本発明による電
子線描画装置によれば、試料の電子線照射面における露
光を均一にすることができるようになる。
子線描画装置によれば、試料の電子線照射面における露
光を均一にすることができるようになる。
第１図は本発明が適用される電子線描画装置の概略を示
す構成図、第２図は本発明による電子線描画装置の一実
施例を示す要部構成図、第３図（ａ）ないしくＣ）は本
発明による電子線描画装置の作用を示す説明図、第４図
は本発明による電子線描画装置の効果を示す説明図、第
５図（ａ） 、 （ｂ）は従来の電子線描画装置の作
用を示す説明図、第６図は従来の電子線描画装置の欠点
を示す説明図である。 １・・・電子銃、２・・・電子線、３・・・整形レンズ
、４・・・整形絞夛、５・・・投影レンズ、６・・・試
料、７・・・ＣＰｕ、 ９・・・描画信号発生部、９
・・・偏向器、１０・・・ブランカ、１１・・・静電電
極。
す構成図、第２図は本発明による電子線描画装置の一実
施例を示す要部構成図、第３図（ａ）ないしくＣ）は本
発明による電子線描画装置の作用を示す説明図、第４図
は本発明による電子線描画装置の効果を示す説明図、第
５図（ａ） 、 （ｂ）は従来の電子線描画装置の作
用を示す説明図、第６図は従来の電子線描画装置の欠点
を示す説明図である。 １・・・電子銃、２・・・電子線、３・・・整形レンズ
、４・・・整形絞夛、５・・・投影レンズ、６・・・試
料、７・・・ＣＰｕ、 ９・・・描画信号発生部、９
・・・偏向器、１０・・・ブランカ、１１・・・静電電
極。
Claims (1)
- １、電子線を発生する手段と、該電子線を整形する手段
と、整形された電子線を試料上に結像する手段と、結像
された電子線を該試料上で走査させる手段と、該電子線
を偏向させることによりブランキングおよびアンブラン
キングする手段とを備えた電子線描画装置において、同
一方向に電子線を偏向してブランキング、アンブランキ
ング、およびブランキングを行なうことを特徴とする電
子線描画装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15370384A JPS6132422A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 電子線描画装置 |
| US06/757,285 US4710640A (en) | 1984-07-24 | 1985-07-22 | Electron beam lithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15370384A JPS6132422A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132422A true JPS6132422A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=15568261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15370384A Pending JPS6132422A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 電子線描画装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4710640A (ja) |
| JP (1) | JPS6132422A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235571A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01102930A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
| US6429440B1 (en) | 1998-06-16 | 2002-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithography apparatus having a dynamically variable illumination beam |
| EP0965888B1 (en) * | 1998-06-16 | 2008-06-11 | ASML Netherlands B.V. | Lithography apparatus |
| DE102010007777A1 (de) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Carl Zeiss NTS GmbH, 73447 | Teilchenstrahlsystem |
| JP2014138050A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| TW201618153A (zh) * | 2014-09-03 | 2016-05-16 | Nuflare Technology Inc | 多重帶電粒子束的遮沒裝置，多重帶電粒子束描繪裝置，及多重帶電粒子束的不良射束遮蔽方法 |
| DE102016223664B4 (de) | 2016-11-29 | 2024-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Strahlaustaster und Verfahren zum Austasten eines geladenen Teilchenstrahls |
| JP7280977B2 (ja) * | 2019-12-16 | 2023-05-24 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子ビーム装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5458366A (en) * | 1977-10-19 | 1979-05-11 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron beam unit |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3894271A (en) * | 1973-08-31 | 1975-07-08 | Ibm | Method and apparatus for aligning electron beams |
| JPS53121574A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-24 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron beam exposing device |
| US4494004A (en) * | 1980-11-28 | 1985-01-15 | International Business Machines Corporation | Electron beam system |
| US4445041A (en) * | 1981-06-02 | 1984-04-24 | Hewlett-Packard Company | Electron beam blanker |
| US4423305A (en) * | 1981-07-30 | 1983-12-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for controlling alignment of an electron beam of a variable shape |
| US4433384A (en) * | 1981-10-05 | 1984-02-21 | Varian Associates, Inc. | Pattern data handling system for an electron beam exposure system |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP15370384A patent/JPS6132422A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-22 US US06/757,285 patent/US4710640A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5458366A (en) * | 1977-10-19 | 1979-05-11 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron beam unit |
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|---|---|---|---|---|
| JP2008235571A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4710640A (en) | 1987-12-01 |
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