TW520403B - Magnetron sputtering apparatus for single substrate processing - Google Patents

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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 520403 Α7 Β7 五、發明說明（1 ) 〔技術領域〕 本發明，係關於濺射裝置，特別係，有關適合製造資 訊記錄媒體之輪葉式磁控管濺射裝置。 〔背景技術〕 已往，在製造C D或D V D等資訊記錄用磁碟使用的 輪葉式磁控管濺射裝置，係將磁碟基板對向在構成濺射室 的真空容器內所配置之標靶固定配置，隔著覆蓋和磁碟基 板不同的被固定在反應容器內之磁碟基板的中心部份及外 周部份之罩進行濺射。 一方面，在光磁（Μ〇）碟的濺射，係事先將中心罩 及外周等著裝在磁碟基板，將此等被著裝罩的磁碟基板搬 入濺射裝置之濺射室內，一面把磁碟基板旋轉，而進行濺 射。 可是，在如上述的已往之製造CD或DVD磁碟所使 用的輪葉式磁控管濺射裝置，因配置在濺射室內之磁碟基 板，係對磁碟基板的中心軸不旋轉，而在被固定配置之狀 態進行濺射，故形成在磁碟基板表面的膜組成之分佈，特 別係在磁碟基板的圓周方向及半徑方向之分佈均勻性不充 份，具有無法得到滿意的特性之成膜的問題。 一方面，在已往之Μ〇磁碟的濺射，因一面將磁碟基 板旋轉而進行濺射，雖然旋轉方向之膜厚均勻性良好，但 是，因將事先著裝中心罩及外周罩的磁碟基板搬入濺射室 內進行濺射，故需要對磁碟基板的罩之裝卸機構式搬送機 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4- 520403 A7 _ B7 五、發明說明（2 ) 構’而具有製造及工程會複雜化之缺點。同時，也有把罩 從磁碟基板拆卸時，堆積在罩的濺射膜會剝離而污染磁碟 表面之膜，而降低製品的生產率之缺點。 因此’本發明之目的，係在提供不需要複雜的機構或 工程，而能夠將罩著裝在磁碟基板，而且，能夠使磁碟基 板一面在其中心軸之周圍旋轉而進行濺射的裝置。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖，係顯示本發明的一實施例之輪葉式磁控管濺 射裝置之斷面圖。 第2圖，係將載置在第1圖所示的濺射室1 1之底部 隔壁3 0內所形成的段差部4 3之外周罩4 4部份地擴大 顯示之圖。 第3圖，係顯示本發明的其他實施例之濺射裝置的斷 面圖。 第4圖，係第3圖所示的濺射裝置之主要部份擴大圖 〇 第5圖，係顯示本發明之更其他實施例的中心罩部份 之擴大圖。 第6圖，係顯示本發明之更其他實施例的中心罩部份 之擴大圖。 第7圖，係顯示本發明的更其他實施例之主要部份斷 面圖。 第8圖，係顯示本發明的更其他實施例之主要部份斷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ώψ 訂---------MW. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 520403 A7 --B7 五、發明說明（3 ) 面圖。 第9圖，係將由本發明的濺射裝置所形成之膜厚分佈 禾口由已往的濺射裝置之膜厚分佈比較顯示的圖表，同圖（ A )係將本發明之情況，同圖（b )係將已往的情況分另[j 顯示。 第1 0圖，係顯示本發明之更其他實施例的濺射裝置 之主要部份斷面圖。 第1 1圖’係顯示第1 0圖所示的濺射裝置之中心罩 部份的上面圖。 第1 2圖，係將由第1 〇圖所示的濺射裝置所形成之 膜厚分佈和習知裝置的比較顯示之圖表。 第1 3圖，係顯示本發明的更其他實施例之濺射裝置 的主要部份斷面圖。 〔圖號說明〕 11 濺射室，1 2 磁碟搬送室， 13 磁碟收容室，14— 1，14— 2 雙重環狀磁鐵 ，1 5 磁鐵旋轉台，1 6 天花板壁，1 7 旋轉軸， 18 磁鐵旋轉馬達，1 9 水冷套，2 〇 墊片， 2 1 標靶’ 2 2 標靶壓件，2 3 貫通孔， 2 4 軸承，2 5 夾緊螺栓，2 7 中心罩， 3 0 隔壁，3 1 磁碟基板，3 2 開口部， 3 3 真空馬達，3 4 磁碟推進器，3 5 中心孔， 3 8 缸，3 9 軸，4 0 磁碟搬送臂，4 1 旋轉軸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4f--------IT---------$ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Claims (1)

  1. 520403 A8 B% C； D 申請專利範圍L 公告本 需 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 附件1 - ————一- 第8 7 1 1 1 7 4〇號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國8 9年1 0月修正 1 · 一種輪葉式磁控管濺射裝置，其特徵爲具備有： 在內部形成氣密的放電空間之濺射室1 1 ，和使磁場 施加在該濺射室1 1地，配置在前述濺射室1 1上方的磁 場發生裝置1 3，和使由該磁場發生裝置1 3之磁場會被 施加地，配置在前述濺射室1 1內上部的標靶2 1 ，和冷 卻該標靶2 1般配置的水冷套1 9，和形成經由形成在構 成前述濺射室底部的隔壁3 0之開口部3 2所連設的氣密 空間之磁碟搬送室1 2，和設在該磁碟搬送室1 2內，把 爲了形成濺射膜的磁碟基板3 1載置而搬送至前述濺射室 1 1之開口部3 2，同時使前述磁碟基板3 1在其面內旋 轉之磁碟推進器3 4，及設於上述濺射室1 1之上述標靶 2 1之中心部所延伸之旋轉軸承2 4，接觸在該磁碟推進 器3 4上所載置的前述磁碟基板3 1之上面中心部，能夠 和前述磁碟基板3 1的旋轉一齊旋轉之旋轉中心罩2 7者 〇 2 ·如申請專利範圍第1項的輪葉式磁控管濺射裝置 ，其中前述旋轉中心罩2 7，係由前述標靶2 1的中心部 延長之旋轉軸承2 4所軸承者。 3 ·如申請專利範圍第1項的輪葉式磁控管濺射裝置 ，其中上述水冷套1 9，係形成圓筒狀，貫通上述標靶 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 520403 A8 B8 C8 ____D8 六、申請專利範圍 2 1之中心部配置，而在該水冷套1 9連結有前述旋轉軸 承2 4。 4 ·如申請專利範圍第1項的輪葉式磁控管濺射裝置 ’其中前述磁碟推進器3 4之旋轉軸3 9係對前述標靶 2 1的中心偏心者。 5 ·如申請專利範圍第1項的輪葉式磁控管濺射裝置 ’其中前述旋轉中心罩2 7，係由從前述標靶2 1之中心 部延長的斷面爲L字狀之旋轉軸承2 4所軸承者。 6 ·如申請專利範圍第5項的輪葉式磁控管濺射裝置 ，其中前述L字狀之旋轉軸承2 4，係由夾緊螺栓2 5連 結在圓1¾狀之水冷套1 9者。 7 ·如申請專利範圍第1項的輪葉式磁控管濺射裝置 ，其中在前述濺射室1 1之開口部3 2周緣的隔壁上，載 置有前述磁碟推進器3 4把磁碟基板3 1搬送至前述濺射 室1 1之開口部3 2時，隨被載置在前述磁碟基板2 1外 周部之磁碟基板3 1之旋轉而旋轉的環狀之外周罩4 4。 8 ·如申請專利範圍第7項的輪葉式磁控管濺射裝置 ，其中前述環狀之外周罩4 4，係載置在前述濺射室1 1 的開口部3 2周緣之隔壁所形成的段差部4 3者。 9 · 一種輪葉式磁控管濺射裝置，其特徵爲，具備有 在內部形成氣密的放電空間之濺射室1 1 ，和在該濺 射室1 1內施加磁場般配置於上述標靶室1 1之上方的磁 場發生裝置1 3，和使由該磁場發生裝置1 3之磁場會被 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
    -2 - 520403 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之內濺面 1 桿於 設 2 述其 1 持觸 連 1 前以室支接 被室至 1 射的 ， 2 送送 3 濺持部 3 搬搬板述支央 部碟而基上橋中 口 磁持碟成架之 開該保磁構被 2 的在 1 述切，9 9 設 3 前橫 2 桿 2 和板使及 3 持 壁，基時，部支 隔 2 碟同 4 口該 之 1 磁，3 開於 部室的 2 器的設 底送膜 3 進上地 1 搬射部推 ο 能 1 碟濺口碟 3 可 室磁成開磁壁轉 射的形之的隔旋 濺間了 1 轉之及 述空爲 1 旋部 ， 前密將室內底 2 成氣，射向之 9 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 施加地，配置在前述濺射室1 1內上方的標靶2 1 ，和冷 卻該標靶2 1般配置的水冷套1 9 ，和形成經由形成在構 成前述濺射室1 1底部之隔壁2 9的開口部3 2被連設之 氣密空間的磁碟搬送室1 2，和設在該磁碟.搬送室1 2內 ，將爲了形成濺射膜的磁碟基板3 1保持而搬送至前述濺 射室1 1之開口部3 2，同時使前述磁碟基板3 1以其面 向內旋轉的磁碟推進器3 4，及固定在由上述濺射室1 1 內之上述標靶2 1之中心部所延伸之圓筒狀支持體1 0 2 ,，在該磁碟推進器3 4上所保持之前述磁碟基板3 1表面 中心部和該表面之間隔著空隙被配置的中心罩1 0 1者。 1 0 . —種輪葉式磁控管濺射裝置，其特徵爲，具備 有： 在內部形成氣密的放電空間之濺射室1 1 ，和在該濺 射室1 1內施加磁場般配置於上述標靶室1 1之上方的磁 場發生裝置1 3，和使由該磁場發生裝置1 3之磁場會被 施加地，配置在前述濺射室1 1內上方的標靶2 1 ，和冷 卻該標靶2 1般配置的水冷套1 9 ，和形成經由形成在構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -3- 520403 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 上述磁碟推進器3 4上載置之上述磁碟基板3 1之上面中 心部’可隨上述磁碟基板3 1之旋轉而旋轉的旋轉中心罩 9 1。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項的輪葉式磁控管濺射 裝置，其中前述磁碟推進器3 4之旋轉軸3 9，係對前述 標靶2 1的中心偏心者。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項的輪葉式磁控管濺射 裝置，其中在前述支持桿9 2設有阻止從前述標靶2 1所 放出的濺射物質到達前述磁碟基板3 1表面之遮蔽板9 4 —1、9 4 — 2 者。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項的輪葉式磁控管濺射 裝置，其中前述遮蔽板94—1、 94一2，係配置在前 述支持桿9 2之兩端部和中央部間的至少一方，具有此等 之寬度沿前述支持桿9 2的長方向逐漸增加再逐漸減少地 變化之形狀者。 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項的輪葉式磁控管濺射 裝置，其中在前述支持桿9 2備有冷卻套9 5者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ 、1T. 經濟部智慧財/4局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -4 - 52040¾ 87111740號專利申請案附件3 圖式修正頁民國89,年1〇月修正
    第1圖 520403 民國88年10月修正 第87111740號専利申請案 中文圖式修正頁 |修it俠肩.0 表年用靄 痛先 16 17 — > 一 、i •18 13 /////
    第3圖 520403
    /Id r /
    I - \ -1A-2 HI \
    VT//M ,。 ηΚJ Mr101 1QVV j 31< 11 Zq 27-3^35 . 3〇
    第13圖
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WO (1) WO1999004058A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI396766B (zh) * 2005-03-11 2013-05-21 Soleras Advanced Coatings Nv 用於支承可旋轉濺射目標的扁平端塊

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001053561A1 (de) * 2000-01-18 2001-07-26 Unaxis Balzers Ag Sputterkammer sowie vakuumtransportkammer und vakuumbehandlungsanlagen mit solchen kammern
US6887356B2 (en) * 2000-11-27 2005-05-03 Cabot Corporation Hollow cathode target and methods of making same
US6740209B2 (en) * 2001-07-27 2004-05-25 Anelva Corporation Multilayer film deposition apparatus, and method and apparatus for manufacturing perpendicular-magnetic-recording media
US6776887B2 (en) * 2002-03-29 2004-08-17 Imation Corp. Method and apparatus for thin film center shielding
JP2003293131A (ja) * 2002-04-04 2003-10-15 Tdk Corp スパッタリング装置、スパッタリングによる薄膜形成方法および当該装置を用いたディスク状記録媒体の製造方法
JP4412293B2 (ja) * 2006-02-08 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 スパッタ装置
CN110050325B (zh) * 2016-12-19 2021-11-09 应用材料公司 溅射沉积源、具有该溅射沉积源的溅射沉积设备以及将层沉积于基板上的方法
JP6301044B1 (ja) * 2017-08-21 2018-03-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6514381B2 (ja) * 2018-02-27 2019-05-15 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP7326106B2 (ja) * 2019-10-16 2023-08-15 株式会社アルバック スパッタリング装置
CN114166590B (zh) * 2021-11-15 2022-07-15 哈尔滨工业大学（威海） 一种用于介观尺度试样力学性能测试的磁控溅射设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61213368A (ja) * 1985-03-20 1986-09-22 Hitachi Maxell Ltd 真空成膜装置
JPH01294242A (ja) * 1988-02-22 1989-11-28 Seiko Epson Corp 光記録媒体の製造方法
JPH062136A (ja) * 1992-06-23 1994-01-11 Toshiba Corp 枚葉式成膜装置
JPH0734927Y2 (ja) * 1992-09-02 1995-08-09 中外炉工業株式会社 マグネットチャック式基板ホルダー
WO1994008067A1 (en) * 1992-09-30 1994-04-14 Advanced Energy Industries, Inc. Topographically precise thin film coating system
JPH06116721A (ja) * 1992-10-06 1994-04-26 Nec Yamaguchi Ltd スパッタリング装置
DE4302851A1 (de) * 1993-02-02 1994-08-04 Leybold Ag Vorrichtung zum Anbringen und/oder Entfernen einer Maske an einem Substrat
JPH0757233A (ja) * 1993-08-19 1995-03-03 Hitachi Ltd 磁気記録媒体
JP3398452B2 (ja) * 1994-01-19 2003-04-21 株式会社ソニー・ディスクテクノロジー スパッタリング装置
US5800687A (en) * 1996-04-13 1998-09-01 Singulus Technologies Gmbh Device for masking or covering substrates
US5863399A (en) * 1996-04-13 1999-01-26 Singulus Technologies Gmbh Device for cathode sputtering
JPH09310167A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Toshiba Corp 枚葉式マグネトロンスパッタリング装置
JPH10121225A (ja) * 1996-10-09 1998-05-12 Shibaura Eng Works Co Ltd マスクの着脱装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI396766B (zh) * 2005-03-11 2013-05-21 Soleras Advanced Coatings Nv 用於支承可旋轉濺射目標的扁平端塊

Also Published As

Publication number Publication date
EP0933444A4 (en) 2004-05-26
KR100378752B1 (ko) 2003-04-07
WO1999004058A1 (fr) 1999-01-28
US6083364A (en) 2000-07-04
ATE382721T1 (de) 2008-01-15
KR20000068592A (ko) 2000-11-25
CN1234838A (zh) 1999-11-10
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JPH1136075A (ja) 1999-02-09
EP0933444A1 (en) 1999-08-04
JP3096258B2 (ja) 2000-10-10
EP0933444B1 (en) 2008-01-02
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