JPH02122651A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH02122651A JPH02122651A JP27661188A JP27661188A JPH02122651A JP H02122651 A JPH02122651 A JP H02122651A JP 27661188 A JP27661188 A JP 27661188A JP 27661188 A JP27661188 A JP 27661188A JP H02122651 A JPH02122651 A JP H02122651A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- center
- wiring material
- integrated circuit
- semiconductor integrated
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体集積回路装置の2層配線部に関する。
[発明の“概要]
本発明は、半導体集積回路装置において、絶縁関係にあ
る2つの配線の中心をフンタクト開孔部の中心より逆方
向にコンタクト開孔部の包含余裕9半分の距離をづらす
ことにより半導体集積回路装置の単価を下げるものであ
る。
る2つの配線の中心をフンタクト開孔部の中心より逆方
向にコンタクト開孔部の包含余裕9半分の距離をづらす
ことにより半導体集積回路装置の単価を下げるものであ
る。
[従来の技術]
絶縁処理をした複数の配線材により配線する場合、コン
タクト開孔部を設は接続する。その場合コンタクト開孔
部の配線材はある距離以上を保・ちコンタクト開孔部を
包含していなければならない。従来は・、第5図に示す
よ5に、接続する2つの配線材の中心は、′コンタクト
開孔部の中心を通過していた。これにより複数の信号線
を接続する場合、第4図のように行っていた。
タクト開孔部を設は接続する。その場合コンタクト開孔
部の配線材はある距離以上を保・ちコンタクト開孔部を
包含していなければならない。従来は・、第5図に示す
よ5に、接続する2つの配線材の中心は、′コンタクト
開孔部の中心を通過していた。これにより複数の信号線
を接続する場合、第4図のように行っていた。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、前述の方法では、配線領域が、配線材の幅と、
フンタクト開孔部による配線材の膨らみに影響するため
、配線領域が拡がり、半導体集積回路装置が大きくなり
、1ウェハー当りの製造できる半導体集積回路装置が減
少し、単価が上がってしまう。そこで、本発明は、従来
のこの様な問題を解決するものであり、その目的とする
ところは、半導体集積回路装置を小型化し、単価を下げ
ることを目的とする。
フンタクト開孔部による配線材の膨らみに影響するため
、配線領域が拡がり、半導体集積回路装置が大きくなり
、1ウェハー当りの製造できる半導体集積回路装置が減
少し、単価が上がってしまう。そこで、本発明は、従来
のこの様な問題を解決するものであり、その目的とする
ところは、半導体集積回路装置を小型化し、単価を下げ
ることを目的とする。
[課雇を解決するための手段]
本発明の半導体集積回路装置は、第1配線材と、前述第
1配線材と絶縁処理してある第2配線材を接続すること
により配線される半導体集積回路装置において、前述第
1配線材と前述第2配線材を接続するためのフンタクト
開孔部を一定の距離以上の包含余裕を保って包含する前
述第1配線材及びOり述第2配線材の膨らみより配線さ
れる前述第1配線材の中心を前述フンタクト開孔部の中
心より、前述コンタクト開孔部の前述包含余・裕の半分
の距離をづらして配線し、前述第2配線材の中心を前述
包含余裕の半分の距離を前述第1配線材のづらした方向
と反対の方向にづらして配線することを特徴とする。
1配線材と絶縁処理してある第2配線材を接続すること
により配線される半導体集積回路装置において、前述第
1配線材と前述第2配線材を接続するためのフンタクト
開孔部を一定の距離以上の包含余裕を保って包含する前
述第1配線材及びOり述第2配線材の膨らみより配線さ
れる前述第1配線材の中心を前述フンタクト開孔部の中
心より、前述コンタクト開孔部の前述包含余・裕の半分
の距離をづらして配線し、前述第2配線材の中心を前述
包含余裕の半分の距離を前述第1配線材のづらした方向
と反対の方向にづらして配線することを特徴とする。
[実施例]
本発明の半導体集積回路装置は、第1図に示す構造をし
ている。1がアルミニウムの第1配線材2が第1配線材
のアルミニウムと絶縁処理をしてあるアルミニウムの第
2配線材であり、6がコンタクト開孔部である。また、
4が第1配線材による配線の中心、5が第2配線材によ
る配線の中心、6がコンタクト開孔部の中心を示す。
ている。1がアルミニウムの第1配線材2が第1配線材
のアルミニウムと絶縁処理をしてあるアルミニウムの第
2配線材であり、6がコンタクト開孔部である。また、
4が第1配線材による配線の中心、5が第2配線材によ
る配線の中心、6がコンタクト開孔部の中心を示す。
第1図のように、4の第1配線材による配線の中心を、
6のコンタクト開孔部の中心より、α/2だけづらして
配線し、さらに、5の第2配線材による配線の中心を、
第1配線材のづらした方向と逆の方向に、α/2だけづ
らして配線する。これにより、複数の信号線の配線を行
う場合、第2図のよ5に、コンタクト開孔部の位置をづ
らして配線する。
6のコンタクト開孔部の中心より、α/2だけづらして
配線し、さらに、5の第2配線材による配線の中心を、
第1配線材のづらした方向と逆の方向に、α/2だけづ
らして配線する。これにより、複数の信号線の配線を行
う場合、第2図のよ5に、コンタクト開孔部の位置をづ
らして配線する。
[発明の効果]
本発明の効果は、配線の中心をコンタクト開孔部の中心
よりづらすことにより、必要な配線領域の幅が減少し、
半導体集積回路装置を小型化することができ、単価を下
げることができる。また、づらす距離は、大きいほど配
線領域は減少するが、それによる配線長の増加、及び、
配線の折れにより、電気特性が悪化してしまう。しかし
、づらす距離をコンタクト開孔部の包含余裕の半分に、
することにより、電気特性の悪化はな(なる。
よりづらすことにより、必要な配線領域の幅が減少し、
半導体集積回路装置を小型化することができ、単価を下
げることができる。また、づらす距離は、大きいほど配
線領域は減少するが、それによる配線長の増加、及び、
配線の折れにより、電気特性が悪化してしまう。しかし
、づらす距離をコンタクト開孔部の包含余裕の半分に、
することにより、電気特性の悪化はな(なる。
第1図に、本発明の半導体集積回路装置の構成図を示し
、第2図は、本発明により複数の信号線を配線した場合
の配線実施図である。第3図、及び、第4図は、従来の
半導体集積回路装置の構成図、及び、配線実施図である
。 1・・・・・・・・・アルミニウム配線図2・・・・・
・・・・上記アルミニウムと絶縁処理してあるアルミニ
ウム 5・・・・・・・・・コンタクト開孔部4・・・・・・
・・・1の配線の中心 5・・・・・・・・・2の配線の中心 6・・・・・・・・・フンタクト開孔部の中心以上 出願1人
、第2図は、本発明により複数の信号線を配線した場合
の配線実施図である。第3図、及び、第4図は、従来の
半導体集積回路装置の構成図、及び、配線実施図である
。 1・・・・・・・・・アルミニウム配線図2・・・・・
・・・・上記アルミニウムと絶縁処理してあるアルミニ
ウム 5・・・・・・・・・コンタクト開孔部4・・・・・・
・・・1の配線の中心 5・・・・・・・・・2の配線の中心 6・・・・・・・・・フンタクト開孔部の中心以上 出願1人
Claims (1)
- 第1配線材と、前述第1配線材と絶縁処理してある第
2配線材を接続することにより配線される半導体集積回
路装置において、前述第1配線材と前述第2配線材を接
続するためのコンタクト開孔部を一定の距離以上の包含
余裕を保って包含する前述第1配線材および前述第2配
線材の膨らみより配線される前述第1配線材の中心を前
述コンタクト開孔部の中心より、前述コンタクト開孔部
の前述包含余裕の半分の距離をづらして配線し、前述第
2配線材の中心を前述包含余裕の半分の距離を前述第1
配線材のづらした方向と反対の方向にづらして配線する
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27661188A JPH02122651A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27661188A JPH02122651A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02122651A true JPH02122651A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17571856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27661188A Pending JPH02122651A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02122651A (ja) |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP27661188A patent/JPH02122651A/ja active Pending
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