JPH11322414A - 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ - Google Patents
誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH11322414A JPH11322414A JP10128625A JP12862598A JPH11322414A JP H11322414 A JPH11322414 A JP H11322414A JP 10128625 A JP10128625 A JP 10128625A JP 12862598 A JP12862598 A JP 12862598A JP H11322414 A JPH11322414 A JP H11322414A
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- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
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- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界強度１０ｋＶ／ｍｍでのＣＲ積が室温で
５０００Ω・Ｆ、１５０℃で２００Ω・Ｆ以上と高く、
絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、ＤＣバイアス特性や絶
縁耐力に優れ、温度特性がＢ特性およびＸ７Ｒ特性を満
足し、耐候性能に優れ、内部電極にＮｉを使用した積層
セラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】 セラミック層２ａ，２ｂのための誘電体
磁器組成物は、｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋Ｒ2 Ｏ3 ＋Ｂａ
ＺｒＯ3 ＋ＭｇＯ＋ＭｎＯ（Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ 3 、Ｇ
ｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ 3 、Ｙｂ2 Ｏ3 の少なくとも１種）系
の主成分と、この主成分１００モルに対して、ＳｉＯ2
に換算して０．２〜５．０モルの副成分としての酸化珪
素とを含有する。
５０００Ω・Ｆ、１５０℃で２００Ω・Ｆ以上と高く、
絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、ＤＣバイアス特性や絶
縁耐力に優れ、温度特性がＢ特性およびＸ７Ｒ特性を満
足し、耐候性能に優れ、内部電極にＮｉを使用した積層
セラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】 セラミック層２ａ，２ｂのための誘電体
磁器組成物は、｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋Ｒ2 Ｏ3 ＋Ｂａ
ＺｒＯ3 ＋ＭｇＯ＋ＭｎＯ（Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ 3 、Ｇ
ｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ 3 、Ｙｂ2 Ｏ3 の少なくとも１種）系
の主成分と、この主成分１００モルに対して、ＳｉＯ2
に換算して０．２〜５．０モルの副成分としての酸化珪
素とを含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器組成物
および積層セラミックコンデンサに関するものである。
および積層セラミックコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、積層セラミックコンデンサは
以下のようにして製造されるのが一般的である。まず、
その表面に内部電極となる電極材料を塗布したシート状
の誘電体材料が準備される。誘電体材料としては、たと
えばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料が用いられる。次
に、この電極材料を塗布したシート状の誘電体材料を積
層して熱圧着し、一体化したものを大気雰囲気中におい
て１２５０〜１３５０℃で焼成することによって、内部
電極を有するセラミック積層体が得られる。そして、こ
のセラミック積層体の端面に、内部電極と電気的に導通
する外部電極を焼き付けることにより、積層セラミック
コンデンサが得られる。
以下のようにして製造されるのが一般的である。まず、
その表面に内部電極となる電極材料を塗布したシート状
の誘電体材料が準備される。誘電体材料としては、たと
えばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料が用いられる。次
に、この電極材料を塗布したシート状の誘電体材料を積
層して熱圧着し、一体化したものを大気雰囲気中におい
て１２５０〜１３５０℃で焼成することによって、内部
電極を有するセラミック積層体が得られる。そして、こ
のセラミック積層体の端面に、内部電極と電気的に導通
する外部電極を焼き付けることにより、積層セラミック
コンデンサが得られる。
【０００３】この積層セラミックコンデンサの内部電極
の材料として、従来は、一般的に、白金、金、パラジウ
ムあるいは銀−パラジウム合金などの貴金属が用いられ
ていた。しかしながら、これらの電極材料は優れた特性
を有する反面、高価であるため、製造コストを上昇させ
る要因となっていた。そのため、現在は、製造コストを
低下させるために卑金属のＮｉを内部電極とする積層コ
ンデンサが提案され、使用量が増大している。
の材料として、従来は、一般的に、白金、金、パラジウ
ムあるいは銀−パラジウム合金などの貴金属が用いられ
ていた。しかしながら、これらの電極材料は優れた特性
を有する反面、高価であるため、製造コストを上昇させ
る要因となっていた。そのため、現在は、製造コストを
低下させるために卑金属のＮｉを内部電極とする積層コ
ンデンサが提案され、使用量が増大している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電子機器の小型化、高
機能化、低価格化が進む中、積層セラミックコンデンサ
に対しても、低価格化、絶縁耐力の向上、絶縁性の向
上、信頼性の向上、大容量化の要求が強くなっている。
電子機器の低価格化のためには、内部電極にニッケルを
用いた低価格の積層セラミックコンデンサを使うことが
有利であるが、従来の誘電体磁器材料は、低い電界強度
下で使用されることを前提として設計されていたので、
高い電界強度下で使用すると、絶縁抵抗値、絶縁耐力お
よび信頼性が極端に低下するという問題が生じた。すな
わち、内部電極にニッケルを用いながら、高電界強度下
で使用できる積層セラミックコンデンサはなかった。
機能化、低価格化が進む中、積層セラミックコンデンサ
に対しても、低価格化、絶縁耐力の向上、絶縁性の向
上、信頼性の向上、大容量化の要求が強くなっている。
電子機器の低価格化のためには、内部電極にニッケルを
用いた低価格の積層セラミックコンデンサを使うことが
有利であるが、従来の誘電体磁器材料は、低い電界強度
下で使用されることを前提として設計されていたので、
高い電界強度下で使用すると、絶縁抵抗値、絶縁耐力お
よび信頼性が極端に低下するという問題が生じた。すな
わち、内部電極にニッケルを用いながら、高電界強度下
で使用できる積層セラミックコンデンサはなかった。
【０００５】具体的には、特公昭５７−４２５８８号公
報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘電
体材料は、大きな誘電率が得られるものの、得られた誘
電体磁器の結晶粒が大きく、その結果、高い電界強度下
で使用した場合、積層セラミックコンデンサにおける絶
縁耐力が低くなったり、高温負荷試験の平均寿命時間が
短くなるという欠点があった。
報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘電
体材料は、大きな誘電率が得られるものの、得られた誘
電体磁器の結晶粒が大きく、その結果、高い電界強度下
で使用した場合、積層セラミックコンデンサにおける絶
縁耐力が低くなったり、高温負荷試験の平均寿命時間が
短くなるという欠点があった。
【０００６】また、特公昭６１−１４６１１号公報また
は特開平７−２７２９７１号公報に示される誘電体材料
では、低電界強度下で得られる誘電率は、それぞれ、２
０００以上または３０００以上と高いものの、高い電界
強度下で使用したときには、誘電率すなわち静電容量が
著しく低くなるという欠点があった。また、同時に絶縁
抵抗値が低いという欠点もあった。さらに、添加成分と
して、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 あるいはＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系の酸化物を含むことから、これらが焼成中に飛び、焼
成ロット間で電気的特性のばらつきが生じやすいという
問題があった。
は特開平７−２７２９７１号公報に示される誘電体材料
では、低電界強度下で得られる誘電率は、それぞれ、２
０００以上または３０００以上と高いものの、高い電界
強度下で使用したときには、誘電率すなわち静電容量が
著しく低くなるという欠点があった。また、同時に絶縁
抵抗値が低いという欠点もあった。さらに、添加成分と
して、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 あるいはＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系の酸化物を含むことから、これらが焼成中に飛び、焼
成ロット間で電気的特性のばらつきが生じやすいという
問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、高電界強度、具
体的には１０ｋＶ／ｍｍ程度の高い電界強度で使用した
ときに、絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ積）で表した
場合に、室温および１５０℃で、それぞれ５０００Ω・
Ｆおよび２００Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存
性が小さく、ＤＣバイアス電圧に対する静電容量の安定
性に優れ、絶縁耐力が高く、静電容量の温度特性がＪＩ
Ｓ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ
７Ｒ特性をそれぞれ満足し、高温負荷、耐湿負荷などの
耐候性能に優れた、たとえば積層セラミックコンデンサ
の誘電体セラミック層を構成し得る誘電体磁器組成物を
提供しようとすること、ならびに、このような誘電体磁
器組成物を誘電体セラミック層として用いるとともに、
内部電極をＮｉまたはＮｉ合金で構成した、積層セラミ
ックコンデンサを提供しようとすることである。
体的には１０ｋＶ／ｍｍ程度の高い電界強度で使用した
ときに、絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ積）で表した
場合に、室温および１５０℃で、それぞれ５０００Ω・
Ｆおよび２００Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存
性が小さく、ＤＣバイアス電圧に対する静電容量の安定
性に優れ、絶縁耐力が高く、静電容量の温度特性がＪＩ
Ｓ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ
７Ｒ特性をそれぞれ満足し、高温負荷、耐湿負荷などの
耐候性能に優れた、たとえば積層セラミックコンデンサ
の誘電体セラミック層を構成し得る誘電体磁器組成物を
提供しようとすること、ならびに、このような誘電体磁
器組成物を誘電体セラミック層として用いるとともに、
内部電極をＮｉまたはＮｉ合金で構成した、積層セラミ
ックコンデンサを提供しようとすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の誘電体磁器組成物は、アルカリ金属酸化物
の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、
酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウ
ム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビ
ウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中から
選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウムと、酸
化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、かつ、次
の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、０．００１
≦α≦０．０６、０．００５≦β≦０．０６、０．００
１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦０．１２、γ＋ｇ
≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内にあ
る。）で表される主成分を含有するとともに、副成分と
して酸化珪素を、前記主成分１００モルに対して、Ｓｉ
Ｏ2 に換算して０．２〜５．０モル含有していることを
特徴とする。
め、本発明の誘電体磁器組成物は、アルカリ金属酸化物
の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、
酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウ
ム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビ
ウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中から
選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウムと、酸
化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、かつ、次
の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、０．００１
≦α≦０．０６、０．００５≦β≦０．０６、０．００
１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦０．１２、γ＋ｇ
≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内にあ
る。）で表される主成分を含有するとともに、副成分と
して酸化珪素を、前記主成分１００モルに対して、Ｓｉ
Ｏ2 に換算して０．２〜５．０モル含有していることを
特徴とする。
【０００９】本発明の誘電体磁器組成物は、他の局面で
は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下
のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび酸化イ
ットリウムの少なくとも一方と、ジルコン酸バリウム
と、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、か
つ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方であり、α、β、γおよびｇはモル比を表
し、０．００１≦α≦０．０６、０．００１≦β≦０．
０６、０．００１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦
０．１２、γ＋ｇ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０
３５の範囲内にある。）で表される主成分を含有すると
ともに、副成分として酸化珪素を、前記主成分１００モ
ルに対して、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モル含
有していることを特徴とする。
は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下
のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび酸化イ
ットリウムの少なくとも一方と、ジルコン酸バリウム
と、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、か
つ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方であり、α、β、γおよびｇはモル比を表
し、０．００１≦α≦０．０６、０．００１≦β≦０．
０６、０．００１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦
０．１２、γ＋ｇ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０
３５の範囲内にある。）で表される主成分を含有すると
ともに、副成分として酸化珪素を、前記主成分１００モ
ルに対して、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モル含
有していることを特徴とする。
【００１０】本発明の誘電体磁器組成物は、さらに他の
局面では、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量
％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび
酸化イットリウムの少なくとも一方と、酸化ユーロピウ
ム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウムおよび酸化ジス
プロシウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジルコ
ン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンと
からなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ3 ＋γＢ
ａＺｒＯ3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ
2 Ｏ3 およびＤｙ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１
種であり、α、β、γ、ｇおよびｈはモル比を表し、
０．００１≦α≦０．０５、０．００１≦β≦０．０
５、０．００５≦γ≦０．０６、０．００１＜ｇ≦０．
１２、０．００１＜ｈ≦０．１２、α＋β≦０．０６、
ｇ＋ｈ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲
内にある。）で表される主成分を含有するとともに、副
成分として酸化珪素を、前記主成分１００モルに対し
て、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モル含有してい
ることを特徴とする。
局面では、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量
％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび
酸化イットリウムの少なくとも一方と、酸化ユーロピウ
ム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウムおよび酸化ジス
プロシウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジルコ
ン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンと
からなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ3 ＋γＢ
ａＺｒＯ3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ
2 Ｏ3 およびＤｙ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１
種であり、α、β、γ、ｇおよびｈはモル比を表し、
０．００１≦α≦０．０５、０．００１≦β≦０．０
５、０．００５≦γ≦０．０６、０．００１＜ｇ≦０．
１２、０．００１＜ｈ≦０．１２、α＋β≦０．０６、
ｇ＋ｈ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲
内にある。）で表される主成分を含有するとともに、副
成分として酸化珪素を、前記主成分１００モルに対し
て、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モル含有してい
ることを特徴とする。
【００１１】本発明は、また、複数の誘電体セラミック
層と、該誘電体セラミック層間に形成された内部電極
と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え
る、積層セラミックコンデンサにも向けられる。このよ
うな積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミ
ック層が上述したような本発明に係る誘電体磁器組成物
によって構成され、また、内部電極がニッケルまたはニ
ッケル合金によって構成される。
層と、該誘電体セラミック層間に形成された内部電極
と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え
る、積層セラミックコンデンサにも向けられる。このよ
うな積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミ
ック層が上述したような本発明に係る誘電体磁器組成物
によって構成され、また、内部電極がニッケルまたはニ
ッケル合金によって構成される。
【００１２】本発明に係る積層セラミックコンデンサに
おいて、外部電極は、導電性金属粉末、またはガラスフ
リットを添加した導電性金属粉末の焼結層を備えていた
り、あるいは、導電性金属粉末、またはガラスフリット
を添加した導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、
その上のめっき層からなる第２層とを備えていたりす
る。
おいて、外部電極は、導電性金属粉末、またはガラスフ
リットを添加した導電性金属粉末の焼結層を備えていた
り、あるいは、導電性金属粉末、またはガラスフリット
を添加した導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、
その上のめっき層からなる第２層とを備えていたりす
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】まず、本発明の一実施形態による
積層セラミックコンデンサの基本的構造を図面により説
明する。図１は、積層セラミックコンデンサの一例を示
す断面図、図２は、図１の積層セラミックコンデンサの
うち、内部電極を有する誘電体セラミック層部分を示す
平面図、図３は、図１の積層セラミックコンデンサのう
ち、セラミック積層体部分を示す分解斜視図である。
積層セラミックコンデンサの基本的構造を図面により説
明する。図１は、積層セラミックコンデンサの一例を示
す断面図、図２は、図１の積層セラミックコンデンサの
うち、内部電極を有する誘電体セラミック層部分を示す
平面図、図３は、図１の積層セラミックコンデンサのう
ち、セラミック積層体部分を示す分解斜視図である。
【００１４】本実施形態による積層セラミックコンデン
サ１は、図１に示すように、内部電極４を介して複数枚
の誘電体セラミック層２ａおよび２ｂを積層して得られ
た、直方体形状のセラミック積層体３を備える。セラミ
ック積層体３の両端面上には、内部電極４の特定のもの
に電気的に接続されるように、外部電極５がそれぞれ形
成され、その上には、ニッケル、銅などの第１のめっき
層６が形成され、さらにその上には、半田、錫などの第
２のめっき層７が形成されている。
サ１は、図１に示すように、内部電極４を介して複数枚
の誘電体セラミック層２ａおよび２ｂを積層して得られ
た、直方体形状のセラミック積層体３を備える。セラミ
ック積層体３の両端面上には、内部電極４の特定のもの
に電気的に接続されるように、外部電極５がそれぞれ形
成され、その上には、ニッケル、銅などの第１のめっき
層６が形成され、さらにその上には、半田、錫などの第
２のめっき層７が形成されている。
【００１５】次に、この積層セラミックコンデンサ１の
製造方法について製造工程順に説明する。まず、誘電体
セラミック層２ａおよび２ｂの主成分となる、所定の組
成比率に秤量し混合したチタン酸バリウム系の原料粉末
を用意する。すなわち、前述したように、アルカリ金属
酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウ
ムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テル
ビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エ
ルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中
から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウム
と、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなる主成
分、または、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重
量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよ
び酸化イットリウムの少なくとも一方と、ジルコン酸バ
リウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからか
らなる主成分、または、アルカリ金属酸化物の含有量が
０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカン
ジウムおよび酸化イットリウムの少なくとも一方と、酸
化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウムお
よび酸化ジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも１
種と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸
化マンガンとからなる主成分を含有するとともに、副成
分として酸化珪素を含有する、誘電体磁器組成物を生成
し得る原料粉末を用意する。
製造方法について製造工程順に説明する。まず、誘電体
セラミック層２ａおよび２ｂの主成分となる、所定の組
成比率に秤量し混合したチタン酸バリウム系の原料粉末
を用意する。すなわち、前述したように、アルカリ金属
酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウ
ムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テル
ビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エ
ルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中
から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウム
と、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなる主成
分、または、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重
量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよ
び酸化イットリウムの少なくとも一方と、ジルコン酸バ
リウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからか
らなる主成分、または、アルカリ金属酸化物の含有量が
０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカン
ジウムおよび酸化イットリウムの少なくとも一方と、酸
化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウムお
よび酸化ジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも１
種と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸
化マンガンとからなる主成分を含有するとともに、副成
分として酸化珪素を含有する、誘電体磁器組成物を生成
し得る原料粉末を用意する。
【００１６】次いで、この原料粉末に有機バインダを加
えてスラリー化し、このスラリーをシート状に成形し
て、誘電体セラミック層２ａおよび２ｂのためのグリー
ンシートを得る。その後、誘電体セラミック層２ｂとな
るグリーンシートの一方主面上にニッケルまたはニッケ
ル合金からなる内部電極４を形成する。前述したような
誘電体磁器組成物を用いて誘電体セラミック層２ａおよ
び２ｂを形成すれば、内部電極４の材料として、卑金属
としてのニッケルまたはニッケル合金を用いることがで
きる。なお、内部電極４は、スクリーン印刷法などによ
って形成されても、蒸着法、めっき法などによって形成
されてもよい。
えてスラリー化し、このスラリーをシート状に成形し
て、誘電体セラミック層２ａおよび２ｂのためのグリー
ンシートを得る。その後、誘電体セラミック層２ｂとな
るグリーンシートの一方主面上にニッケルまたはニッケ
ル合金からなる内部電極４を形成する。前述したような
誘電体磁器組成物を用いて誘電体セラミック層２ａおよ
び２ｂを形成すれば、内部電極４の材料として、卑金属
としてのニッケルまたはニッケル合金を用いることがで
きる。なお、内部電極４は、スクリーン印刷法などによ
って形成されても、蒸着法、めっき法などによって形成
されてもよい。
【００１７】次いで、内部電極４を有する誘電体セラミ
ック層２ｂのためのグリーンシートを、必要枚数積層し
た後、図３に示すように、内部電極を有しない誘電体セ
ラミック層２ａのためのグリーンシートによって挟んだ
状態とし、これを圧着することによって、生の積層体を
得る。その後、この生の積層体を還元雰囲気中、所定の
温度にて焼成し、セラミック積層体３を得る。
ック層２ｂのためのグリーンシートを、必要枚数積層し
た後、図３に示すように、内部電極を有しない誘電体セ
ラミック層２ａのためのグリーンシートによって挟んだ
状態とし、これを圧着することによって、生の積層体を
得る。その後、この生の積層体を還元雰囲気中、所定の
温度にて焼成し、セラミック積層体３を得る。
【００１８】次に、セラミック積層体３の両端面に、内
部電極４と電気的に接続されるように、外部電極５を形
成する。この外部電極５の材料としては、内部電極４と
同じ材料を使用することができる。また、銀、パラジウ
ム、銀−パラジウム合金、銅、銅合金などが使用可能で
あり、また、これらの金属粉末にＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−
ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラス
などのガラスフリットを添加したものも使用されるが、
積層セラミックコンデンサの使用用途、使用場所などを
考慮に入れて適当な材料が選択される。また、外部電極
５は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得た
セラミック積層体３に塗布して、焼き付けることによっ
て形成されるが、焼成前に塗布して、セラミック積層体
３と同時に焼き付けることによって形成されてもよい。
部電極４と電気的に接続されるように、外部電極５を形
成する。この外部電極５の材料としては、内部電極４と
同じ材料を使用することができる。また、銀、パラジウ
ム、銀−パラジウム合金、銅、銅合金などが使用可能で
あり、また、これらの金属粉末にＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−
ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラス
などのガラスフリットを添加したものも使用されるが、
積層セラミックコンデンサの使用用途、使用場所などを
考慮に入れて適当な材料が選択される。また、外部電極
５は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得た
セラミック積層体３に塗布して、焼き付けることによっ
て形成されるが、焼成前に塗布して、セラミック積層体
３と同時に焼き付けることによって形成されてもよい。
【００１９】その後、外部電極５上に、ニッケル、銅な
どのめっきを施し、第１のめっき層６を形成する。最後
に、この第１のめっき層６の上に、半田、錫などの第２
のめっき層７を形成し、積層セラミックコンデンサ１を
完成させる。なお、このように外部電極５の上にさらに
めっきなどで導体層を形成することは、積層セラミック
コンデンサの用途によっては省略することもできる。
どのめっきを施し、第１のめっき層６を形成する。最後
に、この第１のめっき層６の上に、半田、錫などの第２
のめっき層７を形成し、積層セラミックコンデンサ１を
完成させる。なお、このように外部電極５の上にさらに
めっきなどで導体層を形成することは、積層セラミック
コンデンサの用途によっては省略することもできる。
【００２０】以上のように、誘電体セラミック層２ａお
よび２ｂを構成するため、前述したような誘電体磁器組
成物を用いることによって、還元性雰囲気中で焼成して
も、その特性が劣化することはない。すなわち、１０ｋ
Ｖ／ｍｍの高い電界強度下で使用した場合であっても、
絶縁抵抗と静電容量との積（ＣＲ積）が、室温および１
５０℃で、それぞれ、５０００Ω・Ｆおよび２００Ω・
Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、５ｋＶ
／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶対値が４５％
以下と小さく、絶縁耐力が高く、静電容量の温度特性が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性および−５５℃〜＋１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規
定するＸ７Ｒ特性を満足し、１５０℃およびＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの高温負荷および耐湿負荷に対する耐候性能に
優れる特性が得られる。
よび２ｂを構成するため、前述したような誘電体磁器組
成物を用いることによって、還元性雰囲気中で焼成して
も、その特性が劣化することはない。すなわち、１０ｋ
Ｖ／ｍｍの高い電界強度下で使用した場合であっても、
絶縁抵抗と静電容量との積（ＣＲ積）が、室温および１
５０℃で、それぞれ、５０００Ω・Ｆおよび２００Ω・
Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、５ｋＶ
／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶対値が４５％
以下と小さく、絶縁耐力が高く、静電容量の温度特性が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性および−５５℃〜＋１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規
定するＸ７Ｒ特性を満足し、１５０℃およびＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの高温負荷および耐湿負荷に対する耐候性能に
優れる特性が得られる。
【００２１】また、この誘電体磁器組成物の主成分のう
ち、チタン酸バリウム中に不純物として存在するＳｒ
Ｏ、ＣａＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｎａ2 Ｏ、
Ｋ2 Ｏなどのアルカリ金属酸化物、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 などのその他の酸化物のうち、特にアルカリ金属酸化
物の含有量が電気的特性に大きく影響することが確認さ
れている。しかし、アルカリ金属酸化物を０．０２重量
％以下にすることにより、比誘電率を実使用上問題のな
い１０００以上に維持することができる。
ち、チタン酸バリウム中に不純物として存在するＳｒ
Ｏ、ＣａＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｎａ2 Ｏ、
Ｋ2 Ｏなどのアルカリ金属酸化物、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 などのその他の酸化物のうち、特にアルカリ金属酸化
物の含有量が電気的特性に大きく影響することが確認さ
れている。しかし、アルカリ金属酸化物を０．０２重量
％以下にすることにより、比誘電率を実使用上問題のな
い１０００以上に維持することができる。
【００２２】また、誘電体磁器組成物中に、副成分とし
て酸化珪素を添加する理由は、焼成過程の比較的高温状
態において、その焼成雰囲気をＮｉ／ＮｉＯの平衡酸素
分圧付近の酸素分圧に調整することによって、焼結性が
良くなるとともに、耐湿負荷特性が向上するからであ
る。さらに、酸化珪素は、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 あるいは
Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の酸化物とは異なって、グリーン
シートの状態での分散性が良く、また、Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 あるいはＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の酸化物のように、
焼成中に飛ぶことがないので、焼成磁器の電気的特性の
ロット間でのばらつきを小さくすることができる。
て酸化珪素を添加する理由は、焼成過程の比較的高温状
態において、その焼成雰囲気をＮｉ／ＮｉＯの平衡酸素
分圧付近の酸素分圧に調整することによって、焼結性が
良くなるとともに、耐湿負荷特性が向上するからであ
る。さらに、酸化珪素は、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 あるいは
Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の酸化物とは異なって、グリーン
シートの状態での分散性が良く、また、Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 あるいはＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の酸化物のように、
焼成中に飛ぶことがないので、焼成磁器の電気的特性の
ロット間でのばらつきを小さくすることができる。
【００２３】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づき、さらに具体
的に説明するが、本発明の範囲内における実施の形態
は、このような実施例のみに限定されるものではない。 （実施例１）まず、出発原料として種々の純度のＴｉＣ
ｌ4 とＢａ（ＮＯ3 ）2 とを準備して秤量した後、蓚酸
により蓚酸チタニルバリウム｛ＢａＴｉＯ（Ｃ2 Ｏ4 ）
・４Ｈ2 Ｏ｝として沈殿させた。この沈殿物を１０００
℃以上の温度で加熱分解させて、表１の４種類のチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を合成した。
的に説明するが、本発明の範囲内における実施の形態
は、このような実施例のみに限定されるものではない。 （実施例１）まず、出発原料として種々の純度のＴｉＣ
ｌ4 とＢａ（ＮＯ3 ）2 とを準備して秤量した後、蓚酸
により蓚酸チタニルバリウム｛ＢａＴｉＯ（Ｃ2 Ｏ4 ）
・４Ｈ2 Ｏ｝として沈殿させた。この沈殿物を１０００
℃以上の温度で加熱分解させて、表１の４種類のチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を合成した。
【００２４】
【表１】
【００２５】次に、チタン酸バリウムのＢａ／Ｔｉモル
比ｍを調整するためのＢａＣＯ3 と、純度９９％以上の
Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈ
ｏ2Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｂａ
ＺｒＯ3 、ＭｇＯおよびＭｎＯを準備した。他方、副成
分としての酸化珪素を、ＳｉＯ2 換算で２０重量％含有
したコロイドシリカを準備した。
比ｍを調整するためのＢａＣＯ3 と、純度９９％以上の
Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈ
ｏ2Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｂａ
ＺｒＯ3 、ＭｇＯおよびＭｎＯを準備した。他方、副成
分としての酸化珪素を、ＳｉＯ2 換算で２０重量％含有
したコロイドシリカを準備した。
【００２６】これらの原料粉末と副成分である酸化珪素
とを、表２に示す組成になるように秤量した。なお、酸
化珪素の添加量は、主成分［｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋α
Ｒ2Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ］１０
０モルに対する添加モル数である。
とを、表２に示す組成になるように秤量した。なお、酸
化珪素の添加量は、主成分［｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋α
Ｒ2Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ］１０
０モルに対する添加モル数である。
【００２７】
【表２】
【００２８】次いで、この秤量物にポリビニルブチラー
ル系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加え
て、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリー
を調整した。このセラミックスラリーをドクターブレー
ド法によりシート成形し、厚み３５μｍの矩形のグリー
ンシートを得た。その後、このセラミックグリーンシー
ト上に、Ｎｉを主体とする導電ペーストを印刷し、内部
電極を構成するための導電ペースト層を形成した。
ル系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加え
て、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリー
を調整した。このセラミックスラリーをドクターブレー
ド法によりシート成形し、厚み３５μｍの矩形のグリー
ンシートを得た。その後、このセラミックグリーンシー
ト上に、Ｎｉを主体とする導電ペーストを印刷し、内部
電極を構成するための導電ペースト層を形成した。
【００２９】その後、導電ペースト層が形成されたセラ
ミックグリーンシートを導電ペーストが引き出されてい
る側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得
た。この積層体を、Ｎ2 雰囲気中にて３５０℃の温度に
加熱し、バインダを分解させた後、酸素分圧１０-9〜１
０-12 ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性
雰囲気中において表３に示す温度で２時間焼成し、セラ
ミック焼結体を得た。
ミックグリーンシートを導電ペーストが引き出されてい
る側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得
た。この積層体を、Ｎ2 雰囲気中にて３５０℃の温度に
加熱し、バインダを分解させた後、酸素分圧１０-9〜１
０-12 ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性
雰囲気中において表３に示す温度で２時間焼成し、セラ
ミック焼結体を得た。
【００３０】焼成後、得られたセラミック焼結体の両端
面にＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラス
フリットを含有する銀ペーストを塗布し、Ｎ2 雰囲気中
において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的
に接続された外部電極を形成した。このようにして得ら
れた積層セラミックコンデンサの外形寸法は幅：５．０
ｍｍ、長さ：５．７ｍｍ、厚さ：２．４ｍｍであり、誘
電体セラミック層の厚みは３０μｍであった。また、有
効誘電体セラミック層の総数は５７であり、１層当たり
の対向電極の面積は８．２×１０-6ｍ2 であった。
面にＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラス
フリットを含有する銀ペーストを塗布し、Ｎ2 雰囲気中
において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的
に接続された外部電極を形成した。このようにして得ら
れた積層セラミックコンデンサの外形寸法は幅：５．０
ｍｍ、長さ：５．７ｍｍ、厚さ：２．４ｍｍであり、誘
電体セラミック層の厚みは３０μｍであった。また、有
効誘電体セラミック層の総数は５７であり、１層当たり
の対向電極の面積は８．２×１０-6ｍ2 であった。
【００３１】次に、硫酸ニッケル、塩化ニッケルおよび
ホウ酸を含有するニッケルめっき液を用意し、バレルめ
っき法にて、外部電極上にニッケルめっき層を形成し
た。最後に、ＡＳ（アルカノールスルホン酸）浴からな
る半田めっき液を用意し、バレルめっき法にて、ニッケ
ルめっき層上に半田めっき層を形成した。次に、これら
積層セラミックコンデンサの電気的特性を測定した。静
電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は自動ブリッ
ジ式測定器を用いて、周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温
度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率（ε）を算出
した。その後、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するために、絶縁
抵抗計を用い、３１５Ｖ（すなわち、１０ｋＶ／ｍ
ｍ）、および９４５Ｖ（すなわち、３０ｋＶ／ｍｍ）の
直流電圧を２分間印加して２５℃および１５０℃での絶
縁抵抗を測定し、静電容量と絶縁抵抗との積、すなわち
ＣＲ積を求めた。
ホウ酸を含有するニッケルめっき液を用意し、バレルめ
っき法にて、外部電極上にニッケルめっき層を形成し
た。最後に、ＡＳ（アルカノールスルホン酸）浴からな
る半田めっき液を用意し、バレルめっき法にて、ニッケ
ルめっき層上に半田めっき層を形成した。次に、これら
積層セラミックコンデンサの電気的特性を測定した。静
電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は自動ブリッ
ジ式測定器を用いて、周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温
度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率（ε）を算出
した。その後、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するために、絶縁
抵抗計を用い、３１５Ｖ（すなわち、１０ｋＶ／ｍ
ｍ）、および９４５Ｖ（すなわち、３０ｋＶ／ｍｍ）の
直流電圧を２分間印加して２５℃および１５０℃での絶
縁抵抗を測定し、静電容量と絶縁抵抗との積、すなわち
ＣＲ積を求めた。
【００３２】また、温度変化に対する静電容量の変化率
を測定した。温度変化に対する静電容量の変化率につい
ては、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃と８５
℃とでの変化率（ΔＣ／Ｃ２０）、ならびに、２５℃で
の静電容量を基準とした、−５５℃と１２５℃とでの変
化率（ΔＣ／Ｃ２５）および−５５℃〜１２５℃の範囲
内で絶対値としてその変化率の最大となった値（｜ΔＣ
｜max ）を求めた。
を測定した。温度変化に対する静電容量の変化率につい
ては、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃と８５
℃とでの変化率（ΔＣ／Ｃ２０）、ならびに、２５℃で
の静電容量を基準とした、−５５℃と１２５℃とでの変
化率（ΔＣ／Ｃ２５）および−５５℃〜１２５℃の範囲
内で絶対値としてその変化率の最大となった値（｜ΔＣ
｜max ）を求めた。
【００３３】また、ＤＣバイアス特性を評価した。すな
わち、まず１ｋＨｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を印加した
ときの静電容量を測定した。次に、ＤＣ１５０Ｖと１ｋ
Ｈｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を同時に印加した時の静電
容量を測定した。そして、ＤＣ電圧を負荷したことによ
る静電容量の低下率ΔＣ／Ｃを算出した。また、高温負
荷試験として、各試料を３６個ずつ、温度１５０℃にて
７５０Ｖ（すなわち、２５ｋＶ／ｍｍ）の直流電圧を印
加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高
温負荷寿命試験は各試料の絶縁抵抗値が１０6 Ω以下に
なったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命時間を
求めた。
わち、まず１ｋＨｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を印加した
ときの静電容量を測定した。次に、ＤＣ１５０Ｖと１ｋ
Ｈｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を同時に印加した時の静電
容量を測定した。そして、ＤＣ電圧を負荷したことによ
る静電容量の低下率ΔＣ／Ｃを算出した。また、高温負
荷試験として、各試料を３６個ずつ、温度１５０℃にて
７５０Ｖ（すなわち、２５ｋＶ／ｍｍ）の直流電圧を印
加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高
温負荷寿命試験は各試料の絶縁抵抗値が１０6 Ω以下に
なったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命時間を
求めた。
【００３４】また、耐湿負荷試験として、各試料を７２
個ずつ、２気圧（相対湿度１００％）、温度１２０℃に
て３１５ＶのＤＣ電圧を２５０時間印加したときの、絶
縁抵抗が１０6 Ω以下になった試料の個数を求めた。さ
らに、絶縁破壊電圧は昇圧速度１００Ｖ／秒でＡＣ電圧
およびＤＣ電圧をそれぞれ印加し、ＡＣ電圧およびＤＣ
電圧での破壊電圧を測定した。
個ずつ、２気圧（相対湿度１００％）、温度１２０℃に
て３１５ＶのＤＣ電圧を２５０時間印加したときの、絶
縁抵抗が１０6 Ω以下になった試料の個数を求めた。さ
らに、絶縁破壊電圧は昇圧速度１００Ｖ／秒でＡＣ電圧
およびＤＣ電圧をそれぞれ印加し、ＡＣ電圧およびＤＣ
電圧での破壊電圧を測定した。
【００３５】以上の結果を表３に示す。
【００３６】
【表３】
【００３７】表１〜表３から明らかなように、本発明の
積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２
５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規
格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２
５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規
格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
【００３８】しかも、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。また、１５０℃、２５ｋＶ
／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間以
上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼
成可能である。さらに、表には示さないが、電気的特性
のロット間のばらつきが小さかった。
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。また、１５０℃、２５ｋＶ
／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間以
上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼
成可能である。さらに、表には示さないが、電気的特性
のロット間のばらつきが小さかった。
【００３９】ここで、本発明の組成限定理由について説
明する。 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表す。）におい
て、試料番号１のように、Ｒ2 Ｏ3 量αが０．００１未
満の場合には絶縁抵抗が低く、ＣＲ積が小さくなるので
好ましくない。一方、試料番号２のようにＲ2 Ｏ3量α
が０．０６を超える場合には、温度特性がＢ特性／Ｘ７
Ｒ特性を満足せず、信頼性が悪くなるので好ましくな
い。したがって、Ｒ2 Ｏ3 量αは０．００１≦α≦０．
０６の範囲が好ましい。
明する。 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表す。）におい
て、試料番号１のように、Ｒ2 Ｏ3 量αが０．００１未
満の場合には絶縁抵抗が低く、ＣＲ積が小さくなるので
好ましくない。一方、試料番号２のようにＲ2 Ｏ3量α
が０．０６を超える場合には、温度特性がＢ特性／Ｘ７
Ｒ特性を満足せず、信頼性が悪くなるので好ましくな
い。したがって、Ｒ2 Ｏ3 量αは０．００１≦α≦０．
０６の範囲が好ましい。
【００４０】また、試料番号３のように、ＢａＺｒＯ3
量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ3 を
含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好まし
くない。一方、試料番号４のように、ＢａＺｒＯ3 量β
が０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特性／Ｘ７
Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好ましくな
い。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００５≦β≦
０．０６の範囲が好ましい。
量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ3 を
含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好まし
くない。一方、試料番号４のように、ＢａＺｒＯ3 量β
が０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特性／Ｘ７
Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好ましくな
い。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００５≦β≦
０．０６の範囲が好ましい。
【００４１】また、試料番号５のように、ＭｇＯ量γが
０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ特性
／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一方、試
料番号６のように、ＭｇＯ量γが０．１２を超えると、
焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を超え、耐湿
負荷試験で不良個数が極端に増え、しかも、平均寿命時
間が短くなるので好ましくない。したがって、ＭｇＯ量
γは０．００１＜γ≦０．１２の範囲が好ましい。
０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ特性
／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一方、試
料番号６のように、ＭｇＯ量γが０．１２を超えると、
焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を超え、耐湿
負荷試験で不良個数が極端に増え、しかも、平均寿命時
間が短くなるので好ましくない。したがって、ＭｇＯ量
γは０．００１＜γ≦０．１２の範囲が好ましい。
【００４２】また、試料番号７のように、ＭｎＯ量ｇが
０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり好ま
しくない。一方、試料番号８のように、ＭｎＯ量ｇが
０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満足せ
ず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ましく
ない。したがって、ＭｎＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦０．
１２の範囲が好ましい。
０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり好ま
しくない。一方、試料番号８のように、ＭｎＯ量ｇが
０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満足せ
ず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ましく
ない。したがって、ＭｎＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦０．
１２の範囲が好ましい。
【００４３】また、試料番号９のように、ＭｇＯとＭｎ
Ｏ量の合計γ＋ｇが０．１３を超えると、誘電損失が
２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
り、耐湿負荷試験不良個数が増加するので好ましくな
い。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の合計γ＋ｇはγ＋
ｇ≦０．１３の範囲が好ましい。また、試料番号１０の
ように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００未満の場
合、半導体化のため測定不能となり好ましくない。ま
た、試料番号１１のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、ＡＣおよびＤＣの
破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く好ましくない。一
方、試料番号１２のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０３５を超えた場合、焼結不足のため測定不能とな
り好ましくない。したがって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは
１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲が好ましい。
Ｏ量の合計γ＋ｇが０．１３を超えると、誘電損失が
２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
り、耐湿負荷試験不良個数が増加するので好ましくな
い。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の合計γ＋ｇはγ＋
ｇ≦０．１３の範囲が好ましい。また、試料番号１０の
ように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００未満の場
合、半導体化のため測定不能となり好ましくない。ま
た、試料番号１１のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、ＡＣおよびＤＣの
破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く好ましくない。一
方、試料番号１２のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０３５を超えた場合、焼結不足のため測定不能とな
り好ましくない。したがって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは
１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲が好ましい。
【００４４】また、試料番号１３のように、ＳｉＯ2 の
量が０の場合、焼結不足となり好ましくない。また、試
料番号１４のように、ＳｉＯ2 の量が０．２モル未満の
場合、焼結温度が高くなるともに、絶縁抵抗が低くな
り、耐湿負荷試験での不良率が極端に多くなる。一方、
試料番号１５のように、ＳｉＯ2 の量が５．０モルを超
える場合には、誘電率が低下し、容量の温度特性はＸ７
Ｒを満足せず、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度下にお
ける、２５℃、１５０℃でのＣＲ積が、それぞれ、５０
００Ω・Ｆ以上、２００Ω・Ｆ以上を満足しない。した
がって、酸化珪素の含有量は、主成分１００モルに対し
て、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モルの範囲が好
ましい。
量が０の場合、焼結不足となり好ましくない。また、試
料番号１４のように、ＳｉＯ2 の量が０．２モル未満の
場合、焼結温度が高くなるともに、絶縁抵抗が低くな
り、耐湿負荷試験での不良率が極端に多くなる。一方、
試料番号１５のように、ＳｉＯ2 の量が５．０モルを超
える場合には、誘電率が低下し、容量の温度特性はＸ７
Ｒを満足せず、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度下にお
ける、２５℃、１５０℃でのＣＲ積が、それぞれ、５０
００Ω・Ｆ以上、２００Ω・Ｆ以上を満足しない。した
がって、酸化珪素の含有量は、主成分１００モルに対し
て、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モルの範囲が好
ましい。
【００４５】さらに、チタン酸バリウム中に不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号１６のように、アルカリ金
属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合には、
誘電率の低下を生じるからである。 （実施例２）実施例１と同様の方法により、表１の４種
類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ 3 ）と、副成分とし
ての酸化珪素とを準備した。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号１６のように、アルカリ金
属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合には、
誘電率の低下を生じるからである。 （実施例２）実施例１と同様の方法により、表１の４種
類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ 3 ）と、副成分とし
ての酸化珪素とを準備した。
【００４６】次に、チタン酸バリウムのＢａ／Ｔｉモル
比ｍを調整するためのＢａＣＯ3 と、純度９９％以上の
Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＺｒＯ3 、ＭｇＯおよびＭ
ｎＯを準備した。これらの原料粉末と副成分である酸化
珪素とを表４に示す組成になるように秤量した。なお、
酸化珪素の添加量は、主成分［｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2＋
αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ］１
００モルに対する添加モル数である。そして、この秤量
物を用いて、実施例１と同様の方法により、積層セラミ
ックコンデンサを作製した。また、作製した積層セラミ
ックコンデンサの外形寸法などは、実施例１と同様であ
る。
比ｍを調整するためのＢａＣＯ3 と、純度９９％以上の
Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＺｒＯ3 、ＭｇＯおよびＭ
ｎＯを準備した。これらの原料粉末と副成分である酸化
珪素とを表４に示す組成になるように秤量した。なお、
酸化珪素の添加量は、主成分［｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2＋
αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ］１
００モルに対する添加モル数である。そして、この秤量
物を用いて、実施例１と同様の方法により、積層セラミ
ックコンデンサを作製した。また、作製した積層セラミ
ックコンデンサの外形寸法などは、実施例１と同様であ
る。
【００４７】
【表４】
【００４８】次いで、実施例１と同様にして電気的特性
を測定した。その結果を表５に示す。
を測定した。その結果を表５に示す。
【００４９】
【表５】
【００５０】表４および表５から明らかなように、本発
明の積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電
圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損
失は１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規
格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
明の積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電
圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損
失は１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規
格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
【００５１】しかも、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。さらに、表には示さないが、電気的特
性のロット間のばらつきが小さかった。
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。さらに、表には示さないが、電気的特
性のロット間のばらつきが小さかった。
【００５２】ここで、本発明の組成限定理由について説
明する。｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺ
ｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ（ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ
2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少なくとも一方であり、α、
β、γおよびｇはモル比を表す。）において、試料番号
１０１のように、Ｍ2 Ｏ3 量αが０．００１未満の場合
には、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しなくなり
好ましくない。一方、試料番号１０２のようにＭ2 Ｏ3
量αが０．０６を超える場合には、比誘電率が１０００
未満まで小さくなり好ましくない。したがって、Ｍ2 Ｏ
3 量αは０．００１≦α≦０．０６の範囲が好ましい。
明する。｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺ
ｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ（ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ
2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少なくとも一方であり、α、
β、γおよびｇはモル比を表す。）において、試料番号
１０１のように、Ｍ2 Ｏ3 量αが０．００１未満の場合
には、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しなくなり
好ましくない。一方、試料番号１０２のようにＭ2 Ｏ3
量αが０．０６を超える場合には、比誘電率が１０００
未満まで小さくなり好ましくない。したがって、Ｍ2 Ｏ
3 量αは０．００１≦α≦０．０６の範囲が好ましい。
【００５３】また、試料番号１０３のように、ＢａＺｒ
Ｏ3 量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ
3 を含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好
ましくない。一方、試料番号１０４のように、ＢａＺｒ
Ｏ3 量βが０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特
性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好
ましくない。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００
５≦β≦０．０６の範囲が好ましい。
Ｏ3 量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ
3 を含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好
ましくない。一方、試料番号１０４のように、ＢａＺｒ
Ｏ3 量βが０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特
性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好
ましくない。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００
５≦β≦０．０６の範囲が好ましい。
【００５４】また、試料番号１０５のように、ＭｇＯ量
γが０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ
特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一
方、試料番号１０６のように、ＭｇＯ量γが０．１２を
超えると、焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を
超え、耐湿負荷試験で不良個数が極端に増え、しかも、
平均寿命時間が短くなるので好ましくない。したがっ
て、ＭｇＯ量γは０．００１＜γ≦０．１２の範囲が好
ましい。
γが０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ
特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一
方、試料番号１０６のように、ＭｇＯ量γが０．１２を
超えると、焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を
超え、耐湿負荷試験で不良個数が極端に増え、しかも、
平均寿命時間が短くなるので好ましくない。したがっ
て、ＭｇＯ量γは０．００１＜γ≦０．１２の範囲が好
ましい。
【００５５】また、試料番号１０７のように、ＭｎＯ量
ｇが０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。一方、試料番号１０８のように、ＭｎＯ
量ｇが０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満
足せず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ま
しくない。したがって、ＭｎＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦
０．１２の範囲が好ましい。
ｇが０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。一方、試料番号１０８のように、ＭｎＯ
量ｇが０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満
足せず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ま
しくない。したがって、ＭｎＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦
０．１２の範囲が好ましい。
【００５６】また、試料番号１０９のように、ＭｇＯと
ＭｎＯ量の合計γ＋ｇが０．１３を超えると、誘電損失
が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
り、耐湿負荷試験不良個数が増加するので好ましくな
い。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の合計γ＋ｇはγ＋
ｇ≦０．１３の範囲が好ましい。また、試料番号１１０
のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００未満の場
合、半導体化のため測定不能となり好ましくない。ま
た、試料番号１１１のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、ＡＣおよびＤＣの
破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く好ましくない。一
方、試料番号１１２のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０３５を超えた場合、焼結不足のため測定不能とな
り好ましくない。したがって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは
１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲が好ましい。
ＭｎＯ量の合計γ＋ｇが０．１３を超えると、誘電損失
が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
り、耐湿負荷試験不良個数が増加するので好ましくな
い。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の合計γ＋ｇはγ＋
ｇ≦０．１３の範囲が好ましい。また、試料番号１１０
のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００未満の場
合、半導体化のため測定不能となり好ましくない。ま
た、試料番号１１１のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、ＡＣおよびＤＣの
破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く好ましくない。一
方、試料番号１１２のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０３５を超えた場合、焼結不足のため測定不能とな
り好ましくない。したがって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは
１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲が好ましい。
【００５７】また、試料番号１１３のように、ＳｉＯ2
の量が０の場合、焼結不足となり好ましくない。また、
試料番号１１４のように、ＳｉＯ2 の量が０．２モル未
満の場合、焼結温度が高くなるともに、絶縁抵抗が低く
なり、耐湿負荷試験での不良率が極端に多くなる。一
方、試料番号１１５のように、ＳｉＯ2 の量が５．０モ
ルを超える場合には、誘電率が低下し、容量の温度特性
はＸ７Ｒを満足せず、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下における、２５℃、１５０℃でのＣＲ積が、それぞ
れ、５０００Ω・Ｆ以上、２００Ω・Ｆ以上を満足しな
い。したがって、酸化珪素の含有量は、主成分１００モ
ルに対して、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モルの
範囲が好ましい。
の量が０の場合、焼結不足となり好ましくない。また、
試料番号１１４のように、ＳｉＯ2 の量が０．２モル未
満の場合、焼結温度が高くなるともに、絶縁抵抗が低く
なり、耐湿負荷試験での不良率が極端に多くなる。一
方、試料番号１１５のように、ＳｉＯ2 の量が５．０モ
ルを超える場合には、誘電率が低下し、容量の温度特性
はＸ７Ｒを満足せず、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下における、２５℃、１５０℃でのＣＲ積が、それぞ
れ、５０００Ω・Ｆ以上、２００Ω・Ｆ以上を満足しな
い。したがって、酸化珪素の含有量は、主成分１００モ
ルに対して、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モルの
範囲が好ましい。
【００５８】さらに、チタン酸バリウム中に不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号１１６のように、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合に
は、誘電率の低下を生じるからである。 （実施例３）実施例１と同様の方法により、表１の４種
類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ 3 ）と、副成分とし
ての酸化珪素とを準備した。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号１１６のように、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合に
は、誘電率の低下を生じるからである。 （実施例３）実施例１と同様の方法により、表１の４種
類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ 3 ）と、副成分とし
ての酸化珪素とを準備した。
【００５９】次に、チタン酸バリウムのＢａ／Ｔｉモル
比ｍを調整するためのＢａＣＯ3 と、純度９９％以上の
Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ
2 Ｏ 3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、ＢａＺｒＯ3 、ＭｇＯおよびＭｎ
Ｏを準備した。これらの原料粉末と副成分である酸化珪
素とを表６および表７に示す組成になるように秤量し
た。なお、酸化珪素の添加量は、主成分［｛ＢａＯ｝m
ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ3 ＋γＢａＺｒＯ3 ＋
ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ］１００モルに対する添加モル数で
ある。そして、この秤量物を用いて、実施例１と同様の
方法により、積層セラミックコンデンサを作製した。ま
た、作製した積層セラミックコンデンサの外形寸法など
は、実施例１と同様である。
比ｍを調整するためのＢａＣＯ3 と、純度９９％以上の
Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ
2 Ｏ 3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、ＢａＺｒＯ3 、ＭｇＯおよびＭｎ
Ｏを準備した。これらの原料粉末と副成分である酸化珪
素とを表６および表７に示す組成になるように秤量し
た。なお、酸化珪素の添加量は、主成分［｛ＢａＯ｝m
ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ3 ＋γＢａＺｒＯ3 ＋
ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ］１００モルに対する添加モル数で
ある。そして、この秤量物を用いて、実施例１と同様の
方法により、積層セラミックコンデンサを作製した。ま
た、作製した積層セラミックコンデンサの外形寸法など
は、実施例１と同様である。
【００６０】
【表６】
【００６１】
【表７】
【００６２】次いで、実施例１と同様にして電気的特性
を測定した。その結果を表８および表９に示す。
を測定した。その結果を表８および表９に示す。
【００６３】
【表８】
【００６４】
【表９】
【００６５】表６〜表９から明らかなように、本発明の
積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２
５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規
格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２
５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規
格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
【００６６】しかも、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。さらに、表には示さないが、電気的特
性のロット間のばらつきが小さかった。
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。さらに、表には示さないが、電気的特
性のロット間のばらつきが小さかった。
【００６７】ここで、本発明の組成限定理由について説
明する。｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ
3 ＋γＢａＺｒＯ3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ（ただし、Ｍ
2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少なくとも一方、
Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 および
Ｄｙ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種であり、
α、β、γ、ｇおよびｈはモル比を表す。）において、
試料番号２０１のように、Ｍ2 Ｏ3 量αが０．００１未
満の場合には、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足し
なくなり好ましくない。一方、試料番号２０２のように
Ｍ2 Ｏ3 量αが０．０５を超える場合には、比誘電率が
１０００未満まで小さくなり好ましくない。したがっ
て、Ｍ2 Ｏ3 量αは０．００１≦α≦０．０５の範囲が
好ましい。
明する。｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ
3 ＋γＢａＺｒＯ3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ（ただし、Ｍ
2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少なくとも一方、
Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 および
Ｄｙ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種であり、
α、β、γ、ｇおよびｈはモル比を表す。）において、
試料番号２０１のように、Ｍ2 Ｏ3 量αが０．００１未
満の場合には、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足し
なくなり好ましくない。一方、試料番号２０２のように
Ｍ2 Ｏ3 量αが０．０５を超える場合には、比誘電率が
１０００未満まで小さくなり好ましくない。したがっ
て、Ｍ2 Ｏ3 量αは０．００１≦α≦０．０５の範囲が
好ましい。
【００６８】また、試料番号２０３のように、Ｒ2 Ｏ3
量βが０．００１未満の場合には絶縁抵抗が低く、ＣＲ
積が小さくなるので好ましくない。一方、試料番号２０
４のようにＲ2 Ｏ3 量βが０．０５を超える場合には、
温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、信頼性が悪
くなるので好ましくない。したがって、Ｒ2 Ｏ3 量βは
０．００１≦β≦０．０５の範囲が好ましい。
量βが０．００１未満の場合には絶縁抵抗が低く、ＣＲ
積が小さくなるので好ましくない。一方、試料番号２０
４のようにＲ2 Ｏ3 量βが０．０５を超える場合には、
温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、信頼性が悪
くなるので好ましくない。したがって、Ｒ2 Ｏ3 量βは
０．００１≦β≦０．０５の範囲が好ましい。
【００６９】また、試料番号２０５のように、Ｍ2 Ｏ3
とＲ2 Ｏ3 量の合計α＋βが０．０６を超えると、誘電
損失が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短
くなり、耐湿負荷試験不良個数が増加するので好ましく
ない。したがって、Ｍ2 Ｏ3とＲ2 Ｏ3 量の合計α＋β
はα＋β≦０．０６の範囲が好ましい。また、試料番号
２０６のように、ＢａＺｒＯ3 量γが０の場合には、絶
縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ3 を含む系よりも絶縁抵抗の
電圧依存性が大きいので好ましくない。一方、試料番号
２０７のように、ＢａＺｒＯ3 量γが０．０６を超えた
場合には、温度特性もＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、
平均寿命時間が短いので好ましくない。したがって、Ｂ
ａＺｒＯ3 量γは０．００５≦γ≦０．０６の範囲が好
ましい。
とＲ2 Ｏ3 量の合計α＋βが０．０６を超えると、誘電
損失が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短
くなり、耐湿負荷試験不良個数が増加するので好ましく
ない。したがって、Ｍ2 Ｏ3とＲ2 Ｏ3 量の合計α＋β
はα＋β≦０．０６の範囲が好ましい。また、試料番号
２０６のように、ＢａＺｒＯ3 量γが０の場合には、絶
縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ3 を含む系よりも絶縁抵抗の
電圧依存性が大きいので好ましくない。一方、試料番号
２０７のように、ＢａＺｒＯ3 量γが０．０６を超えた
場合には、温度特性もＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、
平均寿命時間が短いので好ましくない。したがって、Ｂ
ａＺｒＯ3 量γは０．００５≦γ≦０．０６の範囲が好
ましい。
【００７０】また、試料番号２０８のように、ＭｇＯ量
ｇが０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ
特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一
方、試料番号２０９のように、ＭｇＯ量ｇが０．１２を
超えると、焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を
超え、耐湿負荷試験で不良個数が極端に増え、しかも、
平均寿命時間が短くなるので好ましくない。したがっ
て、ＭｇＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦０．１２の範囲が好
ましい。
ｇが０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ
特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一
方、試料番号２０９のように、ＭｇＯ量ｇが０．１２を
超えると、焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を
超え、耐湿負荷試験で不良個数が極端に増え、しかも、
平均寿命時間が短くなるので好ましくない。したがっ
て、ＭｇＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦０．１２の範囲が好
ましい。
【００７１】また、試料番号２１０のように、ＭｎＯ量
ｈが０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。一方、試料番号２１１のように、ＭｎＯ
量ｈが０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満
足せず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ま
しくない。したがって、ＭｎＯ量ｈは０．００１＜ｈ≦
０．１２の範囲が好ましい。
ｈが０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。一方、試料番号２１１のように、ＭｎＯ
量ｈが０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満
足せず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ま
しくない。したがって、ＭｎＯ量ｈは０．００１＜ｈ≦
０．１２の範囲が好ましい。
【００７２】また、試料番号２１２のように、ＭｇＯと
ＭｎＯ量の合計ｇ＋ｈが０．１３を超えると、誘電損失
が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
り、耐湿負荷試験不良個数が増加するので好ましくな
い。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の合計ｇ＋ｈはｇ＋
ｈ≦０．１３の範囲が好ましい。また、試料番号２１３
のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００未満の場
合、半導体化のため測定不能となり好ましくない。ま
た、試料番号２１４のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、ＡＣおよびＤＣの
破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く好ましくない。一
方、試料番号２１５のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０３５を超えた場合、焼結不足のため測定不能とな
り好ましくない。したがって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは
１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲が好ましい。
ＭｎＯ量の合計ｇ＋ｈが０．１３を超えると、誘電損失
が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
り、耐湿負荷試験不良個数が増加するので好ましくな
い。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の合計ｇ＋ｈはｇ＋
ｈ≦０．１３の範囲が好ましい。また、試料番号２１３
のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００未満の場
合、半導体化のため測定不能となり好ましくない。ま
た、試料番号２１４のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、ＡＣおよびＤＣの
破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く好ましくない。一
方、試料番号２１５のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０３５を超えた場合、焼結不足のため測定不能とな
り好ましくない。したがって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは
１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲が好ましい。
【００７３】また、試料番号２１６のように、ＳｉＯ2
の量が０の場合、焼結不足となり好ましくない。また、
試料番号２１７のように、ＳｉＯ2 の量が０．２モル未
満の場合、焼結温度が高くなるともに、絶縁抵抗が低く
なり、耐湿負荷試験での不良率が極端に多くなる。一
方、試料番号２１８のように、ＳｉＯ2 の量が５．０モ
ルを超える場合には、誘電率が低下し、容量の温度特性
はＸ７Ｒを満足せず、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下における、２５℃、１５０℃でのＣＲ積が、それぞ
れ、５０００Ω・Ｆ以上、２００Ω・Ｆ以上を満足しな
い。したがって、酸化珪素の含有量は、主成分１００モ
ルに対して、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モルの
範囲が好ましい。
の量が０の場合、焼結不足となり好ましくない。また、
試料番号２１７のように、ＳｉＯ2 の量が０．２モル未
満の場合、焼結温度が高くなるともに、絶縁抵抗が低く
なり、耐湿負荷試験での不良率が極端に多くなる。一
方、試料番号２１８のように、ＳｉＯ2 の量が５．０モ
ルを超える場合には、誘電率が低下し、容量の温度特性
はＸ７Ｒを満足せず、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下における、２５℃、１５０℃でのＣＲ積が、それぞ
れ、５０００Ω・Ｆ以上、２００Ω・Ｆ以上を満足しな
い。したがって、酸化珪素の含有量は、主成分１００モ
ルに対して、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モルの
範囲が好ましい。
【００７４】さらに、チタン酸バリウム中に不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号２１９のように、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合に
は、誘電率の低下を生じるからである。以上、各実施例
では、チタン酸バリウムとして、蓚酸法により作製した
粉末を用いたが、これに限定するものではなく、たとえ
ばアルコキシド法あるいは水熱合成法により作製された
チタン酸バリウム粉末を用いてもよい。これらの粉末を
用いることにより、積層セラミックコンデンサの特性
が、前述の各実施例で示した特性よりも向上することも
あり得る。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号２１９のように、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合に
は、誘電率の低下を生じるからである。以上、各実施例
では、チタン酸バリウムとして、蓚酸法により作製した
粉末を用いたが、これに限定するものではなく、たとえ
ばアルコキシド法あるいは水熱合成法により作製された
チタン酸バリウム粉末を用いてもよい。これらの粉末を
用いることにより、積層セラミックコンデンサの特性
が、前述の各実施例で示した特性よりも向上することも
あり得る。
【００７５】また、出発原料として、Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｙ2
Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ
3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＢａＺｒＯ3 などの酸化物粉
末を用いたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、この発明の範囲の誘電体セラミック層を構成するよ
うに配合すれば、アルコキシド、有機金属などの溶液を
用いても、得られる特性を何ら損なうものではない。
Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ
3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＢａＺｒＯ3 などの酸化物粉
末を用いたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、この発明の範囲の誘電体セラミック層を構成するよ
うに配合すれば、アルコキシド、有機金属などの溶液を
用いても、得られる特性を何ら損なうものではない。
【００７６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
係る誘電体磁器組成物によれば、還元雰囲気中で焼成し
ても還元されず、半導体化せず、しかも１３００℃以下
と比較的低温で焼結可能である。したがって、この誘電
体磁器組成物を誘電体セラミック層として用いて、積層
セラミックコンデンサを構成するようにすれば、電極材
料として卑金属であるニッケルまたはニッケル合金を用
いることができるので、積層セラミックコンデンサのコ
ストダウンを図ることができる。
係る誘電体磁器組成物によれば、還元雰囲気中で焼成し
ても還元されず、半導体化せず、しかも１３００℃以下
と比較的低温で焼結可能である。したがって、この誘電
体磁器組成物を誘電体セラミック層として用いて、積層
セラミックコンデンサを構成するようにすれば、電極材
料として卑金属であるニッケルまたはニッケル合金を用
いることができるので、積層セラミックコンデンサのコ
ストダウンを図ることができる。
【００７７】また、この誘電体磁器組成物を用いた積層
セラミックコンデンサは、従来の内部電極にニッケルま
たはニッケル合金を用いた積層セラミックコンデンサで
は絶縁抵抗が低く、信頼性が確保できなかった１０ｋＶ
／ｍｍの高い電界強度で使用した場合に、絶縁抵抗が静
電容量との積（ＣＲ積）で表したときに、室温および１
５０℃での絶縁抵抗がそれぞれ５０００Ω・Ｆ、２００
Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、５
ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶対値が４
５％以下と小さく、絶縁耐力が高く、静電容量の温度特
性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規
定するＸ７Ｒ特性を満足し、１５０℃、ＤＣ２５ｋＶ／
ｍｍ印加の高温負荷、耐湿負荷などの耐候性能に優れた
積層セラミックコンデンサを得ることができる。
セラミックコンデンサは、従来の内部電極にニッケルま
たはニッケル合金を用いた積層セラミックコンデンサで
は絶縁抵抗が低く、信頼性が確保できなかった１０ｋＶ
／ｍｍの高い電界強度で使用した場合に、絶縁抵抗が静
電容量との積（ＣＲ積）で表したときに、室温および１
５０℃での絶縁抵抗がそれぞれ５０００Ω・Ｆ、２００
Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、５
ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶対値が４
５％以下と小さく、絶縁耐力が高く、静電容量の温度特
性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規
定するＸ７Ｒ特性を満足し、１５０℃、ＤＣ２５ｋＶ／
ｍｍ印加の高温負荷、耐湿負荷などの耐候性能に優れた
積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックコン
デンサを示す断面図である。
デンサを示す断面図である。
【図２】図１の積層セラミックコンデンサのうち内部電
極を有する誘電体セラミック層部分を示す平面図であ
る。
極を有する誘電体セラミック層部分を示す平面図であ
る。
【図３】図１の積層セラミックコンデンサのうちセラミ
ック積層体部分を示す分解斜視図である。
ック積層体部分を示す分解斜視図である。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ａ，２ｂ 誘電体セラミック層 ３ セラミック積層体 ４ 内部電極 ５ 外部電極 ６，７ めっき層
Claims (6)
- 【請求項１】 アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２
重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化ユーロピウム、
酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウ
ム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウムお
よび酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１
種と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸
化マンガンとからなり、かつ、次の組成式、｛ＢａＯ｝
m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋
ｇＭｎＯ（ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ
2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2
Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少
なくとも１種であり、α、β、γおよびｇはモル比を表
し、 ０．００１≦α≦０．０６ ０．００５≦β≦０．０６ ０．００１＜γ≦０．１２ ０．００１＜ｇ≦０．１２ γ＋ｇ≦０．１３ １．０００＜ｍ≦１．０３５ の範囲内にある。）で表される主成分を含有するととも
に、副成分として酸化珪素を、前記主成分１００モルに
対して、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モル含有し
ていることを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２
重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムお
よび酸化イットリウムの少なくとも一方と、ジルコン酸
バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとから
なり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方であり、α、β、γおよびｇはモル比を表
し、 ０．００１≦α≦０．０６ ０．００１≦β≦０．０６ ０．００１＜γ≦０．１２ ０．００１＜ｇ≦０．１２ γ＋ｇ≦０．１３ １．０００＜ｍ≦１．０３５ の範囲内にある。）で表される主成分を含有するととも
に、副成分として酸化珪素を、前記主成分１００モルに
対して、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モル含有し
ていることを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２
重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムお
よび酸化イットリウムの少なくとも一方と、酸化ユーロ
ピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウムおよび酸化
ジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジ
ルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガ
ンとからなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ3 ＋γＢ
ａＺｒＯ3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ
2 Ｏ3 およびＤｙ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１
種であり、α、β、γ、ｇおよびｈはモル比を表し、 ０．００１≦α≦０．０５ ０．００１≦β≦０．０５ ０．００５≦γ≦０．０６ ０．００１＜ｇ≦０．１２ ０．００１＜ｈ≦０．１２ α＋β≦０．０６ ｇ＋ｈ≦０．１３ １．０００＜ｍ≦１．０３５ の範囲内にある。）で表される主成分を含有するととも
に、副成分として酸化珪素を、前記主成分１００モルに
対して、ＳｉＯ2 に換算して０．２〜５．０モル含有し
ていることを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 複数の誘電体セラミック層と、該誘電体
セラミック層間に形成された内部電極と、該内部電極に
電気的に接続された外部電極とを備える、積層セラミッ
クコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層が請求
項１ないし３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物で構
成され、前記内部電極がニッケルまたはニッケル合金で
構成されていることを特徴とする、積層セラミックコン
デンサ。 - 【請求項５】 前記外部電極は、導電性金属粉末、また
はガラスフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層を
備えることを特徴とする、請求項４に記載の積層セラミ
ックコンデンサ。 - 【請求項６】 前記外部電極は、導電性金属粉末、また
はガラスフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層か
らなる第１層と、その上のめっき層からなる第２層とを
備えることを特徴とする、請求項４または５に記載の積
層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12862598A JP3334607B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
| US09/310,696 US6245433B1 (en) | 1998-05-12 | 1999-05-12 | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor |
| KR1019990016956A KR100313234B1 (ko) | 1998-05-12 | 1999-05-12 | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 |
| EP99108427A EP0977217B1 (en) | 1998-05-12 | 1999-05-12 | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor |
| DE69928873T DE69928873T2 (de) | 1998-05-12 | 1999-05-12 | Dielektrische keramische Zusammensetzung und keramischer Vielschichtkondensator |
| CN99107648A CN1238533A (zh) | 1998-05-12 | 1999-05-12 | 介电陶瓷组合物和层状陶瓷电容器 |
| KR1020010042794A KR100313232B1 (ko) | 1998-05-12 | 2001-07-16 | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 |
| KR1020010042795A KR100313233B1 (ko) | 1998-05-12 | 2001-07-16 | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12862598A JP3334607B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11322414A true JPH11322414A (ja) | 1999-11-24 |
| JP3334607B2 JP3334607B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=14989435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12862598A Expired - Lifetime JP3334607B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6245433B1 (ja) |
| EP (1) | EP0977217B1 (ja) |
| JP (1) | JP3334607B2 (ja) |
| KR (3) | KR100313234B1 (ja) |
| CN (1) | CN1238533A (ja) |
| DE (1) | DE69928873T2 (ja) |
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| WO2014156302A1 (ja) | 2013-03-28 | 2014-10-02 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物、および誘電体素子 |
| WO2014203327A1 (ja) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
| CN114334447A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电容器 |
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