JPH08330637A - 表面実装型発光ダイオード - Google Patents

表面実装型発光ダイオード

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来の構成の表面実装型発光ダイオードで
は、モールド部の形成時に導電パターンに割れを生じた
り、或いは、基板とモールド部とに剥離を生じて、導通
不良、劣化などを生じ信頼性を損なう問題点を生じてい
た。 【構成】 本発明により、基板2の上面2aに、少なく
ともモールド部6の基板2と接する接合線6aを含む部
分をハンダレジスト膜7で覆う表面実装型発光ダイオー
ド1とすることで、モールド部6を形成するための金型
による挟み込み時にはハンダレジスト膜7がその柔軟性
で圧力を吸収し、また、環境温度が変化した場合には基
板とモールド部との熱膨張係数の差により生じる寸法差
もハンダレジスト膜7の柔軟性で吸収するものとして、
導通不良、劣化の発生を防止し、課題を解決するもので
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオードの構成に
関するものであり、詳細にはプリント回路基板などに取
付用の孔を設けることなく、直接に表面への実装を可能
とした表面実装型の発光ダイオードの構成に係るもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の表面実装型発光ダイオー
ド90の構成の例を示すものが図6および図7であり、
例えばガラスエポキシプリント回路板を利用して形成さ
れた基板91上には導電パターン92が設けられるもの
であり、この導電パターン92は長方形とされた基板9
1の短辺側の二辺に設けられる端子部92aと、一方の
前記端子部92aに接続し前記基板91の中央に向かい
延設されるパット部92bと、他の一方の端子部92a
に接続し前記基板91の中央に向かい延設される配線部
92cとで構成されている。
【0003】そして、前記導電パターン92は、通常に
は金メッキが施されて前記マウント部92aにLEDチ
ップ93がマウントされ、金ワイヤ94で配線部92c
との配線が行われ、その後に透明エポキシ樹脂などで前
記LEDチップ93と金ワイヤ94とを覆う略直方体状
のモールド部95が形成されて表面実装型発光ダイオー
ド90とされるものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の構成の表面実装型発光ダイオード90において
は、第一に、前記モールド部95を形成するためのモー
ルド工程で、図8に示すように基板91が金型81、8
2で挟まれるものとなるので、このときの圧力で基板9
1が圧縮されて変形し、導電パターン92の端子部92
aなどに割れ、剥がれなどを生じて導通不良となるなど
の問題点を生じている。
【0005】また、第二には、前記導電パターン92と
モールド部95とが熱膨張係数の差が大きいものである
ので、例えばプリント回路板に取付けるためのハンダリ
フロー時など高温となる雰囲気に曝された場合に、導電
パターン92とモールド部95とに剥離を生じ、この剥
離部分からハンダ、フラックスなどの不純物、あるいは
湿度が侵入するなどして表面実装型発光ダイオード90
の寿命を短縮する問題点も生じ、これらの点の解決が課
題とされていた。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は前記した従来の
課題を解決するための具体的な手段として、短辺側の二
辺には端子部が形成され上面には前記端子部と夫々が接
続するマウント部と配線部とが導電パターンで形成され
た長方形の基板の上面中央部に略直方体状としたモール
ド部を設けて成る表面実装型発光ダイオードにおいて、
前記基板の上面であり、且つ、少なくとも前記モールド
部の前記端子部と平行する二辺が基板と接する接合線を
含む部分はハンダレジスト膜で覆われていることを特徴
とする表面実装型発光ダイオードを提供することで、端
子部の割れ、モールド部の剥離を共に生じないものとし
て課題を解決するものである。
【0007】
【実施例】つぎに、本発明を図に示す一実施例に基づい
て詳細に説明する。図1および図2に符号1で示すもの
は本発明に係る表面実装型発光ダイオード(以下に発光
ダイオード1と略称する)であり、この発光ダイオード
1は、端子部3a、マウント部3b、配線部3cで成る
導電パターン3が形成された基板2にLEDチップ4が
マウントされ、金ワイヤ5で配線が行われた後に透明樹
脂によるモールド部6が形成されるものである点は従来
例のものと同様である。
【0008】ここで、本発明では前記基板2の上面2a
にハンダレジスト膜7を設けるものであり、上記ハンダ
レジスト膜7が設けられる位置は、端子部3aが設けら
れている基板2の短辺2bに平行するモールド部6の二
辺が基板2と接する接合線6aを少なくとも含むものと
されている。
【0009】即ち、前記基板2は前記接合線6aを境界
として、一方では基板2の上面2aが前記端子部3a若
しくはマウント部3b、配線部3cを含み露出し、他方
では基板2の上面2aが前記端子部3a若しくはマウン
ト部3b、配線部3cを含みモールド部6に覆われるも
のとなっているが、前記ハンダレジスト膜7は露出側と
覆われる側との双方にわたるようにして基板2の上面2
aに設けられるのである。
【0010】尚、実際の発光ダイオード1の製造工程に
おいては、前記基板2を作成する際の導電パターン3が
エッチングなど適宜な手段で形成が行われた後の時点
で、例えばスクリーン印刷などにより所定位置にハンダ
レジスト膜7を予めに印刷しておけば良いものである。
【0011】次いで、上記の構成とした本発明の発光ダ
イオード1の作用および効果について説明を行う。先
ず、上記の構成としたことで、図3に示すようにモール
ド部6を形成するために基板2を金型11、12で挾ん
だ場合にも前記導電パターン3の端子部3aに生じる割
れ、剥がれの発生は皆無となった。
【0012】これは、前記ハンダレジスト膜7が前記基
板2および導電パターン3が形成された部材に比較して
軟質であるので、上記のように金型11、12に挟まれ
て圧縮されたときには、このハンダレジスト膜7の部分
のみで変形を生じるものとなり、基板2に変形を生じる
ことがなく、従って、割れ、剥がれは発生しなく成るの
である。
【0013】また、図4は環境温度の変化に対する基板
2とモールド部6との剥離発生の度合いを従来例(図6
および図7を参照)との比較で示すものであり、図中に
符号Tで示す曲線は本発明に係る発光ダイオード1の剥
離の発生頻度曲線であり、同じ図中に符号Cで示す曲線
は従来例の発光ダイオードの剥離の発生頻度曲線であ
る。
【0014】このときの条件は、回路基板などに発光ダ
イオード1を取付けるときのリフロー炉の温度条件であ
る、前加熱(150℃、2分)と本加熱(240℃、5
秒)との組合せを1サイクルとして5サイクルを印加
し、各サイクルの終了時毎に剥離の発生を観察してい
る。
【0015】上記試験の結果では、従来例の発光ダイオ
ードは発生頻度曲線Cで示すように、最初の1サイクル
で10%強のものに剥離を生じ、2サイクルでは60%
強、3サイクルでは82%、4サイクルでは90%弱と
サイクルを重ねるごとに剥離の発生の度合いは進行し、
5サイクル終了時点では95%とほぼ全てのものに剥離
を発生するものとなっている。
【0016】これに対して、本発明の構成とした発光ダ
イオード1では5サイクルの終了時点でも全くに剥離の
発生は認められず格段に耐久性に優れるものであり、こ
れは、前記導電パターン3を含む基板2とモールド部6
との間に介在する比較的に軟質なハンダレジスト膜7が
変形して、上記両者2、6の熱膨張係数の差により生じ
た寸法差を吸収するからである。
【0017】また、前記金型11、12に挟まれると
き、および、環境温度が変化したときの緩衝材としてハ
ンダレジスト膜7を選択したのは、上記したようにリフ
ロー炉を通過させるときに万一に剥離を生じた場合、ハ
ンダおよびフラックスが導電パターン3上を流れてLE
Dチップ4に達するのを防止するためである。
【0018】尚、発明者によるこの発明を成すための実
験の結果では、前記モールド部6に側方からの力を加え
て基板2と離脱させるときには、従来例のものが略1.
7Kgであったのに対して、本発明の構成とした発光ダイ
オード1では略2Kgと略18%向上したものとなり、前
記ハンダレジスト膜7を介在させることで接着強度も向
上することが確認されている。
【0019】加えて、この実施例においては端子部3a
寄りの2個所にハンダレジスト膜7が設けられるもので
あるので、例えば、LEDチップ4のアノードに接続さ
れる端子部3a側のハンダレジスト膜7と、LEDチッ
プ4のカソードに接続される端子部3a側のハンダレジ
スト膜7とを色彩を異なるものとすれば発光ダイオード
1の極性を表示することが可能となる、
【0020】ここで、前記基板2の寸法は0.8mm×
1.6mm程度と極めて小さいものであり、現実に回路基
板などに発光ダイオード1を組付けるとき、あるいは検
査をするときの極性の判断は、極めて困難な作業となっ
ている、従って、上記のように色彩など判断を容易とす
る手段が設けられることで、組立工程、検査工程におい
て格段の作業効率の向上が期待できるものとなる。
【0021】更には、前記LEDチップ4の発光色が赤
色である場合には、アノード側の端子部3a側のハンダ
レジスト膜7を赤色とし、発光色が緑色である場合には
アノード側のハンダレジスト膜7を緑色とするなどLE
Dチップ4の発光色とアノード側のハンダレジスト膜7
の色彩を関連させ、カソード側のハンダレジスト膜7を
黒色などとすれば、上記の極性表示と共に発光色の表示
も可能となる。
【0022】図5に示すものは本発明の別な実施例であ
り、前の実施例が二本の接合線6aの近傍にハンダレジ
スト膜7を形成するものとしていたが、本発明はこれを
限定するものでなく、図示のように基板2のマウント部
3bと配線部3cとを除く上面2aの全面にハンダレジ
スト膜8を形成しても良く、要は少なくとも前記接合線
6aを含むようにハンダレジスト膜8が形成されれば良
いものである。
【0023】このように形成したことでハンダレジスト
膜8はマウント部3bにマウントされるLEDチップ4
の全周を取囲むものとなり、このときに前記ハンダレジ
スト膜8を白色として形成しておくことで反射膜を兼ね
るものとすることができ、点灯を行った際の発光ダイオ
ード1の明るさを、より一層に向上させることが可能と
なる。
【0024】また、この実施例においても前記ハンダレ
ジスト膜8をLEDチップ4の発光色と同一のものとし
ておけば、非点灯時に発光ダイオード1の発光色を表示
可能とするものとなることは、前の実施例と同様であ
る。尚、上記した以外の作用、効果については前の実施
例と全くに同様であるので、ここでの詳細な説明は省略
する。
【0025】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、基
板の上面であり、且つ、少なくともモールド部の端子部
と平行する二辺が基板と接する接合線を含む部分はハン
ダレジスト膜で覆われている表面実装型発光ダイオード
としたことで、第一には、モールド部を形成するための
金型による挟み込み時にも、基板の上面に設けたハンダ
レジスト膜がその柔軟性で圧力を吸収して基板の変形に
よる端子部の割れ、剥がれを防止し、導通不良を生じな
いものとして、この種の表面実装型発光ダイオードの信
頼性の向上に極めて優れた効果を奏するものである。
【0026】また、第二には、導電パターンを含む基板
の面とモールド部との間にハンダレジスト膜を介在させ
たことで、リフロー炉の通過時など環境温度が変化した
場合においても、基板とモールド部との熱膨張係数の差
により生じる寸法差を前記ハンダレジスト膜の柔軟性で
吸収するものとし、両者間に剥離を生じることをなくし
て不純物、湿度のLEDチップへの侵入を防止し、劣化
を生じないものとして、この点においても表面実装型発
光ダイオードの信頼性の向上に極めて優れた効果を奏す
るものである。
【0027】更に、ハンダレジスト膜を夫々の端子部側
で色彩の異なるものとすることで、この種の超小型で、
且つ、対称的な形状とされて極性あるいは発光色の判断
が困難な表面実装型発光ダイオードにおいても、それら
を容易に判定できる手段を提供し、組立、検査などの工
程の効率向上にも優れた効果を奏するものとなる。
【0028】加えて、ハンダレジスト膜をマウント部と
配線部とを除く基板の上面の全面に設け、且つ、その色
彩を白色あるいはLEDチップの発光色とすることで、
前記ハンダレジスト膜がLEDチップに対して反射膜と
しても機能するものとして、この種の表面実装型発光ダ
イオードの明るさを向上させて、性能向上にも優れた効
果を奏するものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る表面実装型発光ダイオードの一
実施例を示す斜視図である。
【図2】 同じ実施例のハンダレジスト膜の敷設の状態
を示す説明図である。
【図3】 同じ実施例のモールド部を形成するときの状
態を示す説明図である。
【図4】 同じ実施例の加熱試験の結果を従来例の加熱
試験の結果との比較で示すグラフである。
【図5】 同じく本発明に係る表面実装型発光ダイオー
ドの別の実施例をハンダレジスト膜の敷設の状態で示す
説明図である。
【図6】 従来例を示す斜視図である。
【図7】 従来例の導電パターンの敷設の状態を示す説
明図である。
【図8】 従来例のモールド部を形成するときの状態を
示す説明図である。
【符号の説明】
1……表面実装型発光ダイオード 2……基板 2a……上面 2b……短辺 3……導電パターン 3a……端子部 3b……マウント部 3c……配線部 4……LEDチップ 5……金ワイヤ 6……モールド部 6a……接合線 7、8……ハンダレジスト膜 11、12……金型

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 短辺側の二辺には端子部が形成され上面
    には前記端子部と夫々が接続するマウント部と配線部と
    が導電パターンで形成された長方形の基板の上面中央部
    に略直方体状としたモールド部を設けて成る表面実装型
    発光ダイオードにおいて、前記基板の上面であり、且
    つ、少なくとも前記モールド部の前記端子部と平行する
    二辺が基板と接する接合線を含む部分はハンダレジスト
    膜で覆われていることを特徴とする表面実装型発光ダイ
    オード。
  2. 【請求項2】 前記ハンダレジスト膜は夫々の端子部側
    で色彩の異なるものとされていることを特徴とする請求
    項1記載の表面実装型発光ダイオード。
  3. 【請求項3】 前記ハンダレジスト膜は前記マウント部
    と配線部とを除く前記基板の上面の全面に設けられ、且
    つ、その色彩を白色、若しくは、LEDチップの発光色
    とされていることを特徴とする請求項1記載の表面実装
    型発光ダイオード。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1117225A (ja) * 1997-06-23 1999-01-22 Nichia Chem Ind Ltd 光電装置
JP2000049384A (ja) * 1998-07-29 2000-02-18 Matsushita Electron Corp チップ型発光装置
JP2000133845A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2001168393A (ja) * 1999-12-08 2001-06-22 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
JP2002353270A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体装置
JP2007059837A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型led
CN1327536C (zh) * 2003-04-14 2007-07-18 丰田合成株式会社 Led灯及其制造方法
JP2011146735A (ja) * 2011-03-22 2011-07-28 Rohm Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2012186450A (ja) * 2011-02-16 2012-09-27 Rohm Co Ltd Ledモジュール
JP2016219835A (ja) * 2011-02-16 2016-12-22 ローム株式会社 Ledモジュール
US9673364B2 (en) 2013-07-19 2017-06-06 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2018010949A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 ローム株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2018014462A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 キヤノン株式会社 光学センサー及びスキャナユニット、画像形成装置
JP2018133522A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 ローム株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2018142708A (ja) * 2018-04-02 2018-09-13 ローム株式会社 Ledモジュール、ledモジュールの実装構造
JP2019195104A (ja) * 2012-05-09 2019-11-07 ローム株式会社 発光装置
US11309465B2 (en) 2013-07-19 2022-04-19 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP2022180523A (ja) * 2017-08-25 2022-12-06 ローム株式会社 半導体装置
JP2022190094A (ja) * 2018-08-09 2022-12-22 ローム株式会社 発光装置および表示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4024994B2 (ja) * 2000-06-30 2007-12-19 株式会社東芝 半導体発光素子
JP4451214B2 (ja) * 2004-05-21 2010-04-14 シャープ株式会社 半導体装置
CN102983242B (zh) * 2008-01-23 2017-04-26 晶元光电股份有限公司 发光二极管元件
CN101494260B (zh) * 2008-01-23 2013-02-13 晶元光电股份有限公司 发光二极管元件
JP5104385B2 (ja) * 2008-02-20 2012-12-19 豊田合成株式会社 Ledランプモジュール

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58122756A (ja) * 1982-01-14 1983-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子取付装置
JPS63174379A (ja) * 1987-01-14 1988-07-18 Toshiba Corp 発光表示装置

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1117225A (ja) * 1997-06-23 1999-01-22 Nichia Chem Ind Ltd 光電装置
JP2000049384A (ja) * 1998-07-29 2000-02-18 Matsushita Electron Corp チップ型発光装置
JP2000133845A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
US6180962B1 (en) * 1998-10-23 2001-01-30 Rohm Co., Ltd. Chip type semiconductor light emitting device having a solder preventive portion
JP2001168393A (ja) * 1999-12-08 2001-06-22 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
JP2002353270A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体装置
JP4608810B2 (ja) * 2001-05-23 2011-01-12 パナソニック株式会社 表面実装型の半導体装置
CN1327536C (zh) * 2003-04-14 2007-07-18 丰田合成株式会社 Led灯及其制造方法
US7332862B2 (en) 2003-04-14 2008-02-19 Toyoda Gosei Co., Ltd. Led lamp including a resist bonded to a copper film
KR101252675B1 (ko) * 2005-08-26 2013-04-09 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 표면실장형 led
JP2007059837A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型led
JP2019186583A (ja) * 2011-02-16 2019-10-24 ローム株式会社 発光装置
JP2020074488A (ja) * 2011-02-16 2020-05-14 ローム株式会社 発光装置
US9379290B2 (en) 2011-02-16 2016-06-28 Rohm Co., Ltd. LED module
JP2016219835A (ja) * 2011-02-16 2016-12-22 ローム株式会社 Ledモジュール
US9640744B2 (en) 2011-02-16 2017-05-02 Rohm Co., Ltd. LED module
JP2012186450A (ja) * 2011-02-16 2012-09-27 Rohm Co Ltd Ledモジュール
US10103304B2 (en) 2011-02-16 2018-10-16 Rohm Co., Ltd. LED module
JP2018067731A (ja) * 2011-02-16 2018-04-26 ローム株式会社 Ledモジュール
JP2011146735A (ja) * 2011-03-22 2011-07-28 Rohm Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2020080427A (ja) * 2012-05-09 2020-05-28 ローム株式会社 半導体発光装置
JP2019195104A (ja) * 2012-05-09 2019-11-07 ローム株式会社 発光装置
US10128421B2 (en) 2013-07-19 2018-11-13 Nichia Corporation Light emitting device
US10522729B2 (en) 2013-07-19 2019-12-31 Nichia Corporation Light emitting device
US9673364B2 (en) 2013-07-19 2017-06-06 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
US11309465B2 (en) 2013-07-19 2022-04-19 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP2018010949A (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 ローム株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2018014462A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 キヤノン株式会社 光学センサー及びスキャナユニット、画像形成装置
US11269177B2 (en) 2016-07-22 2022-03-08 Canon Kabushiki Kaisha Optical sensor, scanner unit, and image forming apparatus
JP2018133522A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 ローム株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2022180523A (ja) * 2017-08-25 2022-12-06 ローム株式会社 半導体装置
JP2018142708A (ja) * 2018-04-02 2018-09-13 ローム株式会社 Ledモジュール、ledモジュールの実装構造
JP2022190094A (ja) * 2018-08-09 2022-12-22 ローム株式会社 発光装置および表示装置

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