JPS60206174A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
- Publication number
- JPS60206174A JPS60206174A JP6308584A JP6308584A JPS60206174A JP S60206174 A JPS60206174 A JP S60206174A JP 6308584 A JP6308584 A JP 6308584A JP 6308584 A JP6308584 A JP 6308584A JP S60206174 A JPS60206174 A JP S60206174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- drain
- thin film
- film
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
- H01L29/78669—Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ソース、ドレインコンタクトの抵抗が小さく
、高速で動作できる薄膜トランジスタに関する。
、高速で動作できる薄膜トランジスタに関する。
近年、ガラスなどの絶縁性基板上に形成できる薄膜トラ
ンジスタの開発が各所で盛んである。絶絶性基板上に、
薄膜トランジスタさらなるスイッチ素子を了レイ状に設
けたマ) IJクス状の液晶、エレクトロルミネッセン
ス、エレクトロクロミックなどのぺ示装置は、17画像
などの、高速。高稍細度の戎示途可能にする。音間トラ
ンジスタの活性領域に用いる半導体薄膜としては、プラ
ズマOVD法、スパッタ法などによって、ガラスなどの
基板上に、’、Am積かつ安価に形成できる水素化非晶
質シリコンが有望とさnている。
ンジスタの開発が各所で盛んである。絶絶性基板上に、
薄膜トランジスタさらなるスイッチ素子を了レイ状に設
けたマ) IJクス状の液晶、エレクトロルミネッセン
ス、エレクトロクロミックなどのぺ示装置は、17画像
などの、高速。高稍細度の戎示途可能にする。音間トラ
ンジスタの活性領域に用いる半導体薄膜としては、プラ
ズマOVD法、スパッタ法などによって、ガラスなどの
基板上に、’、Am積かつ安価に形成できる水素化非晶
質シリコンが有望とさnている。
第1図に、従来の水素化非晶質シリコン膜を活性領域の
半導体膜として用いた薄膜トランジスタの断面構造図を
示す。第1図で1はガラス基板、2はアルミニウム、ク
ロム等の金属材料よりなるゲート電極、3は二酸化シリ
コン、チツ化シリコン等よりなるゲート絶縁膜、4は水
素化非晶質シリコン膜よジなる非晶質半導体膜、5およ
び6はアルミニウム、クロム等の金属材料よりなるソー
ス。ドレイン電極、7および8は、n+型の非晶質シリ
コンからなる、ソースおよびドレイン、9は二酸化シリ
コン、チツ化シリコン等よりなる絶縁j漢である。第1
図で示した薄膜トランジスタは、ゲート電極2に電圧を
加えることにょpl ソース、ドレイン7.8の間の、
非晶質シリコン膜4とゲート絶縁膜3の界面にチャンネ
ルを形成し、絶縁ゲート’に界効果型トランジスタの動
作をするしかし、第1図の従来の薄膜トランジスタは以
下に記す欠点を有する。即ち、第1図にRで示しである
部分は、トランジスタの動作時に抵抗として働く。非晶
質シリコンの比抵抗は108(Ω0口〕以上あり、空間
電荷制限電が流nるとしても、Rの部分の抵抗値は1μ
Ω以上の値となる(非晶質シリコンの厚さ〜5000A
、、 ソース、ドレイ/コンタクト面積〜10μmX1
00μ常のとき]。この為、第1図の従来の薄膜トラン
ジスタで10μ八以上のオン電N、を得るのは非晶に困
難である第2図は、第1図の従来の薄膜トランジスタの
上記の欠点を正すために考えらt″LfC,、更に他の
従来の薄膜トランジスタの断面構造を示す図である。第
2図の薄j漠トランジスタでは、ソース、ドレイ/7,
8とチャンネル部は、はぼ同一の平面上にあるため、第
1図のRで示す部分の抵抗は大巾に減少できる。しかし
、第2図の薄膜トランジスタは以下に記す欠点を有する
。即ち、金属材料からなるソース、ドレイン電極5,6
が直接、半導体膜4と端部で接するため、ソース、ドレ
イン部のコンタクトは充分な整流性を保つことが困難で
、トランジスタのオフ時に、ホールによるリーク電流が
流nる。この為、第2図の薄膜トランジスタ、4ケタ以
上の大きなオン1オフ比を得るのが困難である。
半導体膜として用いた薄膜トランジスタの断面構造図を
示す。第1図で1はガラス基板、2はアルミニウム、ク
ロム等の金属材料よりなるゲート電極、3は二酸化シリ
コン、チツ化シリコン等よりなるゲート絶縁膜、4は水
素化非晶質シリコン膜よジなる非晶質半導体膜、5およ
び6はアルミニウム、クロム等の金属材料よりなるソー
ス。ドレイン電極、7および8は、n+型の非晶質シリ
コンからなる、ソースおよびドレイン、9は二酸化シリ
コン、チツ化シリコン等よりなる絶縁j漢である。第1
図で示した薄膜トランジスタは、ゲート電極2に電圧を
加えることにょpl ソース、ドレイン7.8の間の、
非晶質シリコン膜4とゲート絶縁膜3の界面にチャンネ
ルを形成し、絶縁ゲート’に界効果型トランジスタの動
作をするしかし、第1図の従来の薄膜トランジスタは以
下に記す欠点を有する。即ち、第1図にRで示しである
部分は、トランジスタの動作時に抵抗として働く。非晶
質シリコンの比抵抗は108(Ω0口〕以上あり、空間
電荷制限電が流nるとしても、Rの部分の抵抗値は1μ
Ω以上の値となる(非晶質シリコンの厚さ〜5000A
、、 ソース、ドレイ/コンタクト面積〜10μmX1
00μ常のとき]。この為、第1図の従来の薄膜トラン
ジスタで10μ八以上のオン電N、を得るのは非晶に困
難である第2図は、第1図の従来の薄膜トランジスタの
上記の欠点を正すために考えらt″LfC,、更に他の
従来の薄膜トランジスタの断面構造を示す図である。第
2図の薄j漠トランジスタでは、ソース、ドレイ/7,
8とチャンネル部は、はぼ同一の平面上にあるため、第
1図のRで示す部分の抵抗は大巾に減少できる。しかし
、第2図の薄膜トランジスタは以下に記す欠点を有する
。即ち、金属材料からなるソース、ドレイン電極5,6
が直接、半導体膜4と端部で接するため、ソース、ドレ
イン部のコンタクトは充分な整流性を保つことが困難で
、トランジスタのオフ時に、ホールによるリーク電流が
流nる。この為、第2図の薄膜トランジスタ、4ケタ以
上の大きなオン1オフ比を得るのが困難である。
本発明の目的は、上記のごとき従来の欠点を除き、コン
タクト抵抗が小さく、オフ′FUL流の増加することの
無い、薄膜トランジスタを提供することにある。
タクト抵抗が小さく、オフ′FUL流の増加することの
無い、薄膜トランジスタを提供することにある。
以下、実施例に基づいて、図面により本発明を説明する
。第8図は、本発明の薄j1ネトランジスタの一実施例
の断面構造を示す図である。各部分の名称は、第1図の
場合と同様である。第3図では、ソース7、ドレイン8
は、非晶質シリコン膜4のyA’+部に設けらnた斜面
に形成さ扛ている。更にソース7とドレイ/8はゲート
絶縁、膜8を介して、平面的には重なり合っている。第
3図の薄膜トランジスタでは、チャ/ネル領域と、ソー
ス、ドレインが重なり合っているので、第1図R部の抵
抗は無視できる。更に、非晶質シリコン膜4とソース、
ドレイ/電極5,6が直接、接している部分も無いので
、ソース、ドレインの接合は、良好な整流性を有し7、
ホール電流が流nて、リーク電流が増大することもない
。非晶質シリコ/膜4の端部を斜めに形成するには、ウ
ェッチエッチ法、ドライエッチ法、いず肚の方法によっ
ても、等方性エツチングなどの条件を適当に選ぶことに
より充分実現可能である。各層の厚さは、通常200八
〜1μ催が用いらnる。また第3図の実施例では半導体
rFAt非晶質シリコンとして説明したが、こ扛らば、
微結晶シリコン、多結晶シリコン等、他の、比抵抗が大
きく、バルク抵抗がコンタクト抵抗に影響する薄膜トラ
ンジスタの場合にも本発明が適用できるのは明らかであ
る。
。第8図は、本発明の薄j1ネトランジスタの一実施例
の断面構造を示す図である。各部分の名称は、第1図の
場合と同様である。第3図では、ソース7、ドレイン8
は、非晶質シリコン膜4のyA’+部に設けらnた斜面
に形成さ扛ている。更にソース7とドレイ/8はゲート
絶縁、膜8を介して、平面的には重なり合っている。第
3図の薄膜トランジスタでは、チャ/ネル領域と、ソー
ス、ドレインが重なり合っているので、第1図R部の抵
抗は無視できる。更に、非晶質シリコン膜4とソース、
ドレイ/電極5,6が直接、接している部分も無いので
、ソース、ドレインの接合は、良好な整流性を有し7、
ホール電流が流nて、リーク電流が増大することもない
。非晶質シリコ/膜4の端部を斜めに形成するには、ウ
ェッチエッチ法、ドライエッチ法、いず肚の方法によっ
ても、等方性エツチングなどの条件を適当に選ぶことに
より充分実現可能である。各層の厚さは、通常200八
〜1μ催が用いらnる。また第3図の実施例では半導体
rFAt非晶質シリコンとして説明したが、こ扛らば、
微結晶シリコン、多結晶シリコン等、他の、比抵抗が大
きく、バルク抵抗がコンタクト抵抗に影響する薄膜トラ
ンジスタの場合にも本発明が適用できるのは明らかであ
る。
以上に記した本発明の薄膜トランジスタは1゜コンタク
ト抵抗が小さく、大きなオン電流が得らnる。
ト抵抗が小さく、大きなオン電流が得らnる。
2゜コンタクトの整流性が良好でオフ電流が小さい
などの優した特徴を有する。
第1図、舘2図は従来の薄痕トう/ジスタの断面図、第
3図は本発明の薄j漠トランジスタの断面図である。 19.ガラス基板、2.。ゲート電極、3.。ゲート絶
縁膜、40.非晶質シリコン膜、5.。ノース電極、6
.。ドレイ/電極、71.ソース、8、。ドレイン、9
.。絶縁膜。 以上出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務
3図は本発明の薄j漠トランジスタの断面図である。 19.ガラス基板、2.。ゲート電極、3.。ゲート絶
縁膜、40.非晶質シリコン膜、5.。ノース電極、6
.。ドレイ/電極、71.ソース、8、。ドレイン、9
.。絶縁膜。 以上出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務
Claims (2)
- (1)絶縁性基板上に設けた、ゲート電極、ゲート絶縁
膜、シリコンを主成分とした半導体薄膜およびソース、
ドレイン電極を有する絶縁ゲート電界効果型の′FJ−
膜トランジスタにおいて、前記ソース、ドレイン電極と
半導体薄膜のコンタクトは、半導体薄膜の端部に設けら
tた斜面に形成さnていることを特長とする薄膜トラン
ジスタ。 - (2) ソース、ドレイン電極とゲート電極とは、ゲー
ト絶縁膜を界して平面的に重なり合う部分のあることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のN膜トランジス
タ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6308584A JPS60206174A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6308584A JPS60206174A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60206174A true JPS60206174A (ja) | 1985-10-17 |
JPH0556668B2 JPH0556668B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=13219138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6308584A Granted JPS60206174A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60206174A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01259565A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP0480373A2 (en) * | 1990-10-09 | 1992-04-15 | Seiko Epson Corporation | Thin-film semiconductor device |
CN104779301A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5950566A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-03-23 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | 薄膜トランジスタの作成方法 |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP6308584A patent/JPS60206174A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5950566A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-03-23 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | 薄膜トランジスタの作成方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01259565A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP0480373A2 (en) * | 1990-10-09 | 1992-04-15 | Seiko Epson Corporation | Thin-film semiconductor device |
US5294821A (en) * | 1990-10-09 | 1994-03-15 | Seiko Epson Corporation | Thin-film SOI semiconductor device having heavily doped diffusion regions beneath the channels of transistors |
CN104779301A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 |
US9923067B2 (en) | 2015-04-24 | 2018-03-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin-film transistor and method for fabricating the same, array substrate and method for fabricating the same, and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0556668B2 (ja) | 1993-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6812489B2 (en) | Liquid crystal display | |
US4723838A (en) | Liquid crystal display device | |
JP3535307B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS60160170A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JPH1126768A (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ | |
JPH06104438A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JPS60206174A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP2722890B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JPS58170065A (ja) | 薄膜電界効果トランジスタの製造方法 | |
KR20070002491A (ko) | 폴리 실리콘형 박막 트랜지스터와 그를 가지는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
CN100416779C (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法 | |
JP2846736B2 (ja) | 薄膜半導体装置 | |
JPS6230379A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JPH1197698A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
US20040070031A1 (en) | Soi mosfet device having second gate electrodes for threshold voltage control | |
JPH11154752A (ja) | 薄膜トランジスタおよびこれを用いた液晶表示装置並びにtftアレイ基板の製造方法 | |
JP2855155B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP3155040B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS63193568A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JPH04320063A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JPS60251666A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JPH1073845A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH05218418A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JPH04219980A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JPH07106581A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |