JPH11298002A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100288772B1 (ko) * 1998-11-12 2001-05-02 윤종용 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US7595771B1 (en) * 1998-12-31 2009-09-29 Texas Instruments Incorporated Electro-optical, tunable, broadband color modulator
EP1020920B1 (en) * 1999-01-11 2010-06-02 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a driver TFT and a pixel TFT on a common substrate
US6576926B1 (en) * 1999-02-23 2003-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP4403329B2 (ja) * 1999-08-30 2010-01-27 ソニー株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3889533B2 (ja) * 1999-09-22 2007-03-07 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2001188217A (ja) * 1999-10-20 2001-07-10 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその駆動方法ならびに製造方法
JP3414343B2 (ja) * 1999-11-26 2003-06-09 日本電気株式会社 イメージセンサ及びその製造方法
JP4599655B2 (ja) * 2000-04-24 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びプロジェクタ
JP4896314B2 (ja) * 2000-08-04 2012-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3918412B2 (ja) * 2000-08-10 2007-05-23 ソニー株式会社 薄膜半導体装置及び液晶表示装置とこれらの製造方法
US6509616B2 (en) * 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP4974427B2 (ja) * 2000-09-29 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子装置
TW525216B (en) 2000-12-11 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, and manufacturing method thereof
JP4801262B2 (ja) * 2001-01-30 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2002353245A (ja) * 2001-03-23 2002-12-06 Seiko Epson Corp 電気光学基板装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器、並びに基板装置の製造方法
JP4831885B2 (ja) 2001-04-27 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3933422B2 (ja) * 2001-08-10 2007-06-20 シャープ株式会社 反射膜および反射膜の製造方法
JP4634673B2 (ja) * 2001-09-26 2011-02-16 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4798907B2 (ja) * 2001-09-26 2011-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4031291B2 (ja) * 2001-11-14 2008-01-09 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
EP1343058A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-10 Belal Establishments Prayer clock
JP2004096079A (ja) * 2002-07-11 2004-03-25 Sharp Corp 光電変換装置、画像読取装置および光電変換装置の製造方法
JP4631255B2 (ja) * 2003-07-16 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板、表示装置、及び電子機器
JP2006178356A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nec Electronics Corp 表示装置の駆動回路
JP4350106B2 (ja) 2005-06-29 2009-10-21 三星モバイルディスプレイ株式會社 平板表示装置及びその駆動方法
JP2007109868A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4007412B2 (ja) * 2007-01-12 2007-11-14 ソニー株式会社 薄膜半導体装置及び液晶表示装置とこれらの製造方法
JP2009049080A (ja) * 2007-08-15 2009-03-05 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US8420458B2 (en) * 2009-04-03 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of producing same
US20120033146A1 (en) * 2010-08-03 2012-02-09 Chimei Innolux Corporation Liquid crystal display device and electronic device using the same
WO2013183495A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR101614398B1 (ko) * 2012-08-13 2016-05-02 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 그를 이용한 유기 발광장치
JP2014149429A (ja) 2013-02-01 2014-08-21 Japan Display Inc 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP2015206819A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN104538456B (zh) * 2014-12-31 2018-07-17 深圳市华星光电技术有限公司 低温多晶硅薄膜晶体管及薄膜晶体管基板
JP2015122538A (ja) * 2015-03-09 2015-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102316458B1 (ko) * 2015-03-24 2021-10-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시장치
TW202416542A (zh) * 2015-03-30 2024-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP2016200645A (ja) * 2015-04-07 2016-12-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9935127B2 (en) 2015-07-29 2018-04-03 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Control circuit of thin film transistor
CN105093738B (zh) * 2015-07-29 2018-09-04 武汉华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管的控制电路
KR102374537B1 (ko) 2015-08-21 2022-03-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6776060B2 (ja) * 2016-08-29 2020-10-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106526992A (zh) * 2016-12-30 2017-03-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种coa基板及液晶面板
CN106920804B (zh) 2017-04-28 2020-03-24 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置
CN108767016B (zh) * 2018-05-21 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
JPH0824193B2 (ja) 1990-10-16 1996-03-06 工業技術院長 平板型光弁駆動用半導体装置の製造方法
JP3024661B2 (ja) 1990-11-09 2000-03-21 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
US6143582A (en) * 1990-12-31 2000-11-07 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
DE69223009T2 (de) * 1991-08-02 1998-04-02 Canon Kk Flüssigkristall-Anzeigeeinheit
DE69529493T2 (de) 1994-06-20 2003-10-30 Canon K.K., Tokio/Tokyo Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5563727A (en) 1994-06-30 1996-10-08 Honeywell Inc. High aperture AMLCD with nonparallel alignment of addressing lines to the pixel edges or with distributed analog processing at the pixel level
JPH08152612A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP3307181B2 (ja) 1995-07-31 2002-07-24 ソニー株式会社 透過型表示装置
JPH0964366A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Toshiba Corp 薄膜トランジスタ
JPH09127551A (ja) 1995-10-31 1997-05-16 Sharp Corp 半導体装置およびアクティブマトリクス基板
US5782665A (en) * 1995-12-29 1998-07-21 Xerox Corporation Fabricating array with storage capacitor between cell electrode and dark matrix
JP2734444B2 (ja) * 1996-03-22 1998-03-30 日本電気株式会社 液晶表示装置
TW374860B (en) * 1996-04-30 1999-11-21 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Active matrix liquid crystal display for projection
JP3634089B2 (ja) * 1996-09-04 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US5852486A (en) 1996-12-30 1998-12-22 Hoke, Jr.; Clare L. Liquid crystal display with alternative electrode structure
JP3291457B2 (ja) * 1997-10-13 2002-06-10 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法
US5917199A (en) * 1998-05-15 1999-06-29 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Solid state imager including TFTS with variably doped contact layer system for reducing TFT leakage current and increasing mobility and method of making same

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