JPH11260784A - 基板洗浄具及び基板洗浄方法 - Google Patents
基板洗浄具及び基板洗浄方法Info
- Publication number
- JPH11260784A JPH11260784A JP10344935A JP34493598A JPH11260784A JP H11260784 A JPH11260784 A JP H11260784A JP 10344935 A JP10344935 A JP 10344935A JP 34493598 A JP34493598 A JP 34493598A JP H11260784 A JPH11260784 A JP H11260784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin sheet
- cleaning liquid
- cleaning
- liquid supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 301
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 147
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 146
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 146
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 31
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 30
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 6
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
- B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/50—Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
容易な基板洗浄具を提供すること。 【解決手段】 洗浄液供給管2の回りに気密かつ回転自
在に回転筒3を嵌合し、回転筒3の出口側開口部を多数
の通流孔42を備えた水流分散板41で覆い、さらに水
流拡散板41の外側に樹脂シ−ト43を、回転筒3の出
口側開口部に塞ぎかつ外側に膨らむように設ける。回転
筒3内に供給された洗浄液は水流拡散板41を介して樹
脂シ−ト43内に通流していき、樹脂シ−ト43及び回
転筒3内部に貯留され、回転筒3内が洗浄液の貯留によ
り加圧されると、洗浄液が樹脂シ−ト43の微細な孔か
ら吹き出していく。樹脂シ−ト43により基板を擦って
基板の洗浄が行われるが、樹脂シ−ト43の材質及び洗
浄液を吹き出させる構成により、樹脂シ−ト43にはパ
−ティクルが付着しにくい。
Description
られる基板洗浄具及び基板洗浄方法に関する。
は、半導体デバイスが形成される半導体ウエハ(以下
「ウエハ」という)の表面の清浄度を高く維持する必要
がある。このため各々の製造プロセスや処理プロセスの
前後には必要に応じてウエハ表面を洗浄しているが、例
えば成膜工程や研磨工程の後にも例えば図12に示す洗
浄装置を用いてウエハ表面の洗浄が行われている。
この装置はウエハWの外周全体を保持すると共に、水平
方向に回転可能なウエハ保持部10と、ウエハWの表面
に洗浄液を供給するためのノズル11と、ウエハWの表
面に所定の圧力で接触されるブラシ12と、ウエハ保持
部10とウエハWの周囲を包囲し、垂直方向に移動可能
なカップ14とを備えて構成されている。このような洗
浄装置では、ウエハWとブラシ部17とを鉛直な軸のま
わりに回転させ、ウエハWの表面にノズル11及びブラ
シ12を介して洗浄液を供給すると共に、当該ブラシ1
2をウエハWの表面に押し当ててウエハWとブラシ12
とを相対的に摺動させることにより、ウエハW表面の粒
子汚染物を除去している。
(a)の断面図及び図13(b)の底面図を用いて説明
すると、このブラシ12は、回転軸15により例えば4
本の支持杆15aを介して鉛直な軸のまわりに回転可能
に構成された筒状の本体16の下端側にブラシ部17を
取り付けて構成されている。このブラシ部17は発泡P
VA(ポリビニルアルコ−ル)からなる複数の円柱状の
ブラシ体17aの上部側を支持板17bで支持して構成
されており、前記支持板17bの外面は本体16の内壁
面の下部側に固定されている。これにより各ブラシ体1
7aは上面が本体16内に露出すると共に、下面が本体
16の下側に突出するようになっている。
は前記回転軸15の一端側が取り付けられており、さら
に本体16の上部側には、本体16内部に洗浄液例えば
純水を供給するための供給管18が、先端側が支持杆1
5aの上方側に位置して本体16内部に開口するように
設けられている。こうしてブラシ12は回転軸15の回
転により本体16及びブラシ部17が回転し、ここに供
給管18から洗浄液が供給されて当該液がブラシ体17
aの発泡体の内部を通過してウエハW表面に供給される
ようになっている。
ラシ12では、洗浄の際にウエハの粒子汚染物等のパ−
ティクルがブラシ体17aの表面に付着したり、当該付
着したパ−ティクルが洗浄処理時のウエハWとブラシ体
17aとの摺動等によって、ブラシ体17aを構成する
発泡体内部の孔部に入り込んでしまうことがある。
が付着すると、何らかのタイミングで当該パ−ティクル
ブラシ体17aから剥がれ落ちてウエハWに転写され、
洗浄後のウエハWにパ−ティクルが残存するおそれがあ
った。
のであり、その目的は、パ−ティクルが付着しにくく、
しかも洗浄が容易な基板洗浄具を提供することにある。
浄具は、洗浄液を基板に供給するための洗浄液供給路部
材と、この洗浄液供給路部材の出口を塞いで外側に膨ら
むように設けられ、多数の微細な孔を有する、基板を擦
するための樹脂シ−トと、を備え、前記洗浄液は、樹脂
シ−トの内側で加圧されて当該樹脂シ−トの微細な孔か
ら吹き出すことを特徴とする。ここで基板洗浄具は、洗
浄液供給路部材は洗浄液供給管と、この洗浄液供給管に
気密にかつ回転自在に嵌合された回転筒とを備え、樹脂
シ−トはこの回転筒の出口側に設けられ、前記回転筒を
回転させるための駆動部を設けるように構成してもよ
い。
面とパ−ティクルとの密着力が小さいので当該表面自体
にパ−ティクルが付着しにくい。また洗浄液を樹脂シ−
トの内部から吹き出させて洗浄を行っているので、樹脂
シ−トの微細な孔には常に内部から外部へ向かう液流が
あり、これにより樹脂シ−トの内部にパ−ティクルが入
り込みにくい。このため基板の洗浄の際に、樹脂シ−ト
に付着したパ−ティクルが基板に転写され、基板が汚染
されてしまうという現象の発生が抑えられる。また基板
洗浄具を洗浄する場合にはパ−ティクルが落ちやすいの
で洗浄が容易になり、洗浄に要する時間を短縮すること
ができる。
を通る洗浄液に超音波を発振してこの洗浄液を振動させ
る超音波発振部を備えるように構成してもよく、この場
合には、洗浄液を超音波振動させた状態で基板表面に供
給できるので、洗浄力や分散力をより大きくすることが
できる。
は、樹脂シ−トの内側に洗浄液の流路を塞ぐように、多
数の孔を備えた水流分散板を設けるようにしてもよい。
この場合には、樹脂シ−トの内部を大きな圧力で均等に
加圧することができ、これにより洗浄力を大きくするこ
とができる。
は、樹脂シ−トの内側に洗浄液の流路を塞ぐように透水
性の弾性体を設けるようにしてもよい。この場合には前
記弾性体が樹脂シ−トの芯材になり、洗浄液の樹脂シ−
トへの供給量が少なくても樹脂シ−トの内部が所定の圧
力になるため、洗浄液の消費量を低減することができ
る。
て接離させるための駆動部を備え、洗浄液により内側が
加圧された樹脂シ−トを前記駆動部により基板に押圧さ
せ、この押圧量を変えることにより樹脂シ−トの基板へ
の荷重を調整するようにしてもよく、この場合には前記
荷重の調整を広い範囲で容易に行うことができる。また
この場合樹脂シ−トを基板に押圧させてから洗浄液を樹
脂シ−トの内側で加圧し、樹脂シ−トの基板への押圧量
と樹脂シ−トの内圧とにより、樹脂シ−トの基板への荷
重を調整するようにしてもよい。さらに樹脂シ−トの高
さを一定にした後、洗浄液を樹脂シ−トの内側で加圧し
て、これにより基板に押圧させ、樹脂シ−トの内圧によ
り樹脂シ−トの基板への荷重を調整するようにしてもよ
い。
樹脂やポリオレフィン樹脂により構成することが好まし
く、このようにすると表面の摩擦係数が小さいのでパ−
ティクルがより付着しにくくなると共に、薬液に対する
耐候性が強いので洗浄力の大きい薬液を用いることがで
き、洗浄力を高めることができる。
洗浄ブラシの実施の形態の一例を示す断面図であり、図
2はその斜視図である。図中2は、例えば鉛直な軸のま
わりに回転自在な基板保持部21にて水平(ほぼ水平な
状態も含む)に保持された基板例えばウエハWの表面に
洗浄液を供給するための鉛直な洗浄液供給管であり、こ
の洗浄液供給管2の回りには磁気シ−ル部22を介して
回転筒3が気密にかつ回転自在に嵌合されている。
の開口部から挿入される上側円筒体31と、上側円筒体
31よりも口径が大きい下側円筒体32とをこの順に上
下に連通させて構成されており、下側円筒体32の下側
の開口部が回転筒3の出口側に相当している。このよう
な回転筒3には、水流拡散板41が下側円筒体32の出
口側開口部を塞ぐように設けられている。この水流拡散
板41は例えば直径数μm〜数mm程度の大きさの通流
孔42が多数形成されて構成されており、例えば下方側
円筒体32の下縁に外側に膨らんだ状態になるように取
り付けられている。
側には、樹脂シ−ト43が下側円筒体32の出口側開口
部を塞ぐように設けられている。つまり樹脂シ−ト43
はこの例では袋状に構成されており、当該樹脂シ−ト4
3の開口部を下側円筒体32の下部側に被せ、水流拡散
板41の外方側に所定の空間が確保されるように、下側
円筒体32の外面と樹脂シ−ト43とが気密に固定され
ている。
ト表面の摩擦係数が小さく、通常の圧力では洗浄液は通
過できないが、加圧状態では通過できる程度の大きさの
微細な孔を多数有する多孔質体の樹脂が用いられ、この
ような樹脂としてはフッ素樹脂等を用いることができ
る。一例を挙げると例えば膜厚が0.1mm〜数mm、
孔の大きさが0.01〜数百μm程度の例えばPTFE
(ポリテトラフルオルエチレン)製のシ−ト等が用いら
れる。
液供給管2に磁気シ−ル部22により気密に嵌合されて
いると共に、下側開口部は樹脂シ−ト43により気密に
塞がれているので内部が密閉状態になっている。そして
洗浄液供給管2から洗浄液が供給されると、後述するよ
うに洗浄液が水流拡散板41を介して樹脂シ−ト43内
に通流して樹脂シ−ト43の内部に溜まり、当該樹脂シ
−ト43の内部が洗浄液で一杯になると、樹脂シ−ト4
3が水流拡散板41の外方側に膨らんだ状態になるよう
になっている。
動可能に構成された水平な支持ア−ム5に、上側円筒体
31の上部側が埋設されるように取り付けられている。
この支持ア−ム5の中には、駆動部をなすモ−タ51
と、このモ−タ51の回転軸52に設けられた駆動プ−
リ53と、上側円筒体31の外面に設けられた従動プ−
リ54と、駆動プ−リ53と従動プ−リ54との間に架
け渡されたベルト55とが内蔵されていて、モ−タ51
の回転力が上側円筒体31に伝達され、これにより回転
筒3が鉛直な軸のまわりに回転されるようになってい
る。
上方側で水平に屈曲しており、例えば昇降可能に構成さ
れた鉛直な昇降軸56に組み合わされた支持ア−ム5の
中を通って他端側が図示しない洗浄液槽に接続されてい
る。本実施の形態では洗浄液供給管2と回転筒3とによ
り洗浄液供給路部材が構成されている。
2より回転筒3内に洗浄液例えば純水を供給すると、当
該洗浄液は水流拡散板41の通流孔42を介して樹脂シ
−ト43の内部に流出していく。この際樹脂シ−ト43
の孔の大きさは0.01〜数百μm程度であるので、洗
浄液は通常の圧力ではこの樹脂シ−ト43を通過できず
に当該樹脂シ−ト43の内部に閉じ込められ、当該内部
に次第に溜まって行く。こうして洗浄液は樹脂シ−ト4
3内部を満たし、次いで回転筒3の内部を満たして行
く。
にあることから、例えば磁気シ−ル部22の下面付近ま
で洗浄液で満たされると次第に内部が加圧されていく。
そして所定の圧力まで加圧されると、洗浄液は樹脂シ−
ト43の微細な孔から外部に吹き出していく。
が外側に膨らんだ状態にあり、このような洗浄ブラシを
ウエハW表面に押圧させると、図3に示すように樹脂シ
−ト43の下面はウエハW表面に押し付けられて、当該
表面に沿うように平らに変形した状態でウエハWに接触
する。そしてこの状態で洗浄ブラシをモ−タ51により
回転させると共に、ウエハWを基板保持部21により回
転させ、こうしてウエハWと洗浄ブラシの下面とを相対
的に摺動させて、ウエハWの洗浄が行われる。なお洗浄
ブラシは回転しなくてもよい。
を洗浄する際に樹脂シ−ト43がウエハW表面に合わせ
て変形しやすく、当該表面に隙間無く接触されるので、
ウエハWと樹脂シ−ト43との接触面積が大きくなると
共に、当該接触している面の洗浄力のバラツキが抑えら
れる。
3の摩擦係数が小さいという性質を利用し、樹脂シ−ト
43表面とパ−ティクルとの密着力が小さく、当該表面
自体にパ−ティクルが付着しにくい。また洗浄液を樹脂
シ−ト43の内部から吹き出させているので、洗浄処理
の際、樹脂シ−ト43の微細な孔には常に内部から外部
へ向かう液流があり、これにより樹脂シ−ト43の孔に
はパ−ティクルが外部から入り込みにくい。
の表面に付着しにくく、また内部にも入り込みにくいの
で、このためウエハWの洗浄の際に、樹脂シ−ト43に
付着したパ−ティクルがウエハWに転写され、ウエハW
が汚染されてしまうという現象は起こりにくい。また樹
脂シ−ト43にパ−ティクルが付着したとしても、既述
のようにパ−ティクルと樹脂シ−ト43との密着性が低
いので、洗浄ブラシの洗浄の際パ−ティクルが落ちやす
い。このため洗浄に要する時間がかなり短くて済み、洗
浄処理全体のスル−プットを向上させることができる。
ので、例えば洗浄液としてオゾン等の洗浄力の大きい薬
液を用いることができ、この場合には洗浄力を高めるこ
とができる。さらに樹脂シ−ト43の膜厚や孔の大きさ
や形状を変えることにより、樹脂シ−ト43内部の加圧
力を変化させることができるので、これにより洗浄液の
吐出量や吐出圧力を調整することができる。さらにまた
洗浄液供給管2の途中に、洗浄液供給管2内の圧力を調
整するための圧力調整弁を設け、この圧力調整弁により
洗浄液の吐出量や吐出圧力を調整するようにしてもよ
い。
説明する。この例が上述の実施の形態と異なる点は、洗
浄液供給路部材を通る洗浄液に超音波を発振するように
構成したことである。例えば回転筒3内に鉛直に挿入さ
れた洗浄液供給管6の先端側には、当該洗浄液供給管6
を囲むように超音波発振部61が設けられており、この
超音波発振部61の内部には、洗浄液供給管6を囲むリ
ング状の超音波発振子62が長さ方向に複数個設けられ
ている。この場合超音波発振部61は図示しない電源部
をスイッチによりオン・オフできるように構成してもよ
いし、また超音波発振部61の超音波振動の強さを調整
できるように構成してよい。またブラシ本体の外部に超
音波発振部61を設けてもよい。
る洗浄液に超音波発振子62から超音波が発振され、洗
浄液は超音波により振動した状態で前記洗浄液供給管6
から吐出される。このように超音波が発振された洗浄液
を回転筒3内に供給すると、洗浄液は振動した状態で水
流拡散板41を介して樹脂シ−ト43内に分散されてい
き、振動した状態で樹脂シ−ト43から吹き出してい
く。このように洗浄液が振動した状態でウエハW表面に
供給されると、振動している洗浄液は振動していない洗
浄液に比べて洗浄力や分散力が大きいので、洗浄効果が
高められる。
裏両面を洗浄するタイプの洗浄装置に適用した例につい
て図5により説明する。図中70はウエハWの下方側を
覆う筒状の回転体であり、この回転体70の下部側は上
部側に比べてわずかに縮径している。当該縮径部71の
内側にはベアリング機構72を介して垂直な筒状体73
が設けられており、この筒状体73の下端側は水平な固
定板74の上面に接続されている。また前記縮径部71
の外周囲と図示しないモ−タとの間にはベルト75が架
け渡されている。
Wの周縁部の6か所の位置にウエハWの外面を保持する
ための保持部材76が設けられている。この保持部材7
6は例えば内周面の途中でウエハWの端面を保持すると
共に、前記内周面がウエハWの下方側で内側に傾斜する
ように構成されている。この保持部材76は水平な回転
軸77を介して回転体70に、水平な軸のまわりに回転
可能に取り付けられると共に、図示しない重錘が設けら
れていて、回転体70が回転したときの遠心力により保
持部材76の上部側が内側に倒れてウエハWの周縁部の
挟圧力が大きくなるように構成されている。
には、ウエハW表面を洗浄するための第1の洗浄ブラシ
81と、ウエハW表面に洗浄液を供給するための第1の
ノズル82とが夫々ア−ム83,84に支持されて、保
持部材76に保持されたウエハWの外側の待機位置と、
ウエハWを洗浄するときの洗浄位置との間で水平方向及
び垂直方向に移動可能に構成されている。
面を洗浄するための第2の洗浄ブラシ91が折り畳み式
のブラシア−ム92に支持されて設けられると共に、ウ
エハWの裏面に洗浄液を供給するための第2のノズル9
3が設けられている。これらブラシア−ム92とノズル
93は固定板74に形成された孔部74aを介して夫々
駆動部94,95に接続されている。この例では第1及
び第2の洗浄ブラシ81,91は夫々上述の洗浄ブラシ
により構成されている。
シ81及び第1のノズル82を待機位置に位置させた状
態で、図示しない搬送ア−ムにて保持したウエハWを保
持部材76で囲まれた領域の上方側から下降させて保持
部材76に受け渡し、当該保持部材76に保持させる。
次いでモ−タの回転力をベルトにより縮径部71に伝達
し、回転体70を鉛直な軸のまわりに回転させる一方、
洗浄ブラシ81及びノズル82をウエハWの上方側に移
動し、第1及び第2のノズル82,93からウエハWの
表面及び裏面に洗浄液を夫々供給する。
は、回転筒3内に洗浄液を供給して樹脂シ−ト43から
洗浄液を吹き出させると共に、ウエハWの表面及び裏面
に夫々所定の押圧力で接触させる。そして各洗浄ブラシ
81,91を鉛直な軸のまわりに回転させると共に、ア
−ム83,ブラシア−ム92によりウエハW上を水平方
向に移動させながら洗浄処理を行う。
の両面を洗浄するタイプの洗浄装置に適用した場合に
は、ウエハWの表面及び裏面を同時に洗浄することがで
きるので、従来ウエハWの両面を洗浄する場合には必要
であった反転装置が不要となり、従来装置に比べて洗浄
装置全体が小形化するうえ、洗浄処理時間が大幅に短縮
され、スル−プットが向上するなどの利点が得られる。
ように構成してもよい。この洗浄ブラシが上述の洗浄ブ
ラシと異なる点は、上述の洗浄ブラシでは樹脂シ−ト4
3内の内圧を変えることによりウエハWへの押圧力を調
整していたが、この洗浄ブラシでは洗浄ブラシ自体を下
降させてウエハWを押圧することにより、前記押圧力を
調整するようにしたことである。
具体的に説明すると、この例は、洗浄ブラシを支持する
水平な支持ア−ム5の基端側に、他端側が駆動部をなす
昇降機構58に接続された昇降軸57が設けられてお
り、この昇降軸57を昇降機構58により昇降させるこ
とにより洗浄ブラシをウエハWに対して接離させ、洗浄
ブラシのウエハWへの押圧力を調整するように構成され
ている。またこの洗浄ブラシには、例えば支持ア−ム5
と昇降軸57の内部に設けられた洗浄液供給管2の途中
に、当該洗浄液供給管2内の圧力を調整するための洗浄
液供給圧調整手段である圧力調整弁22が設けられてい
る。この圧力調整弁22により樹脂シ−トの内部の加圧
力が変化され、洗浄液の吐出量や吐出圧力が調整され
る。その他の構成は上述の図1に示す洗浄ブラシと同様
である。
する。先ず洗浄ブラシの樹脂シ−ト43の内圧と洗浄ブ
ラシの押付け代の決定方法の一例について説明するが、
この例では例えば待機位置にてこれを決定する。つまり
例えば待機位置には図7に示すように、底部に排液管1
01が接続された液受け部100が設けられており、こ
の液受け部100の内部には重量計102が設けられて
いて、この重量計102の上面とウエハWの上面とは高
さ位置が揃うようになっている。そして洗浄ブラシに洗
浄液を供給している状態で重量計102にて当該洗浄ブ
ラシの荷重を測定し、この測定値に基づいて所定の荷重
(押圧力)を得るための樹脂シ−ト43の内圧と洗浄ブ
ラシの押付け代を決定する。
給量により決定され、供給量が多くなれば前記内圧が大
きくなって前記荷重が大きくなる。この際洗浄液供給管
2には圧力調整弁22が設けられているので、樹脂シ−
ト43の内圧はほぼ一定に維持される。また前記押付け
代とは、洗浄ブラシでウエハWを押圧する場合に、洗浄
ブラシの下端側がウエハW上面に接触した位置からさら
に洗浄ブラシを下降させたときの下降距離のことをい
い、当該下降距離が大きくなれば前記荷重が大きくなる
が、測定値から洗浄ブラシの下降量が決定される。
脂シ−ト43の内圧を小さくした状態で支持ア−ム5と
昇降軸57を作動させて、洗浄ブラシを待機位置からウ
エハWを洗浄する処理位置まで移動させた後、昇降軸5
7を下降させて洗浄ブラシの下端側をウエハWの所定位
置に接触させる。次いで上述の方法にて予め決定された
押付け代分洗浄ブラシを下降させてウエハWを押圧した
後、樹脂シ−ト43の内圧が予め決定された圧力となる
ように洗浄液を供給しながら、上述の実施の形態と同様
の方法でウエハWを洗浄する。
押付け代を変えることによりウエハWへの押圧力の調整
を行っているので、樹脂シ−ト43の内圧のみで押圧力
を調整する場合に比べてウエハWへの押圧力の調整を広
い範囲で容易に行うことができる。一般に例えばアルミ
膜の洗浄の場合には膜に傷がつきやすいので押圧力を小
さくし、ウエハWの裏面側の洗浄等の膜に傷がつきにく
い場合には、パ−ティクル除去率向上のため押圧力を大
きくしているので、押圧力の調整が容易であることは有
効である。また押圧力を必要に応じて調整できることか
ら、樹脂シ−ト43に圧力がかかることによる樹脂シ−
ト43への負担を必要量程度まで小さくでき、これによ
り寿命を長くできるという効果も得られる。
を圧力調整弁22により一定に維持しているので押圧力
を一定に維持することができる。ここで洗浄ブラシの押
付け代と樹脂シ−ト43の内圧は上述の方法等により予
め決定され、洗浄時にこれらを連続して制御する必要は
ないので、簡易な手法で所望の押圧力を得ることがで
き、低コストで洗浄力の安定を図ることができる。
大きくし、待機時や移動時等の非処理時には小さく設定
することにより、非処理時には洗浄液の消費量の低減
や、樹脂シ−ト43に圧力がかかることによる樹脂シ−
ト43の損傷を押さえることができるので、結果的に洗
浄液の消費量を低減し、樹脂シ−ト43の寿命を向上さ
せることができる。
設けて支持ア−ム5を昇降させる構成以外に、図8に示
すように、支持ア−ム5の先端に例えばエアシリンダ5
9を設け、このエアシリンダ59により洗浄ブラシを昇
降させる構成としてもよい。この例では上側円筒体31
と下側円筒体32は回転されない構成となっており、上
側円筒体31の上端側が支持ア−ム5の先端の下端側に
設けられたエアシリンダ59に接続されていて、当該エ
アシリンダ59により上側円筒体31が押圧されて、洗
浄ブラシが昇降するようになっている。
ブラシの押付け代と樹脂シ−ト43の内圧を決定するよ
うにしたが、これらは予め別の領域で決定しておき、待
機時には洗浄ブラシを液受け容器100内に待機させる
のみにするようにようにしてもよい。また処理時と非処
理時との間で樹脂シ−ト43内の内圧を変えないように
してもよい。
ウエハを押圧することにより前記押圧力を調整する場合
において述べたが、本発明にて昇降手段によりウエハに
対する洗浄ブラシの高さを一定にした後、洗浄ブラシ内
の内圧を変えることによりウエハへの押圧力を調整する
こともできる。
て説明するが、この例が上述の洗浄ブラシと異なる点
は、洗浄ブラシの水流拡散板41と樹脂シ−ト43との
間に、透水性の弾性体例えばスポンジ44を芯材として
充填したことである。樹脂シ−ト43の上端は上述の例
と同様に下側円筒体32の外面に気密に固定されている
が、当該樹脂シ−ト43はスポンジ44の外面を被覆す
るように設けられていて、樹脂シ−ト43が水流拡散板
41の外方側に膨らんだ状態になるようにスポンジ44
の形状が設定されている。このようなスポンジ44は、
洗浄液として純水を用いる場合には例えばPVAにより
形成することができる。その他の構成は上述の図1に示
す洗浄ブラシと同様である。
供給された洗浄液は、水流拡散板41を通過してスポン
ジ44内に浸透していき、スポンジ44内を透過して樹
脂シ−ト43の内部を満たし、次いで回転筒3の内部を
満たしていく。そして回転筒3内が洗浄液で所定の圧力
まで加圧された段階で洗浄液が樹脂シ−ト43の微細な
孔から外部に吹き出していき、こうして上述の例と同様
にウエハWが洗浄される。
ジ44を芯材として充填すると、樹脂シ−ト43の形状
はスポンジ44により外方に膨らむように保持されてい
るので、洗浄液の供給量が少なくても樹脂シ−ト43の
内圧をある程度の大きさにすることができる。このため
樹脂シ−ト43の内圧を所定の圧力にするための洗浄液
の量を少なくすることができ、洗浄液消費量を低減する
ことができる。
−ト43の形状が保持されているので樹脂シ−ト43が
ウエハW表面に合わせて変形しやすく、これによりウエ
ハWと樹脂シ−ト43との接触面積を大きくとれるた
め、図10に示すように水流拡散板41を設けずに、下
側円筒体32の下端側に所定形状のスポンジ44を設け
る構成としてもよい。
の材質としては、上述のようにPTFE等の多孔質体の
樹脂が用いられるが、PTFE以外に、孔の大きさが数
μm〜数十μmである、耐電防止処理を行ったポリオレ
フィン樹脂等の多孔質材料も用いることができる。
水性にした多孔質材料も用いることができ、この場合に
は樹脂シ−ト43が親水性になるので洗浄液がシ−トの
微細な孔を通過しやすくなる。これにより樹脂シ−ト4
3内の圧力が従来と同じ程度であれば、孔から流出する
洗浄液の流量が多くなるので、これを利用して洗浄力を
調整することができる。
方法の好適な例について図11により説明する。図11
(a)中103は本発明の洗浄ブラシであり、104は
純水用ノズル、105は洗浄液用ノズルであって、10
6はウエハWをほぼ水平に保持すると共に、鉛直な軸の
回りに回転させるためのウエハ保持部である。
に、洗浄液用ノズル105及び洗浄ブラシ103により
ウエハW表面に洗浄液例えばオゾン水を供給すると共
に、洗浄ブラシ103とウエハWとを回転させて両者を
相対的に摺動させ、ウエハW表面を洗浄する。次いで図
11(c)に示すように、純水用ノズル104によりウ
エハW表面にリンス液である純水を供給しながらウエハ
Wを回転させ、こうして純水をウエハW表面に遠心力に
より行き渡らせることにより、純水により洗浄液を除去
して当該ウエハW表面のリンスを行う。
より構成されたブラシでは用いることのできなかったオ
ゾン水や電解イオン水、RCA(塩酸過水、アンモニア
過水)等の洗浄力の大きい薬液を洗浄液として用いるこ
とに特徴があるが、本発明の洗浄ブラシは耐薬品性が高
いためこのような洗浄液を用いることができ、このため
洗浄効果を高めることができる。
酸化膜をエッチングする場合や例えばリン酸溶液によっ
て窒化膜をエッチングする場合、リン酸、酢酸、硝酸の
混合液によってアルミニウムをエッチングする場合の後
の洗浄処理に適用できる。またその他洗浄処理として
は、APM溶液(アンモニア+過酸化水素水+純水)に
よりパ−ティクルの除去を行う場合や、HPM溶液(塩
酸+過酸化水素水+純水)により金属汚染を清浄する場
合、SPM溶液(硝酸+過酸化水素水)によりレジスト
膜の有機物を除去する場合等に適用できる。
ィクルが樹脂シ−トの表面に付着したり、樹脂シ−トの
内部に入り込むことを抑えることができ、また基板洗浄
具自体の洗浄を容易に行うことができる。請求項3の発
明によれば、洗浄液を超音波振動させた状態で基板表面
に供給できるので、洗浄力や分散力をより大きくするこ
とができる。請求項4の発明によれば、樹脂シ−トの内
部を大きな圧力で均等に加圧することができ、これによ
り洗浄力を大きくすることができる。
内への洗浄液の供給量が少なくても樹脂シ−ト内を所定
の圧力に維持することができるので、洗浄液の消費量を
低減することができる。請求項6の発明によれば、樹脂
シ−トの押圧量により樹脂シ−トの基板に対する荷重を
調整するので、前記荷重の調整を広い範囲で容易に行う
ことができる。請求項7及び請求項8の発明によれば、
樹脂シ−トに付着するパ−ティクル量をより低減できる
と共に、洗浄力の大きい薬液を用いることができ、洗浄
力を高めることができる。
れば、樹脂シ−ト内の洗浄液の加圧量を調整することに
より樹脂シ−トの基板に対する荷重を調整しているの
で、荷重の調整を容易に行うことができる。また請求項
11〜14の発明によれば、樹脂シ−トの押圧量と樹脂
シ−トの内圧により樹脂シ−トの基板に対する荷重を調
整するので、前記荷重の調整をさらに広い範囲で容易に
行うことができる。特に請求項12の発明によれば洗浄
力の安定を図ることができ、請求項13の発明によれば
洗浄液の消費量の低減や樹脂シ−トの損傷を図ることが
でき、請求項14の発明によれば基板の洗浄面に適した
洗浄を行うことができる。
縦断側面図である。
面図である。
である。
を示す縦断側面図である。
側面図である。
す断面図である。
側面図である。
側面図である。
断側面図である。
を示す工程図である。
である。
Claims (14)
- 【請求項1】 洗浄液を基板に供給するための洗浄液供
給路部材と、 この洗浄液供給路部材の出口を塞いで外側に膨らむよう
に設けられ、多数の微細な孔を有する、基板を擦するた
めの樹脂シ−トと、を備え、 前記洗浄液は、樹脂シ−トの内側で加圧されて当該樹脂
シ−トの微細な孔から吹き出すことを特徴とする基板洗
浄具。 - 【請求項2】 洗浄液供給路部材は洗浄液供給管と、こ
の洗浄液供給管に気密にかつ回転自在に嵌合された回転
筒とを備え、樹脂シ−トはこの回転筒の出口側に設けら
れ、前記回転筒を回転させるための駆動部を設けたこと
を特徴とする請求項1記載の基板洗浄具。 - 【請求項3】 洗浄液供給路部材を通る洗浄液に超音波
を発振してこの洗浄液を振動させる超音波発振部を備え
たことを特徴とする請求項1または2記載の基板洗浄
具。 - 【請求項4】 洗浄液供給路部材の出口側には、樹脂シ
−トの内側に洗浄液の流路を塞ぐように、多数の孔を備
えた水流分散板を設けたことを特徴とする請求項1、2
または3記載の基板洗浄具。 - 【請求項5】 洗浄液供給路部材の出口側には、樹脂シ
−トの内側に洗浄液の流路を塞ぐように透水性の弾性体
を設けたことを特徴とする請求項1、2、3または4記
載の基板洗浄具。 - 【請求項6】 洗浄液供給路部材を基板に対して接離さ
せるための駆動部を備え、洗浄液により内側が加圧され
た樹脂シ−トを前記駆動部により基板に押圧させ、この
押圧量を変えることにより樹脂シ−トの基板への荷重を
調整することを特徴とする請求項1、2、3、4または
5記載の基板洗浄具。 - 【請求項7】 樹脂シ−トはフッ素樹脂からなることを
特徴とする請求項1、2、3、4、5または6記載の基
板洗浄具。 - 【請求項8】 樹脂シ−トはポリオレフィン樹脂からな
ることを特徴とする請求項1、2、3、4、5または6
記載の基板洗浄具。 - 【請求項9】 洗浄液供給路部材の途中に設けられた洗
浄液供給圧調整手段により前記洗浄液が樹脂シ−トの内
側で加圧されることを特徴とする請求項1,2,3,
4,5,6,7又は8記載の基板洗浄具。 - 【請求項10】 洗浄液を基板に供給するための洗浄液
供給路部材と、この洗浄液供給路部材の出口を塞いで外
側に膨らむように設けられ、多数の微細な孔を有する、
基板を擦するための樹脂シ−トとを備え、前記洗浄液を
樹脂シ−トの内側で加圧して当該樹脂シ−トの微細な孔
から吹き出させる基板洗浄具を基板に対して相対的に摺
動させて当該基板の洗浄を行う基板洗浄方法において、 洗浄液を樹脂シ−トの内側で加圧することにより樹脂シ
−トを基板に押圧する工程と、 前記樹脂シ−トの内側の洗浄液の加圧量にて樹脂シ−ト
の基板への荷重を調整することを特徴とする基板洗浄方
法。 - 【請求項11】 洗浄液を基板に供給するための洗浄液
供給路部材と、この洗浄液供給路部材の出口を塞いで外
側に膨らむように設けられ、多数の微細な孔を有する、
基板を擦するための樹脂シ−トとを備え、前記洗浄液を
樹脂シ−トの内側で加圧して当該樹脂シ−トの微細な孔
から吹き出させる基板洗浄具を基板に対して相対的に摺
動させて当該基板の洗浄を行う基板洗浄方法において、 樹脂シ−トを基板に押圧させる工程と、 洗浄液を樹脂シ−トの内側で加圧する工程と、を含み、 樹脂シ−トの基板への押圧量と樹脂シ−トの内圧とによ
り、樹脂シ−トの基板への荷重を調整することを特徴と
する基板洗浄方法。 - 【請求項12】 基板の処理中は、樹脂シ−トの内側の
洗浄液の加圧量がほぼ一定であることを特徴とする請求
項10又は11記載の基板洗浄方法。 - 【請求項13】 基板の処理時における樹脂シ−トの内
側の洗浄液の加圧量は、未処理時よりも大きいことを特
徴とする請求項10,11又は12記載の基板洗浄方
法。 - 【請求項14】 樹脂シ−トの内側の洗浄液の加圧量
は、基板の洗浄面に応じて可変であることを特徴とする
請求項10又は11記載の基板洗浄方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34493598A JP3654779B2 (ja) | 1998-01-06 | 1998-11-18 | 基板洗浄具及び基板洗浄方法 |
US09/222,610 US6175983B1 (en) | 1998-01-06 | 1998-12-29 | Substrate washing apparatus and method |
DE19860731A DE19860731C2 (de) | 1998-01-06 | 1998-12-30 | Substrat-Waschanlage mit einem eine Folie aufweisenden Reinigungselement und Verfahren zur Substratreinigung |
KR1019990000113A KR100598993B1 (ko) | 1998-01-06 | 1999-01-06 | 기판세정장치 및 기판세정방법 |
US09/724,366 US6432212B1 (en) | 1998-01-06 | 2000-11-28 | Substrate washing method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1211598 | 1998-01-06 | ||
JP10-12115 | 1998-01-06 | ||
JP34493598A JP3654779B2 (ja) | 1998-01-06 | 1998-11-18 | 基板洗浄具及び基板洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11260784A true JPH11260784A (ja) | 1999-09-24 |
JP3654779B2 JP3654779B2 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=26347692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34493598A Expired - Fee Related JP3654779B2 (ja) | 1998-01-06 | 1998-11-18 | 基板洗浄具及び基板洗浄方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6175983B1 (ja) |
JP (1) | JP3654779B2 (ja) |
KR (1) | KR100598993B1 (ja) |
DE (1) | DE19860731C2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016175033A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | キヤノン株式会社 | フィルム洗浄装置 |
JP2016188932A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 大日本印刷株式会社 | ペリクル接着剤除去装置及びペリクル接着剤除去方法 |
US9588604B2 (en) | 2011-11-07 | 2017-03-07 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Shared edge for a display environment |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3772056B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2006-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法 |
KR100613919B1 (ko) * | 1999-07-26 | 2006-08-18 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판세정구, 기판세정장치 및 기판세정방법 |
JP2001246331A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-11 | Sharp Corp | 洗浄装置 |
JP4172567B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2008-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄具及び基板洗浄装置 |
MXPA05003691A (es) | 2002-10-07 | 2005-11-17 | James Hardie Int Finance Bv | Material mixto de fibrocemento de densidad media durable. |
US7392563B2 (en) * | 2003-01-14 | 2008-07-01 | Wentworth Laboratories, Inc. | Probe pin cleaning system |
US7419638B2 (en) | 2003-01-14 | 2008-09-02 | Micronics, Inc. | Microfluidic devices for fluid manipulation and analysis |
CA2513880A1 (en) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Micronics Inc. | Method and system for microfluidic manipulation, amplification and analysis of fluids, for example, bacteria assays and antiglobulin testing |
JP2006516479A (ja) * | 2003-02-04 | 2006-07-06 | フォワード テクノロジー ア クレスト グループ カンパニー | 超音波洗浄タンク |
US6951042B1 (en) * | 2003-02-28 | 2005-10-04 | Lam Research Corporation | Brush scrubbing-high frequency resonating wafer processing system and methods for making and implementing the same |
US7231682B1 (en) * | 2003-08-28 | 2007-06-19 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for simultaneously cleaning the front side and back side of a wafer |
NZ548221A (en) | 2004-01-12 | 2010-06-25 | Hardie James Technology Ltd | Composite fibre cement article with radiation curable component |
US7998571B2 (en) * | 2004-07-09 | 2011-08-16 | James Hardie Technology Limited | Composite cement article incorporating a powder coating and methods of making same |
CN100542700C (zh) * | 2004-12-24 | 2009-09-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 玻璃基板清洗用载具 |
AU2006204858A1 (en) * | 2005-01-13 | 2006-07-20 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Microfluidic rare cell detection device |
US7799146B2 (en) * | 2005-02-08 | 2010-09-21 | Cavitus Pty Ltd | Apparatus and method of ultrasonic cleaning and disinfection |
KR100795622B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2008-01-17 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
DE102005049005B4 (de) * | 2005-10-11 | 2017-02-16 | Vanguard Ag | Einrichtung zur Reinigung von medizinischen Instrumenten mittels Ultraschall |
US9056291B2 (en) | 2005-11-30 | 2015-06-16 | Micronics, Inc. | Microfluidic reactor system |
US7763453B2 (en) | 2005-11-30 | 2010-07-27 | Micronics, Inc. | Microfluidic mixing and analytic apparatus |
US20070178529A1 (en) * | 2006-01-13 | 2007-08-02 | Micronics, Inc. | Electromagnetically actuated valves for use in microfluidic structures |
MX2008013202A (es) | 2006-04-12 | 2009-01-09 | James Hardie Int Finance Bv | Elemento de construcción de refozado y sellado en superficies. |
JP4926678B2 (ja) * | 2006-12-04 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体 |
WO2009031401A1 (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-12 | Konica Minolta Opto, Inc. | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体 |
EP2349566B1 (en) | 2008-10-03 | 2016-01-06 | Micronics, Inc. | Microfluidic apparatus and methods for performing blood typing and crossmatching |
US20110296634A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Jingdong Jia | Wafer side edge cleaning apparatus |
US20130196572A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | Sen-Hou Ko | Conditioning a pad in a cleaning module |
JP6113960B2 (ja) | 2012-02-21 | 2017-04-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TWI452423B (zh) * | 2012-11-19 | 2014-09-11 | Gudeng Prec Industral Co Ltd | 光罩清洗方法及其系統 |
WO2014182844A1 (en) | 2013-05-07 | 2014-11-13 | Micronics, Inc. | Microfluidic devices and methods for performing serum separation and blood cross-matching |
JP6145334B2 (ja) | 2013-06-28 | 2017-06-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
US10504753B2 (en) * | 2013-12-13 | 2019-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Brush cleaning apparatus, chemical-mechanical polishing (CMP) system and wafer processing method |
JP6352158B2 (ja) * | 2014-11-20 | 2018-07-04 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄具、洗浄具の製造方法、および、基板洗浄装置 |
JP6643942B2 (ja) * | 2016-04-12 | 2020-02-12 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄部材、基板洗浄装置及び基板処理装置 |
JP6751634B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-09-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
TWI834489B (zh) * | 2017-12-13 | 2024-03-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置 |
CN113564597B (zh) * | 2021-09-28 | 2021-12-07 | 南通汉瑞通信科技有限公司 | 一种印刷电路用喷淋式蚀刻设备 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0695508B2 (ja) * | 1986-11-28 | 1994-11-24 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 基板の両面洗浄装置 |
JP3328426B2 (ja) * | 1994-05-12 | 2002-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置 |
EP1080797A3 (en) * | 1994-06-28 | 2005-10-05 | Ebara Corporation | Method and apparatus for cleaning workpiece |
EP0727816B1 (en) * | 1995-02-15 | 2004-05-26 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing particulate contaminants from a semiconductor wafer surface |
JPH08238463A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Ebara Corp | 洗浄方法及び洗浄装置 |
JP3422121B2 (ja) * | 1995-03-06 | 2003-06-30 | ソニー株式会社 | スクラブ洗浄装置 |
KR100213992B1 (ko) | 1995-05-12 | 1999-08-02 | 히가시 데쓰로 | 세정장치 |
JPH09125263A (ja) * | 1995-11-02 | 1997-05-13 | Gunze Ltd | Ito残渣の除去・洗浄方法 |
JP3278590B2 (ja) * | 1996-08-23 | 2002-04-30 | 株式会社東芝 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
TW353784B (en) * | 1996-11-19 | 1999-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for washing substrate |
-
1998
- 1998-11-18 JP JP34493598A patent/JP3654779B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-29 US US09/222,610 patent/US6175983B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-30 DE DE19860731A patent/DE19860731C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-01-06 KR KR1019990000113A patent/KR100598993B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-11-28 US US09/724,366 patent/US6432212B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9588604B2 (en) | 2011-11-07 | 2017-03-07 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Shared edge for a display environment |
JP2016175033A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | キヤノン株式会社 | フィルム洗浄装置 |
JP2016188932A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 大日本印刷株式会社 | ペリクル接着剤除去装置及びペリクル接着剤除去方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6432212B1 (en) | 2002-08-13 |
JP3654779B2 (ja) | 2005-06-02 |
DE19860731C2 (de) | 2003-06-05 |
US6175983B1 (en) | 2001-01-23 |
KR100598993B1 (ko) | 2006-07-07 |
DE19860731A1 (de) | 1999-07-22 |
KR19990067744A (ko) | 1999-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3654779B2 (ja) | 基板洗浄具及び基板洗浄方法 | |
US7093375B2 (en) | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing | |
US20070181149A1 (en) | Single wafer backside wet clean | |
US6954993B1 (en) | Concentric proximity processing head | |
US7862663B2 (en) | Methods for processing a substrate with a flow controlled meniscus | |
KR100379650B1 (ko) | 기판세정장치및기판세정방법 | |
US6491760B2 (en) | Scrub washing method | |
JP2002093765A (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
KR20010015426A (ko) | 기판세정구, 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
JP2019161107A (ja) | 基板洗浄装置、及び基板洗浄方法 | |
JP3420046B2 (ja) | 洗浄装置 | |
JP2617535B2 (ja) | 洗浄装置 | |
US20070295367A1 (en) | Apparatus and Method For Wet Treatment of Wafers | |
JP2002222788A (ja) | 基板洗浄具及び基板洗浄装置 | |
JP2003320323A (ja) | 基板洗浄方法 | |
JP4111299B2 (ja) | 基板洗浄具,基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
JP7221375B2 (ja) | 基板処理ブラシの洗浄方法及び基板処理装置 | |
TW202300240A (zh) | 基板清洗裝置及其控制方法 | |
JP2702473B2 (ja) | 洗浄方法 | |
JPH08299928A (ja) | 基板の表面処理用超音波発生装置 | |
JP2000311878A (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP2004079767A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JPH0353524A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
KR20060025836A (ko) | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 | |
JPH10229040A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050301 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110311 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |