JPH10194873A - 窒化珪素薄膜の形成方法 - Google Patents
窒化珪素薄膜の形成方法Info
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Abstract
形成において、耐薬品性に優れ且つ高屈折率を有する良
好な薄膜を形成させる方法を提供する。 【解決手段】 ペルヒドロポリシラザン又はその変性物
を基材上に塗布した後、真空下に600℃以上の温度で
焼成する。
Description
成方法及び同方法により得られる窒化珪素薄膜に関し、
詳しくは半導体装置や液晶表示装置における絶縁膜、保
護膜などとして、あるいはセラミックスや金属等の表面
改質被膜などとして有用な、透明性、緻密性、耐蝕性、
耐摩耗性、耐熱性に優れ、且つ耐薬品性に優れた高屈折
率を有する高品質の窒化珪素薄膜の形成方法に関する。
質セラミックス薄膜は、その優れた耐熱性、耐摩耗性、
耐蝕性等の面から、例えば半導体装置や液晶表示装置に
おける絶縁膜として、あるいは画素電極ないしカラーフ
ィルター上に設けられる保護膜として、利用されてい
る。それらの薄膜の中でも窒化珪素膜は特に不活性雰囲
気や還元性雰囲気で高温で安定であり、またシリカ等に
比べ高屈折率な透明膜であるという特徴を有する。特に
窒化珪素膜は緻密性、高屈折率の点から、近年光デバイ
スの保護膜、ガスバリア膜として利用されつつある。こ
のような分野で用いられる珪素質被膜は、一般にCVD
法、スパッタリング法等の気相成長法あるいは珪素質被
膜形成用塗布液を用いる塗布法によって基板上に形成さ
れている。ただ、気相成長法によると、手間がかかると
共に大きな設備を必要とし、しかも凹凸面上に被膜を形
成する場合に凹凸面の平坦化ができない等の問題がある
ため、近年は塗布法が広く採用されている。
素の前駆体ポリマーであるポリシラザンが、耐熱性、耐
摩耗性、耐蝕性等に優れた珪素質コーティング膜を形成
し得るため、注目されており、ポリシラザンを使用する
窒化珪素薄膜の形成についても、例えば、特開平1−2
03476号、特開平6−47862号各公報等に報告
されている。
には、ポリシラザン含有コーティング組成物を基板に塗
布した後、焼成し、窒化珪素からなる被覆膜を形成させ
るコーティング方法が提案されており、焼成は100〜
1,000℃(好ましくは200〜500℃)の温度範
囲で行なわれ、非酸化性雰囲気であれば、Si−N結合
の被膜が形成されるとしている。
鋼板(成形体)の表面にポリシラザンからなる被膜を形
成する工程と、このポリシラザン被膜を有する鋼板(成
形体)を熱処理する工程からなるセラミックス被膜を有
する鋼板(成形体)の製造方法が提案されており、ポリ
シラザン被膜の加熱処理は、空気、不活性ガス、還元性
ガスの雰囲気下又は真空下において、100℃以上(好
ましくは200〜1,300℃)の温度で行なわれ、加
熱処理によりポリシラザン被膜はSi−N結合やSi−
N−O結合を有するセラミックス(前駆体)の被膜とな
るとしている。更に、不活性ガスや還元性雰囲気下での
加熱においては、500℃以上の温度ではポリシラザン
の分解が主として起り、Si−N結合を有するセラミッ
クスが形成されると述べられている。
活性ガスや還元性雰囲気下で加熱処理してSi−N結合
を有するセラミックス被膜を得る場合には、ポリシラザ
ンの酸化しやすさのために、環境からの不純物として酸
素が膜中に取り込まれ、純粋な窒化珪素膜とならずに酸
窒化珪素膜となりやすい。このため純粋な窒化珪素膜を
得るためには、1300℃以上の高温が必要であった。
ここで、酸窒化珪素膜は窒化珪素膜に比べ、フッ化水素
酸等に対する耐薬品性が劣り、屈折率が低くなるという
問題がある。
従来技術の実状に鑑みてなされたものであって、耐摩耗
性、耐熱性、耐蝕性に優れているのみならず、耐薬品性
に優れ且つ高屈折率を有する良好な窒化珪素薄膜の形成
方法を提供することをその目的とする。
ン塗膜の焼成による窒化珪素薄膜の形成において、より
良好な薄膜を得るために鋭意研究を重ねた結果、反応系
内における水分が窒化珪素薄膜形成を阻害することを見
い出し、本発明に到達した。
リシラザン又はその変性物を基材上に塗布した後、真空
下に600℃以上の温度で焼成することを特徴とする窒
化珪素薄膜の形成方法が提供される。
て、下記窒化珪素薄膜及び窒化珪素薄膜の形成方法が提
供される。 (1)上記の方法で形成された、5重量%のフッ酸水溶
液に対して侵されることがない窒化珪素薄膜。 (2)真空度が0.1Pa以下の雰囲気で焼成すること
特徴とする上記の窒化珪素薄膜の形成方法。
ヒドロポリシラザン(変性物)を基材に塗布した後、真
空下に600℃以上の温度で焼成するという構成とした
ことから、本方法によると、反応系内における水分が速
やかに除去されるため、ポリシラザンの酸化が抑制さ
れ、容易に耐薬品に優れ高屈折率を有する良好な窒化珪
素薄膜が得られる。なお、前記特開平6−47862号
公報には、ポリシラザン被膜の加熱処理が真空下におい
て行われる場合もある旨記されているが、該公報には本
発明の目的は全く認識されておらず、もちろん実施例も
ない。
する。本発明では原料ポリシラザンとして、主として下
記一般式(I)
が約100〜50,000のペルヒドロポリシラザン又
はその変性物が用いられる。ペルヒドロポリシラザンに
は、鎖状、環状、あるいは分子内にこれら複数の構造を
同時に有するものがあり、これら単独でもあるいは混合
物でも利用できる。
は、例えば特開昭60−145903号公報、D.Se
yferthらCommunication of A
m.Cer.Soc.,C−13,January 1
983.に報告されている。これらの方法で得られるも
のは、種々の構造を有するポリマーの混合物であるが、
基本的には分子内に鎖状部分と環状部分を含み、
すと下記の如くである。
ンとして、上記のペルヒドロポリシラザン又は米国特許
第4,397,828号明細書等により開示されたシラ
ザン重合体をトリアルキルアミンの如き第3級アミン
類、立体障害性の基を有する第2級アミン類、フォスフ
ィン等の如き塩基性化合物を溶媒とするか又はこれを非
塩基性溶媒、例えば、炭化水素類に添加し−78℃〜3
00℃で加熱し脱水縮合反応を行わせることにより得ら
れる数平均分子量200〜500,000、好ましくは
500〜100,000の高重合体(特開平1−138
108号公報参照)を用いることもできる。
により得られる重合体で架橋結合−(NH)−n(n=1
又は2)を有し、珪素原子に結合する窒素と珪素との原
子比(N/Si)が0.8以上で数平均分子量が200
〜500,000、好ましくは500〜100,000
の改質ポリシラザンを用いることもできる。この改質ポ
リシラザンは、アンモニア又はヒドラジンを使用してポ
リシラザンの脱水素縮合反応を行わせることにより製造
することができる(特開平1−1381107号公報参
照)。
は、ペルヒドロポリシラザン(変性物)を基材に塗布し
た後、該塗膜を真空下に600℃以上の温度で焼成す
る。すなわち、まず上記ポリシラザン(変性物)を基材
に塗布する処理が行なわれる。該処理に当たっては、上
記ポリシラザン(変性物)を有機溶媒に溶解し塗布液を
調製する。この場合の有機溶媒としては、特に限定され
るものではないが、好ましい具体例としては、次のもの
が挙げられる。
ンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリ
エチルベンゼン等の芳香族化合物;n−ペンタン、i−
ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−ヘプタ
ン、i−ヘプタン、n−オクタン、i−オクタン、n−
ノナン、i−ノナン、n−デカン、i−デカン等の飽和
炭化水素化合物;エチルシクロヘキサン、メチルシクロ
ヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、p−メン
タン、デカヒドロナフタレン、ジペンテン;ジプロピル
エーテル、ジブチルエーテル、MTBE(メチルターシ
ャリーブチルエーテル)等のエーテル類;MIBK等の
ケトン類など。また、溶剤の蒸発速度の調整のため、適
宜これらの溶媒を2種以上混合したものも使用できる。
充填剤及び/又は増量剤を加えることができる。充填剤
の添加量はペルヒドロポリシラザン(変性物)1重量部
に対し、0.05〜10重量部の範囲であり、特に好ま
しい添加量は0.2〜3重量部の範囲である。塗布液に
は、更に必要に応じて各種顔料、レベリング剤、消泡
剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、pH調整剤、分散剤、
表面改質剤、可塑剤、乾燥促進剤、流れ止め剤、等を加
えてもよい。ペルヒドロポリシラザン(変性物)溶解後
の濃度は特に限定されるものではないが、通常5〜95
重量%、好ましくは10〜90重量%である。
れる。基材への塗布は、1回でもよいし、2回以上繰り
返し行ってもよい。塗布液を塗布する基材は、特に限定
されず、金属、セラミックス、プラスチック等のいずれ
でもよい。塗布手段としては、通常の塗布方法、つまり
スピンコート法、ディップ法、スプレー法、転写法など
が用いられる。また、塗布前に基材の脱脂、洗浄等によ
り清浄表面にしておくことで、上記ポリシラザン(変性
物)の付着性能が向上する。
ン(変性物)は、乾燥後、真空中で焼成される。焼成は
600℃以上、好ましくは800〜1,300℃の温度
で行なわれる。この場合、昇温速度は200℃/分以
下、1℃/分以上、好ましくは100℃/分以下、5℃
/分以上である。真空度は0.1Pa以下、好ましくは
0.01Pa以下、0.0001Pa以上の範囲で選択
される。真空中の焼成処理により、生成水分が迅速に系
外に除去され、常圧下における焼成処理と比べて、低温
でペルヒドロポリシラザン(変性物)塗膜がSi−N結
合を有する窒化珪素薄膜に変換される。
薄膜は、環境から取り込まれる不純物としての酸素が少
なく、膜中濃度で2at%以下となる(不活性雰囲気あ
るいは還元性雰囲気の常圧下で1300℃以下で形成さ
れる膜中酸素濃度は3〜20pt%)。そのため、1.
9〜2.1という高屈折率を有し(常圧下では1.5〜
1.6)、フッ化水素酸に対する耐薬品性を有するとい
う特徴がある。
するが、本発明の技術的範囲がこれらにより限定される
ものではない。
成] 内容積1リットルの四つ口フラスコにガス吹き込み管、
メカニカルスターラー、ジュワーコンデンサーを装着し
た。反応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四
つ口フラスコに脱気した乾燥ピリジンを490ml入
れ、これを氷冷した。次に、ジクロロシラン51.9g
を加えると、白色固体状のアダクト(SiH2Cl2・2
C5H5N)が生成した。反応混合物を氷冷し、撹拌しな
がら水酸化ナトリウム管及び活性炭管を通して精製した
アンモニア51.0gを吹き込んだ後、乾燥窒素を液層
に吹き込んで未反応のアンモニアを除去した。
燥ピリジンを用いて洗浄した後、更に乾燥窒素雰囲気下
で濾過して濾液850mlを得た。濾液5mlから溶媒
を減圧除去すると、樹脂状固体ペルヒドロポリシラザン
0.102gが得られた。数平均分子量をベンゼンの凝
固点降下法で測定したところ、900であった。
レキュラーシープにより十分脱水したキシレン40gに
溶解し、20wt%のポリシラザン溶液を得た。これを
スピンコーターにより清浄なシリコンウェハー上に約
0.3μm厚に塗布した。このときのスピンコーターの
回転条件は4000rpm−20secであった。この
膜を窒素雰囲気下で100℃のホットプレートで乾燥し
た後、真空加熱炉で焼成した。焼成条件は900℃−3
0minで、このときの真空度は0.001Paとし
た。
2.1、赤外透過スペクトルはSi−N起因のピークの
みで、Si−H、N−H、Si−Oピークは見られず、
窒化珪素膜となっていることが確認された。この膜の耐
薬品性を調べたところ、5wt%のフッ酸水溶液に対し
て侵されることなく、十分な耐薬品性を有していること
がわかった。
レキュラーシーブにより十分脱水したシクロヘキサン9
0gに溶解し、10wt%のポリシラザン溶液を得た。
これをディップコートにより清浄なガラス上に約0.3
μm厚に塗布した。この膜を窒素雰囲気下で100℃の
ホットプレートで乾燥した後、真空加熱炉で焼成した。
焼成条件は900℃−30minで、このときの真空度
は0.001Paとした。
2.1であり、この膜の耐薬品性を調べたところ、5w
t%のフッ酸水溶液に侵されることなく、十分な耐薬品
性を有していることがわかった。
レキュラーシープにより十分脱水したキシレン40gに
溶解し、20wt%のポリシラザン溶液を得た。これを
スピンコーターにより清浄なシリコンウェハー上に約
0.3μm厚に塗布した。このときのスピンコーターの
回転条件は4000rpm−20secあった。この膜
を窒素雰囲気下で100℃のホットプレートで乾燥した
後、常圧窒素雰囲気下で焼成した。焼成条件は900℃
−30minとした。得られた膜は、膜厚0.2μm
で、屈折率1.6、赤外透過スペクトルはSi−N起因
のピークが主であるが、Si−Oピークも僅かに観察さ
れた。この膜の耐薬品性を調べたところ、5wt%のフ
ッ酸水溶液に侵され、十分な耐薬品性を有していなかっ
た。
ペルヒドロポリシラザン(変性物)を基材に塗布した
後、真空下に600℃以上の温度で焼成するという構成
としたことから、本方法によると、反応系内における水
分が速やかに除去され、ポリシラザンの酸化が抑制され
るため、容易に耐薬品性に優れ高屈折率を有する良好な
窒化珪素薄膜が得られる。 1
Claims (1)
- 【請求項1】 ペルヒドロポリシラザン又はその変性物
を基材上に塗布した後、真空下に600℃以上の温度で
焼成することを特徴とする窒化珪素薄膜の形成方法。
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