JPS58158971A - 薄膜半導体装置 - Google Patents

薄膜半導体装置

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JPS58158971A
JPS58158971A JP4116882A JP4116882A JPS58158971A JP S58158971 A JPS58158971 A JP S58158971A JP 4116882 A JP4116882 A JP 4116882A JP 4116882 A JP4116882 A JP 4116882A JP S58158971 A JPS58158971 A JP S58158971A
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JP
Japan
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film
thickness
channel part
semiconductor device
channel
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JP4116882A
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Toshiaki Ogata
尾形　俊昭
Toshihiko Mano
真野　敏彦
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＭＯＢ型薄膜半導体装置の構造に関する。
ＭＯｆ９型半導体装置でスイッチングトランジスタアレ
イを形成した液晶表示パネルはグラフィック表示装置を
小型化できる物として、携帯用機器の表示装置への活用
が注目されている。しかし従来発表されているスイッチ
ングトランジスタアレイを有する液晶表示パネルでは直
射日光下及び裏面から照明を行なった場合にスイッチン
グトランジスタのリーク電流が増大し、キャパシタに蓄
積された電荷が消失して表示機能が失なわれる欠点を有
している。本発明は上記の薄膜半導体装置の光−リーク
特性を改善して液晶表示パネルの特性を向上させる事を
目的とする。
以下実施例に依って詳しく説明する。本発明は上記の目
的を達成するにチャネル部のシリコン膜厚を従来の物と
比較して薄くする。第１図は本発明の薄膜半導体装置の
断面図である。チャネル部の多結晶シリコンもしくは革
結晶シリコン膜１は従来の薄膜半導体装置において２５
００〜３０００１が最も薄い値であったのに対し、１ｏ
ｏｏＸ以下の極めて薄い膜とする。シリコン膜厚がチャ
ネルが形成されるに充分な厚さであればオン電流はシリ
コン膜厚に依存せず、オフ電流は光照射が無い場合でも
有る場合でもシリコン膜厚の減少とともに改善される。
しかしゲート醗化膜２を多結晶シリコン膜の酸化によっ
て形成する場合には多結晶表面の凹凸を考慮して残留シ
リコン膜厚を５００〜１ｏｏｏ１とする事が量産上妥当
な値である。チャネル部のシリコン膜１の厚さを小さく
する事に依ってアルミ配置＠３．４とのコンタクトが不
良を生じる度合が大きくなる為に、チャネル部のシリコ
ン膜形成前または形成後に、アルミ配線とのコンタクト
部分のみシリコン膜厚を大きくする事が必要となる。＃
！１図はチャネル部のシリコン膜形成前にコンタクト部
にシリコン膜５，６を形成した例である。
以上述べた様に本発明の薄膜半導体装置を有する液晶表
示パネルは従来の物と比較して光の１智を受けないので
携帯用機器等の表示装置として大いに適している。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の薄膜半導体装置の断面図である。 １．５．６・・・・・・シリコン膜 ２・・・・・・ゲート酸化膜 ３．４・・・・・・アルミ配線 以　　上 出願人　株式会社諏肪精工舎 代理人　弁理士　最上　　務

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ＭＯＢ型薄膜半導体装置において、シリコン膜厚
    がコンタクト部においてチャネル部より厚い事を特徴と
    する薄膜半導体装置。
  2. （２）　　チャネル部のシリコン膜厚は１０００１以下
    である事を特徴とする請求範囲第一項記載の薄膜半導体
    装置。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58178564A (ja) * 1982-04-13 1983-10-19 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
JPS58182272A (ja) * 1982-04-19 1983-10-25 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
JPS6020582A (ja) * 1983-07-14 1985-02-01 Nec Corp Ｍｉｓトランジスタ及びその製造方法
JPS60186063A (ja) * 1984-02-06 1985-09-21 Sony Corp 薄膜トランジスタ
JPS61145869A (ja) * 1984-12-19 1986-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPH025572A (ja) * 1988-06-24 1990-01-10 Matsushita Electron Corp 半導体装置
US5208476A (en) * 1990-06-08 1993-05-04 Seiko Epson Corporation Low leakage current offset-gate thin film transistor structure
JPH05175504A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Mitsubishi Electric Corp 電界効果型半導体装置
JPH06220342A (ja) * 1993-01-27 1994-08-09 Taoka Chem Co Ltd コバルト含有アゾ化合物、その用途及び製造方法
JPH0758341A (ja) * 1994-07-11 1995-03-03 Sony Corp 薄膜トランジスタの製法
JPH0758342A (ja) * 1994-07-11 1995-03-03 Sony Corp 薄膜トランジスタの製法
JPH07147259A (ja) * 1994-07-11 1995-06-06 Sony Corp 薄膜トランジスタの製法
US5693959A (en) * 1995-04-10 1997-12-02 Canon Kabushiki Kaisha Thin film transistor and liquid crystal display using the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56135968A (en) * 1980-03-27 1981-10-23 Canon Inc Amorphous silicon thin film transistor and manufacture thereof
JPS5710266A (en) * 1980-06-23 1982-01-19 Fujitsu Ltd Mis field effect semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56135968A (en) * 1980-03-27 1981-10-23 Canon Inc Amorphous silicon thin film transistor and manufacture thereof
JPS5710266A (en) * 1980-06-23 1982-01-19 Fujitsu Ltd Mis field effect semiconductor device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58178564A (ja) * 1982-04-13 1983-10-19 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
JPS58182272A (ja) * 1982-04-19 1983-10-25 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
JPH0563948B2 (ja) * 1983-07-14 1993-09-13 Nippon Electric Co
JPS6020582A (ja) * 1983-07-14 1985-02-01 Nec Corp Ｍｉｓトランジスタ及びその製造方法
JPS60186063A (ja) * 1984-02-06 1985-09-21 Sony Corp 薄膜トランジスタ
JPS61145869A (ja) * 1984-12-19 1986-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPH025572A (ja) * 1988-06-24 1990-01-10 Matsushita Electron Corp 半導体装置
US5208476A (en) * 1990-06-08 1993-05-04 Seiko Epson Corporation Low leakage current offset-gate thin film transistor structure
JPH05175504A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Mitsubishi Electric Corp 電界効果型半導体装置
JPH06220342A (ja) * 1993-01-27 1994-08-09 Taoka Chem Co Ltd コバルト含有アゾ化合物、その用途及び製造方法
JP3580564B2 (ja) * 1993-01-27 2004-10-27 田岡化学工業株式会社 コバルト含有アゾ化合物、その用途及び製造方法
JPH0758341A (ja) * 1994-07-11 1995-03-03 Sony Corp 薄膜トランジスタの製法
JPH0758342A (ja) * 1994-07-11 1995-03-03 Sony Corp 薄膜トランジスタの製法
JPH07147259A (ja) * 1994-07-11 1995-06-06 Sony Corp 薄膜トランジスタの製法
US5693959A (en) * 1995-04-10 1997-12-02 Canon Kabushiki Kaisha Thin film transistor and liquid crystal display using the same

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