JPS6230491B2 - - Google Patents
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- JPS6230491B2 JPS6230491B2 JP55068588A JP6858880A JPS6230491B2 JP S6230491 B2 JPS6230491 B2 JP S6230491B2 JP 55068588 A JP55068588 A JP 55068588A JP 6858880 A JP6858880 A JP 6858880A JP S6230491 B2 JPS6230491 B2 JP S6230491B2
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- electron beam
- clock frequency
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 14
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 13
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光装置に関し、特にパタ
ーン・パツケージ・メモリ方式の改良に関する。
ーン・パツケージ・メモリ方式の改良に関する。
本発明の発明者らは先に特願昭54―72088号に
おいて、磁気バブル装置におけるシエブロン・パ
ターン等微小且つ複雑なパターンを繰り返し電子
ビーム露光する場合に用いて好適なパターン・パ
ツケージ・メモリ方式を提唱した。
おいて、磁気バブル装置におけるシエブロン・パ
ターン等微小且つ複雑なパターンを繰り返し電子
ビーム露光する場合に用いて好適なパターン・パ
ツケージ・メモリ方式を提唱した。
上記パターン・パツケージ・メモリ方式とは、
例えば第１図に見られるシエブロン・パターン
CPの露光を行なう場合、そのシエブロン・パタ
ーンCPに外接する矩形領域QRを考え、該矩形領
域QRの露光を行なうようなデータを露光装置に
与えて描画する。即ち同図の左上の座標（X1、
Y1）と右下の実施例（X2、Y2）を与え、この矩形
領域QRを塗りつぶすようにパターン発生コント
ローラよりＸ、Ｙ偏向器に偏向信号を加え、図に
矢印で示すうに電子ビームで走査すると共に、電
子ビームをオン・オフさせるための別のデータ
（パターン・パツケージ・データ）を露光装置に
設けられたメモリ（パターン・パツケージ・メモ
リ）に蓄え、該パターン・パツケージ・メモリか
ら読み出されたオン・オフ・データに基いてブラ
ンカを作動させて矩形領域QR内で選択的に電子
ビームをオン・オフさせることによりシエブロ
ン・パターンCPを描画するものである。なお図
の砂地部分は電子ビームのオフの部分、それ以外
はオンの部分である。
例えば第１図に見られるシエブロン・パターン
CPの露光を行なう場合、そのシエブロン・パタ
ーンCPに外接する矩形領域QRを考え、該矩形領
域QRの露光を行なうようなデータを露光装置に
与えて描画する。即ち同図の左上の座標（X1、
Y1）と右下の実施例（X2、Y2）を与え、この矩形
領域QRを塗りつぶすようにパターン発生コント
ローラよりＸ、Ｙ偏向器に偏向信号を加え、図に
矢印で示すうに電子ビームで走査すると共に、電
子ビームをオン・オフさせるための別のデータ
（パターン・パツケージ・データ）を露光装置に
設けられたメモリ（パターン・パツケージ・メモ
リ）に蓄え、該パターン・パツケージ・メモリか
ら読み出されたオン・オフ・データに基いてブラ
ンカを作動させて矩形領域QR内で選択的に電子
ビームをオン・オフさせることによりシエブロ
ン・パターンCPを描画するものである。なお図
の砂地部分は電子ビームのオフの部分、それ以外
はオンの部分である。
磁気バブル・メモリ、ICメモリなどでは第２
図に示すように同一パターンをマトリクス状に配
列する場合が非常に多い。このような場合本方式
では矩形領域QRの原点即ち各パターンの走査始
点をパターン発生コントローラにより順次ずらせ
るようにすること、及びパターン・パツケージ・
メモリからパターン・パツケージ・データをその
都度読出すことで第２図に見られるようなマトリ
クス配列の全パターンを露光できる。
図に示すように同一パターンをマトリクス状に配
列する場合が非常に多い。このような場合本方式
では矩形領域QRの原点即ち各パターンの走査始
点をパターン発生コントローラにより順次ずらせ
るようにすること、及びパターン・パツケージ・
メモリからパターン・パツケージ・データをその
都度読出すことで第２図に見られるようなマトリ
クス配列の全パターンを露光できる。
このように本方式では同一パターンを繰り返し
露光する場合にその都度パターン・データを電子
計算機から転送する必要がないので、データ転送
量及びデータ転送に要する時間が大幅に削減され
る。
露光する場合にその都度パターン・データを電子
計算機から転送する必要がないので、データ転送
量及びデータ転送に要する時間が大幅に削減され
る。
ところで矩形領域QR内を電子ビームで走査す
る場合、電子ビーム・オフ部分の走査に要する時
間は無駄な時間である。そこでこの時間を極力少
なくする目的で発明者らは特願昭54―72087号に
おいて、ビーム・オン部分ではレジスタの露光に
必要とされる充分な電荷量を与えるように適切な
速さのクロツクで電子ビーム走査を行ない、ビー
ム・オフ部分ではデジタル・アナログ・コンバー
タ（DAC）の最高速度に相当するクロツクで電
子ビーム走査を行なう方式を提唱した。
る場合、電子ビーム・オフ部分の走査に要する時
間は無駄な時間である。そこでこの時間を極力少
なくする目的で発明者らは特願昭54―72087号に
おいて、ビーム・オン部分ではレジスタの露光に
必要とされる充分な電荷量を与えるように適切な
速さのクロツクで電子ビーム走査を行ない、ビー
ム・オフ部分ではデジタル・アナログ・コンバー
タ（DAC）の最高速度に相当するクロツクで電
子ビーム走査を行なう方式を提唱した。
このようにすることによりパターン・パツケー
ジ・メモリ方式による電子ビーム露光に要する時
間を大幅に短縮することができたが、ビーム・オ
ン時のクロツク周波数が一定のため描画すべきパ
ターンの細部における露光量制御ができない。
ジ・メモリ方式による電子ビーム露光に要する時
間を大幅に短縮することができたが、ビーム・オ
ン時のクロツク周波数が一定のため描画すべきパ
ターンの細部における露光量制御ができない。
例えば電子ビーム露光においては照射した電子
ビームが、レジスト内での電子散乱、基板からの
後方散乱を繰り返すことによつて、レジスト内の
思わぬ所に電荷が蓄積されパターン歪を生じる現
象（近接効果）が問題となつて居り、これを補正
するには描画すべきパターンの特に周辺部におけ
る露光量を制御することが必要となる。
ビームが、レジスト内での電子散乱、基板からの
後方散乱を繰り返すことによつて、レジスト内の
思わぬ所に電荷が蓄積されパターン歪を生じる現
象（近接効果）が問題となつて居り、これを補正
するには描画すべきパターンの特に周辺部におけ
る露光量を制御することが必要となる。
本発明の目的はパターン・パツケージ・メモリ
方式による電子ビーム露光において、ビーム・オ
ン時の走査速度を可変とした電子ビーム露光装置
を提供することにある。
方式による電子ビーム露光において、ビーム・オ
ン時の走査速度を可変とした電子ビーム露光装置
を提供することにある。
本発明の特徴はパターン・パツケージ・メモリ
方式電子ビーム露光装置のパターン発生コントロ
ーラに、描画すべきパターンの周辺領域を設定す
る手段と、クロツク周波数変更制御手段とを付設
し、該クロツク周波数変更制御手段は電子ビーム
の走査位置を検知しその位置によりクロツク周波
数を所定の周波数に制御することにより、前記周
辺領域と周辺領域を除いた主領域との走査速度を
異ならしめて露光量制御を行なうことにある。
方式電子ビーム露光装置のパターン発生コントロ
ーラに、描画すべきパターンの周辺領域を設定す
る手段と、クロツク周波数変更制御手段とを付設
し、該クロツク周波数変更制御手段は電子ビーム
の走査位置を検知しその位置によりクロツク周波
数を所定の周波数に制御することにより、前記周
辺領域と周辺領域を除いた主領域との走査速度を
異ならしめて露光量制御を行なうことにある。
以下本発明に係る電子ビーム露光装置の一実施
例を第３図及び第４図により説明する。
例を第３図及び第４図により説明する。
本実施例ではマトリクス状に配列するパターン
間隔が比較的大きい場合を揚げて説明する。この
場合はパターン内部を露光する際の電子の散乱に
より生じる影響（内部近接効果）のみが存在し、
隣接するパターンの影響（外部近接効果）を受け
ないので、パターンの周辺領域では露光不足とな
る。従つてパターン周辺領域はパターン内部より
露光量を増大するように補正を行なう。
間隔が比較的大きい場合を揚げて説明する。この
場合はパターン内部を露光する際の電子の散乱に
より生じる影響（内部近接効果）のみが存在し、
隣接するパターンの影響（外部近接効果）を受け
ないので、パターンの周辺領域では露光不足とな
る。従つてパターン周辺領域はパターン内部より
露光量を増大するように補正を行なう。
即ち第３図に示すようにシエブロン・パターン
CPを描画するには、パターンCPに外接する矩形
領域QR内を電子ビームで図の矢印で示すように
走査すると共に、電子ビームを選択的にオン・オ
フさせる。そして上記ビームの走査速度即ちクロ
ツク周波数を前述の如くビーム・オフ部分（図の
砂地領域）では走査DACの最高速度に相当する
周波数f1とする。こゝまでは既に周知の露光方法
である。更にビーム・オン部分（パターンCP）
ではパターンCPの外縁１と図の破線との間の周
辺領域２におけるクロツク周波数f2を周辺領域２
を除くパターン内部即ち主領域３におけるクロツ
ク周波数f3により低くし、周辺領域２に充分な露
光量を与えるようにする。
CPを描画するには、パターンCPに外接する矩形
領域QR内を電子ビームで図の矢印で示すように
走査すると共に、電子ビームを選択的にオン・オ
フさせる。そして上記ビームの走査速度即ちクロ
ツク周波数を前述の如くビーム・オフ部分（図の
砂地領域）では走査DACの最高速度に相当する
周波数f1とする。こゝまでは既に周知の露光方法
である。更にビーム・オン部分（パターンCP）
ではパターンCPの外縁１と図の破線との間の周
辺領域２におけるクロツク周波数f2を周辺領域２
を除くパターン内部即ち主領域３におけるクロツ
ク周波数f3により低くし、周辺領域２に充分な露
光量を与えるようにする。
第４図は本実施例を実施するのに用いた電子ビ
ーム露光装置の要部を示すブロツク図である。
ーム露光装置の要部を示すブロツク図である。
同図において４は電子計算機の中央処理装置
（CPU）、５は電子計算機の記憶装置、６はイン
タフエース、７はパターン・パツケージ・メモ
リ、８はパターン発生コントローラ、９はビー
ム・ブランキング・ドライバ、１０はクロツク回
路、１１はクロツク周波数レジスタ、１２は電子
ビームの走査始点を指定する始点レジスタ、１３
は電子ビームの走査位置を指定する高速カウン
タ、１４は位置ぎめDAC、１５は走査DACであ
る。ここまでは従来のパターン・パツケージ・メ
モリ方式の電子ビーム露光装置と何ら異なる所は
ない。
（CPU）、５は電子計算機の記憶装置、６はイン
タフエース、７はパターン・パツケージ・メモ
リ、８はパターン発生コントローラ、９はビー
ム・ブランキング・ドライバ、１０はクロツク回
路、１１はクロツク周波数レジスタ、１２は電子
ビームの走査始点を指定する始点レジスタ、１３
は電子ビームの走査位置を指定する高速カウン
タ、１４は位置ぎめDAC、１５は走査DACであ
る。ここまでは従来のパターン・パツケージ・メ
モリ方式の電子ビーム露光装置と何ら異なる所は
ない。
本実施例では上記パターン発生コントローラ
に、露光量の補正を行なう周辺領域の幅、即ちパ
ターンの縁からの走査幅を指定する補正幅指定レ
ジスタ２１、及びパターン・パツケージ・メモリ
７に蓄えられたパターン・パツケージ・データを
ワード単位例えば16ビツド或いは32ビツドづつ読
み出す先読みレジスタ２２と、電子ビームの走査
位置に応じてクロツク周波数レジスタ１１の中の
一つを選択するクロツク周波数選択回路２３とか
らなるクロツク周波数変更制御器２４とを付設し
た。更にクロツク周波数レジスタ１１には周波数
f1，f3を指定するレジスタ１１―１，１１―３に
加えて、周波数f2を指定するレジスタ１１―２を
設けた。
に、露光量の補正を行なう周辺領域の幅、即ちパ
ターンの縁からの走査幅を指定する補正幅指定レ
ジスタ２１、及びパターン・パツケージ・メモリ
７に蓄えられたパターン・パツケージ・データを
ワード単位例えば16ビツド或いは32ビツドづつ読
み出す先読みレジスタ２２と、電子ビームの走査
位置に応じてクロツク周波数レジスタ１１の中の
一つを選択するクロツク周波数選択回路２３とか
らなるクロツク周波数変更制御器２４とを付設し
た。更にクロツク周波数レジスタ１１には周波数
f1，f3を指定するレジスタ１１―１，１１―３に
加えて、周波数f2を指定するレジスタ１１―２を
設けた。
次に本装置の動作について説明する。先ず
CPU４からの指令により記憶装置５に蓄えられ
た各種データをインタフエース６を介して露光装
置に転送する。そしてパターン・パツケージ・デ
ータはパターン・パツケージ・メモリ７に、始点
データは始点レジスタ１２に、走査幅データは高
速カウンタ回路１３に格納される。更にクロツク
周波数f1，f2，f3を夫々クロツク周波数レジスタ
１１―１，１１―２，１１―３に、ビツト数の形
で与えられた補正幅データを補正幅レジスタ２１
に、そして前記走査幅データをクロツク周波数選
択回路２３に記憶させる。
CPU４からの指令により記憶装置５に蓄えられ
た各種データをインタフエース６を介して露光装
置に転送する。そしてパターン・パツケージ・デ
ータはパターン・パツケージ・メモリ７に、始点
データは始点レジスタ１２に、走査幅データは高
速カウンタ回路１３に格納される。更にクロツク
周波数f1，f2，f3を夫々クロツク周波数レジスタ
１１―１，１１―２，１１―３に、ビツト数の形
で与えられた補正幅データを補正幅レジスタ２１
に、そして前記走査幅データをクロツク周波数選
択回路２３に記憶させる。
描画を行なうに当つては、パターン発生コント
ローラ８は上記諸データに基いて、DAC１４に
対して走査すべき矩形領域QRの走査始点を指定
する信号を、DAC１５に対しては走査信号を送
出し、DAC１４，１５はアナログ信号を偏向系
に送出してＸ、Ｙ方向の偏向を行なわせ、矩形領
域QRを第３図の矢印で示すごとく走査させる。
またパターン・パツケージ・データは１ワードづ
つまとめてパターン・パツケージ・メモリから送
出され、先読みレジスタ２２はこれを受けビー
ム・オン・オフ信号を１ビツトづつビーム・ブラ
ンキング・ドライバ９に送り、ブランカンを作動
させて電子ビームのオン・オフを行なう。一方ク
ロツク周波数選択回路２３は上記先読みレジスタ
２２がワード単位で読み出したビーム・オン・オ
フのデータと該先読みレジスタ２２が送出したビ
ーム・ブランキング信号と補正幅レジスタ２１が
指定する補正幅（ｎビツトとする）とから、今現
在及びｎビツト後におけるビームのオン・オフの
別、及びビームのオンからオフ或いはオフからオ
ンへの変化の有無を常に監視し、その状態に応じ
てクロツク周波数レジスタ１１―１，１１―２，
１１―３のうちから一つを選択する。その動作を
第５図及び第６図により説明する。
ローラ８は上記諸データに基いて、DAC１４に
対して走査すべき矩形領域QRの走査始点を指定
する信号を、DAC１５に対しては走査信号を送
出し、DAC１４，１５はアナログ信号を偏向系
に送出してＸ、Ｙ方向の偏向を行なわせ、矩形領
域QRを第３図の矢印で示すごとく走査させる。
またパターン・パツケージ・データは１ワードづ
つまとめてパターン・パツケージ・メモリから送
出され、先読みレジスタ２２はこれを受けビー
ム・オン・オフ信号を１ビツトづつビーム・ブラ
ンキング・ドライバ９に送り、ブランカンを作動
させて電子ビームのオン・オフを行なう。一方ク
ロツク周波数選択回路２３は上記先読みレジスタ
２２がワード単位で読み出したビーム・オン・オ
フのデータと該先読みレジスタ２２が送出したビ
ーム・ブランキング信号と補正幅レジスタ２１が
指定する補正幅（ｎビツトとする）とから、今現
在及びｎビツト後におけるビームのオン・オフの
別、及びビームのオンからオフ或いはオフからオ
ンへの変化の有無を常に監視し、その状態に応じ
てクロツク周波数レジスタ１１―１，１１―２，
１１―３のうちから一つを選択する。その動作を
第５図及び第６図により説明する。
第５図は電子ビームが１本の走査線上を端から
端まで移動する間の各位置における装置の動作を
説明するために第３図の一部を拡大して示したも
のである。同図において電子ビームは左端から右
端へ向かつて移動するものとする。まずＡ点から
Ｂ点までの間はビーム・オフ（黒丸で示す）ある
から、クロツク周波数選択回路（以下選択回路と
略記する）２３はこれを検知してDAC１５の最
高速度に対応する周波数f1を指定するクロツク周
波数レジスタ１１―１を選択する。従つてＡ―Ｂ
間は電子ビームは高速で移動する。次にＣ点に達
するとビーム・オフからオンに変るので選択回路
２３は描画すべきパターンCP内に入つたことを
検知し、周辺領域２内を走査するためのクロツク
周波数f2（本実施例ではf2＜f3）を指定するクロツ
ク周波数レジスタ１１―２を選択する。そして補
正幅として指定されたｎビツト（第５図では３ビ
ツトとした。四角マークで示す。）の問即ちＤ点
までこの状態を保持する。Ｅ点に至ると選択回路
２３はビーム・オンの状態がｎビツトを越えたこ
とから主領域３に入つたことを検知し、通常の走
査速度に対応するクロツク周波数f3を指定するク
ロツク周波数レジスタ１１―３を選択する。この
状態はＥ点からＦ点（白丸で示す）まで保持され
る。Ｇ点に至ると選択回路２３はｎビツト後（Ｉ
点）にビーム・オンからオフに変ることを検出し
てＧ点が周辺領域であることを知り、再びクロツ
ク周波数レジスタ１１―２を選択する。更にＨ点
を過ぎＩ点に至るビーム・オフとなるので選択回
路２３はクロツク周波数レジスタ１１―１を選択
する。
端まで移動する間の各位置における装置の動作を
説明するために第３図の一部を拡大して示したも
のである。同図において電子ビームは左端から右
端へ向かつて移動するものとする。まずＡ点から
Ｂ点までの間はビーム・オフ（黒丸で示す）ある
から、クロツク周波数選択回路（以下選択回路と
略記する）２３はこれを検知してDAC１５の最
高速度に対応する周波数f1を指定するクロツク周
波数レジスタ１１―１を選択する。従つてＡ―Ｂ
間は電子ビームは高速で移動する。次にＣ点に達
するとビーム・オフからオンに変るので選択回路
２３は描画すべきパターンCP内に入つたことを
検知し、周辺領域２内を走査するためのクロツク
周波数f2（本実施例ではf2＜f3）を指定するクロツ
ク周波数レジスタ１１―２を選択する。そして補
正幅として指定されたｎビツト（第５図では３ビ
ツトとした。四角マークで示す。）の問即ちＤ点
までこの状態を保持する。Ｅ点に至ると選択回路
２３はビーム・オンの状態がｎビツトを越えたこ
とから主領域３に入つたことを検知し、通常の走
査速度に対応するクロツク周波数f3を指定するク
ロツク周波数レジスタ１１―３を選択する。この
状態はＥ点からＦ点（白丸で示す）まで保持され
る。Ｇ点に至ると選択回路２３はｎビツト後（Ｉ
点）にビーム・オンからオフに変ることを検出し
てＧ点が周辺領域であることを知り、再びクロツ
ク周波数レジスタ１１―２を選択する。更にＨ点
を過ぎＩ点に至るビーム・オフとなるので選択回
路２３はクロツク周波数レジスタ１１―１を選択
する。
上述のごとく本実施例ではビーム・オフ部分で
は高速で走査を行なつて描画時の不要時間を削減
し、描画すべきパターンCPの周辺領域２におい
ては露光時間を補正して主領域３と同様に充分な
露光量を与えることが可能となり、所望のパター
ンを正確に描画できた。
は高速で走査を行なつて描画時の不要時間を削減
し、描画すべきパターンCPの周辺領域２におい
ては露光時間を補正して主領域３と同様に充分な
露光量を与えることが可能となり、所望のパター
ンを正確に描画できた。
なお第６図（第３図の右下部分の拡大図）に示
すようにパターンCPと矩形QRの辺が一致してい
る場合には、電子ビームが走査線上をＫ点からＱ
点まで移動する間にビーム・オフとなる機会がな
いので、上述の方法ではビームが周辺領域に入つ
たことを検知できない。そこでこの場合には選択
回路２３は予め与えられていた走査幅データ（ｌ
ビツトとする）と、ビームが走査方向を反転して
から移動した距離にｎビツト加えたものとを比較
する。このようにすることによりＫ点においてｎ
ビツト後の位置Ｍ点が矩形QRの端の点であるこ
とを検知する。しかもＭ点においてビームは依然
とし２オンであることから選択回路２３はパター
ンCPの端が矩形QRの一辺と一致していることを
知り、従つてＫ点の次の点Ｌから周辺領域２であ
ることを検知する。更にＮ点においてビーム・オ
ンのまま走査方向が反転することからＮ点〜Ｐ点
が周辺領域２内にあること、またＱ点はＮ点から
数えてｎビツトを越えることから主領域３内にあ
ることが検知される。このようにしてパターン
CPと矩形QRの辺が一致している場合でも周辺領
域２における露光量補正を正確に行なうことがで
きる。
すようにパターンCPと矩形QRの辺が一致してい
る場合には、電子ビームが走査線上をＫ点からＱ
点まで移動する間にビーム・オフとなる機会がな
いので、上述の方法ではビームが周辺領域に入つ
たことを検知できない。そこでこの場合には選択
回路２３は予め与えられていた走査幅データ（ｌ
ビツトとする）と、ビームが走査方向を反転して
から移動した距離にｎビツト加えたものとを比較
する。このようにすることによりＫ点においてｎ
ビツト後の位置Ｍ点が矩形QRの端の点であるこ
とを検知する。しかもＭ点においてビームは依然
とし２オンであることから選択回路２３はパター
ンCPの端が矩形QRの一辺と一致していることを
知り、従つてＫ点の次の点Ｌから周辺領域２であ
ることを検知する。更にＮ点においてビーム・オ
ンのまま走査方向が反転することからＮ点〜Ｐ点
が周辺領域２内にあること、またＱ点はＮ点から
数えてｎビツトを越えることから主領域３内にあ
ることが検知される。このようにしてパターン
CPと矩形QRの辺が一致している場合でも周辺領
域２における露光量補正を正確に行なうことがで
きる。
本発明は前記一実施例を更に種々変形して実施
できる。
できる。
例えば描画すべきパターンが近接して配列され
る場合には、パターンの周辺領域は外部近接効果
によりパターンが外側にふくらむ傾向がある。そ
こでこの場合には前述のクロツク周波数をf2＞f3
として周辺領域における露光量を減少するように
補正することもできる。
る場合には、パターンの周辺領域は外部近接効果
によりパターンが外側にふくらむ傾向がある。そ
こでこの場合には前述のクロツク周波数をf2＞f3
として周辺領域における露光量を減少するように
補正することもできる。
また描画すべきパターンの形状、寸法、配列等
によつては、第７図に示すように周辺領域２の補
正幅及び露光補正量をパターンの場所によつて変
えねばならない場合がある。
によつては、第７図に示すように周辺領域２の補
正幅及び露光補正量をパターンの場所によつて変
えねばならない場合がある。
このような場合には前記第４図に示した補正幅
指定レジスタ２１及びクロツク周波数レジスタ１
１を所望の数だけ設けることにより、周辺領域を
２―１〜２―４に分割し、夫々にクロツク周波数
f2―１〜f2―４を指定して前記一実施例と同様に
所望の露光量補正を行なうことができる。
指定レジスタ２１及びクロツク周波数レジスタ１
１を所望の数だけ設けることにより、周辺領域を
２―１〜２―４に分割し、夫々にクロツク周波数
f2―１〜f2―４を指定して前記一実施例と同様に
所望の露光量補正を行なうことができる。
以上説明したごとく本発明によれば、パター
ン・パツケージ・メモリ方式を用いて電子ビーム
露光を行なうに当り、パターン細部の露光量制御
が可能となり、従つて同一パターンをマトリクス
状に多数近接して配列するような場合でも近接効
果を適切に補正して所望のパターンを正確に描画
できる。
ン・パツケージ・メモリ方式を用いて電子ビーム
露光を行なうに当り、パターン細部の露光量制御
が可能となり、従つて同一パターンをマトリクス
状に多数近接して配列するような場合でも近接効
果を適切に補正して所望のパターンを正確に描画
できる。
第１図及び第２図は従来のパターン・パツケー
ジ・メモリ方式の電子ビーム露光方法により描画
する場合の説明図、第３図は本発明の一実施例の
描画法説明図、第４図は本発明の一実施例に用い
た電子ビーム露光装置を示す要部ブロツク図、第
５図及び第６図は上記装置の動作の説明図、第７
図は本発明の変形例の説明図である。 CP……描画すべきパターン、QR……パターン
CPに外接する単純化された領域、２……周辺領
域、３……主領域、７……パターン・パツケー
ジ・メモリ、８……パターン発生コントローラ、
１０……クロツク回路、１１……クロツク周波数
レジスタ、２１……補正幅指定レジスタ、２２…
…先読みレジスタ、２３……クロツク周波数選択
回路、２４……クロツク周波数変更制御器。
ジ・メモリ方式の電子ビーム露光方法により描画
する場合の説明図、第３図は本発明の一実施例の
描画法説明図、第４図は本発明の一実施例に用い
た電子ビーム露光装置を示す要部ブロツク図、第
５図及び第６図は上記装置の動作の説明図、第７
図は本発明の変形例の説明図である。 CP……描画すべきパターン、QR……パターン
CPに外接する単純化された領域、２……周辺領
域、３……主領域、７……パターン・パツケー
ジ・メモリ、８……パターン発生コントローラ、
１０……クロツク回路、１１……クロツク周波数
レジスタ、２１……補正幅指定レジスタ、２２…
…先読みレジスタ、２３……クロツク周波数選択
回路、２４……クロツク周波数変更制御器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 描画すべきパターンを、そのパターンの少な
くとも一部に外装し且つそのパターンより単純化
された形状の領域内の電子ビーム・オン・オフ情
報に変換したパターン・パツケージ・データを格
納するパターン・パツケージ・メモリと、所定の
レジスタ群を含むパターン発生コントローラとを
備え、該パターン発生コントローラは前記単純化
された形状の領域内を電子ビームで走査する信号
を偏向系に加えると共に、前記パターン・パツケ
ージ・メモリからパターン・パツケージ・データ
を読み出して電子ビーム・オン・オフ信号をブラ
ンカに加えて前記描画すべきパターンの露光を行
なう電子ビーム露光装置において、 前記パターン発生コントローラに前記描画すべ
きパターンの周辺領域を設定する手段と、クロツ
ク周波数変更制御手段とを付設し、該クロツク周
波数変更制御手段は電子ビームの走査位置を検知
して前記周辺領域を走査する時のクロツク周波数
を前記周辺領域を除いた主領域を走査する時のク
ロツク周波数とは異なる周波数に制御することを
特徴とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6858880A JPS56165321A (en) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | Electron beam projection system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6858880A JPS56165321A (en) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | Electron beam projection system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56165321A JPS56165321A (en) | 1981-12-18 |
| JPS6230491B2 true JPS6230491B2 (ja) | 1987-07-02 |
Family
ID=13378097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6858880A Granted JPS56165321A (en) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | Electron beam projection system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56165321A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63187797A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ホ−ムコントロ−ル装置 |
| JPH03293893A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | ホームバスシステム |
| JPH0785596B2 (ja) * | 1988-03-09 | 1995-09-13 | 三菱電機株式会社 | 遠隔監視制御システム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288406B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-09-11 | Dupont Photomasks, Inc. | Electron beam lithography system having variable writing speed |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119869A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-07 | Fujitsu Ltd | Electronic beam exposure |
| JPS54122979A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-22 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron beam exposure device |
-
1980
- 1980-05-23 JP JP6858880A patent/JPS56165321A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119869A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-07 | Fujitsu Ltd | Electronic beam exposure |
| JPS54122979A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-22 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron beam exposure device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63187797A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ホ−ムコントロ−ル装置 |
| JPH0785596B2 (ja) * | 1988-03-09 | 1995-09-13 | 三菱電機株式会社 | 遠隔監視制御システム |
| JPH03293893A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | ホームバスシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56165321A (en) | 1981-12-18 |
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