JPS58111193A

JPS58111193A - フレ−ムメモリ

Info

Publication number: JPS58111193A
Application number: JP56206936A
Authority: JP
Inventors: Kazumasa Matsui; 松井　一征
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1981-12-23
Filing date: 1981-12-23
Publication date: 1983-07-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明はフレームメモリ、更に詳しく言えば、テレビジ
ョン信号の一画面（フレーム）以上の情報等を記憶する
フレームメモリに関するものである。

従来フレームメモリは、ディジタル技術によって構成さ
れていた。しかしながら、ディジタルのフレームメモリ
は、それ自体素子の数が多くさらにアナログ信号上入出
力とする場合Ａ／Ｄ変換器とＤ／Ａ変換器を必要とする
ため、大規模、大電力かつ高価となってしまう。これに
対して、ＭＯ８トランジスタをスイッチとしてコンデン
サに画像信号を記憶するなどの方法によシアナログのフ
レームメモリ集積回路として構成することも可能でおる
。しかしながら、アナログのフレームメモリでは、漏れ
（揮発性）のため信号を長時間（約１０秒以上）保持す
ることは難しく、フレームメモリとしての価値が下って
しまう（たとえば、ストップモーションなどができない
）。

アナログメモリにも、ＭＯＳ）ランジスタにフローティ
ングゲートを設け、７ｃｌ−ティングゲートに電荷を注
入して電荷量の形で信号を記憶するなどして長時間（実
際上永久に）保持できる信学会ｍ：Ｌ８Ｉ技術、Ｐ、３
３〜３６，１９７９゜遅く、書替の回数が素子の疲労に
よｐ制限されるという欠点がＴｏ）、フレームメモリー
（％４Ｃ、テレビ信号用）として用いることができない
。

したがって、本発明の目的は記憶時間が長く、動作速度
が早く、かつ長時間使用できるアナログフレームメモリ
を実現することでおる。

上記の目的を達成するため、本発明では、揮発性のアナ
ログメモリと不揮発性のアナログメモリ管設け、通常の
場合は揮発性のアナログメモリを用い、長時間の保持を
要する場合だけ不揮発性のアナログメモリを用いるよう
にして不揮発性メモリの書替回数を少なくして長期にわ
たって使用できるフレームメモリを実現している。

以下、本発明管実施例によって詳細に説明する。

４１図は本発明によるフレームメモリの一実施例の構成
を示す図である。

同図において入力画像信号１は、入力信号選択回路２の
一方の入力端子に接続されている。入力信号選択回路２
は、入力信号選択信号３によシ制御され、その出力は、
上述のような不揮発性アナログメモリ４と揮発性アナロ
グメモリ５のそれぞれの信号人力６と７に接続されてい
る。

不揮４羽−ナログメモリ４と揮発性アナログメモリ５は
、それぞれ、１画面以上の容量（必ずしも同じ容量でお
る必要はない）をもつもので、従来技術の説明で述べた
構成によるもので良い。メモリ４と５は、書込選択回路
８を介して、書込選択信号９によシ書込指令信号１０を
それぞれの書込指令端子１１と１２のいずれかに印加さ
れる。書込指令信号１０は次とえば、・・イレベルのと
きメモリに書込を行なわせる信号である。なお、書込指
令は、必ずしも書込選択回路８を介して行なう必要はな
く、メモリ４と５に別個の書込指令信号を与えても鼻い
。

メモリ４と５のメモリセルの選択は、共通のアドレス信
号１３によシ指定される。アドレス信号も、フレームメ
モリの応用によっては共通でるる必要はなく、別個に与
えても良い。

メモリ４と５の続出指令端子１４と１５は、読出選択信
号１６により読出指令信号１７を二つの出力に選択しで
出力する続出選択回路１８のそれぞれの出力に接続され
ている。この構成では、たとえば、読出指令信号１７が
ノ・イレペルであるとき、読出選択信号１６が指定した
メモリが読出状態となる。なお、応用によっては、読出
指令信号をメモリ４と５とに別個に与えて、メモリを選
択させても良い。

メモリ４と５の信号出力１９と２０は、出力信号選択信
号２１によシ制御される出力選択回路２２により選択さ
れてフレームメモリ出力信号２３となる。また、フレー
ムメモリ出力信号２３は、入力信号選択回路２の他方の
入力に接続されている。メモリ４と５の信号出力も別個
に出して、二つのフレームメモリ出力信号としても良い
が、その場合には、揮発性メモリ５゛の出力２０を入力
信号選択回路２の他方の入力に接続する。

以下、入力信号選択回路２、書込選択回路８、続出選択
回路１８と出力信号選択回路２２によるフレームメそり
の制御を説明する。まず、通常の動作では、入力画像信
号１は、外部からの画像信号またはフレームメモリ出力
信号２３ｔ−他の回路で処理したものであってよく、入
力信号選択回路２によりメモリ４と５に接続される。書
込選択回路８は、書込指令信号１０を揮発性アナログメ
モリ５に与えて入力信号１を揮発性アナログメモリ５に
書き込む、読出選択回路１８は、読出指令信号１７ｔ−
揮発性アナログメモリ５に与えてこれを読出し、出力信
号選択回路２２も、メモリ出力２０を選択して揮発性ア
ナログメモリ５の出力をフレームメモリ出力２３とする
。すなわち、通常の動作では、揮発性アナログメモリ５
だけを用いる・　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　亀乙次に、長時間の保持ｔ−要する
動作では、下流のように２段階に分けて制御する。まず
第１段階では、続出選択回路１８によシ読出し指令信号
１７を揮発性アナログメモリ５に与え、かつ、出力信号
選択回路２２により揮発性アナログメモリ５０出力２０
ｔフレームメモリ出力信号２３とする。

この場合、続出指令信号１フとアドレス信号１３の速度
を遅くシ、揮発性アナログメモリ５の内容が低速で読出
されるようにする。このとき、入力信号選択回路２はフ
レームメモリ出力信号２３會選択し、書込選択回路８は
書込指令信号１Ｏｔ−不揮発性アナログメモリ４に与え
る。書込指令信号１０は、続出指令信号１７に同期した
低速信号である。すなわち、低速で読出した揮発性アナ
ログメモリ５の内容を不揮発性アナログメモリ４に書き
こむ。このようにすることにより、高速書込をできない
不揮発性アナログメモリ４に高速信号を揮発性アナログ
メモリ５を介して書込むことができる。

なお、不揮発性アナログメモリ４の書込中にも高速のフ
レームメモリ出力が必要な場合には、フレームメモリ出
力２３と入力信号選択回路２の間に、小容量のバッツァ
メモリを続けて速度変換を行なわせることもできる。ま
几、不揮発性アナログメモリ４が高速書込可能な場合は
、直接入力画像信号１ｔ−書込んで良い。

不揮発性アナログメモリ４に必要な内容が書込まれた後
、第２段階となる。すなわち、書込指令信号１０は′止
められ、書込が停止される。読出し匈では、読出選択回
路１８が読出指令信号１７ｔ−不揮発性アナログメモリ
４に与え、出力信号選択回路２２が不揮発性アナログメ
モリ４の出力１９會フレ一ムメモリ出力信号２３とする
。このとき、読出指令信号１７とアドレス信号１３は通
常速度の画像信号を読出す速度とする。すなわち、不揮
発性アナログメモリ４の通常速度での読出しだけを行な
う。これによシ、長時間にわたって保持した画像信号を
取シ出すことができる。また、不揮発性アナログメモリ
４が電源断で本内容を保持するものであれば、電源を切
って再投入した場合でも保持し次画像信号を取シ出すこ
とができる。

でき、かつ不揮発アナログメモリ４の書替回数を減らす
ことができる。また、本発明の概念は、不揮発性アナロ
グメモリと揮発性アナログメモリを保持時間によって使
い分けることに有シ、第１図の構成は、本発明の実施形
態を限定するものではない。九とえば、長時間保持した
画像と短時間保持した画像を重ねる必要がめる場合には
、不揮発性アナログメモリと揮発性アナログメモリを同
時に動作させ得るような構成にしておいても良い。

以上説明したように、本発明によれば、アナログメモリ
によってディジタルと同じ機能を有するフレームメモリ
を実現することができ、高機能のフレームメモリを小形
、低消費電力かつ安価に実現することができる。

【図面の簡単な説明】

１ｍ４１図は、本発明によるフレームメモリの一実施例
の構成を示す図面である。ｌ・・・入力画像信号、２・・・入力信号選択回路、８
・・・書込選択回路、４・・・不揮発性メモリ、５・・
・揮発性メモリ、１８・・・読出選択回路、２２・・・
出力信号選択回路、２３・・・フレームメモリ出力信号
。拓　　１　　図

Claims

【特許請求の範囲】揮発性アナログメモリと不揮発性アナログメモリと、上
記２つのアナログメモリの書き込みおよび胱出しを切替
える回路と、フレームメモリが長時間の保持を行う場合
、前記切替え回路を上記子、■すし揮発分ナログメモリを動作させる手段を有して構成され
たことｔ％黴とするフレームメモリ。