JPH0590416A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPH0590416A
JPH0590416A JP27736691A JP27736691A JPH0590416A JP H0590416 A JPH0590416 A JP H0590416A JP 27736691 A JP27736691 A JP 27736691A JP 27736691 A JP27736691 A JP 27736691A JP H0590416 A JPH0590416 A JP H0590416A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
input
output terminals
integrated circuit
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27736691A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Nakahara
俊 中原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP27736691A priority Critical patent/JPH0590416A/ja
Publication of JPH0590416A publication Critical patent/JPH0590416A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 全ての配線層を有効に使用でき、配線収容性
の高い半導体集積回路を提供する。 【構成】 予め定められた位置に入出力端子を持つ複数
の機能ブロックを任意に配置した導体層100と、各々
の機能ブロックの入出力端子105a〜105dを接続
するための複数の配線層101〜104を持つ半導体回
路において、相互に接続される全ての入出力端子位置
に、配線層の最上層まで貫通したスルーホール106a
〜106dを設け、貫通スルーホール間を任意の配線層
を用いて接続する。 【効果】 全ての配線層を有効に利用することができ、
配線収容性の高い半導体集積回を実現することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に関
し、特に配線方式に特徴を有する半導体集積回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の集積度向上に伴
って、従来は2層で済んでいた配線層が3層または4層
以上必要となってきており、将来はさらに多層化するも
のと考えられる。従来、この種の半導体集積回路の配線
においては、多数の配線層を有効に使用する方式が存在
しなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
半導体集積回路では、全ての配線層を有効に使用するこ
とができないため、配線層数を増加させても層数の増加
に比例して配線収容数を上げることができないといった
問題があった。
【0004】本発明は、上記問題点にかんがみてなされ
たもので、全ての配線層を有効に使用でき、配線収容性
の高い半導体集積回路の提供を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体集積回路は、予め定められた位置に入
出力端子を持つ複数の機能ブロックを任意に配置した導
体層と、各々の機能ブロックの前記入出力端子を接続す
るための複数の配線層を持つ半導体回路において、相互
に接続される全ての前記入出力端子位置に、前記配線層
の最上層まで貫通したスルーホールを設け、前記貫通ス
ルーホール間を任意の配線層を用いて接続した構成とし
てあり、好ましくは、前記入出力端子位置に設けたスル
ーホールのうち、前記入出力端子の接続に不要な層間の
スルーホール部分を除去する構成としてある。
【0006】
【作用】相互に接続される全ての入出力端子位置に設け
た配線層の最上層まで貫通したスルーホールを利用し、
入出力端子間を任意の配線層を用いて接続する。これに
より、全ての配線層を有効に使用でき、配線収容性が向
上する。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図1は本発明の第1実施例による半導体
集積回路の配線層の断面図である。本半導体集積回路
は、機能ブロック内配線および各機能ブロックの入出力
端子を有する導体層100と、機能ブロックの入出力端
子を相互に接続する配線層101〜104と、導体層1
00と配線層101〜104間を絶縁する絶縁層109
〜112を積層してある。
【0008】上記導体層100は、入出力端子105a
〜105dを備えている。配線層101はX方向に、配
線層102はそれと直交するY方向に配線を行なうもの
であり、互いに対をなして配線されている。同様に、配
線層103はX方向に、配線層104はそれと直交する
Y方向に配線を行なうものであり、互いに対をなして配
線されている。
【0009】ここで、機能ブロックの入出力端子105
aと105b間および入出力端子105cと105d間
の配線方法について説明する。まず、各々の入出力端子
105a〜105d上に最上層の配線層104まで貫通
したスルーホール106a〜106dをそれぞれ設け
る。次に、入出力端子105aと105b間を接続する
ために対の配線層101と102を選択し、配線層10
1上の信号配線101aと配線層102上の信号配線1
02aおよび配線層101と102間を接続するための
スルーホール107により、機能ブロックの入出力端子
105aと105b間の配線を完了する。次に、入出力
端子105cと105d間を接続するために対の配線層
103と104を選択し、配線層103上の信号配線1
03aと配線層104上の信号配線104aおよび配線
層103と104間を接続するためのスルーホール10
8により、機能ブロックの入出力端子105cと105
d間の配線を完了する。
【0010】ここで、各々の配線についての配線層対の
選択は、自動配線ツールで自動的に行なうか、または個
々の配線の性質により個別の指定をすることも可能であ
る。以上説明した方法で、全ての入出力端子間の配線を
順次行なうことにより、1チップ上の全ての配線を4層
の配線層101〜104全てを有効に使って行なうこと
ができる。また、上述のように配線層対という考え方を
取らず、与えられた配線層全てを用いて機能ブロックの
入出力端子間を配線する方法を取ることも可能である。
【0011】次に、本発明の第2実施例について図2を
参照して説明する。図1の実施例で設けたスルーホール
106a〜106dのうち、スルーホール106aの配
線層102〜104間、スルーホール106bの配線層
101〜104間、スルーホール106cの配線層10
3〜104間の部分については、それぞれ機能ブロック
の入出力端子間の接続を得るためには不要な部分であ
る。これら不要なスルーホールの存在は、配線上に余分
な負荷がかかることになり、電気特性の劣化、製造歩留
りの低下をもたらす可能性がある。そこで、図2の実施
例では、スルーホール106a〜106dを配線として
認識し、接続先がない部分を全て除去する方式を採用す
ることにより、図1のスルーホール106a, 106
b, 106cの余分な部分を除去して非貫通のスルーホ
ール106a−1, 106b−1, 106c−1として
いる。入出力端子105a〜105dの接続について
は、図1と同等の接続を行なっている。
【0012】以上、好ましい実施例をあげて本発明を説
明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
い。例えば、配線層を4層とした例を示したが、4層以
外の層数でもよいことは勿論である。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路は、接続すべき全ての入出力端子位置に全ての配
線層を貫通するスルーホールを設けて配線を行なうこと
により、全ての配線層を有効に利用することができ、配
線収容性の高い半導体集積回を実現することができる。
請求項2の半導体集積回路によれば、スルーホールのう
ち、入出力端子の接続に不要な層間のスルーホール部分
を除去することにより、不要なスルーホールの存在によ
って配線上に余分な負荷がかからなくなり、電気特性の
劣化、製造歩留りの低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による半導体集積回路の断
面図である。
【図2】本発明の第2実施例による半導体集積回路の断
面図である。
【符号の説明】
100…導体層 101〜104…配線層 101a〜104a…信号配線 109〜112…絶縁層 105a〜105d…入出力端子 106a〜106d…スルーホール 107,108…スルーホール 106a−1〜106d−1…スルーホール

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 予め定められた位置に入出力端子を持つ
    複数の機能ブロックを任意に配置した導体層と、各々の
    機能ブロックの前記入出力端子を接続するための複数の
    配線層を持つ半導体回路において、 相互に接続される全ての前記入出力端子位置に、前記配
    線層の最上層まで貫通したスルーホールを設け、前記貫
    通スルーホール間を任意の配線層を用いて接続したこと
    を特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記入出力端子位置に設けたスルーホー
    ルのうち、前記入出力端子の接続に不要な層間のスルー
    ホール部分を除去することを特徴とする請求項1に記載
    の半導体集積回路。
JP27736691A 1991-09-27 1991-09-27 半導体集積回路 Pending JPH0590416A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27736691A JPH0590416A (ja) 1991-09-27 1991-09-27 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27736691A JPH0590416A (ja) 1991-09-27 1991-09-27 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0590416A true JPH0590416A (ja) 1993-04-09

Family

ID=17582528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27736691A Pending JPH0590416A (ja) 1991-09-27 1991-09-27 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0590416A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9046744B2 (en) 2012-02-02 2015-06-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9116283B2 (en) 2012-02-02 2015-08-25 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9383542B2 (en) 2012-02-02 2016-07-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9411125B2 (en) 2012-02-02 2016-08-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9664875B2 (en) 2012-02-02 2017-05-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9778479B2 (en) 2012-02-02 2017-10-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel including blur correcting mechanism and rotatable retracting lens
US10018892B2 (en) 2012-02-02 2018-07-10 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9046744B2 (en) 2012-02-02 2015-06-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9116283B2 (en) 2012-02-02 2015-08-25 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9383542B2 (en) 2012-02-02 2016-07-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9411125B2 (en) 2012-02-02 2016-08-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9519120B2 (en) 2012-02-02 2016-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9664875B2 (en) 2012-02-02 2017-05-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US9778479B2 (en) 2012-02-02 2017-10-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel including blur correcting mechanism and rotatable retracting lens
US10018892B2 (en) 2012-02-02 2018-07-10 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US10031315B2 (en) 2012-02-02 2018-07-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel
US10139648B2 (en) 2012-02-02 2018-11-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lens barrel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1999025023B1 (en) Asic routing architecture
EP0175870B1 (en) Wafer scale integrated circuit device
IE53844B1 (en) Semiconductor integrated circuit comprising a semiconductor substrate and interconnecting layers
US6459136B1 (en) Single metal programmability in a customizable integrated circuit device
JPH0590416A (ja) 半導体集積回路
US6274824B1 (en) Method of arranging signal and destination pads to provide multiple signal/destination connection combinations
JPS621247A (ja) 半導体装置の製造方法
US4136356A (en) Wiring substrate for a matrix circuit
EP0645819A2 (en) Semiconductor device capable of high speed operation and being integrated with high density
EP0348933B1 (en) Standard cell
US5161980A (en) Electrical interconnection of circuit devices
US6275784B1 (en) Design method of routing signal lines between circuit blocks for equalizing characteristics of circuit blocks and semiconductor integrated circuit device designed therethrough
JPS601844A (ja) 半導体集積回路装置
JPS59165436A (ja) 半導体集積回路装置
JPH06124321A (ja) 自動配線処理方法
JPH01117045A (ja) 半導体集積回路装置
JP2634800B2 (ja) 半導体集積回路スタンダードセル
JPH03175653A (ja) 半導体集積回路の配線方法
JP2001326462A (ja) プリント配線板
JPS63250151A (ja) ウエ−ハ集積回路の製造方法
JPH03209694A (ja) 半導体記憶装置
JPH03241762A (ja) 集積回路の配線設計法
JPH06151590A (ja) 半導体集積回路装置
JPS61174746A (ja) 半導体集積回路装置
JPH04325990A (ja) メモリーモジュール