JPH1136075A - 毎葉式マグネトロンスパッタ装置 - Google Patents

毎葉式マグネトロンスパッタ装置

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JPH1136075A
JPH1136075A JP9193530A JP19353097A JPH1136075A JP H1136075 A JPH1136075 A JP H1136075A JP 9193530 A JP9193530 A JP 9193530A JP 19353097 A JP19353097 A JP 19353097A JP H1136075 A JPH1136075 A JP H1136075A
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center
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恭治 木ノ切
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複雑な機構や工程を要することなく、ディス
ク基板にマスクを装着することができ、かつ、ディスク
基板をその中心軸の回りに回転しつつスパッタを行うこ
とができる装置を提供すること。 【解決手段】放電空間を形成するスパッタ室11内に磁
界を印加するように、磁界発生装置がスパッタ室の上方
に配置されている。このスパッタ室11内上部には前記
磁界発生装置による磁界が印加されるように、ターゲッ
ト21が配置されている。また、前記スパッタ室11に
は、その底部を構成する隔壁30に形成された開口部3
2を介してディスク搬送室12が連設されている。この
ディスク搬送室12内には、スパッタ膜を形成するため
のディスク基板31を載置して前記スパッタ室11の開
口部32に搬送するとともに、前記ディスク基板31を
その面内で回転するディスクプッシャ34が設けられて
いる。前記スパッタ室11内にはさらに、このディスク
プッシャ34上に載置される前記ディスク基板31の上
面中心部に接触し、前記ディスク基板31の回転ととも
に回転する回転センターマスク27が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタ装置に関
し、特に、情報記録媒体の製造に適する毎葉式マグネト
ロンスパッタ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、CDあるいはDVDなどの情報記
録用のディスクの製造に用いる毎葉式マグネトロンスパ
ッタ装置においては、反応室を構成する真空容器内に配
置されたターゲットに対向してディスク基板を固定配置
し、ディスク基板とは別に反応容器内に固定されたディ
スク基板のセンター部分および外周部分を覆うマスクを
介してスパッタを行っていた。
【0003】他方、光磁気(MO)ディスクのスパッタ
においては、予めディスク基板にセンターマスクおよび
外周マスクを装着し、これらのマスクが装着されたディ
スク基板をスパッタ装置の反応室内に搬入し、ディスク
基板を回転しつつスパッタを行っていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のCDあるいはDVDディスクの製造に用い
る毎葉式マグネトロンスパッタ装置においては、反応室
内に配置されたディスク基板はディスク基板の中心軸に
対して回転することなく固定配置された状態においてス
パッタが行われるため、ディスク基板表面に形成された
膜組成の分布、特にディスク基板の円周方向の分布の均
一性が不十分であり、満足すべき特性の成膜が得られな
いという問題があった。
【0005】他方、従来のMOディスクのスパッタにお
いては、ディスク基板を回転しつつスパッタを行ってい
るが、予めセンターマスクおよび外周マスクを装着した
ディスク基板を反応室内に搬入してスパッタを行うた
め、ディスク基板へのマスクの脱着機構あるいは搬送機
構を要し、構造および工程が複雑化する欠点があった。
また、ディスク基板からマスクを取り外す際、マスクに
堆積したスパッタ膜が剥離してディスク表面の膜を汚染
し、製品の歩留まりを低下する欠点もあった。
【0006】したがって本発明の目的は、複雑な機構や
工程を要することなく、ディスク基板にマスクを装着す
ることができ、かつ、ディスク基板をその中心軸の回り
に回転しつつスパッタを行うことができる装置を提供す
ることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、内部に
気密な放電空間を形成するスパッタ室と、このスパッタ
室内に磁界を印加するように、前記スパッタ室の上方に
配置された磁界発生装置と、この磁界発生装置による磁
界が印加されるように、前記スパッタ室内上部に配置さ
れたターゲットと、前記スパッタ室の底部を構成する隔
壁に形成された開口部を介して連設された気密空間を形
成するディスク搬送室と、このディスク搬送室内に設け
られ、スパッタ膜を形成するためのディスク基板を載置
して前記スパッタ室開口部に搬送するとともに、前記デ
ィスク基板をその面内で回転するディスクプッシャと、
このディスクプッシャ上に載置される前記ディスク基板
の上面中心部に接触し、前記ディスク基板の回転ととも
に回転可能に前記スパッタ室内に設けられた回転センタ
ーマスクとを備えたことを特徴とする毎葉式マグネトロ
ンスパッタ装置が提供される。
【0008】又、本発明によれば、前記回転センターマ
スクは、前記ターゲットの中心部から延長された回転軸
受けにより軸受けされていることを特徴とする前記毎葉
式マグネトロンスパッタ装置が提供される。
【0009】さらに、本発明によれば、前記ターゲット
の中心部には円筒状の水冷ジャケットが貫通配置され、
この水冷ジャケットに前記回転軸受けが連結されている
ことを特徴とする前記毎葉式マグネトロンスパッタ装置
が得られる。
【0010】さらに、本発明によれば、前記ディスクプ
ッシャの回転軸は前記ターゲットの中心に対して偏心し
ていることを特徴とする前記毎葉式マグネトロンスパッ
タ装置が得られる。
【0011】さらに、本発明によれば、前記回転センタ
ーマスクは、前記ターゲットの中心部から延長された断
面がL字型の回転軸受けにより軸受けされていることを
特徴とする前記毎葉式マグネトロンスパッタ装置が得ら
れる。
【0012】さらに、本発明によれば、前記L字型の回
転軸受けはクランプボルトにより円筒状の水冷ジャケッ
トに連結されていることを特徴とする前記毎葉式マグネ
トロンスパッタ装置が得られる。
【0013】さらに、本発明によれば、前記スパッタ室
の開口部周縁の隔壁上には、前記ディスクプッシャがデ
ィスク基板を前記スパッタ室開口部に搬送した際、前記
ディスク基板外周部に載置されディスク基板の回転とと
もに回転するリング状の外周マスクが載置されているこ
とを備えたことを特徴とする前記毎葉式マグネトロンス
パッタ装置が得られる。
【0014】さらに、本発明によれば、前記リング状の
外周マスクは前記スパッタ室の開口部周縁の隔壁に形成
された段差部に載置されていることを特徴とする前記毎
葉式マグネトロンスパッタ装置が得られる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
【0016】図1は本発明の実施形態を示す毎葉式マグ
ネトロンスパッタ装置の断面図である。このスパッタ装
置は、ほぼ円筒状の気密容器であるスパッタ室11と、
このスパッタ室11の下側に、このスパッタ室11に連
通して設けられた同じく気密容器であるディスク搬送室
12と、スパッタ室11の上側に設けられ、内部が大気
圧に維持された磁石収納室13から構成されている。磁
石収納室13内においては、同心的に配置された長円形
の二重リング磁石14−1、14−2が磁石回転台15
の下面に固定されている。磁石回転台15は磁石収納室
13の天井壁16を貫通する回転軸17に固定されてお
り、回転軸17は磁石収納室13上部に載置されたマグ
ネット回転モータ18により回転させられる。
【0017】スパッタ室11の上壁は内部が水冷ジャケ
ット構造のバッキングプレート20により形成されてい
る。この下面には成膜物質からなるデスク状のターゲッ
ト21がその外周部を支持するターゲット押さえ22に
より固定されている。ターゲット21の中心部には貫通
孔23が形成されており、この貫通孔23内に円筒状の
水冷ジャケット19が延長配置されている。円筒状の水
冷ジャケット19の下端には断面がL字状の軸受け24
がクランプボルト25により連結されている。L字状の
軸受け24の水平部下面にはベアリング26が固定され
ており、このベアリング26にセンターマスク27を構
成する円柱部27−1の端部が回転自在に結合されてい
る。
【0018】スパッタ室11とディスク搬送室12とを
区切る隔壁30には、ディスク基板31の上表面をスパ
ッタ室11に露出するための開口部32が設けられてい
る。また、ディスク搬送室12内には、真空雰囲気内で
動作する真空モータ33と、これにより水平面内で回転
させられるディスクプッシャ34が設けられている。こ
のディスクプッシャ34は金属製円板でその上面中心部
にはディスク基板31のセンタ孔35を貫通する突起部
36が形成されている。センタ孔35を貫通して上方に
突出した突起部36は、センターマスク27を構成する
円柱部27−1の下端に形成されている漏斗状の凹部2
7−2に挿入される。真空モータ33とこれに結合した
ディスクプッシャ34はディスク搬送室12の底板37
を貫通して設けられたシリンダ38の軸39によりディ
スク搬送室12内で上下に往復運動をする。
【0019】ディスク搬送室12内には、また、ディス
ク搬送アーム40の一端が回転軸41に固定されてお
り、他端にはディスク基板31が載置される環状のサセ
プタ部42が形成されている。ディスク搬送アーム40
は回転軸41の回りにほぼ90°の角度範囲で回転し、
図示の角度位置から90°の角度位置(図示せず)に置
いてディスク搬送室12の外部からディスク基板31が
環状のサセプタ部42に載置される。ディスク基板31
が環状のサセプタ部42に載置されるとディスク搬送ア
ーム40が90°回転し、ディスク基板31を図示のよ
うに、スパッタ室11の開口部32の直下に搬送する。
この状態においてシリンダ38の軸39が上昇し、ディ
スクプッシャ34はその突起部36をディスク基板31
のセンタ孔35に挿入してディスク基板31をサセプタ
部42の上方に押し上げ、ディスク基板31がセンター
マスク27の凹部27−2に接触した状態で上昇を停止
する。この停止位置において、ディスク基板31はスパ
ッタ室11底部隔壁30内に設けられた開口部32内に
配置されるとともに、隔壁30の開口部32周囲の肉厚
内に形成された段差部43に載置された環状の外周マス
ク44を段差部43から上方に押し上げ、ディスク基板
31の周縁部に載せ替える。この状態で、真空モータ3
3は回転を開始し、スパッタが行われる。
【0020】図2はスパッタ室11底部隔壁30の肉厚
内に形成された段差部43に載置された環状の外周マス
ク44およびディスク基板31の周縁部を部分的に拡大
して示す図である。外周マスク44は逆L字状の断面を
有しており、ディスク基板31がスパッタ位置に上昇す
るまでは、逆L字状断面の垂直部44−1が段差部43
上に載置されているが、ディスク基板31がスパッタ位
置に上昇すると、垂直部44−1は段差部43から離
れ、逆L字状断面の水平部44−2がディスク基板31
縁部に載置され、ディスク基板31が回転するとこれと
一体となって回転する。
【0021】スパッタ室11にはガス導入口45からア
ルゴンガスが導入され、バッキングプレート20とスパ
ッタ室11側壁46がその上端において接続するアノー
ドリング47間に放電用高電圧が印加されるとともに、
磁石収納室13内に収納された二重リング磁石14−
1、14−2による磁界がスパッタ室11内に印加さ
れ、スパッタ室11内には放電によるプラズマが発生す
る。この放電中、二重リング磁石14−1、14−2が
固定されている磁石回転台15はマグネット回転モータ
18により回転させられる。この磁石回転台15の回転
軸17はデスク状のターゲット21の中心軸21−1か
ら偏心した位置に配置されており、二重リング磁石14
−1、14−2をこの回転軸17の回りに回転すること
により、ターゲット21面のエロージョンが広い範囲で
均一に生じる。
【0022】また、この放電中、ディスクプッシャ34
上に載置されたディスク基板31は真空モータ33によ
り回転させられるが、この場合の回転中心軸27−3も
ターゲット21の中心軸21−1から偏心した位置に配
置されている。これにより、ディスク基板31の表面全
体、すなわち、円周方向および半径方向に対して均一な
膜厚のスパッタが行われる。
【0023】ディスク基板31が回転する場合、ディス
クプッシャ34の突起部36がセンターマスク27の凹
部27−2に挿入されているため、センターマスク27
は、ベアリング26が固定されたL字状の軸受けによ
り、ディスク基板31とともに回転する。
【0024】他方、スパッタ室11の底部隔壁30上に
は狭い間隙を置いて対向配置された一対の銅板50−
1、50−2から構成される電子トラップ50が設けら
れている。ターゲット21の材料がSiのような絶縁物
質の場合、スパッタにより、スパッタ室11の内壁に絶
縁物が付着し、スパッタ室11の放電空間に発生する電
子のスパッタ室11内壁への流入がが阻止され安定な放
電の維持が困難になる。電子トラップ50は一対の銅板
50−1、50−2が形成する間隙にはスパッタによる
絶縁物質が入り込みにくいことを利用して、この部分に
電子をトラップし、放電を安定に維持するためのもので
ある。また、電子トラップ50を構成する一方の銅板5
0−2はスパッタ室11底部隔壁30に接触して設けら
れるが、その端部はスパッタ室11底部開口部32に載
置された外周マスク44を覆うようにその端部が延長さ
れている。
【0025】なお、スパッタ室11と磁石収納室13は
ディスク搬送室12に対し、図示しないヒンジ構造によ
り、回動可能に結合されており、スパッタ室11と磁石
収納室13を手動により上方に回動し、ディスク搬送室
12を開放し保守作業などを行うことができるように構
成されている。
【0026】図3は本発明の他の実施形態を示すスパッ
タ装置の断面図であり、図4はその要部拡大図である。
図3および図4において、図1と実質的に同一の構成部
分には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。この実
施形態においてはディスク基板31の回転軸27−3は
ターゲット21の中心軸21−1とは偏心せず、同心的
に配置されている。ディスクプッシャ34の突起部36
が挿入される凹部61−1が形成された漏斗状のセンタ
ーマスク61はターゲット21の中心部貫通孔23を貫
通して下方に延長された円筒状軸受62の下端にボール
ベアリング機構62−1を介して回転自在に結合されて
いる。このボールベアリング機構62−1は図4に示さ
れるように、円筒状軸受62の中空部に螺合されたボル
ト63の周囲に装着されている。漏斗状のセンターマス
ク61はその上端中空部内にボールベアリング機構62
−1を収納するようにしてボールベアリング機構62−
1に結合されている。円筒状軸受62の上部はバッキン
グプレート20の円筒状の水冷ジャケット19−2によ
り冷却され、これに連結されたセンターマスク61も冷
却する。
【0027】図5は、本発明のさらに他の実施形態を示
すセンターマスク部分の拡大図である。この実施形態に
おいては、センターマスク71はターゲット21の中心
部貫通孔23を貫通して下方に延長される円柱部71−
1と、下端に形成された漏斗状の径大部71−2と、こ
の径大部71−2内に形成された軸柱71−3の周囲に
回転するように埋め込まれたボールベアリング機構72
と、このボールベアリング機構72により、軸柱71−
3の周囲に回転するように設けられた環状回転板73に
より構成されている。環状回転板73はディスク基板3
1のセンタ孔35周囲のディスク基板表面に接触する水
平面部73−1と、ボールベアリング機構72の一部を
構成する垂直部73−2から構成されている。環状回転
板73は、ディスク基板31が図示しないディスクプッ
シャにより上昇させられた時、ディスク基板31の表面
が水平面部73−1に接触し、接触面の摩擦力により、
ディスク基板31の回転に伴って回転する。これに対し
て、センターマスク71の径大部71−2はディスク基
板31の表面に対しては0.2〜0.3mm程度のわず
かな空隙を有しており、ディスク基板31の回転に対し
て静止している。
【0028】図6は、本発明のさらに他の実施形態を示
すセンターマスク部分の拡大図である。この実施形態に
おいては、図5の実施形態におけるボールベアリング機
構72の代わりに、軸柱71−3の周囲に放射状に配置
された複数個のローラ81が用いられている。複数個の
ローラ81は、ディスク基板31が図示しないディスク
プッシャにより上昇させられた時、ディスク基板31の
表面に接触し、ディスク基板31の回転に伴って水平な
回転軸81−1の回りに回転する。これに対して、セン
ターマスク71の径大部71−2は、図5の場合と同様
に、ディスク基板31の表面に対してはわずかな空隙を
有しており、ディスク基板31の回転に対して静止して
いる。
【0029】上記の実施形態においては、スパッタ時
に、ディスク基板31と一体に回転する外周マスク44
を用いたが、ディスク基板31の外周部にもスパッタ膜
を形成する場合には、図7に示すように、外周マスク4
4を省略することができる。また、ディスク基板31の
外周部側面にはスパッタ膜を形成しないようにするため
には、図8に示すように、ディスクプッシャ34のディ
スク基板31周囲に環状の垂直壁34−1を設ければよ
い。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の毎葉式マ
グネトロンスパッタ装置によれば、ディスク基板の中心
部に接触し、ディスク基板の回転により同時に回転する
回転センターマスクをスパッタ室側に設けたため、簡単
な構造により、ディスク基板表面全体に亘って均一な膜
分布を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す毎葉式マグネトロン
スパッタ装置の断面図である。
【図2】図1に示すスパッタ室11の底部隔壁30内に
形成された段差部43に載置された外周マスク44を部
分的に拡大して示す図である。
【図3】本発明の他の実施形態を示すスパッタ装置の断
面図である。
【図4】図3に示すスパッタ装置の要部拡大図である。
【図5】本発明のさらに他の実施形態を示すセンターマ
スク部分の拡大図である。
【図6】本発明のさらに他の実施形態を示すセンターマ
スク部分の拡大図である。
【図7】本発明のさらに他の実施形態を示す要部断面図
である。
【図8】本発明のさらに他の実施形態を示す要部断面図
である。
【符号の説明】
11 スパッタ室 12 ディスク搬送室 13 磁石収納室 14 二重リング磁石 15 磁石回転台 16 天井壁 17 回転軸 18 マグネット回転モータ 19 水冷ジャケット 20 バッキングプレート 21 ターゲット 22 ターゲット押さえ 23 貫通孔 24 L字状の軸受け 25 クランプボルト 26 ベアリング 27 センターマスク 30 隔壁 31 ディスク基板 32 開口部 33 真空モータ 34 ディスクプッシャ 35 センタ孔 36 突起部 37 底板 38 シリンダ 39 シリンダ軸 40 ディスク搬送アーム

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部に気密な放電空間を形成するスパッ
    タ室と、このスパッタ室内に磁界を印加するように、前
    記スパッタ室の上方に配置された磁界発生装置と、この
    磁界発生装置による磁界が印加されるように、前記スパ
    ッタ室内上部に配置されたターゲットと、前記スパッタ
    室の底部を構成する隔壁に形成された開口部を介して連
    設された気密空間を形成するディスク搬送室と、このデ
    ィスク搬送室内に設けられ、スパッタ膜を形成するため
    のディスク基板を載置して前記スパッタ室開口部に搬送
    するとともに、前記ディスク基板をその面内で回転する
    ディスクプッシャと、このディスクプッシャ上に載置さ
    れる前記ディスク基板の上面中心部に接触し、前記ディ
    スク基板の回転とともに回転可能に前記スパッタ室内に
    設けられた回転センターマスクとを備えたことを特徴と
    する毎葉式マグネトロンスパッタ装置。
  2. 【請求項2】 前記回転センターマスクは、前記ターゲ
    ットの中心部から延長された回転軸受けにより軸受けさ
    れていることを特徴とする請求項1記載の毎葉式マグネ
    トロンスパッタ装置。
  3. 【請求項3】 前記ターゲットの中心部には円筒状の水
    冷ジャケットが貫通配置され、この水冷ジャケットに前
    記回転軸受けが連結されていることを特徴とする請求項
    2記載の毎葉式マグネトロンスパッタ装置。
  4. 【請求項4】 前記ディスクプッシャの回転軸は前記タ
    ーゲットの中心に対して偏心していることを特徴とする
    請求項1記載の毎葉式マグネトロンスパッタ装置。
  5. 【請求項5】 前記回転センターマスクは、前記ターゲ
    ットの中心部から延長された断面がL字型の回転軸受け
    により軸受けされていることを特徴とする請求項1記載
    の毎葉式マグネトロンスパッタ装置。
  6. 【請求項6】 前記L字型の回転軸受けはクランプボル
    トにより円筒状の水冷ジャケットに連結されていること
    を特徴とする請求項3記載の毎葉式マグネトロンスパッ
    タ装置。
  7. 【請求項7】 前記スパッタ室の開口部周縁の隔壁上に
    は、前記ディスクプッシャがディスク基板を前記スパッ
    タ室開口部に搬送した際、前記ディスク基板外周部に載
    置されディスク基板の回転とともに回転するリング状の
    外周マスクが載置されていることを備えたことを特徴と
    する請求項1記載の毎葉式マグネトロンスパッタ装置。
  8. 【請求項8】 前記リング状の外周マスクは前記スパッ
    タ室の開口部周縁の隔壁に形成された段差部に載置され
    ていることを特徴とする請求項1記載の毎葉式マグネト
    ロンスパッタ装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6301044B1 (ja) * 2017-08-21 2018-03-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法
JP2019035137A (ja) * 2018-02-27 2019-03-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法
JP2021063279A (ja) * 2019-10-16 2021-04-22 株式会社アルバック スパッタリング装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5059269B2 (ja) * 2000-01-18 2012-10-24 オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト スパッタチャンバならびに真空輸送チャンバおよびこれらのチャンバを備えた真空処理装置
US6887356B2 (en) * 2000-11-27 2005-05-03 Cabot Corporation Hollow cathode target and methods of making same
US6740209B2 (en) * 2001-07-27 2004-05-25 Anelva Corporation Multilayer film deposition apparatus, and method and apparatus for manufacturing perpendicular-magnetic-recording media
US6776887B2 (en) * 2002-03-29 2004-08-17 Imation Corp. Method and apparatus for thin film center shielding
JP2003293131A (ja) * 2002-04-04 2003-10-15 Tdk Corp スパッタリング装置、スパッタリングによる薄膜形成方法および当該装置を用いたディスク状記録媒体の製造方法
TWI396766B (zh) * 2005-03-11 2013-05-21 Soleras Advanced Coatings Nv 用於支承可旋轉濺射目標的扁平端塊
JP4412293B2 (ja) * 2006-02-08 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 スパッタ装置
WO2018113904A1 (en) * 2016-12-19 2018-06-28 Applied Materials, Inc. Sputter deposition source and method of depositing a layer on a substrate
CN114166590B (zh) * 2021-11-15 2022-07-15 哈尔滨工业大学(威海) 一种用于介观尺度试样力学性能测试的磁控溅射设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61213368A (ja) * 1985-03-20 1986-09-22 Hitachi Maxell Ltd 真空成膜装置
JPH01294242A (ja) * 1988-02-22 1989-11-28 Seiko Epson Corp 光記録媒体の製造方法
JPH062136A (ja) * 1992-06-23 1994-01-11 Toshiba Corp 枚葉式成膜装置
JPH0734927Y2 (ja) * 1992-09-02 1995-08-09 中外炉工業株式会社 マグネットチャック式基板ホルダー
DE69322404T2 (de) * 1992-09-30 1999-04-29 Advanced Energy Industries, Inc., Fort Collins, Col. 80525 Topographisch genaues duennfilm-beschichtungssystem
JPH06116721A (ja) * 1992-10-06 1994-04-26 Nec Yamaguchi Ltd スパッタリング装置
DE4302851A1 (de) * 1993-02-02 1994-08-04 Leybold Ag Vorrichtung zum Anbringen und/oder Entfernen einer Maske an einem Substrat
JPH0757233A (ja) * 1993-08-19 1995-03-03 Hitachi Ltd 磁気記録媒体
JP3398452B2 (ja) * 1994-01-19 2003-04-21 株式会社ソニー・ディスクテクノロジー スパッタリング装置
US5800687A (en) * 1996-04-13 1998-09-01 Singulus Technologies Gmbh Device for masking or covering substrates
US5863399A (en) * 1996-04-13 1999-01-26 Singulus Technologies Gmbh Device for cathode sputtering
JPH09310167A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Toshiba Corp 枚葉式マグネトロンスパッタリング装置
JPH10121225A (ja) * 1996-10-09 1998-05-12 Shibaura Eng Works Co Ltd マスクの着脱装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6301044B1 (ja) * 2017-08-21 2018-03-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法
WO2019038811A1 (ja) * 2017-08-21 2019-02-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法
CN110997974A (zh) * 2017-08-21 2020-04-10 堺显示器制品株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法以及有机el显示装置的制造方法
US10669620B2 (en) 2017-08-21 2020-06-02 Sakai Display Products Corporation Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method of manufacturing organic EL display apparatus
US11008646B2 (en) 2017-08-21 2021-05-18 Sakai Display Products Corporation Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method of manufacturing organic EL display apparatus
JP2019035137A (ja) * 2018-02-27 2019-03-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法
JP2021063279A (ja) * 2019-10-16 2021-04-22 株式会社アルバック スパッタリング装置
TWI839548B (zh) * 2019-10-16 2024-04-21 日商愛發科股份有限公司 濺鍍裝置

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