JP2910460B2 - パターン露光方法 - Google Patents
パターン露光方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン露光方法に係わ
り、特にシェイプトビーム・ベクタースキャンタイプの
電子ビーム露光装置におけるパターン露光方法に関す
る。
り、特にシェイプトビーム・ベクタースキャンタイプの
電子ビーム露光装置におけるパターン露光方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】シェイプトビーム・ベクタースキャンタ
イプの電子ビーム露光方式は、パターンエリア内の全面
をスキャンするのではなく、実際にパターンが存在する
箇所のみをスキャンするので、全面をスキャンする方式
より露光時間を短縮することができる。
イプの電子ビーム露光方式は、パターンエリア内の全面
をスキャンするのではなく、実際にパターンが存在する
箇所のみをスキャンするので、全面をスキャンする方式
より露光時間を短縮することができる。
【０００３】図５に従来技術のパターン露光方法を示
す。図５に示す偏向範囲（フィールド）１内に露光順位
を決定するための複数のサブフィールド３を設定する。
図では６行６列で計３６個のサブフィールド３（３−１
乃至３−３６）が設定されている。ここでフィールド１
の原点５からＹ方向にサブフィールドを露光すると、サ
ブフィールド３−１，３−２，３−３，３−４，３−
５，３−６の順に露光し、最後にサブフィールド３−６
６を露光する。また同じサブフィールド内においてはＹ
座標の小さい順にすなわち、図ではＸ方向にスキャンし
ながらＹ方向に上から下に移動して露光する。たとえ
ば、サブフィールド３−１内に図形パターン４−１が存
在し、サブフィールド３−２内に図形パターン４−２が
存在し、サブフィールド３−３とサブフィールド３−４
とに股がって図形パターン４−３が存在し、サブフィー
ルド３−４内に図形パターン４−４が存在している場
合、図形パターン４−１の全部の部分を露光した後
に、，図形パターン４−２の全部の部分を露光し、次に
図形パターン４−３のサブフィールド３−３内の全部の
部分を露光し、次に図形パターン４−３のサブフィール
ド３−４内の全部の部分を露光し、次に図形パターン４
−４の全部の部分を露光している。
す。図５に示す偏向範囲（フィールド）１内に露光順位
を決定するための複数のサブフィールド３を設定する。
図では６行６列で計３６個のサブフィールド３（３−１
乃至３−３６）が設定されている。ここでフィールド１
の原点５からＹ方向にサブフィールドを露光すると、サ
ブフィールド３−１，３−２，３−３，３−４，３−
５，３−６の順に露光し、最後にサブフィールド３−６
６を露光する。また同じサブフィールド内においてはＹ
座標の小さい順にすなわち、図ではＸ方向にスキャンし
ながらＹ方向に上から下に移動して露光する。たとえ
ば、サブフィールド３−１内に図形パターン４−１が存
在し、サブフィールド３−２内に図形パターン４−２が
存在し、サブフィールド３−３とサブフィールド３−４
とに股がって図形パターン４−３が存在し、サブフィー
ルド３−４内に図形パターン４−４が存在している場
合、図形パターン４−１の全部の部分を露光した後
に、，図形パターン４−２の全部の部分を露光し、次に
図形パターン４−３のサブフィールド３−３内の全部の
部分を露光し、次に図形パターン４−３のサブフィール
ド３−４内の全部の部分を露光し、次に図形パターン４
−４の全部の部分を露光している。
【０００４】このように従来技術では、一つのサブフィ
ールド内の図形パターンの全ての部分をスキャンして露
光した後で次のサブフィールドの露光を行なっている。
ールド内の図形パターンの全ての部分をスキャンして露
光した後で次のサブフィールドの露光を行なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のパター
ン露光方法では、露光フィールドの原点からサブフィー
ルドを順に露光していくに際して、一つのサブフィール
ド内の図形パターンの全ての部分をスキャンして露光
し、しかる後に次のサブフィールド内の図形パターンの
全ての部分の露光を行なうから、図形パターンの密度が
高い箇所では、露光による熱でレジスト膜の特性が変化
し、正しく図形パターンを露光できないという問題点が
あった。
ン露光方法では、露光フィールドの原点からサブフィー
ルドを順に露光していくに際して、一つのサブフィール
ド内の図形パターンの全ての部分をスキャンして露光
し、しかる後に次のサブフィールド内の図形パターンの
全ての部分の露光を行なうから、図形パターンの密度が
高い箇所では、露光による熱でレジスト膜の特性が変化
し、正しく図形パターンを露光できないという問題点が
あった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、表面に
レジスト膜を有する試料上に所望の図形パターンを形成
するために荷電粒子ビームによる露光を行なうパターン
露光方法において、ビームの偏向範囲内のフィールドを
複数のサブフィールドに分割設定し、各サブフィールド
内の図形パターンを複数の部分に分割設定しかつその露
光順位を指定し、第１のサブフィールド内の図形パター
ンの第１番目の部分を露光した後に同じフィールド内の
他のサブフィールド内の図形パターンの部分を露光し、
このようにしてフィールド内の必要なサブフィード内に
おける第１番目の部分を露光した後、前記第１のサブフ
ィールドに戻ってそこの図形パターンの第２番目の部分
を露光し、この操作をフィールド内で繰辺すことにより
フィールド内に設定された各サブフィールド内の図形パ
ターンの所定の全ての部分を露光するパターン露光方法
にある。
レジスト膜を有する試料上に所望の図形パターンを形成
するために荷電粒子ビームによる露光を行なうパターン
露光方法において、ビームの偏向範囲内のフィールドを
複数のサブフィールドに分割設定し、各サブフィールド
内の図形パターンを複数の部分に分割設定しかつその露
光順位を指定し、第１のサブフィールド内の図形パター
ンの第１番目の部分を露光した後に同じフィールド内の
他のサブフィールド内の図形パターンの部分を露光し、
このようにしてフィールド内の必要なサブフィード内に
おける第１番目の部分を露光した後、前記第１のサブフ
ィールドに戻ってそこの図形パターンの第２番目の部分
を露光し、この操作をフィールド内で繰辺すことにより
フィールド内に設定された各サブフィールド内の図形パ
ターンの所定の全ての部分を露光するパターン露光方法
にある。
【０００７】
【実施例】次に本発明を図面を参照して説明する。
【０００８】シェイプトビーム・ベクタースキャンタイ
プの電子ビーム露光装置では、表面にレジスト膜を有す
る試料を搭載したステージがフィールド単位で移動し、
ステージ停止後に偏向電極で電子ビームを所定の位置に
偏向して露光を行ない、一つのフィールドの露光が完了
した後にステージは次のフィールドの位置に相対的に移
動しそこで停止後に次のフィールドの露光を行う。本発
明は一つのフィールド内における露光方法に関するもの
である。
プの電子ビーム露光装置では、表面にレジスト膜を有す
る試料を搭載したステージがフィールド単位で移動し、
ステージ停止後に偏向電極で電子ビームを所定の位置に
偏向して露光を行ない、一つのフィールドの露光が完了
した後にステージは次のフィールドの位置に相対的に移
動しそこで停止後に次のフィールドの露光を行う。本発
明は一つのフィールド内における露光方法に関するもの
である。
【０００９】図１は本発明の一実施例のフィールド１を
示す平面図であり、従来技術の図５と同じ図形パターン
を用いて説明する。
示す平面図であり、従来技術の図５と同じ図形パターン
を用いて説明する。
【００１０】ビームの偏向範囲内のフィールド１を３６
個のサブフィールド３−１，３−２，３−３……３−３
６に分割設定し、各サブフィールド内の図形パターン４
−１，４−２，４−３，４−４……が位置しており、
図１（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ）に示すように図形
パターンは最大ビームサイズにより規定される露光ショ
ット（露光単位）１０の多数から構成されている。
個のサブフィールド３−１，３−２，３−３……３−３
６に分割設定し、各サブフィールド内の図形パターン４
−１，４−２，４−３，４−４……が位置しており、
図１（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ）に示すように図形
パターンは最大ビームサイズにより規定される露光ショ
ット（露光単位）１０の多数から構成されている。
【００１１】本発明では、フィールドを複数のサブフィ
ールドに分割設定し、各サブフィールド内で露光ショッ
ト１０を基本単位として複数の部分Ａ，Ｂ，Ｃ……に分
割設定しかつその露光順位（Ａ，Ｂ，Ｃ……の順）を指
定する。
ールドに分割設定し、各サブフィールド内で露光ショッ
ト１０を基本単位として複数の部分Ａ，Ｂ，Ｃ……に分
割設定しかつその露光順位（Ａ，Ｂ，Ｃ……の順）を指
定する。
【００１２】この実施例において露光は次のように行な
われる。第１のサブフィールド３−１の図形パターン４
−１の部分Ａを露光した後、第２のサブフィールド３−
２の図形パターン４−２の部分Ａを露光し、次に第３の
サブフィールド３−３に位置する図形パターン４−３に
おける部分Ａを露光し、次に第４のサブフィールド３−
４に位置する図形パターン４−３における部分Ａを露光
し、この様に各サブフィールドの露光順位第１位の部分
Ａを露光してゆき、最後のサブフィールド３−３６の露
光順位第１位の部分Ａを露光したら、再び第１のサブフ
ィールド３−１に戻ってそこの図形パターン４−１の部
分Ｂを露光し、次に第２のサブフィールド３−２の図形
パターン４−２の部分Ｂを露光し、次に第３のサブフィ
ールド３−３の位置する図形パターン４−３における部
分Ｂを露光し、次に第４のサブフィールド３−４の図形
パターン４−４における部分Ｂを露光し、この様に各サ
ブフィールドの露光順位第２位の部分Ｂを露光してゆ
き、最後のサブフィールド３−３６の露光順位第２位の
部分Ｂを露光したら、再び第１のサブフィールド３−１
に戻ってそこの図形パターン４−１の露光順位第３位の
部分Ｃを露光し、この操作を繰辺すことにより各サブフ
ィールド内の図形パターンの全ての部分を露光する。
われる。第１のサブフィールド３−１の図形パターン４
−１の部分Ａを露光した後、第２のサブフィールド３−
２の図形パターン４−２の部分Ａを露光し、次に第３の
サブフィールド３−３に位置する図形パターン４−３に
おける部分Ａを露光し、次に第４のサブフィールド３−
４に位置する図形パターン４−３における部分Ａを露光
し、この様に各サブフィールドの露光順位第１位の部分
Ａを露光してゆき、最後のサブフィールド３−３６の露
光順位第１位の部分Ａを露光したら、再び第１のサブフ
ィールド３−１に戻ってそこの図形パターン４−１の部
分Ｂを露光し、次に第２のサブフィールド３−２の図形
パターン４−２の部分Ｂを露光し、次に第３のサブフィ
ールド３−３の位置する図形パターン４−３における部
分Ｂを露光し、次に第４のサブフィールド３−４の図形
パターン４−４における部分Ｂを露光し、この様に各サ
ブフィールドの露光順位第２位の部分Ｂを露光してゆ
き、最後のサブフィールド３−３６の露光順位第２位の
部分Ｂを露光したら、再び第１のサブフィールド３−１
に戻ってそこの図形パターン４−１の露光順位第３位の
部分Ｃを露光し、この操作を繰辺すことにより各サブフ
ィールド内の図形パターンの全ての部分を露光する。
【００１３】上記各図形パターンの分割設定される各部
分Ａ，Ｂ，Ｃ……は一個の露光ショット１０で構成して
もあるいは二個以上の露光ショット１０で構成してもよ
い。どの部分を何個の露光ショットで構成するのか、ま
た各サブフィールド内の図形パターンにおける各部分
Ａ，Ｂ，Ｃ……の配置すなわちサブフィールド内の図形
パターンの各部分における露光順序は、図形パターンの
密度や露光による熱によるレジストの特性が変化等を考
慮して設定される。二個以上の露光ショット１０がＸ方
向に並んで１つの部分が構成している場合は、１回の露
光でその分Ｘ方向にスキャン（偏向電極による走査）さ
れることとなる。
分Ａ，Ｂ，Ｃ……は一個の露光ショット１０で構成して
もあるいは二個以上の露光ショット１０で構成してもよ
い。どの部分を何個の露光ショットで構成するのか、ま
た各サブフィールド内の図形パターンにおける各部分
Ａ，Ｂ，Ｃ……の配置すなわちサブフィールド内の図形
パターンの各部分における露光順序は、図形パターンの
密度や露光による熱によるレジストの特性が変化等を考
慮して設定される。二個以上の露光ショット１０がＸ方
向に並んで１つの部分が構成している場合は、１回の露
光でその分Ｘ方向にスキャン（偏向電極による走査）さ
れることとなる。
【００１４】図２は本発明の第１の実施例の露光装置の
ブロック図である。本発明では露光用データとしてその
データフォーマットに各図形の位置及び形状を表す領域
に加えて各サブフィールド内の図形パターンにおけるの
それぞれの部分の露光順位およびこれら部分の露光ショ
ットの構成、その位置、それが属するサブフィールドの
番号を表す領域を持っている。このデータの流れについ
て説明する。露光用データはデータ制御器１４によって
磁気ディスク、ＭＴ等の外部記憶装置からパターンメモ
リ１３に収納され、露光時に露光用データはデータ制御
器１４よってパターンメモリ１３から順次読出されてシ
ョット分割器１５に送られる。シット分割器１５は露光
用データを各露光ショットに分割し、データ転送器１６
に送る。露光ショットは露光単位のことであり、その大
きさは大体最大ビームサイズと同等である。すなわち、
図形パターンは露光ショット（露光単位）の集合体であ
り、電子ビームの露光ショットを最小単位としてＸ方向
もしくはＹ方向にスキャンを行なう。そしてデータ転送
器１６はＤ／Ａ変換器１７にデータを送り、Ｄ／Ａ変換
器１７はデータ（ディジタル信号）をアナログ信号に変
換し、露光装置本体１８の各偏向器に値をセットして露
光を行なう。
ブロック図である。本発明では露光用データとしてその
データフォーマットに各図形の位置及び形状を表す領域
に加えて各サブフィールド内の図形パターンにおけるの
それぞれの部分の露光順位およびこれら部分の露光ショ
ットの構成、その位置、それが属するサブフィールドの
番号を表す領域を持っている。このデータの流れについ
て説明する。露光用データはデータ制御器１４によって
磁気ディスク、ＭＴ等の外部記憶装置からパターンメモ
リ１３に収納され、露光時に露光用データはデータ制御
器１４よってパターンメモリ１３から順次読出されてシ
ョット分割器１５に送られる。シット分割器１５は露光
用データを各露光ショットに分割し、データ転送器１６
に送る。露光ショットは露光単位のことであり、その大
きさは大体最大ビームサイズと同等である。すなわち、
図形パターンは露光ショット（露光単位）の集合体であ
り、電子ビームの露光ショットを最小単位としてＸ方向
もしくはＹ方向にスキャンを行なう。そしてデータ転送
器１６はＤ／Ａ変換器１７にデータを送り、Ｄ／Ａ変換
器１７はデータ（ディジタル信号）をアナログ信号に変
換し、露光装置本体１８の各偏向器に値をセットして露
光を行なう。
【００１５】ここでデータ制御器１４によってパターン
メモリ１３にデータを書き込む時に各サブフィールド内
の図形の各部分を交互に書き込むか、あるいはパターン
メモリ１３からのデータの読み出し時に各サブフィール
ド内の図形の各部分をを交互に読み出すことにより、特
定のサブフィールド内の図形を連続して露光することを
避けることができる。
メモリ１３にデータを書き込む時に各サブフィールド内
の図形の各部分を交互に書き込むか、あるいはパターン
メモリ１３からのデータの読み出し時に各サブフィール
ド内の図形の各部分をを交互に読み出すことにより、特
定のサブフィールド内の図形を連続して露光することを
避けることができる。
【００１６】本発明の第２の実施例の露光装置を図３を
参照して説明すると、各図形を露光ショット単位に分割
する作業を予めプログラムを用いて露光前に処理し、同
時にデータの配列を各サブフィールドの露光ショットが
交互に並ぶように変換する。そして露光時には、パター
ンデータを配列に従って処理するため、パターンメモリ
１３とのデータの書き込、読み出し時のサブフィールド
毎に図形を選択する時間を短縮できる。
参照して説明すると、各図形を露光ショット単位に分割
する作業を予めプログラムを用いて露光前に処理し、同
時にデータの配列を各サブフィールドの露光ショットが
交互に並ぶように変換する。そして露光時には、パター
ンデータを配列に従って処理するため、パターンメモリ
１３とのデータの書き込、読み出し時のサブフィールド
毎に図形を選択する時間を短縮できる。
【００１７】本発明の第３の実施例の露光装置のブロッ
ク図を図４に示す。本実施例では、ショット分割器１５
によって分割された露光ショットデータを各サブフィー
ルド毎にレジスタ１９にセットする。データ転送器１６
は各レジスタ１９から交互にデータをＤ／Ａ変換器１７
に転送することによって、各サブフィールドの露光ショ
ットを交互に行うことができ、多くの露光ショットから
成る図形があってもショットが連続して行われることを
防ぐことができる。
ク図を図４に示す。本実施例では、ショット分割器１５
によって分割された露光ショットデータを各サブフィー
ルド毎にレジスタ１９にセットする。データ転送器１６
は各レジスタ１９から交互にデータをＤ／Ａ変換器１７
に転送することによって、各サブフィールドの露光ショ
ットを交互に行うことができ、多くの露光ショットから
成る図形があってもショットが連続して行われることを
防ぐことができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、露光ショ
ット間に距離を置いているため、図形が密集して特定の
箇所に露光ショットが集中している場合でも、露光によ
る温度上昇に起因するレジスト特性の変化の影響を受け
ることなく、精度の良い露光が可能である。
ット間に距離を置いているため、図形が密集して特定の
箇所に露光ショットが集中している場合でも、露光によ
る温度上昇に起因するレジスト特性の変化の影響を受け
ることなく、精度の良い露光が可能である。
【図１】本発明の実施例の１つのフィールドを示す平面
図である。
図である。
【図２】本発明の第１の実施例のブロック図である。
【図３】本発明の第２の実施例のブロック図である。
【図４】本発明の第３の実施例のブロック図である。
【図５】従来技術を示す平面図である。
１ フィールド ３ サブフィールド ４ 図形パターン ５ フィールドの原点 １０ 露光ショット １３ パターンメモリ １４ データ制御器 １５ ショット分割器 １６ データ転送器 １７ Ｄ／Ａ変換器 １８ 露光装置の本体 １９ レジスタ
Claims (4)
- 【請求項１】 表面にレジスト膜を有する試料上に所望
の図形パターンを形成するために荷電粒子ビームによる
露光を行なうパターン露光方法において、ビームの偏向
範囲内のフィールドを複数のサブフィールドに分割設定
し、各サブフィールド内の図形パターンを複数の部分に
分割設定しかつその露光順位を指定し、第１のサブフィ
ールド内の図形パターンの第１番目の部分を露光した後
に同じフィールド内の他のサブフィールド内の図形パタ
ーンの部分を露光し、このようにしてフィールド内の必
要なサブフィード内における第１番目の部分を露光した
後、前記第１のサブフィールドに戻ってそこの図形パタ
ーンの第２番目の部分を露光し、この操作をフィールド
内で繰辺すことによりフィールド内に設定された各サブ
フィールド内の図形パターンの所定の全ての部分を露光
することを特徴とするパターン露光方法。 - 【請求項２】 各サブフィールド内で分割設定され露光
順位が指定される図形パターンの各部分は、最大ビーム
サイズにより規定される露光ショットを基本単位として
その大きさが定められることを特徴とする請求項１に記
載のパターン露光方法。 - 【請求項３】 図形パターンデータをプログラムを用い
て露光ショット単位に分割してこの露光ショット毎に露
光順位を指定し、その順位に従って露光することを特徴
とする請求項２に記載のパターン露光方法。 - 【請求項４】 図形パターンデータをショット分割器を
用いて露光ショット単位に分割し、各露光ショットデー
タを露光順位毎に決められたレジスタに収納し、露光時
に各レジスタから順番に露光ショットデータを取りだし
て露光することを特徴とする請求項２に記載のパターン
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30208492A JP2910460B2 (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | パターン露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30208492A JP2910460B2 (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | パターン露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151285A JPH06151285A (ja) | 1994-05-31 |
| JP2910460B2 true JP2910460B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=17904732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30208492A Expired - Fee Related JP2910460B2 (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | パターン露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910460B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8563953B2 (en) | 2010-09-22 | 2013-10-22 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
| US9268234B2 (en) | 2012-05-22 | 2016-02-23 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam pattern writing method |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100580646B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 전자빔 노광 방법 |
| JP4801982B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-10-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電ビーム描画方法及び描画装置 |
| JP5436967B2 (ja) * | 2009-08-05 | 2014-03-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP5809419B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2015-11-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1992
- 1992-11-12 JP JP30208492A patent/JP2910460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8563953B2 (en) | 2010-09-22 | 2013-10-22 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
| US9268234B2 (en) | 2012-05-22 | 2016-02-23 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam pattern writing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06151285A (ja) | 1994-05-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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