JPH11237737A - 感光性樹脂組成物およびその製造方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物およびその製造方法Info
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- JPH11237737A JPH11237737A JP10175129A JP17512998A JPH11237737A JP H11237737 A JPH11237737 A JP H11237737A JP 10175129 A JP10175129 A JP 10175129A JP 17512998 A JP17512998 A JP 17512998A JP H11237737 A JPH11237737 A JP H11237737A
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 既存の露光システムを利用して、感光性樹脂
組成物（特に半導体製造用レジスト）の感度および解像
度を改善する。 【解決手段】 感光性樹脂組成物を、ベース樹脂（ノボ
ラック樹脂、ポリビニルフェノール系重合体など）と、
異なる波長λ1 ，λ2 に吸収域を有する第１の光活性成
分（ジアゾベンゾキノン誘導体、ジアゾナフトキノン誘
導体など）及び第２の光活性成分（アジド化合物の混合
物など）とで構成する。前記第１及び第２の光活性成分
のうち、少なくとも一方の活性成分は、他方の活性成分
の吸収波長に対して実質的に不活性である。感光性樹脂
組成物に光線を露光してパターンを形成した後，異なる
波長の光線で全面露光して感光層表面を現像液に対して
難溶化（ポジ型の場合）または易溶化（ネガ型の場合）
処理し、現像することにより解像度の高いパターンを形
成できる。
組成物（特に半導体製造用レジスト）の感度および解像
度を改善する。 【解決手段】 感光性樹脂組成物を、ベース樹脂（ノボ
ラック樹脂、ポリビニルフェノール系重合体など）と、
異なる波長λ1 ，λ2 に吸収域を有する第１の光活性成
分（ジアゾベンゾキノン誘導体、ジアゾナフトキノン誘
導体など）及び第２の光活性成分（アジド化合物の混合
物など）とで構成する。前記第１及び第２の光活性成分
のうち、少なくとも一方の活性成分は、他方の活性成分
の吸収波長に対して実質的に不活性である。感光性樹脂
組成物に光線を露光してパターンを形成した後，異なる
波長の光線で全面露光して感光層表面を現像液に対して
難溶化（ポジ型の場合）または易溶化（ネガ型の場合）
処理し、現像することにより解像度の高いパターンを形
成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線や遠紫外線
（エキシマーレーザーなどを含む）を用いて半導体を微
細加工するのに適した感光性樹脂組成物（レジスト）及
びその製造方法、並びにそれを用いたパターン形成方法
に関する。
（エキシマーレーザーなどを含む）を用いて半導体を微
細加工するのに適した感光性樹脂組成物（レジスト）及
びその製造方法、並びにそれを用いたパターン形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レジストとして、アルカリ可溶性
ノボラック樹脂とジアゾナフトキノン誘導体を含有する
組成物が知られている。この感光性樹脂組成物は、波長
３００〜５００ｎｍの光照射によりジアゾナフトキノン
基が分解してカルボキシル基を生成し、アルカリ不溶性
からアルカリ可溶性となることを利用して、ポジ型レジ
ストとして用いられている。
ノボラック樹脂とジアゾナフトキノン誘導体を含有する
組成物が知られている。この感光性樹脂組成物は、波長
３００〜５００ｎｍの光照射によりジアゾナフトキノン
基が分解してカルボキシル基を生成し、アルカリ不溶性
からアルカリ可溶性となることを利用して、ポジ型レジ
ストとして用いられている。
【０００３】一方、半導体における集積回路は近年、高
集積化にともなって微細化の一途をたどっており、今や
サブミクロンあるいはクォーターミクロン以下のパター
ン形成が要求されている。微細化を達成するための最も
一般的な方法は、露光波長を短波長化する方法である。
例えば、主に用いられていた高圧水銀灯のｇ線（波長４
３６ｍｍ）やｉ線（波長３６５ｍｍ）に変って、より短
波長の光源、例えば、ＫｒＦエキシマーレーザー（波長
２４８ｎｍ）や次世代のＡｒＦエキシマーレーザー（波
長１９３ｎｍ）が実用化されている。
集積化にともなって微細化の一途をたどっており、今や
サブミクロンあるいはクォーターミクロン以下のパター
ン形成が要求されている。微細化を達成するための最も
一般的な方法は、露光波長を短波長化する方法である。
例えば、主に用いられていた高圧水銀灯のｇ線（波長４
３６ｍｍ）やｉ線（波長３６５ｍｍ）に変って、より短
波長の光源、例えば、ＫｒＦエキシマーレーザー（波長
２４８ｎｍ）や次世代のＡｒＦエキシマーレーザー（波
長１９３ｎｍ）が実用化されている。
【０００４】しかし、ｇ線やｉ線を用いて半導体集積回
路の製造に用いられてきたノボラック樹脂／ジアゾナフ
トキノン型ポジ型レジストは、ノボラック樹脂の吸収に
起因して、ＫｒＦエキシマーレーザーやＡｒＦエキシマ
ーレーザーを用いても、感度および解像力が大きく低下
し、実用的でない。
路の製造に用いられてきたノボラック樹脂／ジアゾナフ
トキノン型ポジ型レジストは、ノボラック樹脂の吸収に
起因して、ＫｒＦエキシマーレーザーやＡｒＦエキシマ
ーレーザーを用いても、感度および解像力が大きく低下
し、実用的でない。
【０００５】また、ＫｒＦやＡｒＦエキシマーレーザー
による微細加工は、光源、レンズ系などの露光装置や感
光性材料（レジスト）の選定などの面で数々の解決すべ
き技術的課題が多いだけでなく、半導体の実生産に適用
するための設備投資も膨大なものになる。
による微細加工は、光源、レンズ系などの露光装置や感
光性材料（レジスト）の選定などの面で数々の解決すべ
き技術的課題が多いだけでなく、半導体の実生産に適用
するための設備投資も膨大なものになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、既存の設備（特に露光システム）であっても、感度
および解像度を大きく改善できる感光性樹脂組成物およ
びその製造方法、並びにパターン形成方法を提供するこ
とにある。本発明の他の目的は、パターンプロファイ
ル，フォーカス余裕度を大幅に改善できる感光性樹脂組
成物およびその製造方法、並びにパターン形成方法を提
供することにある。
は、既存の設備（特に露光システム）であっても、感度
および解像度を大きく改善できる感光性樹脂組成物およ
びその製造方法、並びにパターン形成方法を提供するこ
とにある。本発明の他の目的は、パターンプロファイ
ル，フォーカス余裕度を大幅に改善できる感光性樹脂組
成物およびその製造方法、並びにパターン形成方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するため鋭意検討の結果、吸収波長λ1 の第１の
光活性成分と、吸収波長λ2 で強い吸収を有する第２の
光活性成分とを組合わせ、マスクを介して波長λ1 又は
λ2 の光線でパターン露光した後、波長λ2 又はλ1 の
光線で全面露光すると、全面露光により、レジスト膜の
表面を難溶化又は易溶化処理でき、現像によりγ値の高
い高解像度のパターンを高精度に形成できることを見い
だし、本発明を完成した。
を達成するため鋭意検討の結果、吸収波長λ1 の第１の
光活性成分と、吸収波長λ2 で強い吸収を有する第２の
光活性成分とを組合わせ、マスクを介して波長λ1 又は
λ2 の光線でパターン露光した後、波長λ2 又はλ1 の
光線で全面露光すると、全面露光により、レジスト膜の
表面を難溶化又は易溶化処理でき、現像によりγ値の高
い高解像度のパターンを高精度に形成できることを見い
だし、本発明を完成した。
【０００８】すなわち、本発明の感光性樹脂組成物は、
ベース樹脂と光活性成分とで構成された感光性樹脂組成
物であって、光活性成分が、異なる波長λ1 ，λ2 に吸
収域を有する複数の光活性成分で構成されている。前記
ベース樹脂はノボラック樹脂又はポリビニルフェノール
系重合体であってもよく、光活性成分は、波長λ1 に吸
収域を有する第１の光活性成分と波長λ2 に吸収域を有
する第２の光活性成分とで構成でき、通常、第１及び第
２の光活性成分のうち、一方の成分は、他方の成分の吸
収波長に対して実質的に不活性である。前記第１の光活
性成分と第２の光活性成分は、ジアゾベンソキノン誘導
体及び／又はジアゾナフトキノン誘導体と、アジド化合
物、光酸発生剤、又は光酸発生剤および架橋剤などとの
組合せやアジド化合物と光酸発生剤との組合せなどで構
成してもよい。
ベース樹脂と光活性成分とで構成された感光性樹脂組成
物であって、光活性成分が、異なる波長λ1 ，λ2 に吸
収域を有する複数の光活性成分で構成されている。前記
ベース樹脂はノボラック樹脂又はポリビニルフェノール
系重合体であってもよく、光活性成分は、波長λ1 に吸
収域を有する第１の光活性成分と波長λ2 に吸収域を有
する第２の光活性成分とで構成でき、通常、第１及び第
２の光活性成分のうち、一方の成分は、他方の成分の吸
収波長に対して実質的に不活性である。前記第１の光活
性成分と第２の光活性成分は、ジアゾベンソキノン誘導
体及び／又はジアゾナフトキノン誘導体と、アジド化合
物、光酸発生剤、又は光酸発生剤および架橋剤などとの
組合せやアジド化合物と光酸発生剤との組合せなどで構
成してもよい。
【０００９】本発明の方法には、ベース樹脂と、異なる
波長λ1 ，λ2 に吸収域を有する複数の光活性成分とを
混合する感光性樹脂組成物の製造方法も含まれる。さら
に、本発明の方法には、前記感光性樹脂組成物に波長λ
1 及びλ2 のうち一方の波長の光線を露光してパターン
を形成した後、他方の波長の光線で全面露光するパター
ン形成方法も含まれる。
波長λ1 ，λ2 に吸収域を有する複数の光活性成分とを
混合する感光性樹脂組成物の製造方法も含まれる。さら
に、本発明の方法には、前記感光性樹脂組成物に波長λ
1 及びλ2 のうち一方の波長の光線を露光してパターン
を形成した後、他方の波長の光線で全面露光するパター
ン形成方法も含まれる。
【００１０】なお、本明細書において、「光活性成分」
とは、感光剤、増感剤などと称される成分であって、光
線により活性化又は励起され、光反応によりパターン形
成に関与する成分を総称する。光活性成分における「波
長」又は「吸収波長」λ1 ，λ2 とは、波長λ1 ，λ2
の光線の照射により光活性成分が、感光，活性化又は励
起して光反応に関与する波長を意味する。また、本明細
書において、光活性成分の吸収域とは、露光波長に対す
る吸光係数が１以上（好ましくは１０以上）の吸収波長
域を意味する。
とは、感光剤、増感剤などと称される成分であって、光
線により活性化又は励起され、光反応によりパターン形
成に関与する成分を総称する。光活性成分における「波
長」又は「吸収波長」λ1 ，λ2 とは、波長λ1 ，λ2
の光線の照射により光活性成分が、感光，活性化又は励
起して光反応に関与する波長を意味する。また、本明細
書において、光活性成分の吸収域とは、露光波長に対す
る吸光係数が１以上（好ましくは１０以上）の吸収波長
域を意味する。
【００１１】
【発明の実施の形態】ベース樹脂としては、ポジ型，ネ
ガ型の種類に応じて選択でき、例えば、フェノールノボ
ラック樹脂、ポリビニルフェノール系重合体、シクロア
ルキル基などの非芳香族性環を有する重合体、ポリビニ
ルアルコール系重合体、アクリロニトリル系重合体、ア
クリルアミド系重合体、シンナモイル基やシンナミリデ
ン基などの光二量化型官能基を有する重合体、ナイロン
又はポリアミド系重合体、重合性オリゴマーなどが例示
できる。半導体製造用レジストとして利用する場合、ベ
ース樹脂としては、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノ
ール系重合体などが利用できる。
ガ型の種類に応じて選択でき、例えば、フェノールノボ
ラック樹脂、ポリビニルフェノール系重合体、シクロア
ルキル基などの非芳香族性環を有する重合体、ポリビニ
ルアルコール系重合体、アクリロニトリル系重合体、ア
クリルアミド系重合体、シンナモイル基やシンナミリデ
ン基などの光二量化型官能基を有する重合体、ナイロン
又はポリアミド系重合体、重合性オリゴマーなどが例示
できる。半導体製造用レジストとして利用する場合、ベ
ース樹脂としては、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノ
ール系重合体などが利用できる。
【００１２】ノボラック樹脂としては、通常、アルカリ
可溶性ノボラック樹脂が使用され、半導体製造用レジス
トとして利用する場合、レジスト分野で使用されている
慣用のノボラック樹脂が使用できる。ノボラック樹脂
は、分子内に少なくとも１つのフェノール性ヒドロキシ
ル基を有するフェノール類とアルデヒド類とを、酸触媒
の存在下、縮合することにより得ることができる。フェ
ノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−，ｍ−又
はｐ−クレゾール、２，５−，３，５−または３，４−
キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、エ
チルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノー
ル、２−ｔ−ブチル−５−メチルフェノールのＣ1-4 ア
ルキルフェノール類、ジヒドロキシベンゼン、ナフトー
ル類などが挙げられる。アルデヒド類には、ホルムアル
デヒド、アセトアルデヒド、グリオキサールなどの脂肪
族アルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド
などの芳香族アルデヒドが含まれる。
可溶性ノボラック樹脂が使用され、半導体製造用レジス
トとして利用する場合、レジスト分野で使用されている
慣用のノボラック樹脂が使用できる。ノボラック樹脂
は、分子内に少なくとも１つのフェノール性ヒドロキシ
ル基を有するフェノール類とアルデヒド類とを、酸触媒
の存在下、縮合することにより得ることができる。フェ
ノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−，ｍ−又
はｐ−クレゾール、２，５−，３，５−または３，４−
キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、エ
チルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノー
ル、２−ｔ−ブチル−５−メチルフェノールのＣ1-4 ア
ルキルフェノール類、ジヒドロキシベンゼン、ナフトー
ル類などが挙げられる。アルデヒド類には、ホルムアル
デヒド、アセトアルデヒド、グリオキサールなどの脂肪
族アルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド
などの芳香族アルデヒドが含まれる。
【００１３】フェノール類は単独で又は二種以上組み合
わせて使用でき、アルデヒド類も単独で又は二種以上組
み合わせて使用できる。酸触媒としては、無機酸（塩
酸、硫酸、リン酸など）、有機酸（シュウ酸、酢酸、ｐ
−トルエンスルホン酸など）、有機酸塩（酢酸亜鉛など
の二価金属塩など）などが挙げられる。縮合反応は常
法、例えば、温度６０〜１２０℃程度で２〜３０時間程
度行なうことができる。反応はバルクで行ってもよく、
適当な溶媒中で行ってもよい。
わせて使用でき、アルデヒド類も単独で又は二種以上組
み合わせて使用できる。酸触媒としては、無機酸（塩
酸、硫酸、リン酸など）、有機酸（シュウ酸、酢酸、ｐ
−トルエンスルホン酸など）、有機酸塩（酢酸亜鉛など
の二価金属塩など）などが挙げられる。縮合反応は常
法、例えば、温度６０〜１２０℃程度で２〜３０時間程
度行なうことができる。反応はバルクで行ってもよく、
適当な溶媒中で行ってもよい。
【００１４】ポリビニルフェノール系重合体としては、
ビニルフェノールを構成単位とする重合体であるかぎ
り、その種類は特に限定されず、ビニルフェノール又は
その誘導体の単独又は共重合体、あるいは他の共重合性
モノマーとの共重合体などであってもよい。ポリビニル
フェノール系重合体は、含有するフェノール性ヒドロキ
シル基の一部又は全部を保護基で保護して用いるのが好
ましい。保護基としては、例えば、アルキル（Ｃ1-6 ア
ルキル基、好ましくはＣ1-4 アルキル基など）、シクロ
アルキル基（シクロヘキシル基など）、アリール基（例
えば、２，４−ジニトロフェニル基など）、アラルキル
基（ベンジル基、２，６−ジクロロベンジル基、２−ニ
トロベンジル基、トリフェニルメチル基などの置換基を
有していてもよいベンジル基など）、テトラヒドロピラ
ニル基、非重合性アシル基［アセチル、プロピオニル、
イソプロピオニル、ブチリル、イソバレリル基などの脂
肪族アシル基（好ましくはＣ2-6 アシル基、特にＣ2-4
脂肪族アシル基）、ベンゾイル基などの芳香族アシル基
（特にＣ7-13芳香族アシル基など）、シクロヘキシルカ
ルボニル基などの脂環式アシル基］、アルコキシカルボ
ニル基（例えば、ｔ−ブトキシカルボニル基などのＣ
1-6 アルコキシ−カルボニル基など）、アラルキルオキ
シカルボニル基（例えば、ベンジルオキシカルボニル基
など）、置換基（Ｃ1-6 アルキル基、Ｃ6-14アリール基
など）を有していてもよいカルバモイル基（例えば、カ
ルバモイル、メチルカルバモイル、エチルカルバモイ
ル、フェニルカルバモイル基など）、ジＣ1-4 アルキル
ホスフィノチオイル基、ジアリールホスフィノチオイル
基などが挙げられる。好ましい保護基には、アルキル
基、非重合性アシル基（特に脂肪族アシル基）、アルコ
キシカルボニル基、置換基を有していてもよいカルバモ
イル基などが含まれる。
ビニルフェノールを構成単位とする重合体であるかぎ
り、その種類は特に限定されず、ビニルフェノール又は
その誘導体の単独又は共重合体、あるいは他の共重合性
モノマーとの共重合体などであってもよい。ポリビニル
フェノール系重合体は、含有するフェノール性ヒドロキ
シル基の一部又は全部を保護基で保護して用いるのが好
ましい。保護基としては、例えば、アルキル（Ｃ1-6 ア
ルキル基、好ましくはＣ1-4 アルキル基など）、シクロ
アルキル基（シクロヘキシル基など）、アリール基（例
えば、２，４−ジニトロフェニル基など）、アラルキル
基（ベンジル基、２，６−ジクロロベンジル基、２−ニ
トロベンジル基、トリフェニルメチル基などの置換基を
有していてもよいベンジル基など）、テトラヒドロピラ
ニル基、非重合性アシル基［アセチル、プロピオニル、
イソプロピオニル、ブチリル、イソバレリル基などの脂
肪族アシル基（好ましくはＣ2-6 アシル基、特にＣ2-4
脂肪族アシル基）、ベンゾイル基などの芳香族アシル基
（特にＣ7-13芳香族アシル基など）、シクロヘキシルカ
ルボニル基などの脂環式アシル基］、アルコキシカルボ
ニル基（例えば、ｔ−ブトキシカルボニル基などのＣ
1-6 アルコキシ−カルボニル基など）、アラルキルオキ
シカルボニル基（例えば、ベンジルオキシカルボニル基
など）、置換基（Ｃ1-6 アルキル基、Ｃ6-14アリール基
など）を有していてもよいカルバモイル基（例えば、カ
ルバモイル、メチルカルバモイル、エチルカルバモイ
ル、フェニルカルバモイル基など）、ジＣ1-4 アルキル
ホスフィノチオイル基、ジアリールホスフィノチオイル
基などが挙げられる。好ましい保護基には、アルキル
基、非重合性アシル基（特に脂肪族アシル基）、アルコ
キシカルボニル基、置換基を有していてもよいカルバモ
イル基などが含まれる。
【００１５】ポリビニルフェノール系重合体が有する保
護基の割合は、重合体中のヒドロキシル基のうち、例え
ば、１０〜１００モル％、好ましくは２０〜７０モル％
（例えば、２０〜５０モル％）程度である。
護基の割合は、重合体中のヒドロキシル基のうち、例え
ば、１０〜１００モル％、好ましくは２０〜７０モル％
（例えば、２０〜５０モル％）程度である。
【００１６】ポリビニルフェノール系重合体の分子量に
ついては、特に制限されないが、例えば、重量平均分子
量１０００〜５００００、好ましくは２０００〜３００
００（例えば、５０００〜１００００）程度の範囲から
選択できる。
ついては、特に制限されないが、例えば、重量平均分子
量１０００〜５００００、好ましくは２０００〜３００
００（例えば、５０００〜１００００）程度の範囲から
選択できる。
【００１７】本発明の特色は、光活性成分を、異なる波
長λ1 ，λ2 に吸収域を有する複数の光活性成分で構成
する点にあり、光活性成分は、波長λ1 に吸収域を有す
る第１の光活性成分と、波長λ2 に吸収域を有する第２
の光活性成分とで構成できる。特に、第１及び第２の光
活性成分のうち、一方の成分は、他方の成分の吸収波長
に対して実質的に不活性であり、光反応に関与しないの
が有利である。通常、第２の光活性成分は第１の光活性
成分の吸収波長に対して、吸収がないか、又は実質的に
不活性である。第１の光活性成分は、第２の光活性成分
の吸収波長に対して吸収がないか、実質的に不活性であ
るのが望ましい。さらには、第１の光活性成分の吸収波
長λ1 と、第２の光活性成分の吸収波長λ2 は、露光源
の波長に応じて選択できるが、通常、３０〜４５０ｎ
ｍ、好ましくは５０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは７
０〜３５０ｎｍ程度離れているのが有利である。なお、
既存の実用的な露光システムを利用する場合、前記波長
λ1 とλ2 は、１００〜３００ｎｍ（例えば、１００〜
２８０ｎｍ）程度離れているのが有利である。
長λ1 ，λ2 に吸収域を有する複数の光活性成分で構成
する点にあり、光活性成分は、波長λ1 に吸収域を有す
る第１の光活性成分と、波長λ2 に吸収域を有する第２
の光活性成分とで構成できる。特に、第１及び第２の光
活性成分のうち、一方の成分は、他方の成分の吸収波長
に対して実質的に不活性であり、光反応に関与しないの
が有利である。通常、第２の光活性成分は第１の光活性
成分の吸収波長に対して、吸収がないか、又は実質的に
不活性である。第１の光活性成分は、第２の光活性成分
の吸収波長に対して吸収がないか、実質的に不活性であ
るのが望ましい。さらには、第１の光活性成分の吸収波
長λ1 と、第２の光活性成分の吸収波長λ2 は、露光源
の波長に応じて選択できるが、通常、３０〜４５０ｎ
ｍ、好ましくは５０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは７
０〜３５０ｎｍ程度離れているのが有利である。なお、
既存の実用的な露光システムを利用する場合、前記波長
λ1 とλ2 は、１００〜３００ｎｍ（例えば、１００〜
２８０ｎｍ）程度離れているのが有利である。
【００１８】第１の光活性成分および第２の光活性成分
のうち一方の成分は、通常、吸収波長λ1 が３００〜５
５０ｎｍ、好ましくは３２０〜５３０ｎｍ（例えば、３
５０〜４５０ｎｍ）程度であり、他方の成分は、通常、
吸収波長λ2 が１００〜３５０ｎｍ、好ましくは１２０
〜３２０ｎｍ（例えば、１５０〜３００ｎｍ）程度であ
る。第２の光活性成分は、通常、第１の光活性成分より
も短波長側に吸収波長を有する場合が多く、第１の光活
性成分の吸収波長λ1 は、通常、３００〜５５０ｎｍ程
度から選択でき、第２の光活性成分の吸収波長λ2 は、
通常、１００〜３５０ｎｍ程度の範囲から選択できる。
のうち一方の成分は、通常、吸収波長λ1 が３００〜５
５０ｎｍ、好ましくは３２０〜５３０ｎｍ（例えば、３
５０〜４５０ｎｍ）程度であり、他方の成分は、通常、
吸収波長λ2 が１００〜３５０ｎｍ、好ましくは１２０
〜３２０ｎｍ（例えば、１５０〜３００ｎｍ）程度であ
る。第２の光活性成分は、通常、第１の光活性成分より
も短波長側に吸収波長を有する場合が多く、第１の光活
性成分の吸収波長λ1 は、通常、３００〜５５０ｎｍ程
度から選択でき、第２の光活性成分の吸収波長λ2 は、
通常、１００〜３５０ｎｍ程度の範囲から選択できる。
【００１９】さらに、波長λ1 又はλ2 での全面露光に
より、感光層（レジスト膜）の深部で光反応が生じるの
を防止し、表層部で光を吸収させるため、全面露光に対
して活性な光活性成分は、露光の波長に対して高い吸光
係数を有するのが有利である。波長λ1 又はλ2 に対す
る第２の光活性成分の分子吸光係数εは、通常、１×１
０3 〜５×１０5 、好ましくは５×１０3 〜３×１
０5 、さらに好ましくは１×１０1 〜３×１０5 程度で
ある。
より、感光層（レジスト膜）の深部で光反応が生じるの
を防止し、表層部で光を吸収させるため、全面露光に対
して活性な光活性成分は、露光の波長に対して高い吸光
係数を有するのが有利である。波長λ1 又はλ2 に対す
る第２の光活性成分の分子吸光係数εは、通常、１×１
０3 〜５×１０5 、好ましくは５×１０3 〜３×１
０5 、さらに好ましくは１×１０1 〜３×１０5 程度で
ある。
【００２０】前記第１の光活性成分および第２の活性成
分は、感光性樹脂の種類（ポジ型又はネガ型）に応じ
て、慣用の感光剤、増感剤、例えば、ジアゾニウム塩
（ジアゾニウム塩、テトラゾニウム塩、ポリアゾニウム
塩）、キノンジアジド類（ジアゾベンソキノン誘導体，
ジアゾナフトキノン誘導体など）、アジド化合物、ピリ
リウム塩、チアピリリウム塩、光二量化増感剤又は光重
合開始剤［例えば、ケトン類（アントラキノン，ベンゾ
フェノン又はそれらの誘導体），ベンゾインエーテル又
はその誘導体など］、酸発生剤などから選択できる。
分は、感光性樹脂の種類（ポジ型又はネガ型）に応じ
て、慣用の感光剤、増感剤、例えば、ジアゾニウム塩
（ジアゾニウム塩、テトラゾニウム塩、ポリアゾニウム
塩）、キノンジアジド類（ジアゾベンソキノン誘導体，
ジアゾナフトキノン誘導体など）、アジド化合物、ピリ
リウム塩、チアピリリウム塩、光二量化増感剤又は光重
合開始剤［例えば、ケトン類（アントラキノン，ベンゾ
フェノン又はそれらの誘導体），ベンゾインエーテル又
はその誘導体など］、酸発生剤などから選択できる。
【００２１】ポジ型感光性樹脂（特に半導体製造用レジ
スト）として利用する場合、前記第１及び第２の光活性
成分は、感光性樹脂の種類、パターン露光及び全面露光
の吸収域に応じて前記感光剤や増感剤（特にジアゾベン
ゾキノン、ジアゾナフトキノンなどのキノンジアジド
類、アジド化合物、酸発生剤など）から適当に組合せて
構成できる。より具体的には、ベース樹脂として、ノボ
ラック樹脂を使用する場合、第１の光活性成分は、例え
ば、ジアゾベンソキノン誘導体及び／又はジアゾナフト
キノン誘導体で構成でき、第２の光活性成分は、アジド
化合物、光酸発生剤、又は光酸発生剤及び架橋剤などで
構成できる。第２の光活性成分は、波長λ1 又はλ2 に
強い吸収を有する（λ1 又はλ2 での吸光度が大きい）
化合物が有用である。
スト）として利用する場合、前記第１及び第２の光活性
成分は、感光性樹脂の種類、パターン露光及び全面露光
の吸収域に応じて前記感光剤や増感剤（特にジアゾベン
ゾキノン、ジアゾナフトキノンなどのキノンジアジド
類、アジド化合物、酸発生剤など）から適当に組合せて
構成できる。より具体的には、ベース樹脂として、ノボ
ラック樹脂を使用する場合、第１の光活性成分は、例え
ば、ジアゾベンソキノン誘導体及び／又はジアゾナフト
キノン誘導体で構成でき、第２の光活性成分は、アジド
化合物、光酸発生剤、又は光酸発生剤及び架橋剤などで
構成できる。第２の光活性成分は、波長λ1 又はλ2 に
強い吸収を有する（λ1 又はλ2 での吸光度が大きい）
化合物が有用である。
【００２２】ジアゾベンゾキノン誘導体又はジアゾナフ
トキノン誘導体は、例えば、ｏ−又はｐ−キノンジアジ
ドのいずれであってもよいが、通常、ｏ−キノンジアジ
ド（オルト体）である。ジアゾベンソキノン誘導体は、
１，２−ベンゾキノン−４−スルホニルとヒドロキシル
基含有化合物との反応により得ることができ、ジアゾナ
フトキノン誘導体は１，２−ナフトキノン−４−スルホ
ニル又は１，２−ナフトキノン−５−スルホニルとヒド
ロキシル基含有化合物との反応により得ることができ
る。
トキノン誘導体は、例えば、ｏ−又はｐ−キノンジアジ
ドのいずれであってもよいが、通常、ｏ−キノンジアジ
ド（オルト体）である。ジアゾベンソキノン誘導体は、
１，２−ベンゾキノン−４−スルホニルとヒドロキシル
基含有化合物との反応により得ることができ、ジアゾナ
フトキノン誘導体は１，２−ナフトキノン−４−スルホ
ニル又は１，２−ナフトキノン−５−スルホニルとヒド
ロキシル基含有化合物との反応により得ることができ
る。
【００２３】上記ヒドロキシル基含有化合物は、一価又
は多価アルコールであってもよく、少なくとも１個のヒ
ドロキシル基を有するフェノール類であってもよい。フ
ェノール類には、前記フェノール類の他、ハイドロキノ
ン、レゾルシン、フロログルシン、没食子酸アルキルエ
ステル、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロ
キシベンゾフェノン類（２，３，３′，４−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンなど）、ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン類（２，３，３′，４，４′−ペンタヒドロ
キシベンゾフェノン、２，３，３′，４，５′−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノンなど）、トリ又はテトラヒド
ロキシトリフェニルメタンなどのポリヒドロキシトリフ
ェニルメタン類［（３，４−ジヒドロキシベンジリデ
ン）ビス（２−ｔ−ブチル−５−メトキシフェノー
ル）、（３，４−ジヒドロキシベンジリデン）ビス（２
−シクロヘキシル−５−メトキシフェノール）、（３，
４−ジヒドロキシベンジリデン）ビス（２−ｔ−ブチル
−４−メトキシフェノール）、（３，４−ジヒドロキシ
ベンジリデン）ビス（２−シクロヘキシル−４−メトキ
シフェノール）など］、ポリヒドロキシフラバン類
（２，４，４−トリメチル−２′４′７−トリヒドロキ
シフラバン、２，４，４−トリメチル−２′，３′，
４′，７，８−ペンタヒドロキシフラバン、６−ヒドロ
キシ−４ａ−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−１，
２，３，４，４ａ，９ａ−ヘキサヒドロキサンテン−９
−スピロ−１′−シクロヘキサンなど）などが例示でき
る。
は多価アルコールであってもよく、少なくとも１個のヒ
ドロキシル基を有するフェノール類であってもよい。フ
ェノール類には、前記フェノール類の他、ハイドロキノ
ン、レゾルシン、フロログルシン、没食子酸アルキルエ
ステル、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロ
キシベンゾフェノン類（２，３，３′，４−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンなど）、ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン類（２，３，３′，４，４′−ペンタヒドロ
キシベンゾフェノン、２，３，３′，４，５′−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノンなど）、トリ又はテトラヒド
ロキシトリフェニルメタンなどのポリヒドロキシトリフ
ェニルメタン類［（３，４−ジヒドロキシベンジリデ
ン）ビス（２−ｔ−ブチル−５−メトキシフェノー
ル）、（３，４−ジヒドロキシベンジリデン）ビス（２
−シクロヘキシル−５−メトキシフェノール）、（３，
４−ジヒドロキシベンジリデン）ビス（２−ｔ−ブチル
−４−メトキシフェノール）、（３，４−ジヒドロキシ
ベンジリデン）ビス（２−シクロヘキシル−４−メトキ
シフェノール）など］、ポリヒドロキシフラバン類
（２，４，４−トリメチル−２′４′７−トリヒドロキ
シフラバン、２，４，４−トリメチル−２′，３′，
４′，７，８−ペンタヒドロキシフラバン、６−ヒドロ
キシ−４ａ−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−１，
２，３，４，４ａ，９ａ−ヘキサヒドロキサンテン−９
−スピロ−１′−シクロヘキサンなど）などが例示でき
る。
【００２４】アジド化合物は、通常、芳香族アジド化合
物である。アジド化合物としては、例えば、モノアジド
化合物［例えば、２，６−ジクロロ−４−ニトロ−１−
アジドベンゼン、Ｎ−（４−アジドフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミン、Ｎ−（４−アジドフェニル）−Ｎ−（４
−メトキシフェニル）アミン、１−アジドピレンな
ど］、ジアジド化合物［例えば、３，３′−ジメチル−
４，４′−ジアジドビフェニル、３，３′−ジメトキシ
−４，４′−ジアジドビフェニル、４，４′−ジアジド
ジフェニルメタン、４，４′−ジアジド−３，３′−ジ
クロロジフェニルメタン、４，４′−ジアジドジフェニ
ルエーテル、４，４′−ジアジドジフェニルスルホン、
３，３′−ジアジドジフェニルスルホン、４，４′−ジ
アジドジフェニルホスファイド、４，４′−ジアジドベ
ンゾフェノン、４，４′−ジアジドスチルベン、４，
４′−ジアジドカルコン、２，６−ジ（４−アジドベン
ザル）シクロヘキサノン、２，６−ジ（４−アジドベン
ザル）−４−メチルシクロヘキサノン、２，６−ジ（４
−アジドシンナミリデン）シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−
ジ（４−アジドフェニル）アミンなど］、ポリアジド化
合物などが例示できる。これらのアジド化合物は単独で
又は二種以上組み合わせて使用できる。
物である。アジド化合物としては、例えば、モノアジド
化合物［例えば、２，６−ジクロロ−４−ニトロ−１−
アジドベンゼン、Ｎ−（４−アジドフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミン、Ｎ−（４−アジドフェニル）−Ｎ−（４
−メトキシフェニル）アミン、１−アジドピレンな
ど］、ジアジド化合物［例えば、３，３′−ジメチル−
４，４′−ジアジドビフェニル、３，３′−ジメトキシ
−４，４′−ジアジドビフェニル、４，４′−ジアジド
ジフェニルメタン、４，４′−ジアジド−３，３′−ジ
クロロジフェニルメタン、４，４′−ジアジドジフェニ
ルエーテル、４，４′−ジアジドジフェニルスルホン、
３，３′−ジアジドジフェニルスルホン、４，４′−ジ
アジドジフェニルホスファイド、４，４′−ジアジドベ
ンゾフェノン、４，４′−ジアジドスチルベン、４，
４′−ジアジドカルコン、２，６−ジ（４−アジドベン
ザル）シクロヘキサノン、２，６−ジ（４−アジドベン
ザル）−４−メチルシクロヘキサノン、２，６−ジ（４
−アジドシンナミリデン）シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−
ジ（４−アジドフェニル）アミンなど］、ポリアジド化
合物などが例示できる。これらのアジド化合物は単独で
又は二種以上組み合わせて使用できる。
【００２５】アジド化合物は、光照射により効率よく窒
素ガスを発生し、ナイトレンを生成するものが好適であ
り、ベース樹脂（ノボラック樹脂、ポリビニルフェノー
ル系重合体など）との架橋効率を上げるため、ジアジド
化合物が好ましい。
素ガスを発生し、ナイトレンを生成するものが好適であ
り、ベース樹脂（ノボラック樹脂、ポリビニルフェノー
ル系重合体など）との架橋効率を上げるため、ジアジド
化合物が好ましい。
【００２６】光酸発生剤としては、波長λ1 又はλ2 に
強い吸収を有し（λ1 又はλ2 での吸光度が大きく）、
波長λ1 又はλ2 の光線露光により効率よく酸（プロト
ン酸やルイス酸）を生成する種々の化合物が使用でき、
例えば、下記のスルホン酸エステルやルイス酸塩などが
使用できる。
強い吸収を有し（λ1 又はλ2 での吸光度が大きく）、
波長λ1 又はλ2 の光線露光により効率よく酸（プロト
ン酸やルイス酸）を生成する種々の化合物が使用でき、
例えば、下記のスルホン酸エステルやルイス酸塩などが
使用できる。
【００２７】
【化１】 酸発生剤は、光照射により酸を発生し、ベース樹脂の架
橋を促進したり（ベース樹脂がノボラック樹脂の場合な
ど）、パターン形成の露光時に保護基を脱保護したり
（ベース樹脂がポリビニルフェノール樹脂などの場合）
して、ベース樹脂（ポジ型樹脂）におけるパターン形成
部分をアルカリ易溶性にしたりするのに有効である。
橋を促進したり（ベース樹脂がノボラック樹脂の場合な
ど）、パターン形成の露光時に保護基を脱保護したり
（ベース樹脂がポリビニルフェノール樹脂などの場合）
して、ベース樹脂（ポジ型樹脂）におけるパターン形成
部分をアルカリ易溶性にしたりするのに有効である。
【００２８】架橋剤としては、酸発生剤から生成する酸
によりベース樹脂の架橋を促進する種々の架橋剤が使用
でき、例えば、アミノ樹脂、特にメラミン誘導体が含ま
れる。メラミン誘導体には、メチロールメラミン（ヘキ
サメチロールメラミンなど）、アルコキシメチルメラミ
ン（ヘキサメトキシメチルメラミンなどのＣ1-4 アルコ
キシメチルメラミンなど）、これらの縮合体、共縮合成
分（尿素，ベンゾグアナミンなど）との共縮合体などが
含まれる。
によりベース樹脂の架橋を促進する種々の架橋剤が使用
でき、例えば、アミノ樹脂、特にメラミン誘導体が含ま
れる。メラミン誘導体には、メチロールメラミン（ヘキ
サメチロールメラミンなど）、アルコキシメチルメラミ
ン（ヘキサメトキシメチルメラミンなどのＣ1-4 アルコ
キシメチルメラミンなど）、これらの縮合体、共縮合成
分（尿素，ベンゾグアナミンなど）との共縮合体などが
含まれる。
【００２９】ポジ型感光性樹脂として、ポリビニルフェ
ノール系重合体を使用する場合、第１の光活性成分は、
アジド化合物で構成でき、第２の光活性成分は光酸発生
剤で構成できる。アジド化合物としては、前記アジド化
合物などが、また、光酸発生剤としては前記酸発生剤な
どが使用できる。
ノール系重合体を使用する場合、第１の光活性成分は、
アジド化合物で構成でき、第２の光活性成分は光酸発生
剤で構成できる。アジド化合物としては、前記アジド化
合物などが、また、光酸発生剤としては前記酸発生剤な
どが使用できる。
【００３０】第１の光活性成分の使用量は、ベース樹脂
や光活性成分の種類に応じて、例えば、ベース樹脂１０
０重量部に対して０．０１〜１００重量部（例えば、１
〜１００重量部）、好ましくは０．０５〜１００重量部
（例えば、１０〜１００重量部）、さらに好ましくは
０．１〜８０重量部（例えば、２０〜８０重量部）程度
の範囲から選択できる。
や光活性成分の種類に応じて、例えば、ベース樹脂１０
０重量部に対して０．０１〜１００重量部（例えば、１
〜１００重量部）、好ましくは０．０５〜１００重量部
（例えば、１０〜１００重量部）、さらに好ましくは
０．１〜８０重量部（例えば、２０〜８０重量部）程度
の範囲から選択できる。
【００３１】前記第２の光活性成分の使用量は、ベース
樹脂や活性成分の種類に応じて、例えば、ベース樹脂１
００重量部に対して０．０００１〜１０重量部（例え
ば、０．０１〜１０重量部）、好ましくは０．０００５
〜７重量部（例えば、０．０５〜７重量部）、さらに好
ましくは０．００１〜５重量部（例えば、０．１〜５重
量部）、特に０．００１〜２重量部程度の範囲から選択
できる。例えば、アジド化合物の使用量は、ベース樹脂
（ノボラック系樹脂）１００重量部に対して０．０１〜
５重量部、好ましくは０．０５〜３重量部、さらに好ま
しくは０．１〜２重量部（例えば、０．１〜１．５重量
部）程度である。酸発生剤の使用量は、ベース樹脂１０
０重量部に対して０．０１〜３重量部（例えば、０．０
１〜１重量部）、好ましくは０．０２〜２重量部（例え
ば、０．０２〜１重量部）、さらに好ましくは０．０２
〜１重量部（０．０２〜０．５重量部）程度であり、架
橋剤の使用量は、ベース樹脂１００重量部に対して０．
０５〜５重量部（例えば、０．０５〜３重量部）、好ま
しくは０．１〜３重量部（例えば、０．１〜１．５重量
部）程度である。また、ベース樹脂として、ポリビニル
フェノール系重合体を用いる場合には、ベース樹脂１０
０重量部に対して、アジド化合物の使用量は、０．０１
〜５重量部（例えば、０．０５〜３重量部）、好ましく
は０．１〜２重量部、さらに好ましくは０．１〜１重量
部程度であり、酸発生剤の使用量は、０．０００１〜１
重量部、好ましくは０．０００５〜０．１重量部、０．
００１〜０．０１重量部程度である。
樹脂や活性成分の種類に応じて、例えば、ベース樹脂１
００重量部に対して０．０００１〜１０重量部（例え
ば、０．０１〜１０重量部）、好ましくは０．０００５
〜７重量部（例えば、０．０５〜７重量部）、さらに好
ましくは０．００１〜５重量部（例えば、０．１〜５重
量部）、特に０．００１〜２重量部程度の範囲から選択
できる。例えば、アジド化合物の使用量は、ベース樹脂
（ノボラック系樹脂）１００重量部に対して０．０１〜
５重量部、好ましくは０．０５〜３重量部、さらに好ま
しくは０．１〜２重量部（例えば、０．１〜１．５重量
部）程度である。酸発生剤の使用量は、ベース樹脂１０
０重量部に対して０．０１〜３重量部（例えば、０．０
１〜１重量部）、好ましくは０．０２〜２重量部（例え
ば、０．０２〜１重量部）、さらに好ましくは０．０２
〜１重量部（０．０２〜０．５重量部）程度であり、架
橋剤の使用量は、ベース樹脂１００重量部に対して０．
０５〜５重量部（例えば、０．０５〜３重量部）、好ま
しくは０．１〜３重量部（例えば、０．１〜１．５重量
部）程度である。また、ベース樹脂として、ポリビニル
フェノール系重合体を用いる場合には、ベース樹脂１０
０重量部に対して、アジド化合物の使用量は、０．０１
〜５重量部（例えば、０．０５〜３重量部）、好ましく
は０．１〜２重量部、さらに好ましくは０．１〜１重量
部程度であり、酸発生剤の使用量は、０．０００１〜１
重量部、好ましくは０．０００５〜０．１重量部、０．
００１〜０．０１重量部程度である。
【００３２】前記感光性樹脂組成物は、ベース樹脂と、
異なる波長λ1 ，λ2 に吸収域を有する複数の光活性成
分とを混合することにより製造できる。その際、第１又
は第２の光活性成分をすでに含有している既存の感光性
樹脂組成物を用いると、第２の光活性成分又は第１の光
活性成分を添加するだけで、本発明の感光性樹脂組成物
を得ることができる。
異なる波長λ1 ，λ2 に吸収域を有する複数の光活性成
分とを混合することにより製造できる。その際、第１又
は第２の光活性成分をすでに含有している既存の感光性
樹脂組成物を用いると、第２の光活性成分又は第１の光
活性成分を添加するだけで、本発明の感光性樹脂組成物
を得ることができる。
【００３３】感光性樹脂組成物には、アルカリ可溶性樹
脂などのアルカリ可溶成分、染料、溶剤などを添加して
もよい。溶剤としては、例えば、炭化水素類，ハロゲン
化炭化水素類，アルコール類，エステル類，ケトン類，
エーテル類，セロソルブ類，カルビトール類，グリコー
ルエーテルエステル類（セロソルブアセテート，プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートなど），
およびこれらの混合溶媒が使用できる。
脂などのアルカリ可溶成分、染料、溶剤などを添加して
もよい。溶剤としては、例えば、炭化水素類，ハロゲン
化炭化水素類，アルコール類，エステル類，ケトン類，
エーテル類，セロソルブ類，カルビトール類，グリコー
ルエーテルエステル類（セロソルブアセテート，プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートなど），
およびこれらの混合溶媒が使用できる。
【００３４】さらに、ベース樹脂は、分子量などを基準
にして予め分別して精製した樹脂成分を用いてもよく、
感光性樹脂組成物は、フィルターなどの慣用の分離精製
手段により夾雑物を除去してもよい。
にして予め分別して精製した樹脂成分を用いてもよく、
感光性樹脂組成物は、フィルターなどの慣用の分離精製
手段により夾雑物を除去してもよい。
【００３５】本発明の方法では、前記感光性樹脂組成物
を基体（シリコンウェハーなど）に塗布し、乾燥した
後、所定のマスクを介して、塗膜（レジスト膜）に波長
λ1 及びλ2 のうち一方の波長の光線を露光してパター
ンを形成した後，他方の波長の光線で全面露光し、現像
することにより、高解像度のパターンを形成できる。
を基体（シリコンウェハーなど）に塗布し、乾燥した
後、所定のマスクを介して、塗膜（レジスト膜）に波長
λ1 及びλ2 のうち一方の波長の光線を露光してパター
ンを形成した後，他方の波長の光線で全面露光し、現像
することにより、高解像度のパターンを形成できる。
【００３６】なお、感光性樹脂組成物を基体に塗布した
後、溶媒を蒸発させるため、ホットプレートなどの加熱
手段を利用して、適当な温度（例えば、８０−１００
℃）で適当な時間（例えば、１〜２分）ソフトベークし
てもよい。
後、溶媒を蒸発させるため、ホットプレートなどの加熱
手段を利用して、適当な温度（例えば、８０−１００
℃）で適当な時間（例えば、１〜２分）ソフトベークし
てもよい。
【００３７】パターンニング露光（イメージ露光）又は
全面露光には、ベース樹脂の種類に応じて種々の波長の
光線が利用でき、単一波長であっても、複合波長であっ
てもよい。これらの露光には、通常、ｇ線（４３６ｎ
ｍ），ｉ線（３６５ｎｍ）、エキシマーレーザー（例え
ば、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ），ＫｒＦ（２４８ｎｍ），
ＫｒＣｌ（２２２ｎｍ），ＡｒＦ（１９３ｎｍ），Ａｒ
Ｃｌ（１７２ｎｍ）など）が有利に利用できる。好まし
いエキシマーレーザーには、ＫｒＦ，ＫｒＣｌ，Ａｒ
Ｆ，ＡｒＣｌエキシマーレーザーなどが含まれる。イメ
ージ露光は、単一波長の光線で行なうのが好ましく、半
導体製造用レジストでは、ｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線
（３６５ｎｍ）やエキシマーレーザーなどが利用でき
る。パターン露光は慣用の方法により所定のマスクを通
じて露光し、所定のパターンを形成することにより行う
ことができる。このパターン露光の後、必要により、ホ
ットプレートなどの加熱手段を利用して、適当な温度
（例えば、１００−１２０℃）で適当な時間（例えば、
１〜２分）ベークしてもよい。
全面露光には、ベース樹脂の種類に応じて種々の波長の
光線が利用でき、単一波長であっても、複合波長であっ
てもよい。これらの露光には、通常、ｇ線（４３６ｎ
ｍ），ｉ線（３６５ｎｍ）、エキシマーレーザー（例え
ば、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ），ＫｒＦ（２４８ｎｍ），
ＫｒＣｌ（２２２ｎｍ），ＡｒＦ（１９３ｎｍ），Ａｒ
Ｃｌ（１７２ｎｍ）など）が有利に利用できる。好まし
いエキシマーレーザーには、ＫｒＦ，ＫｒＣｌ，Ａｒ
Ｆ，ＡｒＣｌエキシマーレーザーなどが含まれる。イメ
ージ露光は、単一波長の光線で行なうのが好ましく、半
導体製造用レジストでは、ｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線
（３６５ｎｍ）やエキシマーレーザーなどが利用でき
る。パターン露光は慣用の方法により所定のマスクを通
じて露光し、所定のパターンを形成することにより行う
ことができる。このパターン露光の後、必要により、ホ
ットプレートなどの加熱手段を利用して、適当な温度
（例えば、１００−１２０℃）で適当な時間（例えば、
１〜２分）ベークしてもよい。
【００３８】パターン形成の露光波長は、使用するベー
ス樹脂や光活性成分の種類によって異なり、短波長側
（λ2 ）であっても長波長側（λ1 ）であってもよい。
イメージ露光を短波長側の光線で行なうときは、全面露
光を長波長側の光線で行ない、イメージ露光を長波長側
の光線で行なうときは、全面露光を短波長側の光線で行
なう場合が多い。例えば、ベース樹脂にノボラック樹脂
を用いる場合には、波長λ1 の光線でイメージ露光した
後、波長λ2 の光線で全面露光することができる。ま
た、例えば、ベース樹脂にポリビニルフェノール系重合
体を用いる場合には、波長λ2 の光線でイメージ露光し
た後、波長λ1 の光線で全面露光することができる。い
ずれの場合においても、全面露光により、感光層の表層
部に現像液に対して難溶化又は易溶化層を形成するた
め、全面露光の波長に対して活性な光活性成分は、イメ
ージ露光の波長に対して、実質的に不活性であるのが望
ましい。また、イメージ露光の波長に対して活性な光活
性成分は、全面露光の波長に対して実質的に不活性であ
るのが好ましい。
ス樹脂や光活性成分の種類によって異なり、短波長側
（λ2 ）であっても長波長側（λ1 ）であってもよい。
イメージ露光を短波長側の光線で行なうときは、全面露
光を長波長側の光線で行ない、イメージ露光を長波長側
の光線で行なうときは、全面露光を短波長側の光線で行
なう場合が多い。例えば、ベース樹脂にノボラック樹脂
を用いる場合には、波長λ1 の光線でイメージ露光した
後、波長λ2 の光線で全面露光することができる。ま
た、例えば、ベース樹脂にポリビニルフェノール系重合
体を用いる場合には、波長λ2 の光線でイメージ露光し
た後、波長λ1 の光線で全面露光することができる。い
ずれの場合においても、全面露光により、感光層の表層
部に現像液に対して難溶化又は易溶化層を形成するた
め、全面露光の波長に対して活性な光活性成分は、イメ
ージ露光の波長に対して、実質的に不活性であるのが望
ましい。また、イメージ露光の波長に対して活性な光活
性成分は、全面露光の波長に対して実質的に不活性であ
るのが好ましい。
【００３９】イメージ露光の後、本発明の感光性樹脂組
成物を全面露光することにより、ポジ型又はネガ型の種
類に応じて、感光層の表面をポジ型レジストでは難溶
化、ネガ型レジストでは易溶化処理できる。
成物を全面露光することにより、ポジ型又はネガ型の種
類に応じて、感光層の表面をポジ型レジストでは難溶
化、ネガ型レジストでは易溶化処理できる。
【００４０】全面露光のエネルギ−は、レジストの種類
や前記第２の光活性成分の種類などに応じて、前記難溶
化又は易溶化処理可能な適当なエネルギ−、例えば、
０．０５〜５０ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは０．１〜２５
ｍＪ／ｃｍ2 、さらに好ましくは０．５〜２５ｍＪ／ｃ
ｍ2 程度の範囲から選択できる。また、前記エキシマー
レーザーを用いて全面露光する場合、露光エネルギ−
は、例えば、０．５〜５０ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは１
〜２５ｍＪ／ｃｍ2 程度の範囲から選択できる。また、
微粒子を含まない２０μｍの感光層を露光した後、現像
剤で露光部又は非露光部を溶解してパターン（レジスト
パターンなど）を形成する従来のパターン形成方法にお
いて、パターン形成に必要な露光エネルギー（ｍＪ／ｃ
ｍ2 ）を１００としたとき、感光層の表面を耐水化又は
難溶化するための露光エネルギーは、１〜２０、好まし
くは１〜１０程度の範囲から選択できる。なお、耐水化
又は難溶化は、光照射時間又は光の強度などを調整する
ことによっても行なうことができる。
や前記第２の光活性成分の種類などに応じて、前記難溶
化又は易溶化処理可能な適当なエネルギ−、例えば、
０．０５〜５０ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは０．１〜２５
ｍＪ／ｃｍ2 、さらに好ましくは０．５〜２５ｍＪ／ｃ
ｍ2 程度の範囲から選択できる。また、前記エキシマー
レーザーを用いて全面露光する場合、露光エネルギ−
は、例えば、０．５〜５０ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは１
〜２５ｍＪ／ｃｍ2 程度の範囲から選択できる。また、
微粒子を含まない２０μｍの感光層を露光した後、現像
剤で露光部又は非露光部を溶解してパターン（レジスト
パターンなど）を形成する従来のパターン形成方法にお
いて、パターン形成に必要な露光エネルギー（ｍＪ／ｃ
ｍ2 ）を１００としたとき、感光層の表面を耐水化又は
難溶化するための露光エネルギーは、１〜２０、好まし
くは１〜１０程度の範囲から選択できる。なお、耐水化
又は難溶化は、光照射時間又は光の強度などを調整する
ことによっても行なうことができる。
【００４１】全面露光の後、アルカリ現像液などの現像
液を用いる慣用の方法で現像することにより所定のパタ
ーンを形成できる。現像した後、必要により、ホットプ
レートなどの加熱手段を利用して、適当な温度（例え
ば、１２０−１３０℃）で適当な時間（例えば、１〜２
分）ポストベークしてもよい。
液を用いる慣用の方法で現像することにより所定のパタ
ーンを形成できる。現像した後、必要により、ホットプ
レートなどの加熱手段を利用して、適当な温度（例え
ば、１２０−１３０℃）で適当な時間（例えば、１〜２
分）ポストベークしてもよい。
【００４２】本発明では、露光光線を短波長化すること
く、解像度を向上できる。より詳細には、マスクを介し
て感光性材料に照射されるイメージ露光の光分布は、光
の回折および回り込みのため、マスクに忠実な矩形では
なく「鈍った光」となる。そのため、ポジ型感光材料で
は、パターンが三角形の山型となり、ネガ型感光材料で
は、光吸収の強い表面が優先的に硬化するためＴ型形状
となり、解像度が低下する。これに対して、パターン露
光の後、全面露光することにより、ポジ型感光材料では
レジスト膜の表面を難溶化できるので、光強度の強いレ
ジスト膜表面での溶解を抑止でき、ネガ型感光材料では
レジスト膜の表面を易溶化（すなわち表面難溶化層を解
消）して表面の現像性を促進できる。そのため、パター
ンプロファイルとして高いコントラスト（γ値）の断面
矩形のパターンを形成でき、解像度を大幅に改善でき
る。また、パターン露光の焦点が若干ずれていたとして
も、前記レジスト膜表面の難溶化又は易溶化により解像
度を向上できるので、フォーカス余裕度を大きく向上で
きる。
く、解像度を向上できる。より詳細には、マスクを介し
て感光性材料に照射されるイメージ露光の光分布は、光
の回折および回り込みのため、マスクに忠実な矩形では
なく「鈍った光」となる。そのため、ポジ型感光材料で
は、パターンが三角形の山型となり、ネガ型感光材料で
は、光吸収の強い表面が優先的に硬化するためＴ型形状
となり、解像度が低下する。これに対して、パターン露
光の後、全面露光することにより、ポジ型感光材料では
レジスト膜の表面を難溶化できるので、光強度の強いレ
ジスト膜表面での溶解を抑止でき、ネガ型感光材料では
レジスト膜の表面を易溶化（すなわち表面難溶化層を解
消）して表面の現像性を促進できる。そのため、パター
ンプロファイルとして高いコントラスト（γ値）の断面
矩形のパターンを形成でき、解像度を大幅に改善でき
る。また、パターン露光の焦点が若干ずれていたとして
も、前記レジスト膜表面の難溶化又は易溶化により解像
度を向上できるので、フォーカス余裕度を大きく向上で
きる。
【００４３】また、本発明では、感度も実質的に改善で
きる。例えば、ラジカル重合による硬化システムを利用
したネガ型感光材料では、空気中の酸素による硬化阻害
が認められる。しかし、第２の光活性成分として酸発生
剤と架橋剤を添加すると、全面露光により表面硬化を促
進でき、実質的に感度を向上できる。一方、ポジ型感光
材料では、解像度と感度とは互いに相反する関係にあ
る。そのため、通常、両者を高いレベルで両立させるこ
とが困難である。しかし、本発明では、感度を低下させ
ることなく解像度を大幅に改善できるので、実質的には
感度も向上したことになる。
きる。例えば、ラジカル重合による硬化システムを利用
したネガ型感光材料では、空気中の酸素による硬化阻害
が認められる。しかし、第２の光活性成分として酸発生
剤と架橋剤を添加すると、全面露光により表面硬化を促
進でき、実質的に感度を向上できる。一方、ポジ型感光
材料では、解像度と感度とは互いに相反する関係にあ
る。そのため、通常、両者を高いレベルで両立させるこ
とが困難である。しかし、本発明では、感度を低下させ
ることなく解像度を大幅に改善できるので、実質的には
感度も向上したことになる。
【００４４】さらに、本発明では、感光性材料の表面の
親水性と疎水性の制御が可能であり、均一現像性を向上
できる。最近、特にレジストの分野では、性能向上に伴
いレジスト膜の疎水化が進行している。そのため、アル
カリ現像液との濡れ性が低下し、特に、大面積基板では
現像液が基板全面に均一に広がりにくく、均一に現像す
ることができない。しかし、本発明では、露光部のみが
親水化するポジ型材料では非露光部の濡れ性を高めるた
め、例えば、予め波長λ2 の光線照射で酸を発生する材
料を添加し、波長λ2 の全面露光により表面近傍のみで
酸を発生させることにより親水化できる。
親水性と疎水性の制御が可能であり、均一現像性を向上
できる。最近、特にレジストの分野では、性能向上に伴
いレジスト膜の疎水化が進行している。そのため、アル
カリ現像液との濡れ性が低下し、特に、大面積基板では
現像液が基板全面に均一に広がりにくく、均一に現像す
ることができない。しかし、本発明では、露光部のみが
親水化するポジ型材料では非露光部の濡れ性を高めるた
め、例えば、予め波長λ2 の光線照射で酸を発生する材
料を添加し、波長λ2 の全面露光により表面近傍のみで
酸を発生させることにより親水化できる。
【００４５】本発明は、種々の用途、例えば、回路形成
材料（半導体製造用レジスト、プリント配線板など）、
画像形成材料（印刷版材，レリーフ像など）などに利用
できる。特に、高い感度と解像度を得ることができるの
で、半導体製造用レジストに有利に利用できる。
材料（半導体製造用レジスト、プリント配線板など）、
画像形成材料（印刷版材，レリーフ像など）などに利用
できる。特に、高い感度と解像度を得ることができるの
で、半導体製造用レジストに有利に利用できる。
【００４６】
【発明の効果】本発明では、光活性成分を、感光波長の
異なる複数の光活性成分の組合わせで構成しているた
め、既存の設備（特に露光システム）であっても、感度
および解像度を大きく改善できる。また、パターンプロ
ファイル，フォーカス余裕度を大幅に改善できる。
異なる複数の光活性成分の組合わせで構成しているた
め、既存の設備（特に露光システム）であっても、感度
および解像度を大きく改善できる。また、パターンプロ
ファイル，フォーカス余裕度を大幅に改善できる。
【００４７】
【実施例】以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定され
るものではない。 実施例１〜６および比較例１〜３ ［感光性樹脂組成物の調製］ ノボラック樹脂（ベース樹脂）：メタクレゾール、パ
ラクレゾール、３，５−キシレノール、ホルマリンを常
法に従って反応させて得られた重量平均分子量９５００
のノボラック樹脂を用いた。 ジアゾナフトキノン誘導体：下記式（A）
に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定され
るものではない。 実施例１〜６および比較例１〜３ ［感光性樹脂組成物の調製］ ノボラック樹脂（ベース樹脂）：メタクレゾール、パ
ラクレゾール、３，５−キシレノール、ホルマリンを常
法に従って反応させて得られた重量平均分子量９５００
のノボラック樹脂を用いた。 ジアゾナフトキノン誘導体：下記式（A）
【００４８】
【化２】 で表されるフェノール化合物とナフトキノン−（１，
２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリドと
を、仕込み比１：１．３（モル比）でジオキサン中でト
リエチルアミンを触媒として反応させ、ジアゾナフトキ
ノン化合物を得た。そして、ノボラック樹脂（１５重量
部），ジアゾナフトキノン化合物（７重量部），溶媒と
してのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート（７８重量部）からなるポジ型フォトレジストに、
（B）４，４′−ジアジドジフェニルメタン又は（C）
３，３′−ジアジドジフェニルスルホンを所定量添加
し、感光性樹脂組成物を調製した。なお、表１中、成分
（B）（C）の添加量はベース樹脂１００重量部に対する
添加重量部である。
２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリドと
を、仕込み比１：１．３（モル比）でジオキサン中でト
リエチルアミンを触媒として反応させ、ジアゾナフトキ
ノン化合物を得た。そして、ノボラック樹脂（１５重量
部），ジアゾナフトキノン化合物（７重量部），溶媒と
してのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート（７８重量部）からなるポジ型フォトレジストに、
（B）４，４′−ジアジドジフェニルメタン又は（C）
３，３′−ジアジドジフェニルスルホンを所定量添加
し、感光性樹脂組成物を調製した。なお、表１中、成分
（B）（C）の添加量はベース樹脂１００重量部に対する
添加重量部である。
【００４９】［感度、解像度、γ（ガンマ）値の評価］
洗浄したシリコンウエハーに、回転塗布機を用いて上記
感光性樹脂組成物を乾燥後の膜厚が１．１ミクロンとな
るように塗布し、ホットプレートにて９０℃で１分間ベ
ークした。次いで、３６５ｎｍ（ｉ線）の露光波長を有
する縮小投影露光機（（株）ニコン製、NSR1755i7A,NA=
0.5)を用いて、線幅の異なるラインアンドスペースパタ
ーンを有するマスクを介して、露光量を段階的に変化さ
せて露光した。このウエハーを、ホットプレートにて１
１０℃で１分間ベークした。さらに、ウエハーのレジス
ト膜に、ウシオ電機（株）製，エキシマ光照射装置UER2
0II-222（ＫｒＣｌエキシマーレーザー，波長２２２ｎ
ｍ）で照度５ｍＷ／ｃｍ2で所定時間全面露光した。そ
して、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド水溶液で１分間現像して、ポジ型パター
ンを得た。
洗浄したシリコンウエハーに、回転塗布機を用いて上記
感光性樹脂組成物を乾燥後の膜厚が１．１ミクロンとな
るように塗布し、ホットプレートにて９０℃で１分間ベ
ークした。次いで、３６５ｎｍ（ｉ線）の露光波長を有
する縮小投影露光機（（株）ニコン製、NSR1755i7A,NA=
0.5)を用いて、線幅の異なるラインアンドスペースパタ
ーンを有するマスクを介して、露光量を段階的に変化さ
せて露光した。このウエハーを、ホットプレートにて１
１０℃で１分間ベークした。さらに、ウエハーのレジス
ト膜に、ウシオ電機（株）製，エキシマ光照射装置UER2
0II-222（ＫｒＣｌエキシマーレーザー，波長２２２ｎ
ｍ）で照度５ｍＷ／ｃｍ2で所定時間全面露光した。そ
して、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド水溶液で１分間現像して、ポジ型パター
ンを得た。
【００５０】このポジ型パターンにつき、以下のように
して評価した。 感度：０．５ミクロンのラインアンドスペースが１：１
の幅になる露光量で表示した。 解像度：ラインアンドスペースが１：１の幅になる露光
量で膜減りなく分離するライン幅の最終寸法を走査型顕
微鏡で観察した。 γ値：露光量の対数に対する規格化膜厚（＝残膜厚／初
期膜厚）をプロットし、その傾き角度θをもとめ、ｔａ
ｎθをγ値とした。 結果を表１に示す。
して評価した。 感度：０．５ミクロンのラインアンドスペースが１：１
の幅になる露光量で表示した。 解像度：ラインアンドスペースが１：１の幅になる露光
量で膜減りなく分離するライン幅の最終寸法を走査型顕
微鏡で観察した。 γ値：露光量の対数に対する規格化膜厚（＝残膜厚／初
期膜厚）をプロットし、その傾き角度θをもとめ、ｔａ
ｎθをγ値とした。 結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】 実施例７および８ 実施例１で用いたポジ型フォトレジストに、前記アシド
化合物（B）（C）に代えて、下記式（D）（E）で表され
る酸発生剤とヘキサメトキシメチルメラミンとを所定量
添加し、感光性樹脂組成物を調製した。そして、得られ
た感光性樹脂組成物について、実施例１と同様にして感
度，解像度およびγ値を評価したところ、表２に示す結
果を得た。なお、表２中、前記成分（D）（E）の添加量
は、ベース樹脂１００重量部に対する添加重量部であ
る。
化合物（B）（C）に代えて、下記式（D）（E）で表され
る酸発生剤とヘキサメトキシメチルメラミンとを所定量
添加し、感光性樹脂組成物を調製した。そして、得られ
た感光性樹脂組成物について、実施例１と同様にして感
度，解像度およびγ値を評価したところ、表２に示す結
果を得た。なお、表２中、前記成分（D）（E）の添加量
は、ベース樹脂１００重量部に対する添加重量部であ
る。
【００５２】
【化３】
【００５３】
【表２】 実施例９〜１２及び比較例２ ［感光性樹脂組成物の調製］水酸基のうち３０モル％を
ｔ−ＢＯＣ（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基）で置換
した重量平均分子量７５００のポリビニルフェノール樹
脂１重量部に実施例７で用いた式（D）で表される酸発
生剤０．００２重量部を添加し、溶媒としてのプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート６０重量部
と混合することにより、ポジ型フォトレジストを調製し
た。
ｔ−ＢＯＣ（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基）で置換
した重量平均分子量７５００のポリビニルフェノール樹
脂１重量部に実施例７で用いた式（D）で表される酸発
生剤０．００２重量部を添加し、溶媒としてのプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート６０重量部
と混合することにより、ポジ型フォトレジストを調製し
た。
【００５４】このポジ型フォトレジストに、（F）２，
６−ビス（４−アジドベンザル）メチルシクロヘキサノ
ン、（G）２，６−ビス（４−アジドベンザル）シクロ
ヘキサノンを表３に示すように、所定量添加し、感光性
樹脂組成物を調製した。なお、表３中、成分（F）（G）
の添加量は、ベース樹脂１００重量部に対する添加重量
部である。
６−ビス（４−アジドベンザル）メチルシクロヘキサノ
ン、（G）２，６−ビス（４−アジドベンザル）シクロ
ヘキサノンを表３に示すように、所定量添加し、感光性
樹脂組成物を調製した。なお、表３中、成分（F）（G）
の添加量は、ベース樹脂１００重量部に対する添加重量
部である。
【００５５】［感度、解像度の評価］洗浄したシリコー
ンウエハーに、回転塗布機を用いて上記感光性樹脂組成
物を乾燥後の膜厚が０．７μｍとなるように塗布し、ホ
ットプレートで８０℃で１分間ベークした。次いで、２
４８ｎｍの露光波長を有する縮小投影露光機（（株）ニ
コン製，KrFエキシマーレーザーステッパー，NA=0.45）
を用いて、線幅の異なるラインアンドスペースパターン
を有するマスクを介して、露光量を段階的に変化させて
露光した。このウエハーを、ホットプレートにて１００
℃で１分間ベークした。さらに、ウエハーのレジスト膜
に、３６５ｎｍ（ｉ線）の露光波長を有する縮小投影露
光機（（株）ニコン製，NSR1755i7A,NA=0.5)を用いてブ
ランクマスクを介して所定時間全面露光した。その後、
２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液で１分間パドル現像して、ポジ型パター
ンを得た。
ンウエハーに、回転塗布機を用いて上記感光性樹脂組成
物を乾燥後の膜厚が０．７μｍとなるように塗布し、ホ
ットプレートで８０℃で１分間ベークした。次いで、２
４８ｎｍの露光波長を有する縮小投影露光機（（株）ニ
コン製，KrFエキシマーレーザーステッパー，NA=0.45）
を用いて、線幅の異なるラインアンドスペースパターン
を有するマスクを介して、露光量を段階的に変化させて
露光した。このウエハーを、ホットプレートにて１００
℃で１分間ベークした。さらに、ウエハーのレジスト膜
に、３６５ｎｍ（ｉ線）の露光波長を有する縮小投影露
光機（（株）ニコン製，NSR1755i7A,NA=0.5)を用いてブ
ランクマスクを介して所定時間全面露光した。その後、
２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液で１分間パドル現像して、ポジ型パター
ンを得た。
【００５６】このポジ型パターンにつき、以下のように
して評価した。 感度：０．４ミクロンのラインアンドスペースが１：１
の幅になる露光量で表示した。 解像度：ラインアンドスペースが１：１の幅になる露光
量で膜減りなく分離するライン幅の最小寸法を走査型顕
微鏡で観察した。 結果を表３に示す。
して評価した。 感度：０．４ミクロンのラインアンドスペースが１：１
の幅になる露光量で表示した。 解像度：ラインアンドスペースが１：１の幅になる露光
量で膜減りなく分離するライン幅の最小寸法を走査型顕
微鏡で観察した。 結果を表３に示す。
【００５７】
【表３】
Claims (13)
- 【請求項１】 ベース樹脂と光活性成分とで構成された
感光性樹脂組成物であって、光活性成分が、異なる波長
λ1 ，λ2 に吸収域を有する複数の光活性成分で構成さ
れている感光性樹脂組成物。 - 【請求項２】 ポジ型材料である請求項１記載の感光性
樹脂組成物。 - 【請求項３】 ベース樹脂が、ノボラック樹脂又はポリ
ビニルフェノール系重合体である請求項１記載の感光性
樹脂組成物。 - 【請求項４】 光活性成分が、異なる波長に吸収域を有
する第１及び第２の光活性成分で構成され、一方の光活
性成分が他方の光活性成分の吸収波長に対して実質的に
不活性である請求項１記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項５】 第１の光活性成分の吸収波長λ1 と第２
の光活性成分の吸収波長λ2 とが、３０〜４５０ｎｍ離
れている請求項４記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項６】 第１の光活性成分および第２の光活性成
分のうち一方の成分の吸収波長が３００〜５５０ｎｍで
あり、他方の成分の吸収波長が１００〜３５０ｎｍであ
る請求項５記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項７】 第１の光活性成分が、(1a)ジアゾベンソ
キノン誘導体及び／又はジアゾナフトキノン誘導体で構
成され、第２の光活性成分が、(2a)アジド化合物、(2b)
光酸発生剤、又は(2c)光酸発生剤および架橋剤で構成さ
れている請求項４記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項８】 第１の光活性成分が、(1b)アジド化合物
で構成され、第２の光活性成分が、(2b)光酸発生剤で構
成されている請求項４記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項９】 アジド化合物が芳香族アジド化合物であ
る請求項７又は８記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項１０】 架橋剤がメラミン誘導体である請求項
７記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項１１】 ベース樹脂と、異なる波長λ1 ，λ2
に吸収域を有する複数の光活性成分とを混合する感光性
樹脂組成物の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１記載の感光性樹脂組成物に、
波長λ1 及びλ2 のうち一方の波長の光線を露光してパ
ターンを形成した後，他方の波長の光線で全面露光する
パターン形成方法。 - 【請求項１３】 全面露光により、感光層表面を現像液
に対して難溶化又は易溶化処理する請求項１２記載のパ
ターン形成方法。
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