JPH11504765A - 半導体介在層の交互配置接点構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 半導体集積回路チップ内において、絶縁体によって分離された２つの導電性層間に設けられた接点数を増大する方法及び装置が開示されている。複数接点から成る第１行において、その行中の各接点（３１４）は距離Ｌで分離されている。複数接点から成る第２行は第１行と平行して形成されている。第２行における各接点（３１０，３１２）はその行中の他の接点から距離Ｌだけ隔てられている。しかしながら、第２行は第１行に対して交互配置とされて、各接点が第１行中の隣接する接点間の中間にある。第２行中の各接点は第１行中の２つの最接近した接点から距離Ｌのところに位置決めされている。連続的な各行が同様な配置方式で形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体介在層の交互配置接点構造 発明の分野 本発明は、固定間隔内における接点数を増大する方法及び装置に関し、特にＣ ＭＯＳチップ上での複数接点の交互配置に関する。 発明の背景 二酸化シリコン或いはＢＰＳＧ（ホウ素・リン珪酸ガラス）等の適切な絶縁層 によって分離された半導体から成る導電性層相互を接続する場合、図１の先行技 術に示されるような構造における間隔設計規則に従って、固定間隔内に対称的な 行の形態でその絶縁層を通じて複数の独立した導電性接点を形成するのが通常で ある。図２の先行技術に係る接点間隔の拡大図に示されるように、１つの行内の 各接点はその行内のそれに隣接する接点から距離Ｌで隔てられており、そして行 相互間も隣接行から距離Ｌで隔てられている。図１において矢印によって示され るような高電流である大きな「Ｉ」が以上にように接続された導電性層によって 担持される場合、もし充分な接点又は接点数が設けられていなければ、それら接 点は高電流によって損傷され得る。静電気放電保護回路は、該回路が効果的に扱 うことができる電流を最大化するために必要である。そうした導電性層間の接点 数を増大して、物理的構造の間隔に関する設計規則を乱すことなく、導通可能と なる電流量を増大する必要性が依然としてある。 上記問題に加えて、電流源又は電流ソースと最接近している接点は、半導体か ら成る導電性層のシート抵抗量に依存して、最小抵抗路を求める電流によって不 相応により大量の電流を担持する。できる限りより短い電流路を提供するために 電流源に接近したより多くの接点を提供し、電流の流れをそれら接点間でより均 一に拡散させる必要がある。これは、設計規則を乱すことなく達成させなければ ならない。 そうした接点が使用されている一領域は、ＣＭＯＳ技法によって形成されるダ イナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）内である。導電性層の内 の一方は、Ｎ⁺或いはＰ⁺ドープが為されたシリコン領域等のメモリ・トランジス タにおけるアクティブ領域である。他方の導電性領域は、絶縁体によって前記の 第１の層から分離された金属化導電体層である。複数の接点が用いられて、アク ティブ領域から導体層へ電流を導通させている。設計者はチップ上に複数メモリ セルを絞り込むために多く方法を求めている。この数年、ＤＲＡＭチップの容量 は、製図板上での相当大きなチップで２メガビットから６４メガビットまで指数 関数的に増大した。そうしたメモリ・チップを作製するに必要とされる間隔量を 低減する各種発明が大いに必要とされている。より詳細には、追加的なメモリセ ル或いは他の回路のためのより大きな余地を作成するために、予想される最大電 流を導通させるべく充分な接点数を確保するために要求される導電性層間の部分 的な重なり量を低減する必要がある。 発明の概要 本発明は、半導体集積回路チップ内において絶縁体によって分離され、低シー ト抵抗を有する２つの導電性層の間に設けることができる、静電気放電時の電流 導通接点の数を増大するための方法及び装置を教示するものである。これら接点 は、チップ上の間隔設定の物理構造に対する設計規則に準拠する方式で配置され ている。これら接点は交互配置されているが、接点間で要求される分離状態は維 持されている。複数の接点から成る第１行では、その行中の各接点が距離Ｌだけ 隣接相互で分離されている。複数の接点から成る第２行は前記第１行と平行した 状態で形成されている。その第２行中の各接点は、当該行中の隣接する他の接点 から距離Ｌで隔てられている。しかしながら、第２行は第１行とは交互配置され て、その各接点が第１行中における隣接接点間の中間になるようにしてある。第 ２行中の各接点は、第１行中の２つの最も近接した接点からそれぞれＬの距離を 隔てられて位置決めされている。連続的な複数の行が同様の交互方式で形成され ている。これは行間隔をＬよりも小さくすることを可能として、所与のスペース 内又は間隔内に配置される接点の総数を物理構造の間隔に対する設計規則を乱す ことなく増大する。また、電流源に近接したより多数の接点を提供しもする。こ れは、複数接点から成る第２行へのより短い通路を提供することによって電流が 接点間により均一に拡散させられる保証の補助を為す。電流は最小抵抗の通路を 求めるので、複数接点から成る第２行を第１行により接近させることは、複数接 点から成るその第１行を介して流れる電流を低減して、導電性層が高電流を導通 している際にそれらが焼き切れる虞れを低減する。 本発明の更なる長所は、各々が複数接点から成る行の所望数に要求される部分 的重なりがより少ないことである。これで設計者が部分的重なりを低減すること が可能となって、それによって、チップの密度を増大すべく貴重なチップのスペ ースを他の構成要素のために保全し、ダイ・サイズを低減することが可能となる 。導電性層間で交換可能な最大電流量を増大するに加えて、本発明ではこれら２ 層間の抵抗をも低減し、それで通常動作中及びＥＳＤ（静電気放電）時の電力消 費及び熱発生を低減している。 一好適実施例において、本発明が用いられているチップはＣＭＯＳ技法によっ て形成されるダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）である。 その導電性層の内の一方は、Ｎ⁺或いはＰ⁺ドープが為されたシリコン領域等のメ モリ・トランジスタにおけるアクティブ領域である。また、このアクティブ領域 層はシリサイド（珪素化合物）でもよく、そのシート抵抗を単位面積当たり約５ オーム或いはそれ以下まで低減する。タングステン(ＴｕＳｉ2)、チタニウム(Ｔ ｉＳｉ2)、或いは他の適切な金属をそのアクティブ領域表面に付与させて、シー ト抵抗を低減する。他方の導電性領域は、絶縁体によって前記の第１の層から分 離された金属化導電体層である。複数の接点が用いられて、アクティブ領域から 導体層へ電流を導通させる。高電流動作が要求される一実施例は、ＥＳＤ保護回 路の入出力パッド用である。本発明は各々が複数の接点から成る行相互間に要求 される距離を低減することによって、チップ上に更に多くのメモリセルを絞り込 む方法を提供するものである。 図面の簡単な説明 図１は、２つの導電性層間の接点配置を示す先行技術に係る装置の平面図であ る。 図２は、図１の接点間隔を詳細に示す先行技術に係る装置の平面図である。 図３は、本発明に従った接点間隔を示す平面図である。 図４は、２つの導電性層間の接点配置を示す装置の平面図である。 図５は、２つの導電性層の間における各々が複数接点から成る多重行の配置を 示す装置の平面図である。 好適実施例の説明 好適実施例の以下の詳細な説明において、参照される添付図面が、本願の一部 を形成し、本発明が実施され得る好適実施例が例示目的で示されている。これら 実施例は、当業者がこの発明を実施できるように充分詳細に記載されており、そ して他の実施例も利用可能であり、且つ、本発明の精神及び範囲から逸脱するこ となく、構造的変更、論理的変更、並びに、電気的変更が為され得ることを理解 して頂きたい。それ故に、以下の詳細な説明は限定的な意味合いで解釈されるべ きではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によって定義される。 図面中の番号付けは、通常、百番大で為され、百の位の数字が図面番号に一致 しており、同一構成要素が複数の図面中に現れ得る例外がある。信号及び接続は 同一番号或いは同一ラベルで言及され、実際の意味合いはその使用例の前後関係 から明確となる。 図３において、２つの導電性領域の部分的重なり領域内に形成された３つの接 点の間隔が示されている。部分的重なりの距離はＬよりも小さい。ここで使用さ れているＬは、近似的な距離を表わすように使用されていると理解されるべきで ある。現行の半導体プロセスにおいて、ライン幅は１ミクロンよりも小さく、典 型的には０．５ミクロン或いはそれ以下である。そうした小寸法が著しく高密度 の回路に結び付くと共に、０．５ミクロン以下大の接点間隔である複数接点から 各々が成る２行から、電力バスに対する接続部の場合の複数接点から各々が成る １０行或いはそれ以上の行までの範囲の多くの接点領域の必要性に結び付く。製 造公差はＬの公称値から変動する距離となる。 第１行における第１接点３１０はその第１行における第２接点３１２から距離 Ｌで隔てられている。第３接点３１４は複数接点から成る第２行内に位置決めさ れている。それは第１行における第１接点及び第２接点の双方からそれぞれ距離 Ｌで隔てられている。この間隔を表現する他の方法は、即ち、第２行内の接点が 第１行内の接点に対してＬの１／２で交互配置されていると云うことである。間 隔設計規則では、構造が他の構造から距離Ｌで隔てられることを要求する。接点 を交互配置するこの方法はそうした規則に準拠しており、行間の隔たり又は距離 を約１３．４パーセントだけ低減する能力を作り出している。行間の実際の間隔 は、図３に示されるように（√３／２）×Ｌまで低減され得る。行間隔に関する この低減は、より多くの行を、即ち、各々が複数接点から成る行をより多く、導 体相互が部分的に重なって接続されている所与のスペース内に、配置させること を可能とする。またそれは部分的重なり領域を低減させる一方で、同一数の接点 を確保することを可能としている。チップ上に所望の回路密度を確保すべくほん の僅かな低減が部分的重なりにおいて要求される場合、隣接行が交互配置されて いる距離はＬの１／２未満まで低減させることができる。これは、電流を導電性 領域の内の１つを通じてより広範に分散させることが望ましい場合に有用であり 得る。 接点としては、２つの導電性層間の電気的導通路を提供する如何なるタイプの 接点であってもよい。金属貫通孔、重くドープが為されたポリシリコンから成る バイア、並びに、試験構造接点等々が使用可能である。本発明に従って接点を交 互配置する設計レイアウト又はプロセスに対するオーバヘッドは何等存在しない 。接点及び導電性層は、所望物質のデポジション、拡散或いは注入等が伴われる フォトマスキング技法の標準プロセスが用いられて形成され得る。 交互配置された接点を利用している半導体装置の平面図が図４に示されている 。第１アクティブ領域４１０が第２のアクティブ領域４１２に、それらアクティ ブ領域の上部に形成された金属化導電性領域４１４を介して接続されている。導 電性領域４１４はアクティブ領域４１０及び４１２のそれぞれと部分的に重なっ て、各アクティブ領域上に制限されたスペース又は間隔を形成し、そこに各々が 複数接点から成る多重的な行がそれら埋設されたアクティブ領域を覆っている絶 縁層を介して形成されている。各々が複数接点から成る実質的に平行する複数行 で構成されいる第１組４１６は、第１アクティブ領域４１０を導電性領域４１４ に接続すべく形成されている。第１行４１８は、第２行４２０の複数接点から交 互配置又はオフセット配置されている複数接点を有して、これら行のより近接し た配置を許容している。そうした接点に対するスペースが制限されている場合、 それらを交互配置することは複数の行のより高い集中へと至らしめることができ る。 例えば、間隔制限がＬであると想定して、部分的重なりの領域が２Ｌより僅かに 小さければ、先行技術においては複数接点から成る１行のみが使用され得る一方 で、本発明では２行を形成する潜在能力を提供し、それで接点数を倍化して、ア クティブ領域と導電性領域との間に転送され得る電流量をも倍化することになる 。これによって、設計者が部分的重なりを低減することができ、それによって価 値あるチップ・スペースを他の構成要素用に保全することができる。 各々が複数接点から成る実質的に平行する複数行の第２組４２２は、第２アク ティブ領域４１２を導電性領域４１４に接続すべく形成されている。第１行４２ ４は、第２行４２６の接点から交互配置又はオフセット配置されている複数接点 を有して、これら行のより近接した配置を許容している。 一好適実施例において、本発明が用いられているチップは、ＣＭＯＳ技法によ って形成されたダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）である 。アクティブ領域はトランジスタのソース或いはドレインを形成しており、それ らは重くＮ⁺ドープ或いはＰ⁺ドープが為されたシリコンである。またこれらアク ティブ領域層は珪素化合物化又はシリサイド化されるか、或いは、それらのシー ト抵抗を単位面積当たり約５オーム以下まで低下させるべく増大された導電性を 有する。シリサイド化される場合、タングステン(ＴｕＳｉ2)、チタニウム(Ｔｉ Ｓｉ2)、或いは他の適切な金属をそれらアクティブ領域の表面に付与して、その シート抵抗を低減する。より低いシート抵抗とすることで、電流の実質量が静電 気放電（ＥＳＤ）時に複数接点から成る第２行を介して流れることを保証する。 他の導電性領域は、ダイ上にデポジットされるか或いは他の方法で形成された ＳｉＯ2 の絶縁体か或いは他の通常絶縁物質によって分離された金属化層或いは ポリシリコン導体層である。複数の接点が用いられて、それらアクティブ領域か ら導体へ電流を導通する。そうした領域は億万ビットのメモリ装置内に高密度に 繰返されているので、各々が複数接点から成る多数の行を必要とする各回路毎に スペース節約が繰返される。 ＣＭＯＳ回路のレイアウトにおいて、アクティブ領域及び上部層導体の高さと 該アクティブ領域の幅とは固定することができ、ダイ・サイズを増大する必要性 がない。部分的重なり導体のスペースが制限されている場合、接点を交互配置す ることで複数接点から各々が成る複数の行のより高度の集中が為される。総電流 Ｉは複数接点を通じて導電性層間をだけを移動することができるので、各接点を 通じて流れる電流は、ｎを導電性層間の接点の総数とすれば約Ｉ／ｎと成る。本 発明を用いることによってｎを増大することで、各接点を通ずる電流を低減し、 それによって高電流での接点の焼き切れの可能性を低減する。ＥＳＤ保護回路用 の入出力パッドは、大量の電流が非常に限られた領域を通じて運ばれなければな らない例である。より多くの接点を提供することによって、ＥＳＤ時に接点を焼 き切ることがなく、それは各接点にはその時により小さな電流を導通することが 要求されるからである。 金属導体が上部導電層として用いられた場合、最も小さな抵抗路は埋設導電性 層から、複数導体から成る第１行を通じて、その埋設アクティブ領域よりも小さ な抵抗を有する金属導体までであると理解できる。より高い比率の電流はそれか ら複数接点から成る第１行を通じて導通される。本発明はこの電流の多くを、複 数接点から成る第２行を電流ソースにより近接させることによって軽減し、Ｌ間 隔行を有する先行技術に係る装置よりも小さな抵抗を有するより短い通路を作り 出している。これは、複数接点から成る第１行が高電流時に焼き切られることか らの保護をそれらが担わなければならない電流量を低減することで補助する。ア クティブ領域のより低いシート抵抗は、複数接点から成る第２行によって担持さ れる電流量を更に増大する。単位面積当たり５オームが所望のシート抵抗である と云われてきたが、交互配置接点をより高いシート抵抗を有するアクティブ領域 に用いることも有益である。 図５において、各々が複数接点から成る５つの行が部分的重なり導体の一領域 内に示されている。各行はそれの隣接行における接点から交互配置された接点を 有して、どの２つの隣接接点も相互的な隔たりがＬよりも小さくなっている。こ れら５つの行は、ライン相互の隔たりである距離Ｌで要求されるものよりも約１ ３．４％小さい部分的重なり以内に形成可能である。 理解して頂けるように、上述の説明は例示的なものであり、限定的なものを意 図していない。他の多くの実施例が上述の説明を参照することで当業者に明かと なるであろう。それ故に、本発明の保護範囲は添付の請求の範囲と共に、そうし た請求項の対象された均等物の全幅にわたる範囲とによって決定されるべきであ る。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】１９９７年１１月６日 【補正内容】 明細書 半導体介在層の交互配置接点構造 発明の分野 本発明は、固定間隔内における接点数を増大する方法及び装置に関し、特にＣ ＭＯＳチップ上での複数接点の交互配置に関する。 発明の背景 二酸化シリコン或いはＢＰＳＧ（ホウ素・リン珪酸ガラス）等の適切な絶縁層 によって分離された半導体から成る導電性層相互を接続する場合、図１の先行技 術に示されるような構造における間隔設計規則に従って、固定間隔内に対称的な 行の形態でその絶縁層を通じて複数の独立した導電性接点を形成するのが通常で ある。図２の先行技術に係る接点間隔の拡大図に示されるように、１つの行内の 各接点はその行内のそれに隣接する接点から距離Ｌで隔てられており、そして行 相互間も隣接行から距離Ｌで隔てられている。図１において矢印によって示され るような高電流である大きな「Ｉ」が以上にように接続された導電性層によって 担持される場合、もし充分な接点又は接点数が設けられていなければ、それら接 点は高電流によって損傷され得る。日本１３(５７８)，(Ｅ−８６４)の公開特許 アブストラクト及びＪＰ-１２４３５５２（１９８９年９月２８日公開）には、 ２つの直交する導体間のクロスオーバ（交差）を示し、そこでは、導体間の層内 にストレス集中を回避する目的で各々が複数接点から成る複数の行が交互配置さ れ、それら相互分離が増大されている。静電気放電保護回路は、該回路が効果的 に扱うことができる電流を最大化するために必要である。そうした導電性層間の 接点数を増大して、物理的構造の間隔に関する設計規則を乱すことなく、導通可 能となる電流量を増大する必要性が依然としてある。 上記問題に加えて、電流源又は電流ソースと最接近している接点は、半導体か ら成る導電性層のシート抵抗量に依存して、最小抵抗路を求める電流によって不 相応により大量の電流を担持する。できる限りより短い電流路を提供するために 電流源に接近したより多くの接点を提供し、電流の流れをそれら接点間でより均 一に拡散させる必要がある。これは、設計規則を乱すことなく達成させなければ ならない。 そうした接点が使用されている一領域は、ＣＭＯＳ技法によって形成されるダ イナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）内である。導電性層の内 【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】１９９８年１月２８日 【補正内容】 請求の範囲 １． 静電気放電保護回路であって、 電流を担持すると共に相互的な部分的重なりを有する第１導電性層（４１０或い は４１２）及び第２導電性層（４１４）と、 前記部分的重なり領域内の前記導電性層間を分離している絶縁層と、 前記部分的な重なり内における前記導電性層間での電流の一部を各々が担持す る複数の接点から成る二次元パターン（４１６或いは４２２）と、を備え、 前記第１導電性層がトランジスタのアクティブ領域を形成するようなドープが 為された半導体層であり、 前記第２導電性層が前記アクティブ領域に対して電流を供給するための金属層 であり、 前記部分的重なりが前記導電性層双方の第１方向でのほんの一部であるが、前 記第１方向と直交する第２方向では全てであり、 前記接点パターンが、前記第２方向全てにわたって延在する各々が複数接点か ら成る多重的な行（４１８，４２０或いは４２４，４２６を含む、ことを特徴と する静電気放電保護回路。 ２． 前記行の各々における前記複数接点が、隣接する行内の複数接点とは 前記第２方向にオフセットされていることを特徴とする、請求項３に記載の静電 気放電保護回路。 ３． 前記オフセット距離が、１つの行における隣接接点間の距離の１／２ であることを特徴とする、請求項２に記載の静電気放電保護回路。 ４． 前記複数行が、１つの行における隣接接点間の距離の約√３／２倍で 相互に離間されていることを特徴とする、請求項３に記載の静電気放電保護回路 。 ５． 前記接点パターンが、各々が複数接点から成る２つの行を含むことを 特徴とする、請求項２に記載の静電気放電保護回路。 ６． 前記トランジスタが、ＣＭＯＳトランジスタであることを特徴とする 、請求項１に記載の静電気放電保護回路。 ７． 前記第１導電性層の前記シート抵抗が、単位面積当たり約５オームで あることを特徴とする、請求項６に記載の静電気放電保護回路。 ８． 前記第１導電性層がシリサイドであることを特徴とする、請求項６に 記載の静電気放電保護回路。 ９． 集積回路内に静電気放電装置を形成する方法であって、 第１導電性層（４１０或いは４１２）を形成し、 前記第１導電性層上に絶縁層を形成し、 前記絶縁層上に、前記第１導電性層に部分的に重なる一部を有する第２導電性 層（４１４）を形成し、 前記部分的に重なる一部以内で、前記絶縁層を通じて、各々が複数の導電性接 点から成る多重的な行（４１６或いは４２２）を形成することを含み、 前記第１導電性層が、トランジスタのアクティブ領域を形成するようなドープ が為された半導体層であり、 前記第２導電性層が、前記アクティブ領域に対して電流を供給するための金属 層であり、 前記部分的に重なる一部が前記導電性層双方の第１方向ではほんの一部である が、前記第１方向に直交する第２方向では全てにわたっており、 前記接点パターンが、前記第２方向の全てにわたって延在している、各々が複 数接点から成る多重的な行（４１８，４２０或いは４２４，４２６）を含むこと を特徴とする方法。 １０． 前記複数接点が相互に離間されて、同一行における１つの行における 任意の接点と、隣接行における任意の接点との内の最も接近した隣接接点の全て が、集積回路用の最小設計距離と略同等の隔たりを有して、前記複数接点の内の 異なる接点によって担持される電流に関しての相違を低減するようにしているこ とを特徴とする、請求項９に記載の方法。 １１． １つの行における前記複数接点が、隣接行における前記複数接点から 長さ方向にわたってオフセットされて、それら両行における接点によって担持さ れる電流をより密接に等しくするように為すことを特徴とする、請求項１０に記 載の方法。 １２． 前記複数行が、前記第２方向に実質的に平行して延在していることを 特徴とする、請求項１１に記載の方法。 １３． 前記第１導電性層が、単位面積当たり約５オーム以下のシート抵抗を 有する、高度にドープが為されたシリサイドを含むことを特徴とする、請求項１ ０に記載の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/108 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ， ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，Ｇ Ｅ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ， ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，Ｐ Ｌ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 マー、マニー・ケイ・エフ アメリカ合衆国 83706 アイダホ、ボイ ス、イースト・グロウセスター・ストリー ト 2427 (72)発明者 キャスパー、ステファン・エル アメリカ合衆国 83706 アイダホ、ボイ ス、イースト・リバーネスト 3443

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 半導体回路構造であって、 第１導電性層と、 前記第１導電性層と少なくとも部分的に重なっていると共にそれから絶縁層を 介して分離されている第２導電性層と、 前記第１層及び前記第２層の間を電気的に接続する複数接点から成る第１行と 、 前記第１行と実質的に平行して、前記第１層及び前記第２層の間を電気的に接 続する複数接点から成る第２行であり、当該第２行における接点が前記第１行に おける前記接点とはオフセット配置されて、各々が複数接点から成る前記の２つ の行の間に必要とされる間隔を低減することから成る第２行と、 を備える半導体回路構造。 ２． 各々が複数接点から成る前記第１行及び前記第２行の間の距離が前記 第１行における隣接する前記接点の間の距離も小さい、請求項１に記載の半導体 回路構造。 ３． 前記第１行における隣接する前記接点の間の距離がＬであり、複数接 点から成る前記第１行と複数接点から成る前記前記第２行との間の距離が約（√ ３／２）×Ｌである、請求項１に記載の半導体回路構造。 ４． 前記第１導電性層がＣＭＯＳトランジスタのアクティブ領域を含む、 請求項３に記載の半導体回路構造。 ５． 前記第１導電性層が単位面積当たり約５オームのシート抵抗を有する、 請求項４に記載の半導体回路構造。 ６． 前記第１導電性層がシリサイドである、請求項４に記載の半導体回路 構造。 ７． 前記第２導電性層が、前記第１導電性層から他の回路へ電気信号を導 通させる導体を含む、請求項４に記載の半導体回路構造。 ８． 前記第１導電性層が、ＦＥＴトランジスタのソース或いはドレインの 内の一方である、請求項４に記載の半導体回路構造。 ９． 前記導電性層間を前記絶縁層を通じて形成されて、前記第１導電性層 及び前記第２導電性層の間に電気的導電性路を提供している複数接点から成る第 ３行を更に備え、当該複数接点から成る第３行が、前記第２行と実質的に平行す ると共に、複数接点から成る前記第１行と違う方向へ向かって該第１行からオフ セットされて、各々が複数接点から成る前記第２行及び前記第３行の間に必要と される間隔を低減している、請求項１に記載の半導体回路構造。 １０． 静電気放電回路であって、 低シート抵抗を有する、ドープが為されたシリコンから形成される第１導電性 層と、 前記第１導電性層と少なくとも部分的に重なっている第２金属導電性層と、 前記第１導電性層と前記第２導電性層との間に配置された第３絶縁層と、 前記絶縁層を通じて前記導電性層双方の間に形成されて、前記第１導電性層と 前記第２導電性層との間に電気的導電性路を提供する複数接点から成る第１行と 前記絶縁層を通じて前記導電性層双方の間に形成されて、前記第１導電性層と 前記第２導電性層との間に電気的導電性路を提供する複数接点から成る第２行で あり、複数接点から成る前記第１行と実質的に平行すると共に該第１行とはオフ セットされて、これらの各々が複数接点から成る２つの行の間に必要とされる間 隔を低減し、静電気放電時に大量の電流を導通させることから成る第２行と、 を備える静電気放電保護回路。 １１． 各々が複数接点から成る前記第１行及び前記第２行の間の距離が、前 記第１行における隣接する前記接点の間の距離よりも小さい、請求項１０に記載 の静電気放電保護回路。 １２．前記第１行における隣接する前記接点の間の距離がＬであり、各々が複数 接点から成る前記第１行及び前記第２行の間の距離が約（√３／２）×Ｌである 、請求項１１に記載の静電気放電保護回路。 １３． 前記第１導電性層が、ＣＭＯＳトランジスタのアクティブ領域を含む 、請求項１２に記載の静電気放電保護回路。 １４． 前記第１導電性層が、単位面積当たり約５オーム以下のシート抵抗を 有するｎ⁺ドープが為されたシリコンから成るシリサイドを含む、請求項１３に 記載の静電気放電保護回路。 １５． 前記絶縁層を通じて前記導電性層双方の間に形成されて、前記第１導 電性層及び前記第２導電性層の間に電気的導電性路を提供する複数接点から成る 第３行であり、前記第２行と実質的に平行すると共に、複数接点から成る前記第 １行とは違う方向へ向かって前記第２行からオフセットされて、各々が複数接点 から成る前記第２行及び前記第３行の間に必要とされる間隔を低減することから 成る第３行を更に備える、請求項１０に記載の静電気放電保護回路。 １６． 絶縁体によって分離された２つの部分的に重なっている低シート抵抗 の導電性層の間に複数の静電気放電導通接点を形成する方法であって、 複数の接点から成る第１行であり、その各接点が当該第１行における隣接接点 間から距離Ｌで隔たれていることから成る第１行を形成する段階と、 複数接点から成る前記第１行とはオフセットされた複数接点から成る第２行を 形成する段階であり、各々が複数接点から成る前記第１行及び前記第２行の間の 距離がＬよりも小さくて、複数接点から成る前記第２行が静電気放電時に大量の 電流を導通させるように為されていることから成る段階と、 の諸段階を含む方法。 １７． 複数接点から成る前記第２行が、複数接点から成る前記第１行と隣接 すると共に実質的に平行している、請求項１６に記載の方法。 １８． 複数接点から成る前記第２行における各接点が、前記第１行における 最も近接する２つの接点から距離Ｌで隔てられている、請求項１７に記載の方法 。 １９． 前記より低い導電性層が、単位面積当たり約５オーム以下のシート抵 抗を有するｎ⁺ドープが為されたシリコンから成るシリサイドを含む、請求項１ ８に記載の方法。 ２０． 前記第１行とは反対側で複数接点から成る前記第２行とはオフセット された第３行を形成する段階であり、各々が複数接点から成る前記第２号及び当 該第３行の間の距離がＬよりも小さくて、複数接点から成る当該第３行が静電気 放電時に電流を導通させるように為されていることから成る段階を更に含む、請 求項１６に記載の方法。