JPH09310167A - 枚葉式マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
枚葉式マグネトロンスパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH09310167A JPH09310167A JP12601896A JP12601896A JPH09310167A JP H09310167 A JPH09310167 A JP H09310167A JP 12601896 A JP12601896 A JP 12601896A JP 12601896 A JP12601896 A JP 12601896A JP H09310167 A JPH09310167 A JP H09310167A
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- Japan
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- mask
- film
- glass substrate
- magnetron sputtering
- vacuum chamber
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- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パーティクルの発生を抑えることができる枚
葉式マグネトロンスパッタリング装置を提供する。 【解決手段】 真空室１に１枚ずつガラス基板３を搬入
し、真空室１内に成膜ガスを充填する。マグネット７を
揺動するいわゆるマグネットスウィープ方式でターゲッ
ト６からガラス基板３にプラズマ放電してスパッタ粒子
を放出して、ガラス基板３上に成膜する。成膜する際に
はガラス基板３の縁をマスク４で覆い、ガラス基板３の
縁がスパッタリングにより成膜されないようにする。交
換マスク11を交換可能にすることにより、膜が付着した
交換マスク11を膜が剥離してパーティクルが発生する前
に行なう。パーティクルの発生を抑えることができると
ともに、交換マスク11を交換する際に大気圧に戻して真
空室１を開放する必要がないので、ダウンタイムが減少
して稼働率が向上する。
葉式マグネトロンスパッタリング装置を提供する。 【解決手段】 真空室１に１枚ずつガラス基板３を搬入
し、真空室１内に成膜ガスを充填する。マグネット７を
揺動するいわゆるマグネットスウィープ方式でターゲッ
ト６からガラス基板３にプラズマ放電してスパッタ粒子
を放出して、ガラス基板３上に成膜する。成膜する際に
はガラス基板３の縁をマスク４で覆い、ガラス基板３の
縁がスパッタリングにより成膜されないようにする。交
換マスク11を交換可能にすることにより、膜が付着した
交換マスク11を膜が剥離してパーティクルが発生する前
に行なう。パーティクルの発生を抑えることができると
ともに、交換マスク11を交換する際に大気圧に戻して真
空室１を開放する必要がないので、ダウンタイムが減少
して稼働率が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を枚葉式に搬
送してマグネットスウィープ方式でスパッタリングする
枚葉式マグネトロンスパッタリング装置に関する。
送してマグネットスウィープ方式でスパッタリングする
枚葉式マグネトロンスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の枚葉式マグネトロンスパ
ッタリング装置としては、たとえば図９に示す構成が知
られている。
ッタリング装置としては、たとえば図９に示す構成が知
られている。
【０００３】この図９に示す枚葉式マグネトロンスパッ
タリング装置は、真空室１内にヒータを備えたサセプタ
２を配設し、このサセプタ２上にガラス基板３が載置さ
れる。また、このサセプタ２の上方には、ガラス基板３
の周囲を覆うマスク４が取り付けられている。
タリング装置は、真空室１内にヒータを備えたサセプタ
２を配設し、このサセプタ２上にガラス基板３が載置さ
れる。また、このサセプタ２の上方には、ガラス基板３
の周囲を覆うマスク４が取り付けられている。
【０００４】さらに、サセプタ２の上方には、サセプタ
２に対向して負電極となるターゲット６が配設され、真
空室１の上部には揺動可能なマグネット７が配設されて
いる。
２に対向して負電極となるターゲット６が配設され、真
空室１の上部には揺動可能なマグネット７が配設されて
いる。
【０００５】そして、真空室１内に成膜ガスを充填し、
マグネット７を揺動させながらターゲット６からガラス
基板３にプラズマ放電し、ガラス基板３上に成膜してい
る。また、成膜する際にはガラス基板３の縁をマスク４
で覆い、ガラス基板３の縁がスパッタリングにより成膜
されないようにしている。
マグネット７を揺動させながらターゲット６からガラス
基板３にプラズマ放電し、ガラス基板３上に成膜してい
る。また、成膜する際にはガラス基板３の縁をマスク４
で覆い、ガラス基板３の縁がスパッタリングにより成膜
されないようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マスク
４は真空室内に固定されているため、マスク４の交換が
煩雑になり、マスク４を頻繁に交換できないため、マス
ク４に付着した膜が厚みを増して、時間とともに剥離し
て、パーティクルが発生する原因になる問題を有してい
る。
４は真空室内に固定されているため、マスク４の交換が
煩雑になり、マスク４を頻繁に交換できないため、マス
ク４に付着した膜が厚みを増して、時間とともに剥離し
て、パーティクルが発生する原因になる問題を有してい
る。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、パーティクルの発生を抑えることができる枚葉式マ
グネトロンスパッタリング装置を提供することを目的と
する。
で、パーティクルの発生を抑えることができる枚葉式マ
グネトロンスパッタリング装置を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空室内に基
板を枚葉式に搬送し、マグネットスウィープ方式でスパ
ッタリングする枚葉式マグネトロンスパッタリング装置
において、前記基板のスパッタリングの不必要な部分を
覆う交換可能なマスクを具備したもので、マスクに付着
した膜をマスクごと容易に交換することにより、パーテ
ィクルの発生を抑えられる。
板を枚葉式に搬送し、マグネットスウィープ方式でスパ
ッタリングする枚葉式マグネトロンスパッタリング装置
において、前記基板のスパッタリングの不必要な部分を
覆う交換可能なマスクを具備したもので、マスクに付着
した膜をマスクごと容易に交換することにより、パーテ
ィクルの発生を抑えられる。
【０００９】また、交換マスクは、ブリッジあるいは格
子状部を有したので、基板上に平均的に電圧が印加され
て電圧変動を抑えられるので、異常放電を抑制する。
子状部を有したので、基板上に平均的に電圧が印加され
て電圧変動を抑えられるので、異常放電を抑制する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の枚葉式マグネトロ
ンスパッタリング装置の一実施の形態を図面を参照して
説明する。なお、図９に示す従来例に対応する部分に
は、同一符号を付して説明する。
ンスパッタリング装置の一実施の形態を図面を参照して
説明する。なお、図９に示す従来例に対応する部分に
は、同一符号を付して説明する。
【００１１】図１に示す枚葉式マグネトロンスパッタリ
ング装置は、真空チャンバなどの真空室１内にヒータを
備えたサセプタ２を配設し、このサセプタ２上にガラス
基板３が載置される。また、このサセプタ２の上方に
は、ガラス基板３の周囲を覆うマスク４が取り付けられ
ており、このマスク４の内周は、ガラス基板３に向けて
テーパ状に傾斜部4aが形成されている。さらに、マスク
４の下部のガラス基板３上には、図２に示すように、厚
さ０．５ｍｍ〜１．５ｍｍでガラス基板３の外形に対応
した口字枠状のアルミニウム（Ａｌ）製の表面がガラス
ビーズブラスト（Ｇｌａｓｓ Ｂｅａｄｓ Ｂｒｕｓ
ｔ）処理された交換マスク11が交換可能に取り付けら、
この交換マスク11の内周もマスク４の傾斜部4aの角度に
ほぼ対応した傾斜部11a が形成されている。
ング装置は、真空チャンバなどの真空室１内にヒータを
備えたサセプタ２を配設し、このサセプタ２上にガラス
基板３が載置される。また、このサセプタ２の上方に
は、ガラス基板３の周囲を覆うマスク４が取り付けられ
ており、このマスク４の内周は、ガラス基板３に向けて
テーパ状に傾斜部4aが形成されている。さらに、マスク
４の下部のガラス基板３上には、図２に示すように、厚
さ０．５ｍｍ〜１．５ｍｍでガラス基板３の外形に対応
した口字枠状のアルミニウム（Ａｌ）製の表面がガラス
ビーズブラスト（Ｇｌａｓｓ Ｂｅａｄｓ Ｂｒｕｓ
ｔ）処理された交換マスク11が交換可能に取り付けら、
この交換マスク11の内周もマスク４の傾斜部4aの角度に
ほぼ対応した傾斜部11a が形成されている。
【００１２】さらに、サセプタ２の上方には、サセプタ
２に対向して負電極となるターゲット６が配設され、真
空室１の上部には揺動可能なマグネット７が配設されて
いる。
２に対向して負電極となるターゲット６が配設され、真
空室１の上部には揺動可能なマグネット７が配設されて
いる。
【００１３】次に、上記実施の形態の動作について説明
する。
する。
【００１４】まず、真空室１に１枚ずつガラス基板３を
搬入し、真空室１内に成膜ガスを充填し、マグネット７
を揺動するいわゆるマグネットスウィープ方式でターゲ
ット６からガラス基板３にプラズマ放電してスパッタ粒
子を放出して、ガラス基板３上に成膜している。また、
成膜する際にはガラス基板３の縁をマスク４で覆い、ガ
ラス基板３の縁がスパッタリングにより成膜されないよ
うにしている。
搬入し、真空室１内に成膜ガスを充填し、マグネット７
を揺動するいわゆるマグネットスウィープ方式でターゲ
ット６からガラス基板３にプラズマ放電してスパッタ粒
子を放出して、ガラス基板３上に成膜している。また、
成膜する際にはガラス基板３の縁をマスク４で覆い、ガ
ラス基板３の縁がスパッタリングにより成膜されないよ
うにしている。
【００１５】このように、交換マスク11を交換可能にす
ることにより、膜が付着した交換マスク11を膜が剥離し
てパーティクルが発生する前に行なえるので、パーティ
クルの発生を抑えることができるとともに、交換マスク
11を交換する際に大気圧に戻して真空室１を開放する必
要がないので、ダウンタイムが減少して稼働率が向上す
る。
ることにより、膜が付着した交換マスク11を膜が剥離し
てパーティクルが発生する前に行なえるので、パーティ
クルの発生を抑えることができるとともに、交換マスク
11を交換する際に大気圧に戻して真空室１を開放する必
要がないので、ダウンタイムが減少して稼働率が向上す
る。
【００１６】次に、他の実施の形態を図３ないし図５を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１７】この図３ないし図５に示す実施の形態で
は、図１および図２に示す実施の形態の交換マスク11に
おいて、高さ１０〜１５ｍｍ、厚さ０．５〜１．５ｍ
ｍ、ピッチ１０〜１５ｍｍのブリッジ11b を等間隔に複
数平行に配設したものである。
は、図１および図２に示す実施の形態の交換マスク11に
おいて、高さ１０〜１５ｍｍ、厚さ０．５〜１．５ｍ
ｍ、ピッチ１０〜１５ｍｍのブリッジ11b を等間隔に複
数平行に配設したものである。
【００１８】そして、成膜の際の膜の斜方入射成分がガ
ラス基板３に対して垂直に並んでいるブリッジ11b に付
着するので、ガラス基板３に付着する膜のうち斜方入射
成分が減少する。
ラス基板３に対して垂直に並んでいるブリッジ11b に付
着するので、ガラス基板３に付着する膜のうち斜方入射
成分が減少する。
【００１９】また、たとえば５５０ｍｍ×６５０ｍｍの
ような大型のガラス基板３をスパッタリングする際に
は、斜方入射成分のみならず、従来はマグネット７の揺
動時にマグネット７がガラス基板３の中央部にあるとき
や端部にある位置の違いによって電圧変動が起こって、
異常放電を引き起こしていたりして、膜質に影響を与え
ていたが、ブリッジ11b を有することにより、交換マス
ク11はガラス基板３の縁の部分のみならず、ガラス基板
３全体の中央の上部にも交換マスク11のブリッジ11b が
位置するため、電圧がガラス基板３の全面に平均的にか
かるようになり、ガラス基板３の膜質が全体に均質にな
る。
ような大型のガラス基板３をスパッタリングする際に
は、斜方入射成分のみならず、従来はマグネット７の揺
動時にマグネット７がガラス基板３の中央部にあるとき
や端部にある位置の違いによって電圧変動が起こって、
異常放電を引き起こしていたりして、膜質に影響を与え
ていたが、ブリッジ11b を有することにより、交換マス
ク11はガラス基板３の縁の部分のみならず、ガラス基板
３全体の中央の上部にも交換マスク11のブリッジ11b が
位置するため、電圧がガラス基板３の全面に平均的にか
かるようになり、ガラス基板３の膜質が全体に均質にな
る。
【００２０】なお、実験によれば、図１および図２に示
す実施の形態の場合には、図６に示すように電圧変動Δ
Ｖ１が１００Ｖであるのに対し、図３ないし図５に示す
実施の形態の場合には、図７に示すように電圧変動ΔＶ
２を１０Ｖに抑えることができ、異常放電の抑制とな
り、膜質が向上する。
す実施の形態の場合には、図６に示すように電圧変動Δ
Ｖ１が１００Ｖであるのに対し、図３ないし図５に示す
実施の形態の場合には、図７に示すように電圧変動ΔＶ
２を１０Ｖに抑えることができ、異常放電の抑制とな
り、膜質が向上する。
【００２１】さらに、交換マスク11は厚さが０．５ｍｍ
〜１．５ｍｍのため、反りなどの変形のおそれがある
が、図３ないし図５に示すように、ブリッジ11b を形成
することにより、交換マスク11の剛性が上がり、変形を
抑制できる。
〜１．５ｍｍのため、反りなどの変形のおそれがある
が、図３ないし図５に示すように、ブリッジ11b を形成
することにより、交換マスク11の剛性が上がり、変形を
抑制できる。
【００２２】なお、交換マスク11は、アルミニウムに限
らず、たとえばチタン（Τｉ）でもよく、表面処理につ
いてはガラスビーズブラスト処理に限らずＡｌ溶射や他
の表面処理（ＡΕＴ処理）でもよい。また、大きさにつ
いては上述の大きさに限らず、たとえば厚さが１．０ｍ
ｍ〜２．０ｍｍ、ブリッジ11b の高さが１０ｍｍ〜２０
ｍｍ、厚さが１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ、ピッチが１０ｍ
ｍ〜２０ｍｍであっても同様の効果を得ることができ
る。
らず、たとえばチタン（Τｉ）でもよく、表面処理につ
いてはガラスビーズブラスト処理に限らずＡｌ溶射や他
の表面処理（ＡΕＴ処理）でもよい。また、大きさにつ
いては上述の大きさに限らず、たとえば厚さが１．０ｍ
ｍ〜２．０ｍｍ、ブリッジ11b の高さが１０ｍｍ〜２０
ｍｍ、厚さが１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ、ピッチが１０ｍ
ｍ〜２０ｍｍであっても同様の効果を得ることができ
る。
【００２３】また、交換マスク11は、図８に示すよう
に、ブリッジ11b に代えて格子状部11c を用いても同様
の効果を有する。
に、ブリッジ11b に代えて格子状部11c を用いても同様
の効果を有する。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、基板のスパッタリング
の不必要な部分を交換可能なマスクで覆うので、マスク
に付着した膜をマスクごと容易に交換することにより、
パーティクルの発生を抑えることができる。
の不必要な部分を交換可能なマスクで覆うので、マスク
に付着した膜をマスクごと容易に交換することにより、
パーティクルの発生を抑えることができる。
【００２５】また、ブリッジあるいは格子状部を形成す
ることにより、基板上に平均的に電圧が印加されて電圧
変動を抑えられるので、異常放電を抑制できる。
ることにより、基板上に平均的に電圧が印加されて電圧
変動を抑えられるので、異常放電を抑制できる。
【図１】本発明の枚葉式マグネトロンスパッタリング装
置の一実施の形態を示す模式図である。
置の一実施の形態を示す模式図である。
【図２】同上交換マスクを示す斜視図である。
【図３】同上他の実施の形態の枚葉式マグネトロンスパ
ッタリング装置を示す模式図である。
ッタリング装置を示す模式図である。
【図４】同上交換マスクを示す斜視図である。
【図５】同上ブリッジの大きさを示す側面図である。
【図６】同上図１および図２に示す実施の形態の電圧変
動を示すグラフである。
動を示すグラフである。
【図７】同上図３ないし図５に示す実施の形態の電圧変
動を示すグラフである。
動を示すグラフである。
【図８】同上交換マスクの他の例を示す斜視図である。
【図９】従来例の枚葉式マグネトロンスパッタリング装
置を示す模式図である。
置を示す模式図である。
１ 真空室 ３ ガラス基板 11 交換マスク
Claims (3)
- 【請求項１】 真空室内に基板を枚葉式に搬送し、マグ
ネットスウィープ方式でスパッタリングする枚葉式マグ
ネトロンスパッタリング装置において、 前記基板のスパッタリングの不必要な部分を覆う交換可
能なマスクを具備したことを特徴とする枚葉式マグネト
ロンスパッタリング装置。 - 【請求項２】 交換マスクは、ブリッジを有したことを
特徴とする請求項１記載の枚葉式マグネトロンスパッタ
リング装置。 - 【請求項３】 交換マスクは、格子状部を有したことを
特徴とする請求項１記載の枚葉式マグネトロンスパッタ
リング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12601896A JPH09310167A (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 枚葉式マグネトロンスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12601896A JPH09310167A (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 枚葉式マグネトロンスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09310167A true JPH09310167A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14924689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12601896A Pending JPH09310167A (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 枚葉式マグネトロンスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09310167A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004058A1 (fr) * | 1997-07-18 | 1999-01-28 | Shibaura Mechatronics Corporation | Dispositif de pulverisation cathodique a magnetron a feuille |
| CN100340696C (zh) * | 1999-01-11 | 2007-10-03 | 株式会社爱发科 | 溅射装置 |
| JP2012196765A (ja) * | 2012-07-23 | 2012-10-18 | Bridgestone Corp | ショットブラスト用マスク装置およびマスク方法 |
| WO2015025823A1 (ja) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | スパッタリング成膜装置及びスパッタリング成膜方法 |
| CN109023234A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩膜板更换装置及更换方法 |
-
1996
- 1996-05-21 JP JP12601896A patent/JPH09310167A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004058A1 (fr) * | 1997-07-18 | 1999-01-28 | Shibaura Mechatronics Corporation | Dispositif de pulverisation cathodique a magnetron a feuille |
| CN100340696C (zh) * | 1999-01-11 | 2007-10-03 | 株式会社爱发科 | 溅射装置 |
| JP2012196765A (ja) * | 2012-07-23 | 2012-10-18 | Bridgestone Corp | ショットブラスト用マスク装置およびマスク方法 |
| WO2015025823A1 (ja) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | スパッタリング成膜装置及びスパッタリング成膜方法 |
| CN109023234A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩膜板更换装置及更换方法 |
| CN109023234B (zh) * | 2018-08-09 | 2020-08-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩膜板更换装置及更换方法 |
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