JPH01117045A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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Publication number
JPH01117045A
JPH01117045A JP27410387A JP27410387A JPH01117045A JP H01117045 A JPH01117045 A JP H01117045A JP 27410387 A JP27410387 A JP 27410387A JP 27410387 A JP27410387 A JP 27410387A JP H01117045 A JPH01117045 A JP H01117045A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
semiconductor integrated
circuit device
wiring material
signal line
Prior art date
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Pending
Application number
JP27410387A
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English (en)
Inventor
Yukiharu Horiuchi
堀内 幸春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置の2層配線部に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、半導体集積回路装置において、絶縁関係にあ
る2つの配線のコンタフート開孔部の位置を交互にずら
すことにより半導体集積回路装置の単価を下げるもので
ある。
〔従来の技術〕
同一配線材の異なる信号線が交差する場合、信号の接触
を防ぐために、コンタクト開孔部により絶縁処理を施し
た配線材に接続し使用する。その場合、コンタクト開孔
部の配線材は、ある距離以上を保ちコンタクト開孔部を
包含していなければならず、通常の配線部より幅を広く
しなければならない。従来は、第2図に示すように、コ
ンタクト開孔部の位置は、−直線上に置がれてぃた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前述の方法では、コンタクト開孔部の配線材の
幅がその他の配線部より広いため、半導体集積回路装置
が大きくなり、1ウェハー当りの製造できる半導体集積
回路装置が減少し、単価が上がってしまう。そこで、本
発明は、従来のこのような問題点を解決するものであり
、その目的とすることは、半導体集積回路装置を小型化
し、単価を下げることである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体集積回路装置は、第1配線材を使用して
複数の平行に配線された信号線と、前述第1配線材を使
用した別の信号線2が交差する半導体集積回路において
、前述信号線2の手前で前述信号線1の各信号線を交互
に位置をずらしたコンタクト開孔部により前述第1配線
材と絶縁体を形成する第2配線材に接続し、前述第2配
線材が前述信号線を通過した後、前述信号線1の各信号
線1の各信号線を交互にずらした位置のコンタクト開孔
部により前述第1配線材に接続することを特徴とする。
〔実施例〕
本発明の半導体集積回路装置は、第1図に示す構造をし
ている。1から6までアルミニウムの第1配線材、7か
ら11までは、1から6のアルミニウムと絶縁処理をし
であるアルミニウムの第2配線材であり、12〜21ま
でコンタクト[tl 孔部である。
12.14.16のコンタクト開孔部の、位置を、13
.15のコンタクト開孔部の位置より左側にする。7か
ら11までのアルミニウムの長さが、同じになるように
、6のアルミニウムの右側に、17.19.21の、コ
ンタクト開孔部を設け、さらに右側に18.20のコン
タクト開孔部を設ける。
また、配線材としてAIの他にLa  Ba  CU@
化物を初めとする希土類元素−アルカリ土類金属−(C
u、Ag)を主要分とする酸化物からなる超電導材を用
いるととも本発明に属する。
〔発明の効果〕
本発明の効果は、コンタクト開孔部の位置をずらすこと
により、必要な配線領域の幅が減少し、半導体集積回路
装置を小型化することができ、単価を下げることができ
る。
また、配線材に超電導材を用いると配線の幅を狭くでき
るので本発明の効果は著しく大きくなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の半導体集積回路装置の一実施例を示
す図。 第2図は、従来の半導体集積回路装置を示す図である。 1〜6・・・アルミニウム配線材 7〜11・・・上記アルミニウム配線材と絶縁処理しで
あるアルミニウム配線材 12〜21・・・コンタクト開孔部 以  上 出願人 セイコーエプソン株式会社 筒1目 循2−颯

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  第1配線材を使用して複数の平行に配線された信号線
    1と、前述第1配線材を使用した別の信号線2が交差す
    る半導体集積回路装置において、前述信号線2の手前で
    前述信号線1の各信号線を交互に位置をずらしたコンタ
    クト開孔部により前述第1配線材と、絶縁体を形成する
    第2配線材に接続し、前述第2配線材が前述信号線2を
    通過した後、前述信号線1の各信号線を交互にずらした
    位置のコンタクト開孔部により前述第1配線材に接続す
    ることを特徴とする半導体集積回路装置。
JP27410387A 1987-10-29 1987-10-29 半導体集積回路装置 Pending JPH01117045A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05136400A (ja) * 1991-10-21 1993-06-01 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置の接触窓形成方法
KR100298820B1 (ko) * 1995-11-13 2001-11-02 로데릭 더블류 루이스 반도체층간스태거된콘택구조

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5357781A (en) * 1976-11-05 1978-05-25 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit
JPS53108789A (en) * 1977-03-04 1978-09-21 Nec Corp Wiring structural body

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