JPH10177139A - 反射屈折両特性原理を用いた広帯域紫外線画像システム - Google Patents
反射屈折両特性原理を用いた広帯域紫外線画像システムInfo
- Publication number
- JPH10177139A JPH10177139A JP9194333A JP19433397A JPH10177139A JP H10177139 A JPH10177139 A JP H10177139A JP 9194333 A JP9194333 A JP 9194333A JP 19433397 A JP19433397 A JP 19433397A JP H10177139 A JPH10177139 A JP H10177139A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- image
- group
- light
- ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 77
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 34
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 3
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 claims description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims 9
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 claims 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 24
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 238000013461 design Methods 0.000 description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000183290 Scleropages leichardti Species 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
- G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0804—Catadioptric systems using two curved mirrors
- G02B17/0808—Catadioptric systems using two curved mirrors on-axis systems with at least one of the mirrors having a central aperture
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0856—Catadioptric systems comprising a refractive element with a reflective surface, the reflection taking place inside the element, e.g. Mangin mirrors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/16—Microscopes adapted for ultraviolet illumination ; Fluorescence microscopes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Lenses (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学系が画像に与える収差による歪み、これ
による色収差、スペクトラムに於て残された横軸方向の
高次の補正問題等を解決する。 【解決手段】 有効波長が広帯域に及ぶ紫外から遠紫外
にわたるスペクトルの長軸並びに横軸方向と色収差等の
各収差に関して第一次及び高次の補正機構を具備し、更
に同スペクトル帯での画像歪と、或いは色収差に依る色
彩の変調をもたらす収差に対して、高次補正を提供する
複数のレンズ群から成るフォーカスレンズ群と、少なく
とも２つの互いに異なる屈折特性を有するフィールドレ
ンズ群と、更にカタディオプトリック群を有する。カタ
ディオプトリック群は、焦点形成に大きく寄与する凹面
の反射面と、色収差に依る第１次の色彩の変調を、フォ
ーカスレンズ群と組合わせて補正する厚いレンズをを含
む光学要素から構成される。
による色収差、スペクトラムに於て残された横軸方向の
高次の補正問題等を解決する。 【解決手段】 有効波長が広帯域に及ぶ紫外から遠紫外
にわたるスペクトルの長軸並びに横軸方向と色収差等の
各収差に関して第一次及び高次の補正機構を具備し、更
に同スペクトル帯での画像歪と、或いは色収差に依る色
彩の変調をもたらす収差に対して、高次補正を提供する
複数のレンズ群から成るフォーカスレンズ群と、少なく
とも２つの互いに異なる屈折特性を有するフィールドレ
ンズ群と、更にカタディオプトリック群を有する。カタ
ディオプトリック群は、焦点形成に大きく寄与する凹面
の反射面と、色収差に依る第１次の色彩の変調を、フォ
ーカスレンズ群と組合わせて補正する厚いレンズをを含
む光学要素から構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広帯域スペクトル
の紫外線(UV)画像を処理する光学システムに関わる。特
に、広帯域スペクトルの紫外線画像を処理することを可
能にする反射及び屈折の両特性を備えた光学レンズを用
いた新しい画像光学システムに関わる。即ち、１つ或い
は２つの要素レンズを組み合わせ、更に１つ或いは２つ
の要素反射面（鏡面）を加えて組み合わせ、新しい画像
光学システムを構成している。本発明は、画像のゆが
み、ひずみ並びにそれ等と関連する色収差の矯正に関る
諸問題について光学システムの設計的観点から解決を図
ることを目的とする。
の紫外線(UV)画像を処理する光学システムに関わる。特
に、広帯域スペクトルの紫外線画像を処理することを可
能にする反射及び屈折の両特性を備えた光学レンズを用
いた新しい画像光学システムに関わる。即ち、１つ或い
は２つの要素レンズを組み合わせ、更に１つ或いは２つ
の要素反射面（鏡面）を加えて組み合わせ、新しい画像
光学システムを構成している。本発明は、画像のゆが
み、ひずみ並びにそれ等と関連する色収差の矯正に関る
諸問題について光学システムの設計的観点から解決を図
ることを目的とする。
【０００２】
【従来の技術】遠紫外線スペクトルは、０．３０ミクロ
ンから０．１５ミクロンの波長域を意味するが、遠紫外
線に於いて反射屈折の両特性を具備する光学レンズを用
いた画像システムは公知である。
ンから０．１５ミクロンの波長域を意味するが、遠紫外
線に於いて反射屈折の両特性を具備する光学レンズを用
いた画像システムは公知である。
【０００３】Shafer氏の米国特許５，３０１，９７６並
びにElliott 氏とShafer氏の米国特許５，４８８，２２
９はそれぞれ、反射屈折光学レンズを用いた画像システ
ムを公開している。上記の公知例では、ただ一つの屈折
性材料のみで構成されたレンズ系が使われている。ここ
で言うただ一つの屈折性材料とは、熔融石英である。熔
融石英は、遠紫外域で唯一透過性が良く他の物理的特性
も使用に耐えるからである。例えば、弗化系ガラス（Ca
F2やLiF 等）は遠紫外域で透過性が良いが、非常に軟ら
かくレンズへの加工は難しい。それ故、弗化系ガラスは
可能な限り避けるのが普通である。上記Shafer氏の５，
３０１，９７６特許に於ては、以下の様にSchupmann 氏
の色収差補正原理が採用されている。先ず、色収差を補
正した虚像を形成する、そしてそれを反射面で受けて実
像を構成している。この公知システムを図７に示す。各
構成要素は、画像歪曲と色収差を修正する為の補正レン
ズ群１０１、中間像１０５を発生する為にレンズ群１０
１を通過した光線を受けて焦点を結ばせるフォーカス
（焦点形成）レンズ１０３、中間像１０５を結像するの
に用いたフォーカスレンズと同じ素材に依るフィールド
レンズ１０７、裏側を反射面にして鏡１１１を形成し、
それによってフォーカスレンズ１０３が発生する光軸
（長軸）方向に見られる収差の問題を補正するべく位置
調整された厚板レンズ１０９、及び最終の像１１５を結
像する為に中間像と厚板レンズ１０９の間に設置する球
面鏡１１３である。ここでは、球面鏡１１３が主に焦点
を形成する作用に寄与している。中間像１０５に近接し
て厚板レンズ１０９を設置し、その中心部に小穴を設
け、その小穴を通して中間像１０５からの光線をこれに
入射させる。厚板レンズ１０９の背面の鏡面１１１は同
様に小穴１１９を設けて、球面鏡１１３が作る焦点を経
由した光線を通過せしめて、最後に像１１５が結ばれる
ようにする。さて、光軸（長軸）に沿った第１次色収差
は厚板レンズ１０９でその補正をする一方、中間像１０
５の点にOffner氏型のフィールドレンズを設置し、第２
次色収差の補正を実施している。中間像１０５の点に於
て、僅かにOffner氏型のフィールドレンズの位置を調整
すると第３次色収差の補正を行なうことが出来る。こう
して、広帯域の紫外線スペクトルに関して光軸方向の色
収差は完全に補正することが出来る。このシステムで
は、狭帯域の横軸（光軸と直角の軸）に於ける色収差も
偶然に解決することが解っている。でも、それ以上の補
正は出来ない。即ち、上記に述べた以上の問題である第
２次、及びより高次の横軸に関る色収差を広帯域の紫外
線スペクトルに関して求めることは、この例では不可能
である。
びにElliott 氏とShafer氏の米国特許５，４８８，２２
９はそれぞれ、反射屈折光学レンズを用いた画像システ
ムを公開している。上記の公知例では、ただ一つの屈折
性材料のみで構成されたレンズ系が使われている。ここ
で言うただ一つの屈折性材料とは、熔融石英である。熔
融石英は、遠紫外域で唯一透過性が良く他の物理的特性
も使用に耐えるからである。例えば、弗化系ガラス（Ca
F2やLiF 等）は遠紫外域で透過性が良いが、非常に軟ら
かくレンズへの加工は難しい。それ故、弗化系ガラスは
可能な限り避けるのが普通である。上記Shafer氏の５，
３０１，９７６特許に於ては、以下の様にSchupmann 氏
の色収差補正原理が採用されている。先ず、色収差を補
正した虚像を形成する、そしてそれを反射面で受けて実
像を構成している。この公知システムを図７に示す。各
構成要素は、画像歪曲と色収差を修正する為の補正レン
ズ群１０１、中間像１０５を発生する為にレンズ群１０
１を通過した光線を受けて焦点を結ばせるフォーカス
（焦点形成）レンズ１０３、中間像１０５を結像するの
に用いたフォーカスレンズと同じ素材に依るフィールド
レンズ１０７、裏側を反射面にして鏡１１１を形成し、
それによってフォーカスレンズ１０３が発生する光軸
（長軸）方向に見られる収差の問題を補正するべく位置
調整された厚板レンズ１０９、及び最終の像１１５を結
像する為に中間像と厚板レンズ１０９の間に設置する球
面鏡１１３である。ここでは、球面鏡１１３が主に焦点
を形成する作用に寄与している。中間像１０５に近接し
て厚板レンズ１０９を設置し、その中心部に小穴を設
け、その小穴を通して中間像１０５からの光線をこれに
入射させる。厚板レンズ１０９の背面の鏡面１１１は同
様に小穴１１９を設けて、球面鏡１１３が作る焦点を経
由した光線を通過せしめて、最後に像１１５が結ばれる
ようにする。さて、光軸（長軸）に沿った第１次色収差
は厚板レンズ１０９でその補正をする一方、中間像１０
５の点にOffner氏型のフィールドレンズを設置し、第２
次色収差の補正を実施している。中間像１０５の点に於
て、僅かにOffner氏型のフィールドレンズの位置を調整
すると第３次色収差の補正を行なうことが出来る。こう
して、広帯域の紫外線スペクトルに関して光軸方向の色
収差は完全に補正することが出来る。このシステムで
は、狭帯域の横軸（光軸と直角の軸）に於ける色収差も
偶然に解決することが解っている。でも、それ以上の補
正は出来ない。即ち、上記に述べた以上の問題である第
２次、及びより高次の横軸に関る色収差を広帯域の紫外
線スペクトルに関して求めることは、この例では不可能
である。
【０００４】上記で引用したElliott 氏とShafer氏の米
国特許５，４８８，２２９が提案する光学系は、Shafer
氏の５，３０１，９７６特許が提供するものの変形であ
る。ただ、５，４８８，２２９が提案する光学系は０．
１９３ミクロンの紫外線、即ち高出力エキシマレーザー
光源に於ける場合に最適化されたものである。この場合
図８に示したが、１２１’で示した硬い固体表面を切断
加工する様な装置を想定している。このシステムは図７
と同様である。その構成要素に関して述べると、画像歪
曲と色収差の補正レンズ群１０１’、フォーカスレンズ
１０３’、中間像１０５’、フィールドレンズ１０
７’、厚板レンズ１０９’、２つの鏡面１１１’と１１
３’、２つの中心の小穴１１７’と１１９’であって、
図７と同様に最終の像１１５’を結像している。但し、
この場合、上記との違いは、フィールドレンズ１０７’
の設置位置を変えている点にある。その理由は、中間像
もしくは、焦点１０５’がフィールドレンズ１０７’の
外側に配置される様に考慮して、高出力レーザーが焦点
を結んで発生する高温からの熱的損傷を免れる工夫をし
ているからである。更に、２つの鏡面１１１’と１１
３’は、レンズ体１０８’と１０９’の面に形成してい
る。スペクトルの組合わせがどうあっても、両方のレン
ズ１０８’と１０９’を共に通過する光線は、図７の厚
板レンズ１０９の場合と同様に、この場合でも長軸方向
の色収差に関し第１次補正が実行される。唯、ここで異
なるのは、関連する全レンズの厚さを減らしても同じ様
な効果が得られるという点である。熔融石英をもってし
ても波長０．１９３ミクロンの紫外線では好ましくない
吸収が発生する。そのため高出力レベルで、しかもこの
ような短波長帯では、関連する全レンズの厚さを減らす
ことの効果は、大きい。０．１９３ミクロンの紫外線エ
キシマレーザー光源の帯域は相対的に狭いと言える。但
し、０．１９３ミクロン近辺で紫外線の散乱が熔融石英
の中で無視出来ぬ程に大きくなる。従って色収差の補正
が必要な事情は変わらない。上に述べた２つのシステム
は、共におよそ０．６の開口数を達成している。
国特許５，４８８，２２９が提案する光学系は、Shafer
氏の５，３０１，９７６特許が提供するものの変形であ
る。ただ、５，４８８，２２９が提案する光学系は０．
１９３ミクロンの紫外線、即ち高出力エキシマレーザー
光源に於ける場合に最適化されたものである。この場合
図８に示したが、１２１’で示した硬い固体表面を切断
加工する様な装置を想定している。このシステムは図７
と同様である。その構成要素に関して述べると、画像歪
曲と色収差の補正レンズ群１０１’、フォーカスレンズ
１０３’、中間像１０５’、フィールドレンズ１０
７’、厚板レンズ１０９’、２つの鏡面１１１’と１１
３’、２つの中心の小穴１１７’と１１９’であって、
図７と同様に最終の像１１５’を結像している。但し、
この場合、上記との違いは、フィールドレンズ１０７’
の設置位置を変えている点にある。その理由は、中間像
もしくは、焦点１０５’がフィールドレンズ１０７’の
外側に配置される様に考慮して、高出力レーザーが焦点
を結んで発生する高温からの熱的損傷を免れる工夫をし
ているからである。更に、２つの鏡面１１１’と１１
３’は、レンズ体１０８’と１０９’の面に形成してい
る。スペクトルの組合わせがどうあっても、両方のレン
ズ１０８’と１０９’を共に通過する光線は、図７の厚
板レンズ１０９の場合と同様に、この場合でも長軸方向
の色収差に関し第１次補正が実行される。唯、ここで異
なるのは、関連する全レンズの厚さを減らしても同じ様
な効果が得られるという点である。熔融石英をもってし
ても波長０．１９３ミクロンの紫外線では好ましくない
吸収が発生する。そのため高出力レベルで、しかもこの
ような短波長帯では、関連する全レンズの厚さを減らす
ことの効果は、大きい。０．１９３ミクロンの紫外線エ
キシマレーザー光源の帯域は相対的に狭いと言える。但
し、０．１９３ミクロン近辺で紫外線の散乱が熔融石英
の中で無視出来ぬ程に大きくなる。従って色収差の補正
が必要な事情は変わらない。上に述べた２つのシステム
は、共におよそ０．６の開口数を達成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光軸（長軸）方向の色
収差による歪みは、各波長毎に其の焦点位置がずれると
いう問題を発生する。公知例の図７の場合、近紫外から
遠紫外の０．２から０．４ミクロンにわたる広いスペク
トラムに於て第１、第２、第３次補正を完全に実施出来
る。一方、横軸に関る収差の意味は倍率即ち、画像のサ
イズが波長依存性を有することに他ならなく、従って必
ずしも色の違いとして現れる訳では無い。図７のシステ
ムでは、先にも述べたが、第１次補正は完全に実行され
ている。唯、それより高次の補正は実施されずに残され
ている。広帯域では、これが残された歪み、即ち収差の
問題として残る。
収差による歪みは、各波長毎に其の焦点位置がずれると
いう問題を発生する。公知例の図７の場合、近紫外から
遠紫外の０．２から０．４ミクロンにわたる広いスペク
トラムに於て第１、第２、第３次補正を完全に実施出来
る。一方、横軸に関る収差の意味は倍率即ち、画像のサ
イズが波長依存性を有することに他ならなく、従って必
ずしも色の違いとして現れる訳では無い。図７のシステ
ムでは、先にも述べたが、第１次補正は完全に実行され
ている。唯、それより高次の補正は実施されずに残され
ている。広帯域では、これが残された歪み、即ち収差の
問題として残る。
【０００６】本発明は、広帯域紫外線スペクトル特性を
有し、且つ反射及び屈折の両特性を具備する光学レンズ
を用いた画像システムを提供して、この問題を全て解決
することを目的とする。光学系が画像に与える収差によ
る歪み、その様な歪みがもたらす色収差、上で述べた長
軸方向、及び横軸方向に関る色収差の問題、近紫外から
遠紫外の０．２から０．４ミクロンにわたる広いスペク
トラムに於て残された横軸方向の高次の補正問題等々の
全てに関して、本発明は解決することを目的とする。
有し、且つ反射及び屈折の両特性を具備する光学レンズ
を用いた画像システムを提供して、この問題を全て解決
することを目的とする。光学系が画像に与える収差によ
る歪み、その様な歪みがもたらす色収差、上で述べた長
軸方向、及び横軸方向に関る色収差の問題、近紫外から
遠紫外の０．２から０．４ミクロンにわたる広いスペク
トラムに於て残された横軸方向の高次の補正問題等々の
全てに関して、本発明は解決することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、色収
差の補正に加えて、優れた紫外線画像を観察する顕微鏡
用の対物レンズ、或いはリソグラフを実現する為の、即
ち超ＬＳＩ向けの画像投影装置の為の光学系を提供する
ことが可能になる。最終画像の質を上げる為に開口数を
大きくとり、一画面の視野を観察試料上で少なくとも一
辺０．５mm程度を可能にしている。 この光学系は、好
ましいことにテレセントリック（平行光線機能を持つ）
である。
差の補正に加えて、優れた紫外線画像を観察する顕微鏡
用の対物レンズ、或いはリソグラフを実現する為の、即
ち超ＬＳＩ向けの画像投影装置の為の光学系を提供する
ことが可能になる。最終画像の質を上げる為に開口数を
大きくとり、一画面の視野を観察試料上で少なくとも一
辺０．５mm程度を可能にしている。 この光学系は、好
ましいことにテレセントリック（平行光線機能を持つ）
である。
【０００８】色収差補正がされるフィールドレンズを複
合レンズで構成して成る反射及び屈折の両特性を具備す
る画像システムを構築することに依って、本発明の目的
は達せられる。ここで言及した複合レンズは、２種或い
はそれ以上の異なった屈折特性を持つ要素素材を組合わ
せる。一例として、熔融石英と弗化ガラスを組み合わせ
る。このフィールドレンズは、複合レンズ故ダブレット
（２つで一組み）や、出来ればトリプレット（３つで一
組み）が考えられる。これら各レンズ単体どうしを互い
にセメンとで接着して一体にして複合化することが出来
る。場合に依ってはお互いに少々の間隔を空ける方が良
い場合もある。熔融石英と弗化ガラスは、その遠紫外で
の分散特性が互いに大きく異なるものでは無く従って各
々のレンズ単体の倍率を大きく採ることが可能である。
上記の如き収差補正がされているダブレット或いは、ト
リプレットのフィールドレンズは、長軸方向のみなら
ず、横軸方向についてもその色収差の完全補正が広帯域
にわたって可能である。繰返すが、収差補正の為のフィ
ールドレンズはダブレット或いは、トリプレット構成の
複合レンズであって単体のレンズであってはならない。
合レンズで構成して成る反射及び屈折の両特性を具備す
る画像システムを構築することに依って、本発明の目的
は達せられる。ここで言及した複合レンズは、２種或い
はそれ以上の異なった屈折特性を持つ要素素材を組合わ
せる。一例として、熔融石英と弗化ガラスを組み合わせ
る。このフィールドレンズは、複合レンズ故ダブレット
（２つで一組み）や、出来ればトリプレット（３つで一
組み）が考えられる。これら各レンズ単体どうしを互い
にセメンとで接着して一体にして複合化することが出来
る。場合に依ってはお互いに少々の間隔を空ける方が良
い場合もある。熔融石英と弗化ガラスは、その遠紫外で
の分散特性が互いに大きく異なるものでは無く従って各
々のレンズ単体の倍率を大きく採ることが可能である。
上記の如き収差補正がされているダブレット或いは、ト
リプレットのフィールドレンズは、長軸方向のみなら
ず、横軸方向についてもその色収差の完全補正が広帯域
にわたって可能である。繰返すが、収差補正の為のフィ
ールドレンズはダブレット或いは、トリプレット構成の
複合レンズであって単体のレンズであってはならない。
【０００９】本発明による光学系は、少なくとも紫外線
帯域０．２０から０．２９ミクロンの波長域で動作し、
出来るなら、０．２０から０．４０ミクロンを越える範
囲で動作するのが望ましいと言う観点に基づく。その構
成は、焦点形成の為のレンズがあって、これは上と同じ
く単数でなく複数で構成する複合レンズであるが、但し
全てなるべく同一素材である様に配備する。そしてこの
表面は曲面加工を施して固有の屈折特性をもたせ、その
設置位置を調整して、中間像を形成するように選定す
る。当然、中間像は高次の補正が施される結果を生ず
る。従って、このシステムは、０．１９３ミクロンの波
長帯域に於て機能することが可能である。更に本システ
ムは、上述のフィールドレンズ群を保有する。このフィ
ールドレンズ群は中間像の近傍に設置して、全ての色収
差、長軸に関る高次補正と横軸の色収差の補正を実行す
る。中間像が形成される平面の位置は、フィールドレン
ズ群の内部、或いは外部でも構わなく、要は最適化を図
ることが重要である。反射と屈折の両特性を持つカタデ
ィオプトリックレンズ群は、球面凹型反射体を保有す
る。これは鏡を用いても良いがレンズに反射膜を被覆し
ても良い。他に平坦或いはそれにに近い「ほぼ平坦形状
の反射体」を、レンズに反射膜を被覆して形成し、最終
画像面の近傍に設置する。上で述べた２つの反射体は、
共に開口部（反射体等の障害物は無く光が透過する）を
その中心に形成して、光線が中間像と凹面反射体を結ん
で通過し、平坦（「ほぼ平坦」）反射体で反射し、凹面
反射体に入射して反射し、次は途中の補助レンズを通っ
て平坦反射体を通過する。
帯域０．２０から０．２９ミクロンの波長域で動作し、
出来るなら、０．２０から０．４０ミクロンを越える範
囲で動作するのが望ましいと言う観点に基づく。その構
成は、焦点形成の為のレンズがあって、これは上と同じ
く単数でなく複数で構成する複合レンズであるが、但し
全てなるべく同一素材である様に配備する。そしてこの
表面は曲面加工を施して固有の屈折特性をもたせ、その
設置位置を調整して、中間像を形成するように選定す
る。当然、中間像は高次の補正が施される結果を生ず
る。従って、このシステムは、０．１９３ミクロンの波
長帯域に於て機能することが可能である。更に本システ
ムは、上述のフィールドレンズ群を保有する。このフィ
ールドレンズ群は中間像の近傍に設置して、全ての色収
差、長軸に関る高次補正と横軸の色収差の補正を実行す
る。中間像が形成される平面の位置は、フィールドレン
ズ群の内部、或いは外部でも構わなく、要は最適化を図
ることが重要である。反射と屈折の両特性を持つカタデ
ィオプトリックレンズ群は、球面凹型反射体を保有す
る。これは鏡を用いても良いがレンズに反射膜を被覆し
ても良い。他に平坦或いはそれにに近い「ほぼ平坦形状
の反射体」を、レンズに反射膜を被覆して形成し、最終
画像面の近傍に設置する。上で述べた２つの反射体は、
共に開口部（反射体等の障害物は無く光が透過する）を
その中心に形成して、光線が中間像と凹面反射体を結ん
で通過し、平坦（「ほぼ平坦」）反射体で反射し、凹面
反射体に入射して反射し、次は途中の補助レンズを通っ
て平坦反射体を通過する。
【００１０】このシステムでは、その開口数が少なくと
も０．７となり、更なる特長は大きな視野画面、試料上
で一辺０．５mmが得られることである。且つ広帯域に及
ぶ好ましいスペクトル特性を実現し、近紫外から遠紫外
線迄、広く平坦な特性を保持する。このシステムは、複
数の光学系の組合わせで有効に動作する。例を挙げれ
ば、明視野照明光学系、指向性並びに非指向性暗視野光
学系、蛍光画像の処理装置、ドーム状散乱光処理系及び
コンフォーカルと称する焦点共有型の顕微鏡等々であ
る。これ等の紫外光画像系は、良好な分解能を提供する
のみならず、物質の定性分析、即ち物質の同定に有効で
ある。その理由は、紫外での反射率や吸収、散乱特性
（波長のマイナス４乗に比例する）、屈折高調波、更に
蛍光発光特性が物質の特性に依る変動等々、物質依存性
が強いからに他ならない。広帯域紫外光画像系は、光源
に紫外線ランプを導入して構成する。当然、この紫外線
光源は非可干渉光を提供するので、通常の非干渉画像処
理を実施することが出来る。一方、勿論であるが他の特
殊技術に応用することも可能である。例えば、ニッポー
ディスクをこの紫外線スペクトルと組合わせて、コンフ
ォーカル、即ち焦点共有型の顕微鏡等々を構築すること
が出来る。紫外並びに遠紫外広帯域レンズの応用範囲は
広く存在する。一例はパターンが転写されてなるウェー
ハ並びにマスク、レチクルを外観検査観察する応用、物
資を一部被覆しその上で切断する応用、集積回路のリソ
グラフに使用する応用、生物学的顕微鏡に使う応用、金
属工学顕微鏡への応用、スペクトル分析への応用等々で
ある。
も０．７となり、更なる特長は大きな視野画面、試料上
で一辺０．５mmが得られることである。且つ広帯域に及
ぶ好ましいスペクトル特性を実現し、近紫外から遠紫外
線迄、広く平坦な特性を保持する。このシステムは、複
数の光学系の組合わせで有効に動作する。例を挙げれ
ば、明視野照明光学系、指向性並びに非指向性暗視野光
学系、蛍光画像の処理装置、ドーム状散乱光処理系及び
コンフォーカルと称する焦点共有型の顕微鏡等々であ
る。これ等の紫外光画像系は、良好な分解能を提供する
のみならず、物質の定性分析、即ち物質の同定に有効で
ある。その理由は、紫外での反射率や吸収、散乱特性
（波長のマイナス４乗に比例する）、屈折高調波、更に
蛍光発光特性が物質の特性に依る変動等々、物質依存性
が強いからに他ならない。広帯域紫外光画像系は、光源
に紫外線ランプを導入して構成する。当然、この紫外線
光源は非可干渉光を提供するので、通常の非干渉画像処
理を実施することが出来る。一方、勿論であるが他の特
殊技術に応用することも可能である。例えば、ニッポー
ディスクをこの紫外線スペクトルと組合わせて、コンフ
ォーカル、即ち焦点共有型の顕微鏡等々を構築すること
が出来る。紫外並びに遠紫外広帯域レンズの応用範囲は
広く存在する。一例はパターンが転写されてなるウェー
ハ並びにマスク、レチクルを外観検査観察する応用、物
資を一部被覆しその上で切断する応用、集積回路のリソ
グラフに使用する応用、生物学的顕微鏡に使う応用、金
属工学顕微鏡への応用、スペクトル分析への応用等々で
ある。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態を示し
ており、カタディオプトリック（反射と屈折の両特性を
有する）を共に具備して成る画像システムであって、特
に広帯域遠紫外線に於ける応用を意図している。先ず、
フォーカス（焦点形成）レンズ群１１にて構成され、中
間像１３を形成する。そして、フィールドレンズ群１５
を中間像１３の近くに設置して、歪みの為に発生する色
収差の補正を実行する。更に、反射と屈折の両特性を共
に具備して成る画像光学要素群１７があって中間像１３
からの光線を通過せしめ最終画像１９が形成される様に
する。この画像 システムは以下に述べる点で最適化さ
れている。その詳細を述べると、単色光に見られるSeid
el氏の光学的歪み、長軸並びに横軸方向の光学的歪みと
収差、更に単色光の光学的歪み等々が全て重なって原因
となる色収差の全てを補正且つ修正することが出来る。
この系が機能するスペクトル範囲は、遠紫外域にわたっ
て大変広く、少なくとも０．２０ミクロンから０．２９
ミクロンを包含する。但し、場合によってはもっと広範
囲にわたって機能し、そのスペクトル域は０．２０ミク
ロンから０．４０ミクロンを包含する。従って、上記何
れの場合でも、KrF エキシマレーザー光線０．２４８ミ
クロンと０．２５４ミクロンの水銀アーク放電管の光を
その範囲内に含んでいる。上記の広いスペクトル帯域
は、０．３６５ミクロンの水銀アーク放電管からの光線
（ｉ線と呼ばれる）を含んでおり、０．３５１ミクロン
のXeF エキシマレーザー光線、並びに０．３２５ミクロ
ンのHe-Cd レーザー光をも包含している。上記の他に広
範囲のレーザー光源やアーク放電光源が、この範囲に存
在して実用化されていることを銘記する。勿論本システ
ムは、色収差補正装置として有効であり、上記以外の紫
外域でもその画像処理能力を提供することが出来る。そ
の一例を述べれば、０．１９から０．４０ミクロンのバ
ンドが考えられるので０．１９３ミクロンのArF エキシ
マレーザー光に依る画像を、本発明の方法で画像処理す
ることが出来る。勿論、狭帯域光にも応用出来ることは
言う迄もない。本発明に依る反射と屈折の両特性を共に
具備して成る画像システムは、種々の紫外線域の画像処
理装置に応用可能である。二、三例を示すと、紫外線顕
微鏡用対物レンズ、ウェーハ外観検査装置に於ける表面
散乱光に対する其の集光器、或いは集積回路製造に使う
紫外線フォトリソグラフ工程に於ける紫外線マスクパタ
ーン投影の為の光学系等々がある。
ており、カタディオプトリック（反射と屈折の両特性を
有する）を共に具備して成る画像システムであって、特
に広帯域遠紫外線に於ける応用を意図している。先ず、
フォーカス（焦点形成）レンズ群１１にて構成され、中
間像１３を形成する。そして、フィールドレンズ群１５
を中間像１３の近くに設置して、歪みの為に発生する色
収差の補正を実行する。更に、反射と屈折の両特性を共
に具備して成る画像光学要素群１７があって中間像１３
からの光線を通過せしめ最終画像１９が形成される様に
する。この画像 システムは以下に述べる点で最適化さ
れている。その詳細を述べると、単色光に見られるSeid
el氏の光学的歪み、長軸並びに横軸方向の光学的歪みと
収差、更に単色光の光学的歪み等々が全て重なって原因
となる色収差の全てを補正且つ修正することが出来る。
この系が機能するスペクトル範囲は、遠紫外域にわたっ
て大変広く、少なくとも０．２０ミクロンから０．２９
ミクロンを包含する。但し、場合によってはもっと広範
囲にわたって機能し、そのスペクトル域は０．２０ミク
ロンから０．４０ミクロンを包含する。従って、上記何
れの場合でも、KrF エキシマレーザー光線０．２４８ミ
クロンと０．２５４ミクロンの水銀アーク放電管の光を
その範囲内に含んでいる。上記の広いスペクトル帯域
は、０．３６５ミクロンの水銀アーク放電管からの光線
（ｉ線と呼ばれる）を含んでおり、０．３５１ミクロン
のXeF エキシマレーザー光線、並びに０．３２５ミクロ
ンのHe-Cd レーザー光をも包含している。上記の他に広
範囲のレーザー光源やアーク放電光源が、この範囲に存
在して実用化されていることを銘記する。勿論本システ
ムは、色収差補正装置として有効であり、上記以外の紫
外域でもその画像処理能力を提供することが出来る。そ
の一例を述べれば、０．１９から０．４０ミクロンのバ
ンドが考えられるので０．１９３ミクロンのArF エキシ
マレーザー光に依る画像を、本発明の方法で画像処理す
ることが出来る。勿論、狭帯域光にも応用出来ることは
言う迄もない。本発明に依る反射と屈折の両特性を共に
具備して成る画像システムは、種々の紫外線域の画像処
理装置に応用可能である。二、三例を示すと、紫外線顕
微鏡用対物レンズ、ウェーハ外観検査装置に於ける表面
散乱光に対する其の集光器、或いは集積回路製造に使う
紫外線フォトリソグラフ工程に於ける紫外線マスクパタ
ーン投影の為の光学系等々がある。
【００１２】図１中の焦点設定レンズ群１１は、各２１
から２７迄の７つのレンズ単体が構成する。その内２１
と２２の２つのレンズは、他の２３から２７迄の５つの
レンズとは、相当の距離を置いて設置する。この焦点レ
ンズ群でレンズ２１と２２の対を、わざわざ残りの５つ
のレンズ群２３から２７迄（これ等５つが、主になって
焦点設定サブグループを構成している）と離間して設置
する状況をここに特記する。その離間距離は、２３から
２７迄の５つの全レンズの厚さ総計の半分程度に設定す
る。例えば、要素レンズ群２３から２７は、空間距離６
０mmに分布して設置させる。そして、要素レンズ２２
は、要素レンズ２３からの距離３０乃至６０mmの点に設
置する。上記レンズの実際の設定位置は、全体的要素を
勘案した設計値でもって決定する。さて、レンズ２１と
２２は、対でもって第零次の色収差補正と単色光的な画
像歪の補正に有効である。これでもって、コマ収差と非
点収差が原因で発生する色収差が補正出来る。迎角(fie
ld angle) に依ってもたらされる、この対になった２つ
のレンズ上の光軸のズレは、これ等レンズを相対的に遠
くに設置する時に最大値になる。ズレは最大になるが、
それでもって、非点収差に依る色収差の補正を実行する
上で最大の効果が出る。図１に於て、次にこの焦点レン
ズ群の内の５つのレンズ２３から２７迄は、焦点形成の
為の主たる（サブグループ）レンズ群を構成し、其の内
訳は、１つの厚い凹凸両面を持った皿状の（全体として
負、即ち凹レンズとして機能する）レンズ２３と、それ
に対向して強い曲率で凹凸両面を有する皿状の（全体と
して負、即ち凹レンズ機能の）レンズ２４、強い曲率の
両面が凸状のレンズ２５、強い曲率で凹凸両面を有する
皿状の（全体として正、即ち凸レンズ機能の）レンズ２
６、それに対して逆を向き、強い曲率で凹凸両面を有す
る皿状の（全体として弱い正、或いは弱い負、即ち弱い
凸、或いは弱い凹レンズ機能の）レンズ２７でもって構
成する。勿論、上記レンズ２３から２７の細かな内訳の
内容を変えても良い。フォーカス（サブグループレン
ズ）群は中間像を結像する。当然であるが、レンズ面の
曲率を選択して、単色光に於ける歪を最小にするのが良
い。更に、対になっている２１と２２の選定に於て、歪
が光源の色、即ち波長依存性が最小に成るように設計す
るのが良い。
から２７迄の７つのレンズ単体が構成する。その内２１
と２２の２つのレンズは、他の２３から２７迄の５つの
レンズとは、相当の距離を置いて設置する。この焦点レ
ンズ群でレンズ２１と２２の対を、わざわざ残りの５つ
のレンズ群２３から２７迄（これ等５つが、主になって
焦点設定サブグループを構成している）と離間して設置
する状況をここに特記する。その離間距離は、２３から
２７迄の５つの全レンズの厚さ総計の半分程度に設定す
る。例えば、要素レンズ群２３から２７は、空間距離６
０mmに分布して設置させる。そして、要素レンズ２２
は、要素レンズ２３からの距離３０乃至６０mmの点に設
置する。上記レンズの実際の設定位置は、全体的要素を
勘案した設計値でもって決定する。さて、レンズ２１と
２２は、対でもって第零次の色収差補正と単色光的な画
像歪の補正に有効である。これでもって、コマ収差と非
点収差が原因で発生する色収差が補正出来る。迎角(fie
ld angle) に依ってもたらされる、この対になった２つ
のレンズ上の光軸のズレは、これ等レンズを相対的に遠
くに設置する時に最大値になる。ズレは最大になるが、
それでもって、非点収差に依る色収差の補正を実行する
上で最大の効果が出る。図１に於て、次にこの焦点レン
ズ群の内の５つのレンズ２３から２７迄は、焦点形成の
為の主たる（サブグループ）レンズ群を構成し、其の内
訳は、１つの厚い凹凸両面を持った皿状の（全体として
負、即ち凹レンズとして機能する）レンズ２３と、それ
に対向して強い曲率で凹凸両面を有する皿状の（全体と
して負、即ち凹レンズ機能の）レンズ２４、強い曲率の
両面が凸状のレンズ２５、強い曲率で凹凸両面を有する
皿状の（全体として正、即ち凸レンズ機能の）レンズ２
６、それに対して逆を向き、強い曲率で凹凸両面を有す
る皿状の（全体として弱い正、或いは弱い負、即ち弱い
凸、或いは弱い凹レンズ機能の）レンズ２７でもって構
成する。勿論、上記レンズ２３から２７の細かな内訳の
内容を変えても良い。フォーカス（サブグループレン
ズ）群は中間像を結像する。当然であるが、レンズ面の
曲率を選択して、単色光に於ける歪を最小にするのが良
い。更に、対になっている２１と２２の選定に於て、歪
が光源の色、即ち波長依存性が最小に成るように設計す
るのが良い。
【００１３】フィールドレンズ群１５は、図２に示し
た。これは通常、色収差を補正したトリプレット（三つ
組み）でもって構築する。勿論、２つで構成するダブレ
ット（対）であっても良い。素材は、熔融石英及びCaF2
ガラスを使う。他に遠紫外で透明な屈折体は、MgF2、Sr
F2、LaF3それからLiF を成分とするガラス或いは、これ
等 の混合物が使用出来よう。しかし、注意すべきは、
これ等の一部の素材は完全に非晶体でないと複屈折性を
有することである。完全に非晶体でないということは、
ミクロに見て結晶性を有することを意味する。遠紫外を
透過する２つ材料である熔融石英とCaF2ガラスに於て、
光分散に着目すると、遠紫外域で両者の分散特性はそれ
程変わらないことが解る。一方、フィールドレンズ群１
５の各要素はそれぞれ大きな硬度を有する。三つ組みレ
ンズ群１５の内容は、例えば皿状の石英凹（負）レンズ
３１、両凸面（正）CaF2レンズ３３、及び熔融石英製で
両凹面（負）レンズ３５で構成し、全てをセメントで接
着する。この組合わせでの最適設計を実施すると、中間
像１３を三つ組みレンズ群１５の内部に結像することが
出来る。一方に於て、図３で見られる様に、色収差を補
正するフィールドレンズ群の構成を次の様にすることが
出来る。その組合わせは、２つの熔融石英に依る皿状凹
レンズ５１と５３を少々（約１mm程）の距離を置いて対
面させて設置し、続けて両凸面（正）CaF2レンズ５５
を、２番目の両凸面（正）CaF2レンズ５３の近傍に隣接
して置く。上記の第２の組合わせでの最適設計を実施す
ると、中間像１３を三つ組みレンズ群１５の外部であっ
て、CaF2レンズを越えて、その向う側に結像させること
が出来る。これ等の実施形態に於てどちらの場合も、フ
ィールドレンズ群１５の設計に関して、各レンズの表面
曲率と設置位置を調整して残っている高次（第２、第３
次）の長軸並びに横軸方向の色収差を補正することが可
能である。第１次色収差の補正は主としてレンズ自体で
実行することが出来て、実際に上の例では、反射と屈折
の両特性を共に具備して成るレンズグループ１７と、フ
ォーカスレンズ群１１が、その作用を有する。さて、フ
ィールドレンズ群１５に於て２つ或いはそれ以上の屈折
特性を有する素材を使うことを考えよう。その実例は、
熔融石英と弗化カルシューム（CaF2）ガラスがあるが、
単一素材を用いたフィールドレンズ群が長軸方向の色収
差を補正する事実は、公知例で知られているが、本発明
の場合は、更に加えて横軸方向の高次色収差をも完全に
補正することを得る。
た。これは通常、色収差を補正したトリプレット（三つ
組み）でもって構築する。勿論、２つで構成するダブレ
ット（対）であっても良い。素材は、熔融石英及びCaF2
ガラスを使う。他に遠紫外で透明な屈折体は、MgF2、Sr
F2、LaF3それからLiF を成分とするガラス或いは、これ
等 の混合物が使用出来よう。しかし、注意すべきは、
これ等の一部の素材は完全に非晶体でないと複屈折性を
有することである。完全に非晶体でないということは、
ミクロに見て結晶性を有することを意味する。遠紫外を
透過する２つ材料である熔融石英とCaF2ガラスに於て、
光分散に着目すると、遠紫外域で両者の分散特性はそれ
程変わらないことが解る。一方、フィールドレンズ群１
５の各要素はそれぞれ大きな硬度を有する。三つ組みレ
ンズ群１５の内容は、例えば皿状の石英凹（負）レンズ
３１、両凸面（正）CaF2レンズ３３、及び熔融石英製で
両凹面（負）レンズ３５で構成し、全てをセメントで接
着する。この組合わせでの最適設計を実施すると、中間
像１３を三つ組みレンズ群１５の内部に結像することが
出来る。一方に於て、図３で見られる様に、色収差を補
正するフィールドレンズ群の構成を次の様にすることが
出来る。その組合わせは、２つの熔融石英に依る皿状凹
レンズ５１と５３を少々（約１mm程）の距離を置いて対
面させて設置し、続けて両凸面（正）CaF2レンズ５５
を、２番目の両凸面（正）CaF2レンズ５３の近傍に隣接
して置く。上記の第２の組合わせでの最適設計を実施す
ると、中間像１３を三つ組みレンズ群１５の外部であっ
て、CaF2レンズを越えて、その向う側に結像させること
が出来る。これ等の実施形態に於てどちらの場合も、フ
ィールドレンズ群１５の設計に関して、各レンズの表面
曲率と設置位置を調整して残っている高次（第２、第３
次）の長軸並びに横軸方向の色収差を補正することが可
能である。第１次色収差の補正は主としてレンズ自体で
実行することが出来て、実際に上の例では、反射と屈折
の両特性を共に具備して成るレンズグループ１７と、フ
ォーカスレンズ群１１が、その作用を有する。さて、フ
ィールドレンズ群１５に於て２つ或いはそれ以上の屈折
特性を有する素材を使うことを考えよう。その実例は、
熔融石英と弗化カルシューム（CaF2）ガラスがあるが、
単一素材を用いたフィールドレンズ群が長軸方向の色収
差を補正する事実は、公知例で知られているが、本発明
の場合は、更に加えて横軸方向の高次色収差をも完全に
補正することを得る。
【００１４】図２、図３に見る様に、中間像、即ち中間
焦点はフィールドレンズ群１５の内側にも外側にも設定
することが可能である。但し、もし中間像がフィールド
レンズ群１５の内側に設定されれば、収差及び画像の歪
みはもっとも効果的に修正されることを見出した。一方
に於ては、中間像１３はフィールドレンズ群１５の外側
に設定した方が好ましい場合がある。それは光出力が極
度に大きい場合であって、その時の危険は、強い熱が発
生してフィールドレンズ群の１つの或いは複数のレンズ
のガラス材を傷めてしまうことがあり得る。更に、レン
ズのガラス材の不均一性に由来して画像の微小な擾乱が
発生することは、屡々見られる。しかし、フィールドレ
ンズ群１５と中間像１３を空間的に離せば、この問題は
より少なくなる。
焦点はフィールドレンズ群１５の内側にも外側にも設定
することが可能である。但し、もし中間像がフィールド
レンズ群１５の内側に設定されれば、収差及び画像の歪
みはもっとも効果的に修正されることを見出した。一方
に於ては、中間像１３はフィールドレンズ群１５の外側
に設定した方が好ましい場合がある。それは光出力が極
度に大きい場合であって、その時の危険は、強い熱が発
生してフィールドレンズ群の１つの或いは複数のレンズ
のガラス材を傷めてしまうことがあり得る。更に、レン
ズのガラス材の不均一性に由来して画像の微小な擾乱が
発生することは、屡々見られる。しかし、フィールドレ
ンズ群１５と中間像１３を空間的に離せば、この問題は
より少なくなる。
【００１５】図１の反射と屈折の両特性を共に具備して
成る画像システムに於て、その反射屈折両性レンズ群１
７を構成するのは、第１の光学要素と第２の光学要素で
ある。第１の光学要素は、熔融石英製皿状レンズ３９に
て構築し、この裏側の凹面は反射特性を持たせる目的で
塗布物質４１を塗る。次に、第２の光学要素は、第１の
石英製レンズ４３にて構築し、この裏側の凹面は反射特
性を持たせる目的で塗布物質４５を塗る。（反射屈折両
性レンズ群１７の２つのレンズ３９と４３は、その前面
が互いに向き合う様にセットする。）反射性表面塗布材
４１と４５は、アルミニュームが代表的に使える。そし
て酸化を防ぐ為に、弗化マグネシュームMgF2をその上に
塗布して被覆する。アルミニュームは、遠紫外から近紫
外にわたって、少なくとも９２％近くの高い反射率を有
し、その均一性も高い。反射性表面塗布材として、可視
光に於て使用出来る他の素材も存在するが、その波長依
存性が大き過ぎて使用には耐えない。或る場合は、可視
光で使えても遠紫外では不透明であって使えず、更に悪
い素材では、光の吸収体になってしまう場合がある。例
えば銀の場合は０．３２ミクロンの波長では、その反射
率がたかだか４％に迄減少する。唯、アルミニュームに
代わるべき素材は６０％という幾分劣る反射率ではある
が、モリブデン、タングステン、それにクロームがあ
る。光出力が相当程度に高い場合、例えばレーザー切削
機への応用では、これ等は有効であろう。特殊な塗布材
には、長波長通過型フィルター向きのもの、短波長通過
型フィルター向きのもの、更にバンドパス向きのもの、
入射角度でその色が変化して見える２色性反射材、一部
波長でのみ透過性、或いは反射性のもの、蛍光性塗料等
々があって、応用に依って使い分けることが出来る。
成る画像システムに於て、その反射屈折両性レンズ群１
７を構成するのは、第１の光学要素と第２の光学要素で
ある。第１の光学要素は、熔融石英製皿状レンズ３９に
て構築し、この裏側の凹面は反射特性を持たせる目的で
塗布物質４１を塗る。次に、第２の光学要素は、第１の
石英製レンズ４３にて構築し、この裏側の凹面は反射特
性を持たせる目的で塗布物質４５を塗る。（反射屈折両
性レンズ群１７の２つのレンズ３９と４３は、その前面
が互いに向き合う様にセットする。）反射性表面塗布材
４１と４５は、アルミニュームが代表的に使える。そし
て酸化を防ぐ為に、弗化マグネシュームMgF2をその上に
塗布して被覆する。アルミニュームは、遠紫外から近紫
外にわたって、少なくとも９２％近くの高い反射率を有
し、その均一性も高い。反射性表面塗布材として、可視
光に於て使用出来る他の素材も存在するが、その波長依
存性が大き過ぎて使用には耐えない。或る場合は、可視
光で使えても遠紫外では不透明であって使えず、更に悪
い素材では、光の吸収体になってしまう場合がある。例
えば銀の場合は０．３２ミクロンの波長では、その反射
率がたかだか４％に迄減少する。唯、アルミニュームに
代わるべき素材は６０％という幾分劣る反射率ではある
が、モリブデン、タングステン、それにクロームがあ
る。光出力が相当程度に高い場合、例えばレーザー切削
機への応用では、これ等は有効であろう。特殊な塗布材
には、長波長通過型フィルター向きのもの、短波長通過
型フィルター向きのもの、更にバンドパス向きのもの、
入射角度でその色が変化して見える２色性反射材、一部
波長でのみ透過性、或いは反射性のもの、蛍光性塗料等
々があって、応用に依って使い分けることが出来る。
【００１６】第１の光学要素である皿状レンズ３９は、
その中央に小孔３７を形成しそこを光軸が通過する様に
する。レンズ表面上の反射性塗料４１は、当然ながら中
央の小孔３７で終端するので、この小孔は中央の開口部
として作用し、光の通過を可能にして、レンズ３９も反
射膜４１もこれを遮蔽することはない。小孔３７が形成
する光学的開口部は、中間像１３の近傍に存在する様に
設計して光エネルギーの損失を最小にする。色収差補正
の為のフィールドレンズ群１５は、小孔３７の中か近傍
に設置する。第２レンズ４３には通常小孔を設けない。
但し、表面反射膜４５には開口部、即ち窓の部分４７を
設けて、その部分は反射膜を塗布しない、即ちここは膜
の欠損部になる。この部分が、窓４７の中心に形成され
て、別の光学的開口部となる。反射膜４１を有するレン
ズ３９に於ける光学的開口は、必ずしもそのレンズの小
孔３７に依って定義する必要は無くて、反射膜４１の欠
損部にて定義するべきと考える。この場合も、レンズ４
３と塗布膜４５の時と同様に考えれば良い。この場合、
光線はもう１度だけ、レンズ３９の屈折性表面を通過す
ることになる。
その中央に小孔３７を形成しそこを光軸が通過する様に
する。レンズ表面上の反射性塗料４１は、当然ながら中
央の小孔３７で終端するので、この小孔は中央の開口部
として作用し、光の通過を可能にして、レンズ３９も反
射膜４１もこれを遮蔽することはない。小孔３７が形成
する光学的開口部は、中間像１３の近傍に存在する様に
設計して光エネルギーの損失を最小にする。色収差補正
の為のフィールドレンズ群１５は、小孔３７の中か近傍
に設置する。第２レンズ４３には通常小孔を設けない。
但し、表面反射膜４５には開口部、即ち窓の部分４７を
設けて、その部分は反射膜を塗布しない、即ちここは膜
の欠損部になる。この部分が、窓４７の中心に形成され
て、別の光学的開口部となる。反射膜４１を有するレン
ズ３９に於ける光学的開口は、必ずしもそのレンズの小
孔３７に依って定義する必要は無くて、反射膜４１の欠
損部にて定義するべきと考える。この場合も、レンズ４
３と塗布膜４５の時と同様に考えれば良い。この場合、
光線はもう１度だけ、レンズ３９の屈折性表面を通過す
ることになる。
【００１７】塗布膜を有する鏡４５は、平坦か或いは、
緩やかなカーブ面が好ましい。緩やかなカーブ面であれ
ば、この反射要素としての鏡の中心点の決定に於て若干
の誤差が許容される。一方、平らな鏡であれば一切その
ような誤差許容は無い。その為に、平らな鏡４５では組
立て時の正確な位置決めの精度が、そうでない時と較べ
てより厳しくなる。以下に更に詳しくのべる。もし塗布
鏡膜４５が緩やかなカーブの凹面であれば、この鏡膜４
５が、反射屈折両特性を備えたこの画像システムにて観
察下にあるウェーハの表面、或いは他の観察物体と接触
する事例は稀になる。従って、レンズ４３の裏面の鏡膜
４５及び観察物体の両方の接触に依る損傷を防ぐことが
出来る。
緩やかなカーブ面が好ましい。緩やかなカーブ面であれ
ば、この反射要素としての鏡の中心点の決定に於て若干
の誤差が許容される。一方、平らな鏡であれば一切その
ような誤差許容は無い。その為に、平らな鏡４５では組
立て時の正確な位置決めの精度が、そうでない時と較べ
てより厳しくなる。以下に更に詳しくのべる。もし塗布
鏡膜４５が緩やかなカーブの凹面であれば、この鏡膜４
５が、反射屈折両特性を備えたこの画像システムにて観
察下にあるウェーハの表面、或いは他の観察物体と接触
する事例は稀になる。従って、レンズ４３の裏面の鏡膜
４５及び観察物体の両方の接触に依る損傷を防ぐことが
出来る。
【００１８】中間像からの光線は、第１レンズ３９中の
光学的開口３７を経由し、更に第２レンズ４３本体を通
過するが、此処で平坦な或いは平坦に近いレンズ４３の
後部に設ける反射膜４５が形成する鏡の効果で反射が起
きるように設定する。次に光線は、再び第１レンズ３９
を通って後、鏡面４１にて反射して逆進し、第１レンズ
３９本体を通過する。最後に、光線は強い集光性を帯
び、第２レンズ４３本体内を３度目の通過をする。第１
及び第２レンズの曲面とその位置は、フォーカスレンズ
群１１との関係で長軸並びに横軸方向に於ける第１次色
収差補正が達成される様に選定すると好都合である。
光学的開口３７を経由し、更に第２レンズ４３本体を通
過するが、此処で平坦な或いは平坦に近いレンズ４３の
後部に設ける反射膜４５が形成する鏡の効果で反射が起
きるように設定する。次に光線は、再び第１レンズ３９
を通って後、鏡面４１にて反射して逆進し、第１レンズ
３９本体を通過する。最後に、光線は強い集光性を帯
び、第２レンズ４３本体内を３度目の通過をする。第１
及び第２レンズの曲面とその位置は、フォーカスレンズ
群１１との関係で長軸並びに横軸方向に於ける第１次色
収差補正が達成される様に選定すると好都合である。
【００１９】光学的各要素部品の結合、組立に際して
は、セメントで繋いでも良いしそうしなくても良い。セ
メント接着法に於ては、組立作業が容易になる利点があ
る。よって、この方法で出来上がる対物レンズは比較的
安価に仕上がる。セメント接着法のもう１つの特徴は、
位置合わせ後のずれは考えられないので、丈夫で機械的
に信頼性が高く仕上がることである。セメント接着法の
更なる特徴は、環境に敏感な材料を封入してしまうこと
を可能にする。この実例は、CaF2レンズであって、これ
をを別のレンズの間にセメント接着にて封じ込めること
が出来る。他方、高分子重合体材料をセメントの代わり
に、レンズ組立に使用することが出来る。しかし問題は
遠紫外線に依って、この高分子重合体材料は損傷を受け
やすいことである。そうなると、最後には損傷に依って
光学系全体に影響が出ざるを得ない。そして、高出力遠
紫外の応用では、特にその寿命に問題が出る。従って、
セメントを使わない組立レンズを高出力遠紫外線に応用
するに際し、常に長期信頼性が難点になる状況がある。
中間像近傍に設置するフィールドレンズ群に於ては、紫
外線が最も集中し高密度になるので、このセメント系を
使うか或いは他の方法を使うかの設計上の選択は、長期
信頼性との関係に於て重要な決定にならざるを得ない。
は、セメントで繋いでも良いしそうしなくても良い。セ
メント接着法に於ては、組立作業が容易になる利点があ
る。よって、この方法で出来上がる対物レンズは比較的
安価に仕上がる。セメント接着法のもう１つの特徴は、
位置合わせ後のずれは考えられないので、丈夫で機械的
に信頼性が高く仕上がることである。セメント接着法の
更なる特徴は、環境に敏感な材料を封入してしまうこと
を可能にする。この実例は、CaF2レンズであって、これ
をを別のレンズの間にセメント接着にて封じ込めること
が出来る。他方、高分子重合体材料をセメントの代わり
に、レンズ組立に使用することが出来る。しかし問題は
遠紫外線に依って、この高分子重合体材料は損傷を受け
やすいことである。そうなると、最後には損傷に依って
光学系全体に影響が出ざるを得ない。そして、高出力遠
紫外の応用では、特にその寿命に問題が出る。従って、
セメントを使わない組立レンズを高出力遠紫外線に応用
するに際し、常に長期信頼性が難点になる状況がある。
中間像近傍に設置するフィールドレンズ群に於ては、紫
外線が最も集中し高密度になるので、このセメント系を
使うか或いは他の方法を使うかの設計上の選択は、長期
信頼性との関係に於て重要な決定にならざるを得ない。
【００２０】広帯域の紫外線光学系に於ける最適設計の
２例を次頁と次々頁に示した。その１つは図２のフィー
ルドレンズ群であり、他の例は、図３のフィールドレン
ズ群である。これ等について、次に述べる。以下のレン
ズ表面に関る設計データは、０．２００、０．２２０、
０．２４５、０．２９０及び０．４００ミクロンの波長
の屈折率の値（空気に対する相対値）に基づいている。
結果として得た設計例では、開口数０．９、視野画面の
対角線長を０．５mmとした。設計値を変動させて種々の
設計的研究を実施した。その結果解ったことは、開口数
をやや小さめに、例えば０．７にすることも出来、この
時は系の長さ、特に対物レンズと観察試料間の距離が大
きくなり、この条件下でレンズ表面の曲率を最適化する
ことが出来る。このような設計例は、レチクル検査に適
している。何故なら、レチクル検査では、対物レンズと
レチクル間の距離を大きくとることが好ましいからであ
る。レンズ表面の曲率の設計値を変動させることが、同
様に出来る。この場合で長軸及び横軸の収差が補正され
ている狭帯域光と言う条件で、０．１９３ミクロンのAr
F エキシマーレーザー光源を含む様に、０．１９ミクロ
ンから０．４００ミクロンの、或いは更に狭い波長域に
於て、この光学系を最適化することが出来る。実施形態
１と実施形態２は以下に示した。
２例を次頁と次々頁に示した。その１つは図２のフィー
ルドレンズ群であり、他の例は、図３のフィールドレン
ズ群である。これ等について、次に述べる。以下のレン
ズ表面に関る設計データは、０．２００、０．２２０、
０．２４５、０．２９０及び０．４００ミクロンの波長
の屈折率の値（空気に対する相対値）に基づいている。
結果として得た設計例では、開口数０．９、視野画面の
対角線長を０．５mmとした。設計値を変動させて種々の
設計的研究を実施した。その結果解ったことは、開口数
をやや小さめに、例えば０．７にすることも出来、この
時は系の長さ、特に対物レンズと観察試料間の距離が大
きくなり、この条件下でレンズ表面の曲率を最適化する
ことが出来る。このような設計例は、レチクル検査に適
している。何故なら、レチクル検査では、対物レンズと
レチクル間の距離を大きくとることが好ましいからであ
る。レンズ表面の曲率の設計値を変動させることが、同
様に出来る。この場合で長軸及び横軸の収差が補正され
ている狭帯域光と言う条件で、０．１９３ミクロンのAr
F エキシマーレーザー光源を含む様に、０．１９ミクロ
ンから０．４００ミクロンの、或いは更に狭い波長域に
於て、この光学系を最適化することが出来る。実施形態
１と実施形態２は以下に示した。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】図１の画像処理システムを発展させて、顕
微鏡の対物レンズ系に筒型形状を使う設計の例を図４に
示した。紫外線光源６１からの光は図１の対物レンズを
通して、観察試料表面を照射する。この場合の紫外線光
源６１には、水銀蒸気ランプかエキシマレーザーを用い
る。一方この設計実例は、伝統的な照明光学系のレンズ
とスリット等、６３、６５、６７をも同時に具備し、そ
の上更に対物レンズ系に於ける光線の経路にはビーム分
割器６９を配備する。図１の対物レンズ系が受けた光線
が 画像処理される為に設定する経路には、上述のビー
ム分割器６９を配備し、これを通過した光線は顕微鏡筒
に進入する。この顕微鏡は、反射屈折両特性レンズ群を
具備することも出来る。顕微鏡筒は、皿状の凹レンズ対
７１と７３を包含し、これ等は互いに接近して対向する
べく設置する。そして、２つの円形の鏡７５と７７を導
入して互いに一定の距離を置く様にし、更にこれ等は、
凹レンズ対７１と７３からも一定の距離を置く様にす
る。そしてこの例では、その一定距離としては各々、最
小４００mmとする。鏡７５は、鏡７７と凹レンズ対７１
と７３に向けて凹面に設定する。一方、鏡７７は、鏡７
５に向けて凸面に設定する。これ等の曲率は、１，００
０mmとする、即ち殆ど平面である。２つの鏡７３と７５
で光線は折りたたまれ、この時に光線は筒の軸線から外
れる傾向になる。従って、筒長は５００mmを越えるのは
難しい。図１で対物光学系を最適化した例では、以下に
示す表３の通りに屈折性と反射性を光学要素７１、７
３、７５と７７に持たせる。
微鏡の対物レンズ系に筒型形状を使う設計の例を図４に
示した。紫外線光源６１からの光は図１の対物レンズを
通して、観察試料表面を照射する。この場合の紫外線光
源６１には、水銀蒸気ランプかエキシマレーザーを用い
る。一方この設計実例は、伝統的な照明光学系のレンズ
とスリット等、６３、６５、６７をも同時に具備し、そ
の上更に対物レンズ系に於ける光線の経路にはビーム分
割器６９を配備する。図１の対物レンズ系が受けた光線
が 画像処理される為に設定する経路には、上述のビー
ム分割器６９を配備し、これを通過した光線は顕微鏡筒
に進入する。この顕微鏡は、反射屈折両特性レンズ群を
具備することも出来る。顕微鏡筒は、皿状の凹レンズ対
７１と７３を包含し、これ等は互いに接近して対向する
べく設置する。そして、２つの円形の鏡７５と７７を導
入して互いに一定の距離を置く様にし、更にこれ等は、
凹レンズ対７１と７３からも一定の距離を置く様にす
る。そしてこの例では、その一定距離としては各々、最
小４００mmとする。鏡７５は、鏡７７と凹レンズ対７１
と７３に向けて凹面に設定する。一方、鏡７７は、鏡７
５に向けて凸面に設定する。これ等の曲率は、１，００
０mmとする、即ち殆ど平面である。２つの鏡７３と７５
で光線は折りたたまれ、この時に光線は筒の軸線から外
れる傾向になる。従って、筒長は５００mmを越えるのは
難しい。図１で対物光学系を最適化した例では、以下に
示す表３の通りに屈折性と反射性を光学要素７１、７
３、７５と７７に持たせる。
【００２４】
【表３】
【００２５】次に図５を参照する。図１の画像処理系の
応用例を、ウェーハ検査装置に見出すことが出来る。こ
れは、指向性を持ち暗視野に於ける散乱光の集光器にな
る。紫外線レーザーに依る照明光源８１があって、これ
はビーム８５を発しこのビームは、それぞれレンズ３
９" とレンズ４３" にあけた小孔８３と８７を通過す
る。更に、反射屈折両性光学系に設定した反射膜面４
１" と４５" で反射し観察ウェーハ表面８９に達する。
上記の変形例を考える。それは、もし反射膜面４１"と
４５" が欠落した時であり、或いはこれ等が存在しても
半透明な時である。これ等の場合は、それぞれ透明、或
いは半透明の窓が当該反射膜を置換しているものと見な
す。光線８５が入射する経路は、当然半円形の反射体４
１" の下部から進入する場合もある。この時入射角は斜
めになっている。法線を基準にして測るとこの角度は６
０度を超えている。その理由は、この画像処理系の開口
数が（０．９０であって）相当に大きいからである。照
明に関しては、１方向からのみ実行する必要は無く、入
射角も種々な値を採ることが出来る。試料で反射した光
線９３は、それぞれレンズ３９" と４３" 及び反射性膜
４１" と４５" に設けた小孔９１と９５を通過する。
（この場合、小孔９１と９５は反射性膜４１" と４５"
だけに設けられている場合もあって当然である）。試料
８９上のパターン形成素材によって散乱される入射紫外
線は、図１に示した如く反射と屈折の両特性を共に具備
して成る画像システムでもって画像データとして結像す
る。そのプロセスは、カタディオプトリック（反射と屈
折の両特性）レンズ系にて先ず信号光線を処理し、次に
フィールドレンズ群で色収差を補正し、そして続く焦点
作用レンズ群でもって信号光線を結像させる為に、最後
に鏡筒７１、７３、７５及び７７を経由する様に配備す
る。（図５では、６１から６９迄の光源に関しては、省
略した。） 図５で示した指向性のものとは異なり、代わりに環状の
暗視野照明を使用しても良い。この場合、環状の暗視野
照明光源としては、環状のフラッシュランプであれば環
状の光を出すことが出来るし、或いは半環状の光源を使
って同じ半環状の窓を設けた照明光源、或いは半球（ド
ーム）を構築しその内部に反射膜を部分的に塗布して成
る環状の部分反射体からの反射作用を使っても、環状の
照明光源を構成することが出来る。上記の様な設定は、
試料への紫外線照射に於て、一定の入射角度のみなら
ず、これをを種々変えた組み合わせで実現させることが
出来る。
応用例を、ウェーハ検査装置に見出すことが出来る。こ
れは、指向性を持ち暗視野に於ける散乱光の集光器にな
る。紫外線レーザーに依る照明光源８１があって、これ
はビーム８５を発しこのビームは、それぞれレンズ３
９" とレンズ４３" にあけた小孔８３と８７を通過す
る。更に、反射屈折両性光学系に設定した反射膜面４
１" と４５" で反射し観察ウェーハ表面８９に達する。
上記の変形例を考える。それは、もし反射膜面４１"と
４５" が欠落した時であり、或いはこれ等が存在しても
半透明な時である。これ等の場合は、それぞれ透明、或
いは半透明の窓が当該反射膜を置換しているものと見な
す。光線８５が入射する経路は、当然半円形の反射体４
１" の下部から進入する場合もある。この時入射角は斜
めになっている。法線を基準にして測るとこの角度は６
０度を超えている。その理由は、この画像処理系の開口
数が（０．９０であって）相当に大きいからである。照
明に関しては、１方向からのみ実行する必要は無く、入
射角も種々な値を採ることが出来る。試料で反射した光
線９３は、それぞれレンズ３９" と４３" 及び反射性膜
４１" と４５" に設けた小孔９１と９５を通過する。
（この場合、小孔９１と９５は反射性膜４１" と４５"
だけに設けられている場合もあって当然である）。試料
８９上のパターン形成素材によって散乱される入射紫外
線は、図１に示した如く反射と屈折の両特性を共に具備
して成る画像システムでもって画像データとして結像す
る。そのプロセスは、カタディオプトリック（反射と屈
折の両特性）レンズ系にて先ず信号光線を処理し、次に
フィールドレンズ群で色収差を補正し、そして続く焦点
作用レンズ群でもって信号光線を結像させる為に、最後
に鏡筒７１、７３、７５及び７７を経由する様に配備す
る。（図５では、６１から６９迄の光源に関しては、省
略した。） 図５で示した指向性のものとは異なり、代わりに環状の
暗視野照明を使用しても良い。この場合、環状の暗視野
照明光源としては、環状のフラッシュランプであれば環
状の光を出すことが出来るし、或いは半環状の光源を使
って同じ半環状の窓を設けた照明光源、或いは半球（ド
ーム）を構築しその内部に反射膜を部分的に塗布して成
る環状の部分反射体からの反射作用を使っても、環状の
照明光源を構成することが出来る。上記の様な設定は、
試料への紫外線照射に於て、一定の入射角度のみなら
ず、これをを種々変えた組み合わせで実現させることが
出来る。
【００２６】更に他の実施形態に於ては、この対物レン
ズ系はドーム型光散乱測定計器としても使用出来る。当
該光散乱測定システムは、その反射体は長波長光パス型
反射膜、短波長光パス型反射膜、バンドパス型反射膜、
光散乱性反射膜並びに蛍光性反射膜を塗布して形成す
る。光散乱測定システムは、ドームの周辺に設置した検
出器に、反射してきた光信号を入力して、ドーム全天
（内部から見上げたドーム全体）に於ける蛍光出力の散
乱模様が作る各パターンの強度等の測定を実施する。一
方、ダイクロイック特性を有する素材がある。（このダ
イクロイック特性と言うのは、一部反射性、且つ一部透
過性の素材である。即ち、入射光の角度で反射、或いは
透過特性を有し、従って角度で色が変わる玉虫色にな
る。）ダイクロイック素材をドームに塗布してドームを
ダイクロイック的な鏡面にすれば、透過してきた光信号
を検出器で直読して散乱光の直接測定が可能になる。
ズ系はドーム型光散乱測定計器としても使用出来る。当
該光散乱測定システムは、その反射体は長波長光パス型
反射膜、短波長光パス型反射膜、バンドパス型反射膜、
光散乱性反射膜並びに蛍光性反射膜を塗布して形成す
る。光散乱測定システムは、ドームの周辺に設置した検
出器に、反射してきた光信号を入力して、ドーム全天
（内部から見上げたドーム全体）に於ける蛍光出力の散
乱模様が作る各パターンの強度等の測定を実施する。一
方、ダイクロイック特性を有する素材がある。（このダ
イクロイック特性と言うのは、一部反射性、且つ一部透
過性の素材である。即ち、入射光の角度で反射、或いは
透過特性を有し、従って角度で色が変わる玉虫色にな
る。）ダイクロイック素材をドームに塗布してドームを
ダイクロイック的な鏡面にすれば、透過してきた光信号
を検出器で直読して散乱光の直接測定が可能になる。
【００２７】図６は、ウェーハ検査装置を示し、特にそ
の対物光学系８６は、反射と屈折の両特性を共に具備し
て成る画像システムを応用して成立している。本発明の
出願人が、本発明に依って、更に出願人の他の米国特許
である４，２４７，２０３、４，５５６，３１７、４，
６１８，９３８及び４，８４５，５５８を基礎にこのウ
ェーハ検査装置を構築することが出来よう。それによる
と、製造途中の状態である複数の集積回路ダイ８４を、
ウェーハ８２は包含して居り、この半導体ウェーハ８２
をステージ８０の上に載せた様子を、図６でもって示し
ている。紫外線顕微鏡の対物レンズ系８６に対してステ
ージ８０は、Ｘ並びにY方向とシータ回転の運動を提供
することが可能である。この場合、紫外線顕微鏡の対物
レンズ系の１例としては、図１に示した反射屈折の両特
性を共に具備した画像系を考えれば良い。ダイ８４或い
はその一部で反射して集光される光信号８３は、ダイ又
はその一部の拡大画像を対物光学系８６でもって形成す
ることが出来、その像はリレーレンズ、即ちレンズ系９
０を通過する。ここで、通過するレンズ系としては、図
４の筒状のレンズ系を想定すれば良い。そして、ビデオ
系、例えば遠紫外線域で感度を有するCCD 配列を用いた
カメラ９２を導入して、その開口部に光信号が入射する
様に配備する。CCD カメラ９２の出力９４は、データプ
ロセッサ９６に入力する。ウェーハ検査装置では、入力
したダイ又はその一部の紫外線画像の各ピクセルを、他
の同様なダイ又はその一部の同様な紫外線画像の各ピク
セルと各々比較する。或いは、その比較の対象は、他の
同様なダイ又はその一部の同様な紫外線画像データで以
前から蓄積保存中していたものを取出して来て互いにピ
クセルどうしを比較する。この比較作業の結果であるデ
ータ９８は、出力装置デバイスであるCRTとか、プリン
タ、又はデータ記憶装置に、これを入力する。本発明の
広帯域紫外線用レンズは、横軸方向の色収差を補正する
ことが出来る。
の対物光学系８６は、反射と屈折の両特性を共に具備し
て成る画像システムを応用して成立している。本発明の
出願人が、本発明に依って、更に出願人の他の米国特許
である４，２４７，２０３、４，５５６，３１７、４，
６１８，９３８及び４，８４５，５５８を基礎にこのウ
ェーハ検査装置を構築することが出来よう。それによる
と、製造途中の状態である複数の集積回路ダイ８４を、
ウェーハ８２は包含して居り、この半導体ウェーハ８２
をステージ８０の上に載せた様子を、図６でもって示し
ている。紫外線顕微鏡の対物レンズ系８６に対してステ
ージ８０は、Ｘ並びにY方向とシータ回転の運動を提供
することが可能である。この場合、紫外線顕微鏡の対物
レンズ系の１例としては、図１に示した反射屈折の両特
性を共に具備した画像系を考えれば良い。ダイ８４或い
はその一部で反射して集光される光信号８３は、ダイ又
はその一部の拡大画像を対物光学系８６でもって形成す
ることが出来、その像はリレーレンズ、即ちレンズ系９
０を通過する。ここで、通過するレンズ系としては、図
４の筒状のレンズ系を想定すれば良い。そして、ビデオ
系、例えば遠紫外線域で感度を有するCCD 配列を用いた
カメラ９２を導入して、その開口部に光信号が入射する
様に配備する。CCD カメラ９２の出力９４は、データプ
ロセッサ９６に入力する。ウェーハ検査装置では、入力
したダイ又はその一部の紫外線画像の各ピクセルを、他
の同様なダイ又はその一部の同様な紫外線画像の各ピク
セルと各々比較する。或いは、その比較の対象は、他の
同様なダイ又はその一部の同様な紫外線画像データで以
前から蓄積保存中していたものを取出して来て互いにピ
クセルどうしを比較する。この比較作業の結果であるデ
ータ９８は、出力装置デバイスであるCRTとか、プリン
タ、又はデータ記憶装置に、これを入力する。本発明の
広帯域紫外線用レンズは、横軸方向の色収差を補正する
ことが出来る。
【００２８】このレンズの長所の一つは、一画面の視野
のサイズを大きくすることが出来て、試料上の実寸法で
対角線長が０．５mmも可能にする。一方、公知例の狭帯
域紫外線用レンズでは、この値が大変に小さくその対角
線長が０．１mm程度、或いはそれ以下である。この効果
は大きく、視野面積比で見て、少なくとも２５倍を意味
する。其の結果、ウェーハ表面、レチクル面、或いは同
種の観察試料等、如何なるサンプルでも高速度検査を実
現している。以前は、完了するのに２０ 分から３０分
かかっていた検査時間が、今や１分以内となっている。
この新型レンズは、その観察表面が優れた平坦特性を有
する。この平坦特性は表面観察と検査の為に不可欠な要
素である。ここで、強調したいのは、本発明以前には広
帯域紫外線用対物レンズ系は一切存在していなかったと
言う事実である。現に観察波長帯の如何に依っては、ツ
ァイス社製対物レンズ型番Ultrafluor 100x では、その
焦点調整リングの調整と最適化作業を、常に必要として
いる。
のサイズを大きくすることが出来て、試料上の実寸法で
対角線長が０．５mmも可能にする。一方、公知例の狭帯
域紫外線用レンズでは、この値が大変に小さくその対角
線長が０．１mm程度、或いはそれ以下である。この効果
は大きく、視野面積比で見て、少なくとも２５倍を意味
する。其の結果、ウェーハ表面、レチクル面、或いは同
種の観察試料等、如何なるサンプルでも高速度検査を実
現している。以前は、完了するのに２０ 分から３０分
かかっていた検査時間が、今や１分以内となっている。
この新型レンズは、その観察表面が優れた平坦特性を有
する。この平坦特性は表面観察と検査の為に不可欠な要
素である。ここで、強調したいのは、本発明以前には広
帯域紫外線用対物レンズ系は一切存在していなかったと
言う事実である。現に観察波長帯の如何に依っては、ツ
ァイス社製対物レンズ型番Ultrafluor 100x では、その
焦点調整リングの調整と最適化作業を、常に必要として
いる。
【００２９】しかしながら最も重要な本発明の長所を挙
げれば、それは対物レンズの多重波長特性であると言え
る。即ち、広紫外線域で多数の複数波長で調整せずに良
好に動作するのである。公知の対物レンズに於ては、広
帯域では無く、どちらかといえば狭帯域であって、しか
も良好な特性は例え得られても特定な単一波長に於てで
あって、良好な特性は多くの互いに離れた複数波長で同
時に実現しない。公知のレンズに於けるその理由は、遠
紫外域で、特に２４８nm近傍での帯域は狭く、色収差補
正の限界でもって、１０nm範囲の帯域幅しか良好に動作
しない点にある。多くの紫外線の応用にあって、広い紫
外線域で多数の複数波長を有する光源が必要になる。例
えば、キセノン封入のフラッシュランプとアーク放電ラ
ンプがあって、これ等は光源として重用される。其の理
由は、低価格であること、及び人工的な可干渉性光線を
含まない点にある。以上のような光源を使用する場合
は、少なくとも２０nmの、望ましくは１００から２００
nmの広帯域で、第１次並びに第２次以上の高次の色収差
に関る補正を、長軸及び横軸方向に関して必要とする。
他の例では、単一装置に於て複数、且つ多種の光源の波
長が必要で、しかもそれ等が互いに離間していることを
必要とする場合がある。この場合でも、同じ様に光源が
発する広帯域の紫外線スペクトラムの色収差補正が必須
になる。
げれば、それは対物レンズの多重波長特性であると言え
る。即ち、広紫外線域で多数の複数波長で調整せずに良
好に動作するのである。公知の対物レンズに於ては、広
帯域では無く、どちらかといえば狭帯域であって、しか
も良好な特性は例え得られても特定な単一波長に於てで
あって、良好な特性は多くの互いに離れた複数波長で同
時に実現しない。公知のレンズに於けるその理由は、遠
紫外域で、特に２４８nm近傍での帯域は狭く、色収差補
正の限界でもって、１０nm範囲の帯域幅しか良好に動作
しない点にある。多くの紫外線の応用にあって、広い紫
外線域で多数の複数波長を有する光源が必要になる。例
えば、キセノン封入のフラッシュランプとアーク放電ラ
ンプがあって、これ等は光源として重用される。其の理
由は、低価格であること、及び人工的な可干渉性光線を
含まない点にある。以上のような光源を使用する場合
は、少なくとも２０nmの、望ましくは１００から２００
nmの広帯域で、第１次並びに第２次以上の高次の色収差
に関る補正を、長軸及び横軸方向に関して必要とする。
他の例では、単一装置に於て複数、且つ多種の光源の波
長が必要で、しかもそれ等が互いに離間していることを
必要とする場合がある。この場合でも、同じ様に光源が
発する広帯域の紫外線スペクトラムの色収差補正が必須
になる。
【００３０】３６５nmのｉ線と２４８nmの遠紫外線ステ
ッパーを使用するウェーハファブに於ては、本発明の広
帯域紫外線レンズを用いたレチクル検査システムが効力
を発揮する為には、３６５nmのｉ線と２４８nmの光源の
切換えが必須であるが、本発明はこれを可能にする。こ
の利点は重大で、レチクルが露光時に使用される、正に
その同じ波長（波長マッチング）での検査が実現したの
である。この波長マッチングは、上にも述べた様に、そ
の利点は重大である。何故なら、これは最先端のフェー
ズ（位相）シフトマスク検査に不可欠だからである。フ
ェーズシフトマスク検査は、波長マッチング無しでは意
味をなさない。同様に、本発明の広帯域紫外線レンズを
用いることに依って、ウェーハ上のフォトレジストのパ
ターン検査装置に於て、新たな性能と言える「利用する
波長の選択と切換え可能」の改良が実現した。フォトレ
ジスト材料は、可視光では透明である。従って、可視光
ではコントラスト不足で検査が困難にならざるを得な
い。しかしながら、フォトレジストは、短波長域、即ち
紫外では不透明になる。不透明化する波長の値は、それ
ぞれ材料に依って異なる。よって、 i線フォトレジスト
は、３１３nm の波長域で不透明化が達成されるので、
この波長で高感度の検査が可能になった。遠紫外フォト
レジスト（２４８nm専用レジスト ）が塗布されたパタ
ーン付ウェーハに於ては、仮に２２０nm近傍の波長を用
いて検査した時、その結果が波長２４８nmを使った場合
の検査と比べて異なっても、それは当然である。本発明
が提供するレンズ系をウェーハ検査に応用すれば、ｉ線
フォトレジスト及び遠紫外フォトレジスト共に、同一検
査装置が使えるが、これは大きなメリットである。
ッパーを使用するウェーハファブに於ては、本発明の広
帯域紫外線レンズを用いたレチクル検査システムが効力
を発揮する為には、３６５nmのｉ線と２４８nmの光源の
切換えが必須であるが、本発明はこれを可能にする。こ
の利点は重大で、レチクルが露光時に使用される、正に
その同じ波長（波長マッチング）での検査が実現したの
である。この波長マッチングは、上にも述べた様に、そ
の利点は重大である。何故なら、これは最先端のフェー
ズ（位相）シフトマスク検査に不可欠だからである。フ
ェーズシフトマスク検査は、波長マッチング無しでは意
味をなさない。同様に、本発明の広帯域紫外線レンズを
用いることに依って、ウェーハ上のフォトレジストのパ
ターン検査装置に於て、新たな性能と言える「利用する
波長の選択と切換え可能」の改良が実現した。フォトレ
ジスト材料は、可視光では透明である。従って、可視光
ではコントラスト不足で検査が困難にならざるを得な
い。しかしながら、フォトレジストは、短波長域、即ち
紫外では不透明になる。不透明化する波長の値は、それ
ぞれ材料に依って異なる。よって、 i線フォトレジスト
は、３１３nm の波長域で不透明化が達成されるので、
この波長で高感度の検査が可能になった。遠紫外フォト
レジスト（２４８nm専用レジスト ）が塗布されたパタ
ーン付ウェーハに於ては、仮に２２０nm近傍の波長を用
いて検査した時、その結果が波長２４８nmを使った場合
の検査と比べて異なっても、それは当然である。本発明
が提供するレンズ系をウェーハ検査に応用すれば、ｉ線
フォトレジスト及び遠紫外フォトレジスト共に、同一検
査装置が使えるが、これは大きなメリットである。
【００３１】同様に、遠紫外域で多数の異なる波長群を
光源とした画像処理が可能になるので、この特長を有効
に使って観察画像から観察試料をより深く理解すること
が出来る。例を挙げると、異なった物体は、異なった紫
外線波長の光源でそれぞれ特異な反射特性を有する。大
変ユニークな類似の例をもって論ずると、この状況は可
視光との類推で「紫外線の色」と解釈することも出来よ
う。（人間にとって「不」可視である紫外線も、本発明
が示す様に、それを観察し得る（視ることが出来る）器
械を創造することは出来る。）アルミニュームを除く
と、殆どの金属は、遠紫外域で不透明である。一方、シ
リコンは遠紫外域でその反射率が大変大きい。もし紫外
線検出に向いた画像センサーとして有効な半導体アレー
を用いてカメラを構成し、これを決まった紫外線域を通
すバンドパスフィルターと、本発明の広帯域対物レンズ
を組合わせると、観察試料の「紫外色画像」を写す画像
装置とすることが出来る。この技術は、パターン付きウ
ェーハ上のパターンの欠陥や、異物の分類に役立つこと
が解っている。上述の、例えば紫外線検出に向いた画像
センサーに有効な半導体アレーとしての素材の例は、Cs
2Te 、Cs3Sb 、K2CsSb或いは、GaAsP がある。本発明者
等は、上記の半導体材料に加えて、シリコンの裏側を削
って薄くした薄型構造のCCD に超小型レンズを搭載した
シリコン製CCDアレーを、画像装置に応用して良い成果
が得られることを実験で確かめた。
光源とした画像処理が可能になるので、この特長を有効
に使って観察画像から観察試料をより深く理解すること
が出来る。例を挙げると、異なった物体は、異なった紫
外線波長の光源でそれぞれ特異な反射特性を有する。大
変ユニークな類似の例をもって論ずると、この状況は可
視光との類推で「紫外線の色」と解釈することも出来よ
う。（人間にとって「不」可視である紫外線も、本発明
が示す様に、それを観察し得る（視ることが出来る）器
械を創造することは出来る。）アルミニュームを除く
と、殆どの金属は、遠紫外域で不透明である。一方、シ
リコンは遠紫外域でその反射率が大変大きい。もし紫外
線検出に向いた画像センサーとして有効な半導体アレー
を用いてカメラを構成し、これを決まった紫外線域を通
すバンドパスフィルターと、本発明の広帯域対物レンズ
を組合わせると、観察試料の「紫外色画像」を写す画像
装置とすることが出来る。この技術は、パターン付きウ
ェーハ上のパターンの欠陥や、異物の分類に役立つこと
が解っている。上述の、例えば紫外線検出に向いた画像
センサーに有効な半導体アレーとしての素材の例は、Cs
2Te 、Cs3Sb 、K2CsSb或いは、GaAsP がある。本発明者
等は、上記の半導体材料に加えて、シリコンの裏側を削
って薄くした薄型構造のCCD に超小型レンズを搭載した
シリコン製CCDアレーを、画像装置に応用して良い成果
が得られることを実験で確かめた。
【００３２】その結果、本発明のシステムを材料の蛍光
特性を使った材料分析機として更に発展させることが出
来ることを見出した。殆ど全ての有機の材料を含む多数
の材料、例えば、フォトレジスト、蛍光体等々は、それ
ぞれ異なる紫外線で励起することが出来る。其の励起の
結果、励起光と異なる波長の蛍光を発する。本発明で示
している広帯域紫外での画像処理に有効なレンズを以て
すれば、０．２から０．４ミクロンの様々な波長に適合
する蛍光検出装置を構築することが出来る。そして、蛍
光の波長を分析することに依って、観察試料の材料成分
の分析が、当然可能になる。反射屈折両性レンズの応用
装置に於て、その紫外線反射性光学部品にフィルター性
被膜を塗布することが出来る。フィルター性被膜の例と
しては、長波長パス型、短波長パス型、或いはバンドパ
ス型のダイクロイックと称する二色の玉虫色特性を有す
る被膜がある。この様な被膜を塗布することに依って、
一方では反射、散乱に依って存在する雑音成分の励起光
を排除しつつ、蛍光体の発するシグナルを画像化するこ
とが出来る。
特性を使った材料分析機として更に発展させることが出
来ることを見出した。殆ど全ての有機の材料を含む多数
の材料、例えば、フォトレジスト、蛍光体等々は、それ
ぞれ異なる紫外線で励起することが出来る。其の励起の
結果、励起光と異なる波長の蛍光を発する。本発明で示
している広帯域紫外での画像処理に有効なレンズを以て
すれば、０．２から０．４ミクロンの様々な波長に適合
する蛍光検出装置を構築することが出来る。そして、蛍
光の波長を分析することに依って、観察試料の材料成分
の分析が、当然可能になる。反射屈折両性レンズの応用
装置に於て、その紫外線反射性光学部品にフィルター性
被膜を塗布することが出来る。フィルター性被膜の例と
しては、長波長パス型、短波長パス型、或いはバンドパ
ス型のダイクロイックと称する二色の玉虫色特性を有す
る被膜がある。この様な被膜を塗布することに依って、
一方では反射、散乱に依って存在する雑音成分の励起光
を排除しつつ、蛍光体の発するシグナルを画像化するこ
とが出来る。
【００３３】波長に比例し、且つ開口数の２乗の逆比例
する、光学系の焦点深度は、紫外域で本質的に大変小さ
い値を有する。（焦点深度の典型的な値は、０．５から
０．１ミクロン位の値になる。）この値は、小さ過ぎて
常に問題である。この事実は、パターン付きウェーハに
画像を転写する上で問題があるし、そして他の同様な観
察表面でも、それが平坦でない時は、同様に問題であ
る。本発明の広帯域紫外線光学系では、多数波長にわた
る複数の光源群を使用してそれぞれ画像を結像するの
で、その各々の場合の焦点深度は全て異なる。
する、光学系の焦点深度は、紫外域で本質的に大変小さ
い値を有する。（焦点深度の典型的な値は、０．５から
０．１ミクロン位の値になる。）この値は、小さ過ぎて
常に問題である。この事実は、パターン付きウェーハに
画像を転写する上で問題があるし、そして他の同様な観
察表面でも、それが平坦でない時は、同様に問題であ
る。本発明の広帯域紫外線光学系では、多数波長にわた
る複数の光源群を使用してそれぞれ画像を結像するの
で、その各々の場合の焦点深度は全て異なる。
【００３４】しかしながら、ソフトウェアを以て、焦点
深度が各々異なる各画像を統合することに依って、系の
焦点深度を実質的に約１ミクロンへと改善することが可
能である。以下に例を述べよう。観察者は、ウェーハ或
いは同様な観察試料の立体表面を、互いに離れた３種の
異なった紫外線の色、即ちもっと具体的には各１０から
５０nmずつ互いに離れた波長の光線で掃引する。（具体
例はその波長が、各々０．２０、０．２２、０．２４ミ
クロンの光線を用いる。）この時、観察試料の立体表面
に関しては、別々の３枚の焦点面が得られる、即ち３枚
の別々の像面が結像する。ここで、コンフォカル、即ち
焦点共有型の顕微鏡に本発明の紫外線域の対物レンズを
組合わせる。そして、上記３本の各波長に対応して別々
のバンドパスフィルターを組合わせた検出器を構築し
て、この目的を実行する。こうして、得られた３つの画
像は、ソフトウェアを以てサイバースペースの中で統合
することが出来るので、合成画像となる。斯くして、焦
点深度は実質的に拡大したことになる。開口数が高いレ
ンズは高い分解能を提供するので、微細パターンの観察
には大変有効である。開口数が高いレンズを使って、焦
点の深さに応じた画像面を結像し、ソフトウェアを以て
これ等を統合して３次元（３Ｄ）の画像を創造すること
が出来る。
深度が各々異なる各画像を統合することに依って、系の
焦点深度を実質的に約１ミクロンへと改善することが可
能である。以下に例を述べよう。観察者は、ウェーハ或
いは同様な観察試料の立体表面を、互いに離れた３種の
異なった紫外線の色、即ちもっと具体的には各１０から
５０nmずつ互いに離れた波長の光線で掃引する。（具体
例はその波長が、各々０．２０、０．２２、０．２４ミ
クロンの光線を用いる。）この時、観察試料の立体表面
に関しては、別々の３枚の焦点面が得られる、即ち３枚
の別々の像面が結像する。ここで、コンフォカル、即ち
焦点共有型の顕微鏡に本発明の紫外線域の対物レンズを
組合わせる。そして、上記３本の各波長に対応して別々
のバンドパスフィルターを組合わせた検出器を構築し
て、この目的を実行する。こうして、得られた３つの画
像は、ソフトウェアを以てサイバースペースの中で統合
することが出来るので、合成画像となる。斯くして、焦
点深度は実質的に拡大したことになる。開口数が高いレ
ンズは高い分解能を提供するので、微細パターンの観察
には大変有効である。開口数が高いレンズを使って、焦
点の深さに応じた画像面を結像し、ソフトウェアを以て
これ等を統合して３次元（３Ｄ）の画像を創造すること
が出来る。
【００３５】本発明に依る紫外線対物レンズは、上述の
如く多くの異なる顕微鏡検査の為の中核となる技術であ
ることが解る。そして、この技術は色々な顕微鏡検査テ
クニックに貢献することが出来る。それ等は、前述の明
視野、暗視野並びに蛍光に於ける画像プロセス技術に留
まらず位相コントラスト、偏光コントラスト、差動干渉
コントラスト、等々がある。具体的な一例を挙げると、
本発明のシステムはコンフォーカル、即ち焦点共有型顕
微鏡が結像する幾何学的画像に応用可能である。この場
合は、紫外線ランプ光源と全視野一括結像方式で画像を
撮り込み、レーザーに依る掃引はこれを行なわない。こ
れ等のテクニックの一部、或るいは全部は、同時に並行
して使う場合もあるが、同一対物レンズ下で、順を追っ
て一つ終わって次に進む等、時系列上で直列に応用する
ことも出来るのは当然である。
如く多くの異なる顕微鏡検査の為の中核となる技術であ
ることが解る。そして、この技術は色々な顕微鏡検査テ
クニックに貢献することが出来る。それ等は、前述の明
視野、暗視野並びに蛍光に於ける画像プロセス技術に留
まらず位相コントラスト、偏光コントラスト、差動干渉
コントラスト、等々がある。具体的な一例を挙げると、
本発明のシステムはコンフォーカル、即ち焦点共有型顕
微鏡が結像する幾何学的画像に応用可能である。この場
合は、紫外線ランプ光源と全視野一括結像方式で画像を
撮り込み、レーザーに依る掃引はこれを行なわない。こ
れ等のテクニックの一部、或るいは全部は、同時に並行
して使う場合もあるが、同一対物レンズ下で、順を追っ
て一つ終わって次に進む等、時系列上で直列に応用する
ことも出来るのは当然である。
【００３６】
【発明の効果】本発明に依って、広帯域にわたる遠紫外
線画像を処理するに当たって、画像歪み及び色収差共に
高度な補正が出来る為に、種々多数の紫外線源を用いて
画像処理機器への広範囲な応用が可能になった。
線画像を処理するに当たって、画像歪み及び色収差共に
高度な補正が出来る為に、種々多数の紫外線源を用いて
画像処理機器への広範囲な応用が可能になった。
【図１】本発明の一例を示しており、反射と屈折の両特
性を共に具備して成る画像システムの側面を示す原理図
である。
性を共に具備して成る画像システムの側面を示す原理図
である。
【図２】本発明の一例を示しており図１の拡大図であ
る。ここには、中間像１３の近傍で特に色収差補正の為
のフィールドレンズ群を示す。
る。ここには、中間像１３の近傍で特に色収差補正の為
のフィールドレンズ群を示す。
【図３】本発明の一例を示しており図２と同等の図１の
拡大図である。但しここには、色収差の修正の為のフィ
ールドレンズ群で図２とは別の例を示す。
拡大図である。但しここには、色収差の修正の為のフィ
ールドレンズ群で図２とは別の例を示す。
【図４】本発明の構成の側面を示す原理図である。これ
は、反射と屈折の両特性を共に具備して成るチューブ形
状のレンズを示しており、これは図１のシステムに使う
べく設計したものである。この応用例では、顕微鏡の無
限遠修正対物レンズとして機能している。
は、反射と屈折の両特性を共に具備して成るチューブ形
状のレンズを示しており、これは図１のシステムに使う
べく設計したものである。この応用例では、顕微鏡の無
限遠修正対物レンズとして機能している。
【図５】本発明の一側面を示す原理構成図であって、反
射と屈折の両特性を共に具備する画像システムを応用し
た集積回路ウェーハパターンの検査装置の原理図であ
り、ここでは、暗視野に於ける光散乱手段を用いてお
り、更に斜め投影のレーザー光でもって入射光を得てい
る。
射と屈折の両特性を共に具備する画像システムを応用し
た集積回路ウェーハパターンの検査装置の原理図であ
り、ここでは、暗視野に於ける光散乱手段を用いてお
り、更に斜め投影のレーザー光でもって入射光を得てい
る。
【図６】本発明に基づく一側面を示す原理図である。反
射と屈折の両特性を共に具備した画像システムを特に対
物レンズとして応用し、ウェーハ外観検査装置を構成し
ている。
射と屈折の両特性を共に具備した画像システムを特に対
物レンズとして応用し、ウェーハ外観検査装置を構成し
ている。
【図７】公知例であり反射と屈折の両特性を共に具備し
た画像システムの側面を示す原理図。
た画像システムの側面を示す原理図。
【図８】公知例であり反射と屈折の両特性を共に具備し
た画像システムの側面を示す原理図。
た画像システムの側面を示す原理図。
１１… フォーカスレンズ群 １３… 中間像 １５… フィールドレンズ群 １７… 反射屈折両性レンズ群 ２１… レンズ ２２… レンズ ２３〜２７…レンズ群 ３１… 石英凹レンズ ３３… CaF2レンズ ３７… 小孔 ３９… 熔融石英皿状（反射屈折両性）レンズ ４１… 塗布物質、反射膜 ４３… 石英（反射屈折両性）レンズ ４５… 塗布物質、反射膜 ４７… 開口部 ５１… 皿状凹レンズ ５３… 皿状凹レンズ ５５… CaF2凸レンズ ６１… 紫外線光源 ６５… スリット ６９… ビーム分割器 ７１… 皿状凹レンズ ７３… 皿状凹レンズ ７５… 鏡 ７７… 鏡 ８０… ステージ ８１… 照明光源 ８２… 観察ウェーハ ８３… 光信号 ８４… ダイ ８５… ビーム ８６… 対物レンズ系 ８９… 観察ウェーハ表面 ９０… レンズ系 ９１… 小孔 ９２… CCD カメラ ９４… CCD カメラ出力 ９５… 小孔 ９６… データプロセッサ ９８… データ １０１… 補正レンズ群、１０１’… 補正レンズ群 １０３… フォーカスレンズ群、１０３’… フォーカ
スレンズ群 １０５… 中間像、１０５’… 中間像 １０７… フィールドレンズ群、１０７’… フィール
ドレンズ群 １０８’… レンズ体 １０９… 厚板レンズ、１０９’… 厚板レンズ １１１… 鏡、１１１’… 鏡、 １１３… 球面鏡、１１３’… 球面鏡 １１５… 最終の像、１１５’… 最終の像 １１７… 小孔、１１７’… 小孔 １１９… 小孔、１１９’… 小孔 １２１’… 硬い表面を持つ物体
スレンズ群 １０５… 中間像、１０５’… 中間像 １０７… フィールドレンズ群、１０７’… フィール
ドレンズ群 １０８’… レンズ体 １０９… 厚板レンズ、１０９’… 厚板レンズ １１１… 鏡、１１１’… 鏡、 １１３… 球面鏡、１１３’… 球面鏡 １１５… 最終の像、１１５’… 最終の像 １１７… 小孔、１１７’… 小孔 １１９… 小孔、１１９’… 小孔 １２１’… 硬い表面を持つ物体
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｎ 5/225 Ｈ０４Ｎ 5/225 Ｄ (72)発明者 ユン − ホー・チュアン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 95014、カッパーティーノ、ファーアロー ン・ドライブ 10678 (72)発明者 ビン − ミン・ビー・ツァイ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 95070、サラトガ、スコットランド・ドラ イブ 19801
Claims (18)
- 【請求項１】 単一の屈折率素材から構成され、所定の
曲率を有する屈折面を含み、紫外光線を中間像において
焦点が合うように選択された、光軸に沿った第１の位置
に配置された複数のレンズ要素を含むフォーカスレンズ
群であって、同時に本装置の他の構成要素と組合わせて
画像歪と色収差の高度な補正能力を備え、バンド幅０．
２０から０．２９ミクロンの波長で機能するフォーカス
レンズ群と、 前記中間像に近接して光軸上に設置する正極性のフィー
ルドレンズ群であって、実質的に凸レンズ性を有し、且
つ少なくとも２つの異なる屈折率故に互いに異なる分散
特性を有する複数のレンズ要素を含み、このレンズ要素
の各屈折面は第２の位置に設定され、且つ、少なくとも
第２次性の横軸に関る色収差を補正するように屈折面の
曲率が選定され、前記バンド幅で機能するフィールドレ
ンズ群と、 第１の光学要素と第２の光学要素とを含むカタディオプ
トリック群であって、前記第１の光学要素は、光軸に沿
って前記中間像の近傍に設置され、少くとも１つの凹型
反射面を有し、この中央に開口部を設けて中間像が発す
る光線を通過せしめる様に配備され、前記第２の光学要
素は、中心部を除く其の背面に反射鏡膜を塗布する事に
依って中心部は光透過性であるが、その他の面は、反射
性を有して成る１つのレンズから成る、カタディオプト
リック群とを具備し、 前記カタディオプトリック群の前記第１及び第２の光学
要素は、前記第１の光学要素の中心部の開口部を通って
伝播し、入射して来る紫外光が、前記第２の光学要素で
ある前記レンズを通過し、その背面の塗布された鏡で反
射して、逆進し、再び前記レンズを通過して、前記第１
光学要素の凹面鏡に向かい、これにて反射し、三度び前
記第２の光学要素である前記レンズを通過し、そして、
中央の塗布無き開口部を通過して最終画像を結像するよ
うに配備されることを特徴とする画像処理装置。 - 【請求項２】 前記紫外線波長帯域のバンド幅が、０．
２０から０．４０ミクロンを含むように設定されている
ことを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。 - 【請求項３】 前記紫外線波長帯域のバンド幅が、０．
１９３ミクロンを含むように設定されていることを特徴
とする請求項１記載の画像処理装置。 - 【請求項４】 前記フォーカスレンズ群における単一の
屈折率素材は、熔融石英であることを特徴とする請求項
１記載の画像処理装置。 - 【請求項５】 前記フィールドレンズ群は、熔融石英、
及び弗化ガラスで形成される複数のレンズ要素により構
成されることを特徴とする請求項１記載の画像処理装
置。 - 【請求項６】 前記第１の光学要素は、その中心部に孔
を設けた凹面鏡を有し、その孔が前記中央の光学的開口
部を形成することを特徴とする請求項１記載の画像処理
装置。 - 【請求項７】 前記第１の光学要素は、メニスカスレン
ズを有し、その凹表面は反射膜が塗布されていることを
特徴とする請求項１記載の画像処理装置。 - 【請求項８】 前記中央の光学的開口部は、前記メニス
カスレンズの中央の孔によって形成されていることを特
徴とする請求項７記載の画像処理装置。 - 【請求項９】 前記中央部の光学的開口部は、前記メニ
スカスレンズ上の中央領域に形成され、この中央領域に
は、反射性塗布膜が欠損していることを特徴とする請求
項７記載の画像処理装置。 - 【請求項１０】 前記カタディオプトリック群は、少な
くとも、開口数が０．８で最終画像の視野が０．５ｍｍ
となるように設定された反射表面曲率を有することを特
徴とする請求項１記載の画像処理装置。 - 【請求項１１】 第１の負レンズと、 画像歪みによる色収差を修正するために実質的に屈折力
が零となるような集光器グループを形成するように、前
記第１のレンズに近接して配置された、正の屈折力を有
する第２の両凸レンズと、 前記第２のレンズから間隔をおいて配置された第３の負
メニスカスレンズと、 前記第３のレンズの凹面に対向する凹面を有する第４の
負メニスカスレンズと、 正の屈折力を有する第５の両凸レンズと、 正の屈折力を有する第６のメニスカスレンズと、 前記第６のレンズの凹面に対向する凹面を有する、ほぼ
屈折力が零の第７のメニスカスレンズと、を有し、前記
第３から第７のレンズは互いに近接して配置され、これ
により最小の画像歪みを有するフォーカスレンズグルー
プを形成し、このフォーカスレンズグループは中間画像
を提供し、 更に、 他のレンズと異なる屈折材料で形成される少なくとも１
つの正の屈折力を有する凸レンズと、少なくとも１つの
負メニスカスレンズとを含むフィールドレンズグループ
であって、正味正の屈折力を有する、前記中間画像の近
傍に位置するアクロマチックフィールドレンズグループ
を形成する第８、第９、及び第１０のレンズと、 反射膜が蒸着された前記第１のレンズに対向する凸面
と、前記中間画像近傍に位置する第１の中央の光学開口
部とを有する第１１の負メニスカスレンズと、 前記第１１レンズから間隔をおいて配置された第１２レ
ンズであって、屈折力が零に近く、第２の中央の光学的
開口部を有し、前記第１レンズから離隔して対面する反
射膜が蒸着された表面を有する第１２の実質的に平坦な
レンズと、を有し、それぞれ反射膜が蒸着された前記第
１１及び第１２レンズがカタディオプトリックグループ
を形成し、このカタディオプトリックグループが、前記
第２光学開口部の直前の最終画像を提供する中間画像の
ための光フォーカッシングリレーを提供することを特徴
とする画像処理装置。 - 【請求項１２】 第３レンズは、第２レンズから少なく
とも３０ミリメートル離して配置され、第１２レンズ
は、第１１レンズから少なくとも３０ミリメートル離し
て配置されることを特徴とする請求項１１記載の画像処
理装置。 - 【請求項１３】 検査試料を４００ナノメートルより短
い波長の遠紫外線で照射するステップと、 各蛍光画像がその波長帯域が各々少なくとも５０ナノメ
ートル以上離れるように設定して、単一の広帯域集光器
を用いて試料から発する複数の波長を有する蛍光線信号
を集めてそれぞれの前記蛍光画像を形成するステップ
と、 前記複数の画像を可視光画像に変換するステップととを
具備することを特徴とする試料の欠陥検査方法。 - 【請求項１４】 検査試料を種々異なる波長の紫外線で
照射するステップと、 単一の広帯域集光器を用いて各紫外線波長毎に対応する
信号を集めて多重の画像をそれぞれ形成するステップ
と、 前記画像を検出するステップとを具備することを特徴と
する試料の欠陥検査方法。 - 【請求項１５】 検査試料が、フォトレジストを含む半
導体ウェーハであることを特徴とする請求項１４記載の
欠陥検査方法。 - 【請求項１６】 検査試料が、位相シフトフォトマスク
であることを特徴とする請求項１４記載の欠陥検査方
法。 - 【請求項１７】 前記検査試料上の欠陥の同定及び分類
を行うために、前記画像を解析するステップを具備する
ことを特徴とする請求項１４記載の欠陥検査方法。 - 【請求項１８】 検査試料を多数の波長を包含し、各波
長間が少なくとも１０ナノメートル以上、互いに離間し
ている紫外線で照射するステップと、 各波長に対応する試料の画像面を他の波長の焦点画面と
空間的に離間して形成するステップと、 各単波長の画面より大きな焦点深度を有するように、得
られた画像面群をコンピュータにて統合して再構築画像
を構築するステップとを具備することを特徴とする欠陥
検査方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/681,528 US5717518A (en) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system |
| US681528 | 1996-07-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10177139A true JPH10177139A (ja) | 1998-06-30 |
| JP4108788B2 JP4108788B2 (ja) | 2008-06-25 |
Family
ID=24735644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19433397A Expired - Lifetime JP4108788B2 (ja) | 1996-07-22 | 1997-07-18 | 反射屈折両特性原理を用いた広帯域紫外線画像システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US5717518A (ja) |
| JP (1) | JP4108788B2 (ja) |
| DE (1) | DE19731291C2 (ja) |
| GB (1) | GB2315562B (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10104513A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Carl Zeiss:Fa | カタジオプトリックマイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ |
| JP2002118058A (ja) * | 2000-01-13 | 2002-04-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法 |
| US6566671B1 (en) | 1999-06-17 | 2003-05-20 | Hitachi, Ltd. | Microscopic defect inspection apparatus and method thereof, as well as positional shift calculation circuit therefor |
| JP2003527636A (ja) * | 2000-03-10 | 2003-09-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 顕微検査のための改良レンズ |
| KR100530170B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2005-11-22 | 삼성전자주식회사 | 니어필드를 이용한 광픽업시스템 |
| KR100554071B1 (ko) * | 1999-04-21 | 2006-02-22 | 삼성전자주식회사 | 니어필드를 발생하는 집속광학계 |
| JP2006518876A (ja) * | 2003-02-21 | 2006-08-17 | ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション | 高性能カタディオプトリックイメージングシステム |
| JP2007514179A (ja) * | 2003-08-22 | 2007-05-31 | ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション | 広帯域顕微鏡用カタジオプトリック結像系 |
| JP2007527545A (ja) * | 2003-07-07 | 2007-09-27 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 小型カタジオプトリック型対物系を用いた検査システム |
| JP2007538238A (ja) * | 2004-05-17 | 2007-12-27 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | デバイス上の局所構造体を測定する方法 |
| JP2009223330A (ja) * | 1998-12-25 | 2009-10-01 | Nikon Corp | 光学装置および該光学装置を備えた投影露光装置 |
| WO2009125709A1 (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | 株式会社日立製作所 | 分光光学系および分光測定装置 |
| JP2009300994A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-12-24 | Olympus Corp | 光学系及びそれを用いた内視鏡 |
| US8553216B2 (en) | 2008-03-24 | 2013-10-08 | Hitachi, Ltd. | Defect inspection device using catadioptric objective lens |
| KR20140103152A (ko) * | 2011-12-30 | 2014-08-25 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 산란측정을 위한 반사굴절 대물렌즈 |
| JP2015039580A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | キヤノン株式会社 | 光断層撮像装置 |
| KR20190115089A (ko) * | 2017-02-21 | 2019-10-10 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사 굴절 렌즈 및 이러한 렌즈를 포함하는 광학 시스템 |
Families Citing this family (174)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3843548B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2006-11-08 | 株式会社ニコン | 顕微鏡装置 |
| US6512631B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-01-28 | Kla-Tencor Corporation | Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system |
| US6483638B1 (en) * | 1996-07-22 | 2002-11-19 | Kla-Tencor Corporation | Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability |
| US6064517A (en) * | 1996-07-22 | 2000-05-16 | Kla-Tencor Corporation | High NA system for multiple mode imaging |
| US5999310A (en) * | 1996-07-22 | 1999-12-07 | Shafer; David Ross | Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability |
| CA2280794A1 (en) * | 1997-02-20 | 1998-08-27 | The Regents Of The University Of California | Plasmon resonant particles, methods and apparatus |
| JPH116957A (ja) * | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Nikon Corp | 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法 |
| US6700645B1 (en) | 1998-01-22 | 2004-03-02 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus and method |
| JPH11214293A (ja) | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
| AU2560499A (en) * | 1998-01-29 | 1999-08-16 | Visx Incorporated | Laser delivery system and method with diffractive optic beam integration |
| WO1999052004A1 (fr) * | 1998-04-07 | 1999-10-14 | Nikon Corporation | Appareil et procede d'exposition a projection, et systeme optique reflechissant a refraction |
| US6947587B1 (en) * | 1998-04-21 | 2005-09-20 | Hitachi, Ltd. | Defect inspection method and apparatus |
| JP4438111B2 (ja) * | 1998-07-02 | 2010-03-24 | ソニー株式会社 | 計測装置及び計測方法 |
| US6324298B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-11-27 | August Technology Corp. | Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection |
| JP4165013B2 (ja) | 1998-08-07 | 2008-10-15 | ソニー株式会社 | カタディオプトリックレンズ、光学ヘッド及び光記録再生装置 |
| US6144118A (en) * | 1998-09-18 | 2000-11-07 | General Scanning, Inc. | High-speed precision positioning apparatus |
| JP4646342B2 (ja) * | 1998-11-20 | 2011-03-09 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 薄膜磁気ヘッド寸法・配列測定方法および薄膜磁気ヘッド寸法・配列測定装置 |
| KR20000034967A (ko) | 1998-11-30 | 2000-06-26 | 헨켈 카르스텐 | 수정-렌즈를 갖는 오브젝티브 및 투사 조명 장치 |
| US6635914B2 (en) * | 2000-09-08 | 2003-10-21 | Axon Technologies Corp. | Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same |
| US6379868B1 (en) | 1999-04-01 | 2002-04-30 | Agere Systems Guardian Corp. | Lithographic process for device fabrication using dark-field illumination |
| US6218057B1 (en) | 1999-04-16 | 2001-04-17 | Lucent Technologies Inc. | Lithographic process having sub-wavelength resolution |
| DE19931949A1 (de) * | 1999-07-09 | 2001-01-11 | Leica Microsystems | DUV-taugliches Mikroskop-Objektiv mit parfokalem IR-Fokus |
| JP4717974B2 (ja) * | 1999-07-13 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
| US6341185B1 (en) * | 1999-08-26 | 2002-01-22 | Luna Innovations, Inc. | Extrinisic optical waveguide sensors |
| AU7716700A (en) | 1999-09-28 | 2001-04-30 | Tropel Corporation | Double mirror catadioptric objective lens system with three optical surface multifunction component |
| JP4085538B2 (ja) * | 1999-10-15 | 2008-05-14 | ソニー株式会社 | 検査装置 |
| US6600608B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective comprising two intermediate images |
| US6356576B1 (en) * | 1999-11-29 | 2002-03-12 | Cymer, Inc. | Deep ultraviolet catadioptric anamorphic telescope |
| JP2001160530A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| US6621557B2 (en) | 2000-01-13 | 2003-09-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and exposure methods |
| TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
| DE10005189A1 (de) | 2000-02-05 | 2001-08-09 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage mit reflektivem Retikel |
| JP2001257143A (ja) | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US6862142B2 (en) | 2000-03-10 | 2005-03-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Multi-detector microscopic inspection system |
| JP2001267226A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 駆動装置及び露光装置、並びにデバイス及びその製造方法 |
| US6421180B1 (en) * | 2000-03-23 | 2002-07-16 | Harris Corporation | Apparatus for generating a laser pattern on a photomask and associated methods |
| JP2004511000A (ja) * | 2000-06-14 | 2004-04-08 | パノラム テクノロジーズ，インコーポレイテッド． | 透過／反射鏡を用いた複数画像の継目なし統合方法及び装置 |
| JP2002083766A (ja) | 2000-06-19 | 2002-03-22 | Nikon Corp | 投影光学系、該光学系の製造方法、及び前記光学系を備えた投影露光装置 |
| US6921615B2 (en) * | 2000-07-16 | 2005-07-26 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High-resolution overlay alignment methods for imprint lithography |
| WO2002006902A2 (en) | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes |
| JP3858571B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2006-12-13 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
| US7136159B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-11-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Excimer laser inspection system |
| US6842298B1 (en) | 2000-09-12 | 2005-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
| US7136234B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-11-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
| JP4245286B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2009-03-25 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
| US6478484B1 (en) * | 2000-10-24 | 2002-11-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Feed-forward mechanism from latent images to developer system for photoresist linewidth control |
| DE10117167B4 (de) * | 2001-04-06 | 2004-06-03 | Leica Microsystems Wetzlar Gmbh | Inspektionsmikroskop und Objektiv für ein Inspektionsmikroskop |
| US6963395B2 (en) * | 2001-07-09 | 2005-11-08 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for inspecting an EUV mask blank |
| DE10139177A1 (de) | 2001-08-16 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Objektiv mit Pupillenobskuration |
| US7065236B2 (en) * | 2001-09-19 | 2006-06-20 | Tripath Imaging, Inc. | Method for quantitative video-microscopy and associated system and computer software program product |
| US6917421B1 (en) | 2001-10-12 | 2005-07-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for multi-dimensional inspection and/or metrology of a specimen |
| US7408703B2 (en) * | 2001-11-13 | 2008-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wide-angle imaging optical system and wide-angle imaging apparatus surveillance imaging apparatus vehicle-mounted imaging apparatus and projection apparatus using the wide-angle imaging optical system |
| US7133547B2 (en) * | 2002-01-24 | 2006-11-07 | Tripath Imaging, Inc. | Method for quantitative video-microscopy and associated system and computer software program product |
| JP2003229553A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| GB2385481B (en) * | 2002-02-13 | 2004-01-07 | Fairfield Imaging Ltd | Microscopy imaging system and method |
| US7305115B2 (en) * | 2002-02-22 | 2007-12-04 | Siemens Energy And Automation, Inc. | Method and system for improving ability of a machine vision system to discriminate features of a target |
| US7075721B2 (en) * | 2002-03-06 | 2006-07-11 | Corning Incorporated | Compensator for radially symmetric birefringence |
| US7037639B2 (en) | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
| US6952256B2 (en) * | 2002-08-30 | 2005-10-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Optical compensation in high numerical aperture photomask inspection systems for inspecting photomasks through thick pellicles |
| US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US7138640B1 (en) | 2002-10-17 | 2006-11-21 | Kla-Tencor Technologies, Corporation | Method and apparatus for protecting surfaces of optical components |
| US7307783B2 (en) * | 2003-02-21 | 2007-12-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Catadioptric imaging system employing immersion liquid for use in broad band microscopy |
| US7672043B2 (en) * | 2003-02-21 | 2010-03-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Catadioptric imaging system exhibiting enhanced deep ultraviolet spectral bandwidth |
| US7646533B2 (en) * | 2003-02-21 | 2010-01-12 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Small ultra-high NA catadioptric objective |
| US7884998B2 (en) | 2003-02-21 | 2011-02-08 | Kla - Tencor Corporation | Catadioptric microscope objective employing immersion liquid for use in broad band microscopy |
| US7869121B2 (en) | 2003-02-21 | 2011-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Small ultra-high NA catadioptric objective using aspheric surfaces |
| US8712118B2 (en) * | 2003-04-10 | 2014-04-29 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | Automated measurement of concentration and/or amount in a biological sample |
| US20050142608A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-06-30 | Yokogawa Electric Corporation | Screening method and device, and new drug screening method and device |
| US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
| US7304310B1 (en) | 2003-11-21 | 2007-12-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspecting a specimen using light scattered in different wavelength ranges |
| US7106415B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-09-12 | Anvik Corporation | Illumination compensator for curved surface lithography |
| US7466489B2 (en) * | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
| WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
| US20080151364A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
| US7463422B2 (en) * | 2004-01-14 | 2008-12-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus |
| WO2005069055A2 (en) | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
| US7019835B2 (en) * | 2004-02-19 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system to measure characteristics of a film disposed on a substrate |
| US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| DE602005026375D1 (de) * | 2004-03-30 | 2011-03-31 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsobjektiv und projektionsbelichtungsvorrichtung |
| WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
| KR20140138350A (ko) | 2004-05-17 | 2014-12-03 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
| US20060023217A1 (en) * | 2004-05-28 | 2006-02-02 | Chemimage Corporation | Method and apparatus for producing a mosaic image |
| CN103884698B (zh) | 2004-06-07 | 2017-04-12 | 先锋生物科技股份有限公司 | 用于微流体器件的光学透镜系统和方法 |
| US7785526B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
| US20060026431A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Hitachi Global Storage Technologies B.V. | Cryptographic letterheads |
| US7298548B2 (en) * | 2004-08-16 | 2007-11-20 | International Electronic Machines Corp. | Multi-directional viewing and imaging |
| DE102004046658A1 (de) * | 2004-09-25 | 2006-04-06 | Franz Sachs Gmbh & Co. Kg | Lehrzahn |
| US7295739B2 (en) * | 2004-10-20 | 2007-11-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Coherent DUV illumination for semiconductor wafer inspection |
| US7630067B2 (en) * | 2004-11-30 | 2009-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices |
| US20070231421A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced Multi Channel Alignment |
| US7545969B2 (en) * | 2004-12-16 | 2009-06-09 | Alliant Techsystems Inc. | Method and system for wide-area ultraviolet detection of forensic evidence |
| US7218453B2 (en) * | 2005-02-04 | 2007-05-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus |
| US20060262295A1 (en) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Apparatus and method for inspecting a wafer |
| DE102005028427B3 (de) * | 2005-06-17 | 2007-01-11 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren zur optischen Aufnahme und Inspektion eines Wafers im Rahmen der Randentlackung |
| US7345825B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-03-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system |
| KR100729263B1 (ko) * | 2005-07-14 | 2007-06-15 | 삼성전자주식회사 | 기판 노광 장치 |
| US20070091109A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-04-26 | Roscoe Atkinson | Image quality |
| JP4915071B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2012-04-11 | 株式会社ニコン | 顕微鏡、およびバーチャルスライド作成システム |
| US7643226B2 (en) * | 2005-10-03 | 2010-01-05 | Salk Institute For Biological Studies | Maximal-aperture reflecting objective |
| US8148900B1 (en) | 2006-01-17 | 2012-04-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for providing illumination of a specimen for inspection |
| US8908175B1 (en) | 2006-03-31 | 2014-12-09 | Kla-Tencor Corporation | Flexible scatterometry metrology system and method |
| CN100569774C (zh) * | 2006-05-17 | 2009-12-16 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 2-氨基-6-氟-9-(4-羟基-3-羟甲基丁基)嘌呤及其中间体的制备方法 |
| US7705331B1 (en) | 2006-06-29 | 2010-04-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for providing illumination of a specimen for a process performed on the specimen |
| DE102006031995B4 (de) * | 2006-07-11 | 2013-02-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Linsenrohlinge und Linsenelemente sowie Verfahren zu deren Herstellung |
| US7852459B2 (en) | 2007-02-02 | 2010-12-14 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
| US8665536B2 (en) * | 2007-06-19 | 2014-03-04 | Kla-Tencor Corporation | External beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system |
| US7589330B2 (en) * | 2007-06-25 | 2009-09-15 | Olympus Corporation | Ultraviolet microscope apparatus |
| JP5489002B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2014-05-14 | カール ゼイス エスエムエス リミテッド | Ｄｕｖ透過マッピングのための方法と装置 |
| US7633689B2 (en) * | 2007-07-18 | 2009-12-15 | Asml Holding N.V. | Catadioptric optical system for scatterometry |
| WO2009018473A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Micronics, Inc. | Sanitary swab collection system, microfluidic assay device, and methods for diagnostic assays |
| DE102007043896A1 (de) | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrooptik zur Messung der Position eines Luftbildes |
| WO2009039512A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for panoramic imaging |
| DE102007054731A1 (de) | 2007-11-14 | 2009-05-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element zur Reflexion von UV-Strahlung, Herstellungsverfahren dafür und Projektionsbelichtungsanlage damit |
| US8134698B1 (en) | 2008-03-14 | 2012-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Dynamic range extension in surface inspection systems |
| US8064148B2 (en) * | 2008-04-15 | 2011-11-22 | Asml Holding N.V. | High numerical aperture catadioptric objectives without obscuration and applications thereof |
| US8188430B2 (en) * | 2008-05-22 | 2012-05-29 | International Electronic Machines Corporation | Omnidirectional monitoring using near-infrared electromagnetic radiation |
| DE102008041910A1 (de) | 2008-09-09 | 2009-11-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Katoptrisches oder katadioptrisches obskuriertes Abbildungssystem sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP2457251A4 (en) * | 2009-07-22 | 2017-11-08 | KLA-Tencor Corporation | Dark field inspection system with ring illumination |
| IL203876A (en) * | 2010-02-10 | 2016-11-30 | Opgal Optronic Ind Ltd | Optical instrument |
| WO2012096153A1 (ja) * | 2011-01-12 | 2012-07-19 | 株式会社ニコン | 顕微鏡システム |
| JP5656682B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2015-01-21 | キヤノン株式会社 | 反射屈折光学系及びそれを有する撮像装置 |
| US10197501B2 (en) | 2011-12-12 | 2019-02-05 | Kla-Tencor Corporation | Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors |
| DE102011088980A1 (de) | 2011-12-19 | 2012-10-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektlithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
| US9496425B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-11-15 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor with boron layer |
| CN102759331B (zh) * | 2012-07-05 | 2015-04-22 | 哈尔滨工业大学 | 荧光反射镜共轭双通照明共焦显微装置 |
| US9601299B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corporation | Photocathode including silicon substrate with boron layer |
| CN102905061B (zh) * | 2012-09-06 | 2015-04-01 | 中国科学院光电技术研究所 | 双镜头9片面阵探测器的无缝拼接成像光电系统 |
| CN102883095B (zh) * | 2012-09-06 | 2015-03-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 双镜头25片面阵探测器的无缝拼接成像光电系统 |
| US9426400B2 (en) * | 2012-12-10 | 2016-08-23 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination |
| US9478402B2 (en) | 2013-04-01 | 2016-10-25 | Kla-Tencor Corporation | Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor |
| DE102014005501A1 (de) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Tubuslinseneinheit |
| US9043743B2 (en) | 2013-10-22 | 2015-05-26 | International Business Machines Corporation | Automated residual material detection |
| US10317347B2 (en) * | 2013-11-01 | 2019-06-11 | Kla-Tencor Corp. | Determining information for defects on wafers |
| DE102013112212B4 (de) | 2013-11-06 | 2022-03-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Zoomeinrichtung, optische Abbildungseinrichtung, optisches Zoomverfahren und Abbildungsverfahren für die Mikroskopie |
| US9347890B2 (en) | 2013-12-19 | 2016-05-24 | Kla-Tencor Corporation | Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor |
| US9748294B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-08-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Anti-reflection layer for back-illuminated sensor |
| US9410901B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Image sensor, an inspection system and a method of inspecting an article |
| CN103941381B (zh) * | 2014-04-04 | 2016-05-18 | 浙江卷积科技有限公司 | 一种三维空间内微弱光收集器 |
| US9767986B2 (en) | 2014-08-29 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corporation | Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples |
| CZ2014882A3 (cs) * | 2014-12-10 | 2015-12-09 | Meopta- optika, s.r.o. | Optická soustava zobrazovacího spektrografu s vysokým rozlišením pro Ramanovu spektroskopii v hluboké UV oblasti záření |
| DE102015104323A1 (de) | 2015-03-23 | 2016-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Zoomsystem mit austauschbaren optischen Elementen |
| US9860466B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems |
| US20160334643A1 (en) * | 2015-05-15 | 2016-11-17 | Elwha Llc | Chromatic aberration correction lens systems and methods |
| US10748730B2 (en) | 2015-05-21 | 2020-08-18 | Kla-Tencor Corporation | Photocathode including field emitter array on a silicon substrate with boron layer |
| US10656397B2 (en) | 2015-06-25 | 2020-05-19 | Young Optics Inc. | Optical lens system |
| US10462391B2 (en) | 2015-08-14 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Dark-field inspection using a low-noise sensor |
| NL2017844A (en) | 2015-12-22 | 2017-06-28 | Asml Netherlands Bv | Focus control arrangement and method |
| US10313622B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor |
| US10778925B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology |
| CN108008597B (zh) * | 2016-11-01 | 2020-08-18 | 株式会社理光 | 拍摄至少两种波段光线的相机装置和方法 |
| DE102017114504B4 (de) * | 2017-06-29 | 2022-09-29 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Lithographiebelichtungsvorrichtung |
| DE102017115365B4 (de) * | 2017-07-10 | 2020-10-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren |
| CN107505692B (zh) * | 2017-09-26 | 2020-04-10 | 张家港中贺自动化科技有限公司 | 一种折反射式物镜 |
| US11114489B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
| CN108873289B (zh) * | 2018-09-04 | 2024-02-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 显微物镜光学系统及光学设备 |
| US10943760B2 (en) | 2018-10-12 | 2021-03-09 | Kla Corporation | Electron gun and electron microscope |
| US11114491B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-09-07 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
| EP3909238A4 (en) * | 2019-03-27 | 2022-03-09 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | THREE-DIMENSIONAL MODELING USING HEMISPHERIC OR SPHERICAL VISIBLE LIGHT DEPTH IMAGES |
| DE102019219177A1 (de) * | 2019-12-09 | 2021-06-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element mit einer Schutzbeschichtung, Verfahren zu dessen Herstellung und optische Anordnung |
| CN110887565B (zh) * | 2019-12-20 | 2023-06-06 | 苏州大学 | 一种超大视场推扫式机载高光谱成像系统及其成像方法 |
| CN113126281B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-09-30 | 张家港中贺自动化科技有限公司 | 宽谱线高分辨率光学系统 |
| CN113126311B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-09-27 | 张家港中贺自动化科技有限公司 | 一种宽谱线高分辨率光学系统 |
| CN113126283B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-09-30 | 张家港中贺自动化科技有限公司 | 宽谱线大视场光学系统 |
| CN113126282B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-09-27 | 张家港中贺自动化科技有限公司 | 一种宽谱线大视场光学系统 |
| CN113126244B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-09-30 | 张家港中贺自动化科技有限公司 | 宽谱线大视场物镜系统 |
| CN113126284B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-09-30 | 张家港中贺自动化科技有限公司 | 宽谱线大视场物镜 |
| CN113126285B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-09-30 | 张家港中贺自动化科技有限公司 | 宽谱线大视场物镜系统 |
| US11848350B2 (en) | 2020-04-08 | 2023-12-19 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor using a silicon on insulator wafer |
| CN112197883B (zh) * | 2020-10-09 | 2023-06-02 | 南京工业大学 | 一种流体表面温度场分布显示与检测方法 |
| KR20220074626A (ko) * | 2020-11-27 | 2022-06-03 | 삼성전자주식회사 | HSI(Hyper Spectral Imaging) 장치 및 이를 포함하는 검사 장치 |
| CN114594587B (zh) * | 2020-12-07 | 2023-06-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种紫外巡天的光学成像系统 |
| US11561476B1 (en) | 2021-07-10 | 2023-01-24 | Kenneth Carlisle Johnson | UV lithography system |
| CN115598818B (zh) * | 2022-10-17 | 2023-04-25 | 佛山迈奥光学科技有限公司 | 一种工业检测干式显微物镜 |
| CN117369107A (zh) * | 2023-12-07 | 2024-01-09 | 苏州矽行半导体技术有限公司 | 一种基于折返式物镜的检测设备 |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE845415C (de) * | 1941-10-31 | 1952-07-31 | Optische Werke C A Steinheil S | Ultraviolettdurchlaessiges optisches System |
| US3748015A (en) * | 1971-06-21 | 1973-07-24 | Perkin Elmer Corp | Unit power imaging catoptric anastigmat |
| US4247203A (en) * | 1978-04-03 | 1981-01-27 | Kla Instrument Corporation | Automatic photomask inspection system and apparatus |
| US4331390A (en) * | 1979-10-09 | 1982-05-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Monocentric optical systems |
| US4342503A (en) * | 1979-10-09 | 1982-08-03 | The Perkin-Elmer Corporation | Catadioptric telescopes |
| US4391494A (en) * | 1981-05-15 | 1983-07-05 | General Signal Corporation | Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer |
| DE3324478A1 (de) * | 1983-07-07 | 1985-01-24 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Vorrichtung zum reinigen von gasen |
| GB2153543B (en) * | 1983-12-28 | 1988-09-01 | Canon Kk | A projection exposure apparatus |
| US4618938A (en) * | 1984-02-22 | 1986-10-21 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus for automatic wafer inspection |
| US4556317A (en) * | 1984-02-22 | 1985-12-03 | Kla Instruments Corporation | X-Y Stage for a patterned wafer automatic inspection system |
| FR2564200B1 (fr) * | 1984-05-11 | 1986-10-03 | Inst Francais Du Petrole | Procede pour acquerir des images d'echantillons geologiques en vue de leur analyse optique et dispositif pour sa mise en oeuvre |
| US4642115A (en) * | 1984-08-16 | 1987-02-10 | Kievsky Nauchno-Issledovatelsky Institut Klinicheskoi I Experimentalnoi Khirurgii | Artificial eye lens |
| SE455646B (sv) * | 1984-10-22 | 1988-07-25 | Radians Innova Ab | Fluorescensanordning |
| US4779966A (en) * | 1984-12-21 | 1988-10-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Single mirror projection optical system |
| WO1986007148A1 (en) * | 1985-05-20 | 1986-12-04 | The Regents Of The University Of California | Differential imaging device |
| US4679938A (en) * | 1985-06-03 | 1987-07-14 | International Business Machines Corporation | Defect detection in films on ceramic substrates |
| CH668322A5 (de) * | 1985-07-24 | 1988-12-15 | Zumbach Electronic Ag | Vorrichtung mit einem telezentrischen, f-theta-korrigierten objektiv fuer kontaktloses messen und verwendung dieser vorrichtung. |
| US4749840A (en) * | 1986-05-16 | 1988-06-07 | Image Micro Systems, Inc. | Intense laser irradiation using reflective optics |
| US4988858A (en) * | 1986-11-12 | 1991-01-29 | The Boeing Company | Catoptric multispectral band imaging and detecting device |
| US4747678A (en) * | 1986-12-17 | 1988-05-31 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical relay system with magnification |
| US4845558A (en) * | 1987-12-03 | 1989-07-04 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus for detecting defects in repeated microminiature patterns |
| EP0348738A3 (de) * | 1988-07-01 | 1991-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur zerstörungsfreien Bestimmung elektronischer Inhomogenitäten in Halbleiterschichten |
| US5031977A (en) * | 1989-12-27 | 1991-07-16 | General Signal Corporation | Deep ultraviolet (UV) lens for use in a photolighography system |
| US5112129A (en) * | 1990-03-02 | 1992-05-12 | Kla Instruments Corporation | Method of image enhancement for the coherence probe microscope with applications to integrated circuit metrology |
| US5052763A (en) * | 1990-08-28 | 1991-10-01 | International Business Machines Corporation | Optical system with two subsystems separately correcting odd aberrations and together correcting even aberrations |
| US5031976A (en) * | 1990-09-24 | 1991-07-16 | Kla Instruments, Corporation | Catadioptric imaging system |
| US5161062A (en) * | 1991-07-11 | 1992-11-03 | General Signal Corporation | Optical projection system including a refractive lens assembly having a gap between constituent lenses |
| JP3747958B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
| JPH0728226A (ja) * | 1993-04-30 | 1995-01-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 領域的イメージを測定する装置及び方法 |
| US5515207A (en) * | 1993-11-03 | 1996-05-07 | Nikon Precision Inc. | Multiple mirror catadioptric optical system |
| US5412219A (en) * | 1993-11-22 | 1995-05-02 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method for determining surface coverage by materials exhibiting different fluorescent properties |
| US5488229A (en) * | 1994-10-04 | 1996-01-30 | Excimer Laser Systems, Inc. | Deep ultraviolet microlithography system |
| US6064517A (en) | 1996-07-22 | 2000-05-16 | Kla-Tencor Corporation | High NA system for multiple mode imaging |
-
1996
- 1996-07-22 US US08/681,528 patent/US5717518A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-07 GB GB9700213A patent/GB2315562B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-18 JP JP19433397A patent/JP4108788B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-21 DE DE19731291A patent/DE19731291C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-14 US US08/950,283 patent/US6133576A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-01-15 US US09/007,561 patent/US5956174A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-16 US US09/596,540 patent/US6313467B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-11-06 US US10/005,732 patent/US6956694B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10104513A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Carl Zeiss:Fa | カタジオプトリックマイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ |
| JP2009223330A (ja) * | 1998-12-25 | 2009-10-01 | Nikon Corp | 光学装置および該光学装置を備えた投影露光装置 |
| KR100530170B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2005-11-22 | 삼성전자주식회사 | 니어필드를 이용한 광픽업시스템 |
| KR100554071B1 (ko) * | 1999-04-21 | 2006-02-22 | 삼성전자주식회사 | 니어필드를 발생하는 집속광학계 |
| US6566671B1 (en) | 1999-06-17 | 2003-05-20 | Hitachi, Ltd. | Microscopic defect inspection apparatus and method thereof, as well as positional shift calculation circuit therefor |
| JP2002118058A (ja) * | 2000-01-13 | 2002-04-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法 |
| JP2003527636A (ja) * | 2000-03-10 | 2003-09-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 顕微検査のための改良レンズ |
| JP2006518876A (ja) * | 2003-02-21 | 2006-08-17 | ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション | 高性能カタディオプトリックイメージングシステム |
| US8675276B2 (en) | 2003-02-21 | 2014-03-18 | Kla-Tencor Corporation | Catadioptric imaging system for broad band microscopy |
| JP2007527545A (ja) * | 2003-07-07 | 2007-09-27 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 小型カタジオプトリック型対物系を用いた検査システム |
| JP2014167657A (ja) * | 2003-07-07 | 2014-09-11 | Kla-Encor Corp | 小型カタジオプトリック型対物系を用いた検査システム |
| JP2012128453A (ja) * | 2003-07-07 | 2012-07-05 | Kla-Encor Corp | 小型カタジオプトリック型対物系を用いた検査システム |
| JP2007514179A (ja) * | 2003-08-22 | 2007-05-31 | ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション | 広帯域顕微鏡用カタジオプトリック結像系 |
| JP2012212166A (ja) * | 2003-08-22 | 2012-11-01 | Kla-Encor Corp | 広帯域顕微鏡用カタジオプトリック結像系 |
| JP2007538238A (ja) * | 2004-05-17 | 2007-12-27 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | デバイス上の局所構造体を測定する方法 |
| US8553216B2 (en) | 2008-03-24 | 2013-10-08 | Hitachi, Ltd. | Defect inspection device using catadioptric objective lens |
| JP2009250958A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Hitachi Ltd | 分光光学系および分光測定装置 |
| WO2009125709A1 (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | 株式会社日立製作所 | 分光光学系および分光測定装置 |
| JP2009300994A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-12-24 | Olympus Corp | 光学系及びそれを用いた内視鏡 |
| KR20140103152A (ko) * | 2011-12-30 | 2014-08-25 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 산란측정을 위한 반사굴절 대물렌즈 |
| JP2015039580A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | キヤノン株式会社 | 光断層撮像装置 |
| KR20190115089A (ko) * | 2017-02-21 | 2019-10-10 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사 굴절 렌즈 및 이러한 렌즈를 포함하는 광학 시스템 |
| JP2020508492A (ja) * | 2017-02-21 | 2020-03-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射屈折レンズと、そのようなレンズを含む光学システム |
| US11561381B2 (en) | 2017-02-21 | 2023-01-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric lens and optical system comprising such a lens |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2315562A (en) | 1998-02-04 |
| JP4108788B2 (ja) | 2008-06-25 |
| US6133576A (en) | 2000-10-17 |
| US6313467B1 (en) | 2001-11-06 |
| US20020085271A1 (en) | 2002-07-04 |
| GB9700213D0 (en) | 1997-02-26 |
| DE19731291A1 (de) | 1998-01-29 |
| DE19731291C2 (de) | 2000-04-06 |
| GB2315562B (en) | 2001-07-11 |
| US5717518A (en) | 1998-02-10 |
| US6956694B2 (en) | 2005-10-18 |
| US5956174A (en) | 1999-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4108788B2 (ja) | 反射屈折両特性原理を用いた広帯域紫外線画像システム | |
| KR101697240B1 (ko) | 광학 검사 시스템 및 방법 | |
| JP5905430B2 (ja) | 広帯域顕微鏡用カタジオプトリック結像系 | |
| JP4639352B2 (ja) | 波長≦１００ｎｍで物体を検査する検査系 | |
| JP4761684B2 (ja) | ブロードバンド紫外線カタディオプトリックイメージングシステム | |
| JP5172328B2 (ja) | 浸漬液を用いた広帯域顕微鏡観察用カタジオプトリック結像系 | |
| JP5249015B2 (ja) | 広帯域のウェーハ検査用反射光学システム | |
| JP5038570B2 (ja) | 顕微検査のための改良レンズ | |
| TWI574116B (zh) | 檢驗裝置，微影裝置及元件製造方法 | |
| US7646533B2 (en) | Small ultra-high NA catadioptric objective | |
| JP2016006550A (ja) | 結像光学系 | |
| JP2008534963A5 (ja) | ||
| JP2002323658A (ja) | 照明システムの分割形対物レンズ | |
| US20060238856A1 (en) | Small ultra-high NA catadioptric objective using aspheric surfaces | |
| US6894837B2 (en) | Imaging system for an extreme ultraviolet (EUV) beam-based microscope | |
| JP5495555B2 (ja) | 非球面を使用した小型で超高ｎａの反射屈折対物レンズ | |
| JP2002311332A (ja) | 検査用顕微鏡およびそのための対物レンズ | |
| GB2357158A (en) | Inspecting objects with multi-wavelength ultraviolet radiation | |
| JP2024059661A (ja) | 計測光に関する物体の反射率を計測するための方法およびその方法を実行するための計量システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040518 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070912 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070918 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080304 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080403 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140411 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |