JPH01117045A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH01117045A JPH01117045A JP27410387A JP27410387A JPH01117045A JP H01117045 A JPH01117045 A JP H01117045A JP 27410387 A JP27410387 A JP 27410387A JP 27410387 A JP27410387 A JP 27410387A JP H01117045 A JPH01117045 A JP H01117045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuit device
- wiring material
- signal line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置の2層配線部に関する。
本発明は、半導体集積回路装置において、絶縁関係にあ
る2つの配線のコンタフート開孔部の位置を交互にずら
すことにより半導体集積回路装置の単価を下げるもので
ある。
る2つの配線のコンタフート開孔部の位置を交互にずら
すことにより半導体集積回路装置の単価を下げるもので
ある。
同一配線材の異なる信号線が交差する場合、信号の接触
を防ぐために、コンタクト開孔部により絶縁処理を施し
た配線材に接続し使用する。その場合、コンタクト開孔
部の配線材は、ある距離以上を保ちコンタクト開孔部を
包含していなければならず、通常の配線部より幅を広く
しなければならない。従来は、第2図に示すように、コ
ンタクト開孔部の位置は、−直線上に置がれてぃた。
を防ぐために、コンタクト開孔部により絶縁処理を施し
た配線材に接続し使用する。その場合、コンタクト開孔
部の配線材は、ある距離以上を保ちコンタクト開孔部を
包含していなければならず、通常の配線部より幅を広く
しなければならない。従来は、第2図に示すように、コ
ンタクト開孔部の位置は、−直線上に置がれてぃた。
しかし、前述の方法では、コンタクト開孔部の配線材の
幅がその他の配線部より広いため、半導体集積回路装置
が大きくなり、1ウェハー当りの製造できる半導体集積
回路装置が減少し、単価が上がってしまう。そこで、本
発明は、従来のこのような問題点を解決するものであり
、その目的とすることは、半導体集積回路装置を小型化
し、単価を下げることである。
幅がその他の配線部より広いため、半導体集積回路装置
が大きくなり、1ウェハー当りの製造できる半導体集積
回路装置が減少し、単価が上がってしまう。そこで、本
発明は、従来のこのような問題点を解決するものであり
、その目的とすることは、半導体集積回路装置を小型化
し、単価を下げることである。
本発明の半導体集積回路装置は、第1配線材を使用して
複数の平行に配線された信号線と、前述第1配線材を使
用した別の信号線2が交差する半導体集積回路において
、前述信号線2の手前で前述信号線1の各信号線を交互
に位置をずらしたコンタクト開孔部により前述第1配線
材と絶縁体を形成する第2配線材に接続し、前述第2配
線材が前述信号線を通過した後、前述信号線1の各信号
線1の各信号線を交互にずらした位置のコンタクト開孔
部により前述第1配線材に接続することを特徴とする。
複数の平行に配線された信号線と、前述第1配線材を使
用した別の信号線2が交差する半導体集積回路において
、前述信号線2の手前で前述信号線1の各信号線を交互
に位置をずらしたコンタクト開孔部により前述第1配線
材と絶縁体を形成する第2配線材に接続し、前述第2配
線材が前述信号線を通過した後、前述信号線1の各信号
線1の各信号線を交互にずらした位置のコンタクト開孔
部により前述第1配線材に接続することを特徴とする。
本発明の半導体集積回路装置は、第1図に示す構造をし
ている。1から6までアルミニウムの第1配線材、7か
ら11までは、1から6のアルミニウムと絶縁処理をし
であるアルミニウムの第2配線材であり、12〜21ま
でコンタクト[tl 孔部である。
ている。1から6までアルミニウムの第1配線材、7か
ら11までは、1から6のアルミニウムと絶縁処理をし
であるアルミニウムの第2配線材であり、12〜21ま
でコンタクト[tl 孔部である。
12.14.16のコンタクト開孔部の、位置を、13
.15のコンタクト開孔部の位置より左側にする。7か
ら11までのアルミニウムの長さが、同じになるように
、6のアルミニウムの右側に、17.19.21の、コ
ンタクト開孔部を設け、さらに右側に18.20のコン
タクト開孔部を設ける。
.15のコンタクト開孔部の位置より左側にする。7か
ら11までのアルミニウムの長さが、同じになるように
、6のアルミニウムの右側に、17.19.21の、コ
ンタクト開孔部を設け、さらに右側に18.20のコン
タクト開孔部を設ける。
また、配線材としてAIの他にLa Ba CU@
化物を初めとする希土類元素−アルカリ土類金属−(C
u、Ag)を主要分とする酸化物からなる超電導材を用
いるととも本発明に属する。
化物を初めとする希土類元素−アルカリ土類金属−(C
u、Ag)を主要分とする酸化物からなる超電導材を用
いるととも本発明に属する。
本発明の効果は、コンタクト開孔部の位置をずらすこと
により、必要な配線領域の幅が減少し、半導体集積回路
装置を小型化することができ、単価を下げることができ
る。
により、必要な配線領域の幅が減少し、半導体集積回路
装置を小型化することができ、単価を下げることができ
る。
また、配線材に超電導材を用いると配線の幅を狭くでき
るので本発明の効果は著しく大きくなる。
るので本発明の効果は著しく大きくなる。
第1図は、本発明の半導体集積回路装置の一実施例を示
す図。 第2図は、従来の半導体集積回路装置を示す図である。 1〜6・・・アルミニウム配線材 7〜11・・・上記アルミニウム配線材と絶縁処理しで
あるアルミニウム配線材 12〜21・・・コンタクト開孔部 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 筒1目 循2−颯
す図。 第2図は、従来の半導体集積回路装置を示す図である。 1〜6・・・アルミニウム配線材 7〜11・・・上記アルミニウム配線材と絶縁処理しで
あるアルミニウム配線材 12〜21・・・コンタクト開孔部 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 筒1目 循2−颯
Claims (1)
- 第1配線材を使用して複数の平行に配線された信号線
1と、前述第1配線材を使用した別の信号線2が交差す
る半導体集積回路装置において、前述信号線2の手前で
前述信号線1の各信号線を交互に位置をずらしたコンタ
クト開孔部により前述第1配線材と、絶縁体を形成する
第2配線材に接続し、前述第2配線材が前述信号線2を
通過した後、前述信号線1の各信号線を交互にずらした
位置のコンタクト開孔部により前述第1配線材に接続す
ることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27410387A JPH01117045A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27410387A JPH01117045A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01117045A true JPH01117045A (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=17537043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27410387A Pending JPH01117045A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01117045A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05136400A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-06-01 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の接触窓形成方法 |
KR100298820B1 (ko) * | 1995-11-13 | 2001-11-02 | 로데릭 더블류 루이스 | 반도체층간스태거된콘택구조 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5357781A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-25 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPS53108789A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Nec Corp | Wiring structural body |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP27410387A patent/JPH01117045A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5357781A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-25 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPS53108789A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Nec Corp | Wiring structural body |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05136400A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-06-01 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の接触窓形成方法 |
KR100298820B1 (ko) * | 1995-11-13 | 2001-11-02 | 로데릭 더블류 루이스 | 반도체층간스태거된콘택구조 |
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