TW520403B - Magnetron sputtering apparatus for single substrate processing - Google Patents
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Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 520403 Α7 Β7 五、發明說明(1 ) 〔技術領域〕 本發明,係關於濺射裝置,特別係,有關適合製造資 訊記錄媒體之輪葉式磁控管濺射裝置。 〔背景技術〕 已往,在製造C D或D V D等資訊記錄用磁碟使用的 輪葉式磁控管濺射裝置,係將磁碟基板對向在構成濺射室 的真空容器內所配置之標靶固定配置,隔著覆蓋和磁碟基 板不同的被固定在反應容器內之磁碟基板的中心部份及外 周部份之罩進行濺射。 一方面,在光磁(Μ〇)碟的濺射,係事先將中心罩 及外周等著裝在磁碟基板,將此等被著裝罩的磁碟基板搬 入濺射裝置之濺射室內,一面把磁碟基板旋轉,而進行濺 射。 可是,在如上述的已往之製造CD或DVD磁碟所使 用的輪葉式磁控管濺射裝置,因配置在濺射室內之磁碟基 板,係對磁碟基板的中心軸不旋轉,而在被固定配置之狀 態進行濺射,故形成在磁碟基板表面的膜組成之分佈,特 別係在磁碟基板的圓周方向及半徑方向之分佈均勻性不充 份,具有無法得到滿意的特性之成膜的問題。 一方面,在已往之Μ〇磁碟的濺射,因一面將磁碟基 板旋轉而進行濺射,雖然旋轉方向之膜厚均勻性良好,但 是,因將事先著裝中心罩及外周罩的磁碟基板搬入濺射室 內進行濺射,故需要對磁碟基板的罩之裝卸機構式搬送機 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4- 520403 A7 _ B7 五、發明說明(2 ) 構’而具有製造及工程會複雜化之缺點。同時,也有把罩 從磁碟基板拆卸時,堆積在罩的濺射膜會剝離而污染磁碟 表面之膜,而降低製品的生產率之缺點。 因此’本發明之目的,係在提供不需要複雜的機構或 工程,而能夠將罩著裝在磁碟基板,而且,能夠使磁碟基 板一面在其中心軸之周圍旋轉而進行濺射的裝置。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖,係顯示本發明的一實施例之輪葉式磁控管濺 射裝置之斷面圖。 第2圖,係將載置在第1圖所示的濺射室1 1之底部 隔壁3 0內所形成的段差部4 3之外周罩4 4部份地擴大 顯示之圖。 第3圖,係顯示本發明的其他實施例之濺射裝置的斷 面圖。 第4圖,係第3圖所示的濺射裝置之主要部份擴大圖 〇 第5圖,係顯示本發明之更其他實施例的中心罩部份 之擴大圖。 第6圖,係顯示本發明之更其他實施例的中心罩部份 之擴大圖。 第7圖,係顯示本發明的更其他實施例之主要部份斷 面圖。 第8圖,係顯示本發明的更其他實施例之主要部份斷 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ώψ 訂---------MW. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 520403 A7 --B7 五、發明說明(3 ) 面圖。 第9圖,係將由本發明的濺射裝置所形成之膜厚分佈 禾口由已往的濺射裝置之膜厚分佈比較顯示的圖表,同圖( A )係將本發明之情況,同圖(b )係將已往的情況分另[j 顯示。 第1 0圖,係顯示本發明之更其他實施例的濺射裝置 之主要部份斷面圖。 第1 1圖’係顯示第1 0圖所示的濺射裝置之中心罩 部份的上面圖。 第1 2圖,係將由第1 〇圖所示的濺射裝置所形成之 膜厚分佈和習知裝置的比較顯示之圖表。 第1 3圖,係顯示本發明的更其他實施例之濺射裝置 的主要部份斷面圖。 〔圖號說明〕 11 濺射室,1 2 磁碟搬送室, 13 磁碟收容室,14— 1,14— 2 雙重環狀磁鐵 ,1 5 磁鐵旋轉台,1 6 天花板壁,1 7 旋轉軸, 18 磁鐵旋轉馬達,1 9 水冷套,2 〇 墊片, 2 1 標靶’ 2 2 標靶壓件,2 3 貫通孔, 2 4 軸承,2 5 夾緊螺栓,2 7 中心罩, 3 0 隔壁,3 1 磁碟基板,3 2 開口部, 3 3 真空馬達,3 4 磁碟推進器,3 5 中心孔, 3 8 缸,3 9 軸,4 0 磁碟搬送臂,4 1 旋轉軸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4f--------IT---------$ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Claims (1)
- 520403 A8 B% C; D 申請專利範圍L 公告本 需 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 附件1 - ————一- 第8 7 1 1 1 7 4〇號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國8 9年1 0月修正 1 · 一種輪葉式磁控管濺射裝置,其特徵爲具備有: 在內部形成氣密的放電空間之濺射室1 1 ,和使磁場 施加在該濺射室1 1地,配置在前述濺射室1 1上方的磁 場發生裝置1 3,和使由該磁場發生裝置1 3之磁場會被 施加地,配置在前述濺射室1 1內上部的標靶2 1 ,和冷 卻該標靶2 1般配置的水冷套1 9,和形成經由形成在構 成前述濺射室底部的隔壁3 0之開口部3 2所連設的氣密 空間之磁碟搬送室1 2,和設在該磁碟搬送室1 2內,把 爲了形成濺射膜的磁碟基板3 1載置而搬送至前述濺射室 1 1之開口部3 2,同時使前述磁碟基板3 1在其面內旋 轉之磁碟推進器3 4,及設於上述濺射室1 1之上述標靶 2 1之中心部所延伸之旋轉軸承2 4,接觸在該磁碟推進 器3 4上所載置的前述磁碟基板3 1之上面中心部,能夠 和前述磁碟基板3 1的旋轉一齊旋轉之旋轉中心罩2 7者 〇 2 ·如申請專利範圍第1項的輪葉式磁控管濺射裝置 ,其中前述旋轉中心罩2 7,係由前述標靶2 1的中心部 延長之旋轉軸承2 4所軸承者。 3 ·如申請專利範圍第1項的輪葉式磁控管濺射裝置 ,其中上述水冷套1 9,係形成圓筒狀,貫通上述標靶 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 520403 A8 B8 C8 ____D8 六、申請專利範圍 2 1之中心部配置,而在該水冷套1 9連結有前述旋轉軸 承2 4。 4 ·如申請專利範圍第1項的輪葉式磁控管濺射裝置 ’其中前述磁碟推進器3 4之旋轉軸3 9係對前述標靶 2 1的中心偏心者。 5 ·如申請專利範圍第1項的輪葉式磁控管濺射裝置 ’其中前述旋轉中心罩2 7,係由從前述標靶2 1之中心 部延長的斷面爲L字狀之旋轉軸承2 4所軸承者。 6 ·如申請專利範圍第5項的輪葉式磁控管濺射裝置 ,其中前述L字狀之旋轉軸承2 4,係由夾緊螺栓2 5連 結在圓1¾狀之水冷套1 9者。 7 ·如申請專利範圍第1項的輪葉式磁控管濺射裝置 ,其中在前述濺射室1 1之開口部3 2周緣的隔壁上,載 置有前述磁碟推進器3 4把磁碟基板3 1搬送至前述濺射 室1 1之開口部3 2時,隨被載置在前述磁碟基板2 1外 周部之磁碟基板3 1之旋轉而旋轉的環狀之外周罩4 4。 8 ·如申請專利範圍第7項的輪葉式磁控管濺射裝置 ,其中前述環狀之外周罩4 4,係載置在前述濺射室1 1 的開口部3 2周緣之隔壁所形成的段差部4 3者。 9 · 一種輪葉式磁控管濺射裝置,其特徵爲,具備有 在內部形成氣密的放電空間之濺射室1 1 ,和在該濺 射室1 1內施加磁場般配置於上述標靶室1 1之上方的磁 場發生裝置1 3,和使由該磁場發生裝置1 3之磁場會被 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}-2 - 520403 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之內濺面 1 桿於 設 2 述其 1 持觸 連 1 前以室支接 被室至 1 射的 , 2 送送 3 濺持部 3 搬搬板述支央 部碟而基上橋中 口 磁持碟成架之 開該保磁構被 2 的在 1 述切,9 9 設 3 前橫 2 桿 2 和板使及 3 持 壁,基時,部支 隔 2 碟同 4 口該 之 1 磁,3 開於 部室的 2 器的設 底送膜 3 進上地 1 搬射部推 ο 能 1 碟濺口碟 3 可 室磁成開磁壁轉 射的形之的隔旋 濺間了 1 轉之及 述空爲 1 旋部 , 前密將室內底 2 成氣,射向之 9 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 施加地,配置在前述濺射室1 1內上方的標靶2 1 ,和冷 卻該標靶2 1般配置的水冷套1 9 ,和形成經由形成在構 成前述濺射室1 1底部之隔壁2 9的開口部3 2被連設之 氣密空間的磁碟搬送室1 2,和設在該磁碟.搬送室1 2內 ,將爲了形成濺射膜的磁碟基板3 1保持而搬送至前述濺 射室1 1之開口部3 2,同時使前述磁碟基板3 1以其面 向內旋轉的磁碟推進器3 4,及固定在由上述濺射室1 1 內之上述標靶2 1之中心部所延伸之圓筒狀支持體1 0 2 ,,在該磁碟推進器3 4上所保持之前述磁碟基板3 1表面 中心部和該表面之間隔著空隙被配置的中心罩1 0 1者。 1 0 . —種輪葉式磁控管濺射裝置,其特徵爲,具備 有: 在內部形成氣密的放電空間之濺射室1 1 ,和在該濺 射室1 1內施加磁場般配置於上述標靶室1 1之上方的磁 場發生裝置1 3,和使由該磁場發生裝置1 3之磁場會被 施加地,配置在前述濺射室1 1內上方的標靶2 1 ,和冷 卻該標靶2 1般配置的水冷套1 9 ,和形成經由形成在構 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)-3- 520403 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 上述磁碟推進器3 4上載置之上述磁碟基板3 1之上面中 心部’可隨上述磁碟基板3 1之旋轉而旋轉的旋轉中心罩 9 1。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項的輪葉式磁控管濺射 裝置,其中前述磁碟推進器3 4之旋轉軸3 9,係對前述 標靶2 1的中心偏心者。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項的輪葉式磁控管濺射 裝置,其中在前述支持桿9 2設有阻止從前述標靶2 1所 放出的濺射物質到達前述磁碟基板3 1表面之遮蔽板9 4 —1、9 4 — 2 者。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項的輪葉式磁控管濺射 裝置,其中前述遮蔽板94—1、 94一2,係配置在前 述支持桿9 2之兩端部和中央部間的至少一方,具有此等 之寬度沿前述支持桿9 2的長方向逐漸增加再逐漸減少地 變化之形狀者。 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項的輪葉式磁控管濺射 裝置,其中在前述支持桿9 2備有冷卻套9 5者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ 、1T. 經濟部智慧財/4局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -4 - 52040¾ 87111740號專利申請案附件3 圖式修正頁民國89,年1〇月修正第1圖 520403 民國88年10月修正 第87111740號専利申請案 中文圖式修正頁 |修it俠肩.0 表年用靄 痛先 16 17 — > 一 、i •18 13 /////第3圖 520403/Id r /I - \ -1A-2 HI \VT//M ,。 ηΚJ Mr101 1QVV j 31< 11 Zq 27-3^35 . 3〇第13圖
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