JPS61123164A - 半導体集積回路用パツケ−ジ - Google Patents
半導体集積回路用パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS61123164A JPS61123164A JP24680984A JP24680984A JPS61123164A JP S61123164 A JPS61123164 A JP S61123164A JP 24680984 A JP24680984 A JP 24680984A JP 24680984 A JP24680984 A JP 24680984A JP S61123164 A JPS61123164 A JP S61123164A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- conductive pins
- row
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、絶縁性基体の一平面に行及び列状に突出し
て配設された複数の導電性ピンを有した半導体集積回路
用パッケージに関するものである。
て配設された複数の導電性ピンを有した半導体集積回路
用パッケージに関するものである。
この種の半導体集積回路用パッケージはピングリッドア
レイ半導体パッケージとして知られており、従来第3図
及び第4図に示すものがあった。
レイ半導体パッケージとして知られており、従来第3図
及び第4図に示すものがあった。
+11は内部に半導体集積回路素子が収納される絶縁性
基体、(2)はこの絶縁性基体の一平面に行及び列状に
基盤の目を形成する位置に突出して配設された複数の導
電性ピンで、絶縁性基体(1)内部で半導体集積回路素
子と電気的に接続されるものである。
基体、(2)はこの絶縁性基体の一平面に行及び列状に
基盤の目を形成する位置に突出して配設された複数の導
電性ピンで、絶縁性基体(1)内部で半導体集積回路素
子と電気的に接続されるものである。
この様に構成された半導体集積回路用パッケージにおい
ては、各行における導電性ピンはそれぞれの間隔が′電
気的%性上必要とされる股小唾により制限されるととも
に、各列における導電i主ピンもそれぞれの間隔が電気
的特性上必要とされる峡小値により制限されているもの
であった。
ては、各行における導電性ピンはそれぞれの間隔が′電
気的%性上必要とされる股小唾により制限されるととも
に、各列における導電i主ピンもそれぞれの間隔が電気
的特性上必要とされる峡小値により制限されているもの
であった。
しかるに、この様に構成された半導体集積回路用パッケ
ージにあっては1行及び列状に基盤の目を形成する位置
に導電性ビンを配設して導電性ビンを多数配設できるよ
うにしているものの、まだ絶縁性基体111の一平面に
おける面積を有効に利用しているものではなかった。
ージにあっては1行及び列状に基盤の目を形成する位置
に導電性ビンを配設して導電性ビンを多数配設できるよ
うにしているものの、まだ絶縁性基体111の一平面に
おける面積を有効に利用しているものではなかった。
この発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、導
電性ビンのビン密度が増加し、より大くの導電性ビンが
配役できる半導体集積回路用パッケージを得ることを目
的とするものである。
電性ビンのビン密度が増加し、より大くの導電性ビンが
配役できる半導体集積回路用パッケージを得ることを目
的とするものである。
この発明に係る半導体集積回路用パッケージは。
るよう絶縁性基体の一平面に突出して配設したものであ
る。
る。
〔作 用〕
この発明においては、導電性ビンが行毎、+11毎に互
い違いに配設されることになり、単位面積当りのビン密
度全増大させるものである。
い違いに配設されることになり、単位面積当りのビン密
度全増大させるものである。
以下にこの発明の一実施例′t−第1図及び第2図に基
づいて説明する。この実施例においては、各行の導電性
ビン(2)が隣接する行の導電性ビン(21間に位置し
、各夕lの導を注ピン(2)が隣接する列の導電性ビン
(2)間に位置しているものであり、しかも各列におけ
る各導電性ビン(2)は、隣接する列の2つの導電性ビ
ン(2)とで形成される正三角形の頂点に位置するよう
配設されているものである。例えば、3つの導を性ビン
(211)(22,)(222)で正三角形を、3つの
導電性ビン(2)(2)(2)で正三角形を構成してい
るものである。
づいて説明する。この実施例においては、各行の導電性
ビン(2)が隣接する行の導電性ビン(21間に位置し
、各夕lの導を注ピン(2)が隣接する列の導電性ビン
(2)間に位置しているものであり、しかも各列におけ
る各導電性ビン(2)は、隣接する列の2つの導電性ビ
ン(2)とで形成される正三角形の頂点に位置するよう
配設されているものである。例えば、3つの導を性ビン
(211)(22,)(222)で正三角形を、3つの
導電性ビン(2)(2)(2)で正三角形を構成してい
るものである。
この様に構成された半導体集積回路用パッケージにおい
ては、正三角形の一辺t−m成する導電性ビン(2)間
隔を電気的特性上必要とされる値にすれば、第3図及び
第4図に示した従来例のものに対して単位面積当りf、
倍0本数になるものである。従って、絶縁性基体(1)
の一平面の面積を増大させることなく、かつ電気的特性
を悪化させることなく、導電性ビン(2)の数を増加で
きるものである。
ては、正三角形の一辺t−m成する導電性ビン(2)間
隔を電気的特性上必要とされる値にすれば、第3図及び
第4図に示した従来例のものに対して単位面積当りf、
倍0本数になるものである。従って、絶縁性基体(1)
の一平面の面積を増大させることなく、かつ電気的特性
を悪化させることなく、導電性ビン(2)の数を増加で
きるものである。
2つの導電性ビン(2)とで形成される正三角形の頂点
に位置するように配設しても良いものである。
に位置するように配設しても良いものである。
この発明は以上に述べたように、絶縁性基体の一平面に
行及び列状に突出して配設された複数の導電性ビンを有
したものにおいて、各行の導電装置するようにしたので
、絶縁性基体の一平面に配設される導電性ビンのビン密
度が増大し、導電性ビンの数を多くできるという効果を
有するものである。
行及び列状に突出して配設された複数の導電性ビンを有
したものにおいて、各行の導電装置するようにしたので
、絶縁性基体の一平面に配設される導電性ビンのビン密
度が増大し、導電性ビンの数を多くできるという効果を
有するものである。
第1図及び第2図はこの発明の一実施例を示す裏面図及
び側面図、第3図及び第4図は従来の半導体集積回路用
パ、ツケージを示す裏面図及び側面図である。 図において、 +11は絶縁性基体、(2)は導電性ビ
ンである。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
び側面図、第3図及び第4図は従来の半導体集積回路用
パ、ツケージを示す裏面図及び側面図である。 図において、 +11は絶縁性基体、(2)は導電性ビ
ンである。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- (1)絶縁性基体の一平面に行及び列状に突出して配設
された複数の導電性ピンを有したものにおいて、各行の
導電性ピンが隣接する行の導電性ピン間に位置するとと
もに、各列の導電性ピンが隣接する列の導電性ピン間に
位置していることを特徴とする半導体集積回路用パッケ
ージ。 - (2)各行における各導電性ピンは、隣接する行の2つ
の導電性ピンとで形成される正三角形の頂点に位置する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集
積回路用パッケージ。 - (3)各列における各導電性ピンは、隣接する列の2つ
の導電性ピンとで形成される正三角形の頂点に位置する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集
積回路用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24680984A JPS61123164A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 半導体集積回路用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24680984A JPS61123164A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 半導体集積回路用パツケ−ジ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61123164A true JPS61123164A (ja) | 1986-06-11 |
Family
ID=17154001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24680984A Pending JPS61123164A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 半導体集積回路用パツケ−ジ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61123164A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63185251U (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-29 | ||
JPH0250471A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP24680984A patent/JPS61123164A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63185251U (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-29 | ||
JPH0250471A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
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